Устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы

союз сОВетскихСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК ИЕ ОБРЕТЕН П ЕЛЬСТ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВ(56) Авторское свидетельство СССР йв 1149311, кл. 6 11 С 11/40, 1985.Электроника, 1977, йв 16, с.36.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ(57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах. Цель изобретения - повышение точности стаби 1636857 А 15 6 11 С 11/40 // Н 03 К 5/О лизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счет снижения зависимости этого напряжения от напряжения питания, частоты задающего генератора, технологии изготовления основных транзисторов. Поставленная цель достигается тем, что в известное устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы введены первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8, второй инвертор 9 (МДП-транзисторы 10 и 11), третий инвертор 12 (МДП-транзисторы 13 и 14) и коммутатор 15, что обеспечивает удержание напряжения на подложке микросхемы на некотором уровне, определенном состоянием транзистора 8. 1 ил,1636857 выходе первого инвертора 6 не достигнет уровня, достаточного для отпирания транзистора 11, что приводит к запирэнию транзистора 13, прекращению зарядки конденсатора 3, а следовательно, и последующему увеличению напряжения подложки (шина 17). Кроме того, запирание транзистора 13 приводит к повышению напряжения на затворе транзистора 15 и появлению возможности некоторого уменьшения напряжения на подложке за счет протекания тока через транзистор 15, При уменьшении напряжения подложки напряжение на выходе первого 6 и третьего 12 инверторов понижается, а на выходе второго инвертора 9 повышается, что обеспечивает протекание тока зарядки конденсатора 3 и запирание транзистора 15.Таким образом, напряжение на подложке микросхемы удерживается на некотором уровне, определяемом состоянием транзистора 8 (в пределах величины напряжения на шине 18, уменьшенного на величину порогового напряжения транзистора 4). Изобретение относится к электроннойтехнике и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах.Цель изобретения - повышение точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счетснижения зависимости этого напряженияот напряжения питания, частоты задающегогенератора, технологии изготовления основных транзисторов. 10На чертеже приведена функциональнаясхема устройства.Устройство содержит задающий генератор 1, усилитель 2, конденсатор 3, первый4 и второй 5 МДП-транзисторы, первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8 (транэистор 8 имеет повышенныйв сравнении с отальными транзисторнымиустройствами коэффициент влияния напряжения подложки), второй инвертор 9 (МДПтранзисторы 10 и 11), третий инвертор 12(МДП-транзисторы 13 и 14), коммутатор 15,общую шину 16, выходную шину 17 и шину18 питания.Устройство работает следующим образом.С выхода генератора 1 периодическиесигналы поступают на вход усилителя 2, усиливаются и подаются на обкладки конденсатора 3. Пусть в исходном состоянии 30напряжение подложки равно нулю, а геометрические размеры и пороговые напряжения МДП-транзисторов инверторовобеспечивают формирование напряжениявысокого уровня на затворе транзистора 13 35и низкого уровня на затворе транзистора15. Это обеспечивает при появлении на выходе усилителя 2 напряжения высокогоуровня заряд конденсатора 3, а при низкомуровне - разряд конденсатора и увеличение 40напряжения подложки,По мере увеличения напряжения подложки напряжение на выходе первого инвертора 6 возрастает (за счет повышенногокоэффициента влияния подложки транзистора 8), не оказывая влияния на остальныеэлементы устройства. Это увеличение происходит до тех пор, пока напряжение на Формула изобретения Устройство для формирования напряжения на подложке микросхемы, содержащее задающий генератор, усилитель, конденсатор и два транзистора, причем выход задающего генератора через последовательно соединенные усилитель и конденсатор соединен со стоком и затвором первого транзистора и истоком второго транзистора, сток и затвор которого соединены с выходной клеммой, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счет снижения зависимости от стабилизирующих факторов, в него введены три инвертора и коммутатор, выход первого инвертора через второй инвертор соединен с входом третьего инвертора, выход которого соединен с истоком первого транзистора и управляющим входом коммутатора, выходная клемма через коммутатор соединена с общей шиной,Соста вител ь А. КоробковТехред М,Моргентал Корректор М.Самборская Редактор В.Петраш Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 817 Тираж 355 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5