Патенты с меткой «кристаллизации»

Номер патента: 1639573

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Голоколосов, Мхчиян, Петраш, Рогов, Сиродан, Стеценко, Чалей

МПК: A23D 7/02

Метки: кристаллизации, маргарина, пластификации

...10 - 15 С под давлением подается через входной патрубок 2 в щели решеток 5 охлаждающих секций 4 корпуса 1, По патрубкам 7 подвода хладагент (аммиак или жидкий азот) поступает во внутренние полости двойных стенок 5 для охлаждения их поверхностей, Поступающая в охлаждающие секции 4 маргариновая эмульсия перемешивается скребками 11 лопастей 10, вращающимися на валах 9 от привода 12.При контакте продукта с поверхностями двойных стенок 6 происходит кристаллизация жирового сырья с поглощением выделяемой при этом теплоты кристаллизации, а скребки 11 лопастей 10 интенсифицируют процесс кристаллизации и осуществляют пластификацию вырабатываемой продукции. При этом исключается налипание эакристаллизованного слоя эмульсии на поверхностях...

Номер патента: 1646566

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Бондарь, Войцеховский, Еремеев, Перцев, Сарапкин, Свердлин

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...и по центральной циркуляционной трубе насосом поднимается, где кипит под вакуумом, продукционная суспензия отводится через переливной бачок 6 на дальнейшую переработку (разделение, сушка, упаковка), образующийся вторичный пар поступает в конденсатор 7 поверхностного охлаждения, образовавшийся конденсат сливается в сборник-гидрозатвор 8, где смешивается с пермеатом блока мембранного концентрирования и плунжерным насосом 9 под давлением 5-6 МПа прокачивается через блок 10 мембранной обратноосмотической очистки, Очищенный конденсат (пермеат) отводится на технические нужды (в котельную), концентрат поступает на смешение с исходным раствором в сборник 2.В период остановок аппаратуры для ремонта или вследствие отсутствия раствора (ремонт...

Номер патента: 1647033

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Горба, Дитмар, Манфред, Мовчан, Музыка

МПК: C22B 9/22

Метки: вращения, затравку, кристаллизации, методом, послойной, расплава, тел

...очередного кристаллизующегося слоя матеВ случае применения материалов для послойной кристаллизации, у которых узкий температурный интервал кристаллизации либо обладающих высокой теплопроводно 25 стью, а также при большом диаметре заготовки либо ее массивности, каждый эа кристаллиэованный слой или общее слоевое соединение после затвердевания дополнительно оплавляют электронно-лучевым нагревателем и деформируют роликами,Формируя заданный профиль. Изобретение может найти применениев инструментальном производстве машиностроительных предприятий, в частности для35 изготовления дисковых и цилиндрическихФреэ: одноугловых фрез(фиг,2), двухугловых(фиг.З), фасонных полукруглых выпуклых(фиг,4), фасонных полукруглых вогнутых(фиг.5), дисковых...

Номер патента: 1654752

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Благинина, Калентьев

МПК: G01N 33/38

Метки: кристаллизации, параметров, стадии, стекол

...0,01 - 0,05 мас,с)ь. Варку4 ь стекла ведут в алундовых тиглях.Из полученного стекла готовят образцы, Производят термообработку образцов в атмосфере воздуха в диапазоне 900-1200 С. Для определения темперетуры мексимелн. ной относительной скорости зародышеоб- в разования при кристаллизации стекла измеряют интегральную интенсивность па 3+ рамагнитного сигнала от иона Т 1 после каждой термообработки при различных температурах из укаэанного температурного диапазона при фиксированном времени термообработки. Получают температурную1654752 Составитель М.СлинькоТехред М.Моргентал Корректор М.йароши Редактор В,Данко Заказ 1948 Тираж 417 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 1660588

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Бернар, Дени, Жил, Рене

МПК: F17D 1/17

Метки: кристаллизации, нефти, предотвращения

...графтсополимеризации.П р и м е р 1, В реактор емкостью 1 лприперемешивании вносят 60 г (1,36 моль)сополимера (средневесовая молекулярнаямасса 28,000. среднечисленная молекулярная масса 18,000, предельная молекулярнаямасса 50.000) этилена с винилацетатомЭВА), содержащего 28 вес,о винилацетатав 440 г ксилола, причем в реакторе предварительно создана атмосфера азота, Доводят смесь до 90 С для достижениярастворения сополимера. Затем добавляют6,67 г алкилакрилата со средней длиной цепи С 2 о - С 22, содержащего 704 С 22,затем после полного растворения алкилакрилата0,136 г трет-бутилпероктоата. По истечении1,2 и 3 ч реакции добавляют такие же количества радикального инициатора (полимеризации) так, чтобы общее количествоиспользованного...

Номер патента: 1664241

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Каверин, Мурусидзе

МПК: A23C 21/00, G01N 9/30

Метки: кристаллизации, лактозы, молочной, сгущенной, степени, сыворотке

...логарифНа процесс кристал влияет большое число фа ратуры кристаллизации и хих веществ сгущен сыворотки до физико-хи молока, из которого полу воротка, причем процесс тельность 6-12 ч. Эти затрудняют предсказания ния процесса кристаллиз способ определения степ ции имеет продолжительн предлагаемому способу в лизации лактозы кторов - от темпе- массовой доли суной молочной мического состава чена молочная сыимеет продолжи- обстоятельства времени окончаации, а известный ени кристаллизаость до 45 мин, По ремя определения1664241 Ь ОоК= Сло е60 Формула изобретения Способ определения степени кристаллизацию лактозы в сгущенной молочной сыворотке, включающий измерение исходного Таблица 1 Опыт "3 Опыт 1 Опыт 2 Проба Опыт 4 стандар- предлатный ме-...

