Способ определения толщины пленок на подложке
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) (1) ОБРЕТЕНИЯ И К АВТОРС ЕЛЬСТВ ны пленок, Цель толщины пленок В микровосковой шиваниилюмино к сухому остатку материал или изд определяют при ФБ - 2, в датчик тельной лампы Уф-лампа, вели сти, по которому 1 ил,нина и В,А, Арнатво СССР, 1952.НИЯ ТОЛЩИН тся к измеритель- измерению толщизащищаемом образце масса состава была в 2 раза больше, чем на предыдущем.Покрытые составом образцы высушивают на горизонтальной поверхности в течение 24 ч при температуре 20 + 2 С и на них определяют толщину защитной микровосковой пленки в следующей последовательности. Сначала высушенные образцы взвешивают и определяют толщину пленки на каждом из них по массе состава и его плотности (весовой метод). Затем блескомер фотоэлектрического типа ФБ - 2, в котором лампу накаливания заменяют на УФ - лампу, устанавливают на исследуемый образец и снимают показания прибора. Таким образом исследуются все образцы, покрытые составом ИВВСМ. к измерит те материа торов.яется изме ровосковой е- саввй Оь На чертеже изображен график зависимости коэффициента яркости пленок из состава ИВ ВС - 706 М с добавкой люмогена 3 к с,о. от толщины пленок,Способ осуществляют следующим образом,Определяют толщину защитной пленки микровоскового состава ИВВСМ с введенным в него люмогеном светло-желтым 564 К в концентрации 3 к сухому остатку. Для этого образцы из сплава Д 16 Т размером 50 х 50 х 2 мм, покрытые грунтовкой АК, взвешивают на весах и с помощью краскораспылителя покрывают составом ИВВСМ с введенным в него люмогеном. Причем покрытие составом осуществляют так, чтобы на каждом последующем нным данным строят калиброик (см. чертеж), из которого, иент яркости, можно опредепленки на микровосковой осной на грунтовку,о получей графкозффицолщинунанесен вочн зная лить ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКЕ(57) Изобретение относиной технике, а именно к Изобретение относится ной технике, а именно к защи от внешних воздействий факЦелью изобретения явл ние толщины пленок на мик нове. изобретения - измерение на микровосковой основе. состав вводят при перемефор в концентрации 15 покрывают защищаемый елие и после высыхания бором."Блескомер" тип которого вместо освети- накаливания вставлена чину коэффициента ярко- судят о толщине пленки,1682767 ставитель В. Климовахред М,Моргентал Корре Н. Король Редактор анко акаэ 3401 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Формула изобретения Способ определения толщины пленок на подложке, заключающийся в том, что в состав пленки вводят дополнительное вещество, освещают пленку, регистрируют параметры, характеризующие взаимодействие света с дополнительным веществом, и по ним судят о толщине пленки, о т л и ч ею щ и й с я тем, что, с целью измерения толщины пленок на микровосковой основе, в качестве дополнительного вещества вводят при перемешивании люминофор в концентрации 1.5 к сухому остатку, 5 освещение производят ультрафиолетовымизлучением, а в качестве регистрирующего параметра выбирают величийу коэффициента яркости свечения люминофора в УФ излучении.
СмотретьЗаявка
4692355, 22.05.1989
ВОЙСКОВАЯ ЧАСТЬ 75360
ИШУТИН ВАСИЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ИВОНИНА ТАТЬЯНА НИКОЛАЕВНА, АРНАУТОВА ВАЛЕНТИНА АЛЕКСАНДРОВНА
МПК / Метки
МПК: G01B 11/06
Метки: пленок, подложке, толщины
Опубликовано: 07.10.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1682767-sposob-opredeleniya-tolshhiny-plenok-na-podlozhke.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения толщины пленок на подложке</a>
Устройство для измерения внутренних напряжений в тонких пленках
Номер патента: 1280314
Опубликовано: 30.12.1986
Автор: Качер
МПК: G01B 11/16
Метки: внутренних, напряжений, пленках, тонких
...прозрачного измерительного экрана 4 в вакуумную камеру 12 на полупрозрачное плоское зеркало 8, которое отражает часть пучка излучения источника 2 света на эталонную подложку 1 О. Проходя через последнюю, это излучение регистрируется фотоприемником 9. Отраженную от поверхности эталонной подложки 10 часть излучения направляют полупрозрачным плоским зеркалом 8 на полупрозрачное выпуклое зеркало 3, отражающее это излучение на измерительный экран 4, Прошедшую через полупрозрачное плоское зеркало 8 часть излучения источ" ника 2 света направляют плоским зеркалом 5 на подложку 6 для пленки, Интенсивность прошедшего излучения регулируют оптическим клином 11 и регистрируют фотоприемником 7. Отраженную от поверхности подложки 6 с пленкой часть...
Устройство для измерения магнитострикции образцов микронных толщин
Номер патента: 1238011
Опубликовано: 15.06.1986
Авторы: Венков, Есиков, Петровых, Соснин, Ястребов
МПК: G01R 33/18
Метки: магнитострикции, микронных, образцов, толщин
...на уровне, задаваемом выходным напряжением интегратора 24. Далее импульс открывает проходной элемент 18, благодаря чему конденсатор 25 частично разряжается через сопротивление нагрузки, преобразователь 9 и резистор 26. Напряжения с нагрузки и эталонного резистора 26 поступают на перемножитель 19 и далее на интегратор 20, на выходе кото-, рого получается импульс напряжения с амплитудой, пропорциональной тепловой энергии, выделившейся в ветвях преобразователя 9 за время протека ния калибрующего импульса тока.Амплитуда этого импульса запоминается в виде постоянного уровня .нап ряжения в.амплитудном детекторе 21, затем с помощью блока 22 это напряжение сравнивается с опорным, вырабаты" ваемым источником 23, и поступает на вход...
Способ определения объемного коэффициента раздвижки зерен сыпучих смесей сложного состава
Номер патента: 1791779
Опубликовано: 30.01.1993
Автор: Голубев
МПК: G01N 33/38
Метки: зерен, коэффициента, объемного, раздвижки, сложного, смесей, состава, сыпучих
...содержание частных остатков на ситах крупнозерйистой фракции.Способ осуществляют следующим образом.П р и м е р. В наличии имеются двефракции сложйого состава; 35известняковый щебень, частные остатки на ситаМ которого составляют следующие .значения: б 5 = 0,14; д 6 = 0,07 мм и природный песок, частные ос 1 атки на си" тах которого составляют следующие значения:2;5 мм 1,25 мм 0,63 мм 0,315 мм 0,14 мм 0,07 мм504,ож 4,0% й,оК з 5,озб,ож 6.0%Определяют по формуле: О 5= 2,5 мм 1б 5 = 0,14; б 6 = 0,07 мм О - и + б 1 - п 1зО 1 - п 55а 4 = 1,428; а 5= 1,178; а 6= 1,086;Определяют долю участия зерен природного песка в раздвижке зерен щебня с 25 мм 20 мм10 мм Бмм 2,5 мм 0 Бо 50 о/ "420 о/470%5,5% объемные коэффициенты раздвижки зерен...
Способ измерения скорости звука в твердых образцах малой толщины
Номер патента: 144619
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: G01M 5/00
Метки: звука, малой, образцах, скорости, твердых, толщины
...обратной связи с предварительной акустической задержкой проходящего через среду сигнала.Известны также резонансные и интерферометрические способы измерения скорости звука в твердых телах.В описываемом способе измерения скорости звука в твердых образцах малой толщины применен метод электроакустической обратной связи с предварительной акустической задержкой сигнала. Это позволило упростить процесс измерений и повысить его надежность.Скелетная схема устройства по описываемому способу приведена на чертеже.Сигнал от импульсного генератора 1 поступает ча излучающий вибратор 2, нагруженный на ультразвуковую линию задержки 3, Между другим концом линии задержки 3 и приемным кварцем 4 расположен исследуемый образец б. Импульсы с приемного...
Способ измерения магнитострикции образцов микронных толщин
Номер патента: 1022087
Опубликовано: 07.06.1983
Авторы: Венков, Есиков, Петровых
МПК: G01R 33/16
Метки: магнитострикции, микронных, образцов, толщин
...участка до другого, а намагничивание исследуемого участка до насыщения производят во время распространения по нему механического напряжения.На фиг 1 изображена структурнаясхема устройства для реализации пред" лагаемого способа; на Фиг, 2 - зави- .симость намагниченности и магнитострикции материалов с положительноймагнитострикцией от напряженностимагнитного поля при различных величинах приложенного к образцу механического напряжения.Исследуемый образец 1 соединен через согласующий акустический концентратор 2 с сердечником 3 магнитоупругого датчика. Образец 1 расположен внутри поляризующей 4 и намагничивающей 5 обмоток, которые размещены соосно и симметрично один к другому. Поляризующая обмотка 4 подключена к генератору 6...
Предыдущий патент: Способ бесконтактного измерения расстояний
Следующий патент: Устройство для измерения деформаций образцов
Случайный патент: Устройство для сборки и расклепывания шайбы предохранительного клапана карданного вала.