Номер патента: 1673150

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Кураш, Нестеренко, Романов, Савельев

МПК: B01D 9/00, B01D 9/02

Метки: изогидрической, кристаллизации, непрерывной

...пэтрубком 15 для тангенциального ввода потоков.Способ осуществляют следующим образом.Исходная смесь подается в емкость 1 тангенциально для перемешивания, где и происходит полное растворение кристаллов. Тангенциэльный ввод потока обеспечивает в аппарате гидроперемешивание, высокая температура исходной смеси поддерживаетсл благодаря передзие раствору утилизированного тепла кристаллизации. Иэ нижней части ем,ости 1 полученная смесь подается в емкостной кристаллиэатор 3 тангенциально в верхнюю его часть. Образующиеся кристаллы подают в нижнюю часть этого кристаллиэатора 3. В нижней части кристаллизатора 3 образовавшаяся суспензия кристаллов разделяется на два потока, один иэ которых, содержащий мелкие кристаллы, возвращается в нижнюю...

Номер патента: 1690801

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Еремеев, Сарапкин, Свердлин

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...охлажденном растворе выпадают кристаллы, коорые, выходя из верхней части циркуляционной трубы б, движутся вниз по кольцевому зазору между кольцевой перегородкой 5 и циркуляционной трубой 6, где они продолжают расти, увеличиваясь в разиере, Крупные кристаллы под действием силы тяжести осаждаются и выводятся иэ кристаллизатора через штуцер 3 отвода суспенэии, а мелкие кристаллы захватываются циркулирующим раствором через конфузор в циркуляционную трубу б для дальнейшего роста. Осветленный раствор отводится из отстойной камеры, образующейся между корпусом 1 и кольцевой перегородкой 5, через штуцер 2.Предлагаемый способ кристаллизации из растворов позволяет более интенсивно концентрировать, охлаждать исходный раствор и выкристаллиэовывать...

Номер патента: 1690994

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Дробот

МПК: B23K 9/16

Метки: ванны, границы, кристаллизации, принудительного, сварочной, формирования

...связано с тем, что при уменьшении ширины возможно трещинообразование, а при увеличении - увеличивается расход охлаждающей жидкости. 1 ил,рочнои ванне 3 границы б теплоотвода 2 располагают в направлении сварки, а ширинутеплоотвода принимают равной ширине В сварочной ванны.П р и м е р. Сварку образцов выполняли из сплава ЭИ 703 толщиной 1,5 мм,Режим сварки: ток дуги= 95 А, скорость сварки 30 м/ч,Предварительно выполняли сварку беэ охлаждения. Измеряли длину сварочной ванны, она равнялась 11,4 мм, и ширину сварочной ванны В = 4,2 мм, По значению ширины сварочной ванны В = 4,2 мм изготовляли криволинейное щелевое сопло с шириной щели 0,5 мм и=4,2 мм для подачи струи охлаждающей жидкости на свариваемые поверхности, При этом радиус...

Номер патента: 1692608

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Бей

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, веществ, кристаллизации, методом, плавления

...1,Аппарат имеет корпус 1, крышку 2 иднище 3. Вчутри корпуса 1 в верхней трубной решетке 4 и нижней трубной решетке 5закреплены вертикальные трубки 6. Патрубок 7 служит для ввода очищаемого вещества, а клапан 8 для вывода продуктов. Кромегого нэ днище 3 установлены клапаны 9 и 10для ввода и вывода принудительного циркулируембго насосом 11 исходНого расплава черезерез патрубок 7 в аппарат и заполняет вергикальные трубки 6 и полость между дни.цем 3 аппарата и нижней трубной решеткой 5, Через патрубок 15 в аппарат подают охлаждающую воду с температурой ниже температуры кристаллизации компонентов смеси, Вода заполняет межтрубное пространство и выходит из аппарата через патрубок 16. При этом происходит охлаждение смеси и кристаллизация...

Номер патента: 1693502

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Ахмедзянов

МПК: G01N 25/02

Метки: ахмедзянова, веществ, кристаллизации, температуры

...кристаллизры 1 с продуктом, напримеродатчик 2 подает сигнал наричного прибора 3, Каретка вторичного прибора, например потенциометра с командным блоком 7, движется в сторонуминимума температуры по шкале .17, Кактолько происходит кристаллизация анализируемого продукта, выделяется тепло и перо каретки вычерчивает на диаграммнойбумаге в виде пики участок температурыкристаллизации. При.этом шарнирный механизм 11 переключения, поджав пружину 1012, опускается переключателем 13 на штанги 9 и 16, замыкая цепь питания с блоком 5управления. Температурный сигнал поступает на "пуск" блока 5 управления и черезрегулирующий электропневматический клапан б на исполнительные механизмы 4, которые открывают кристаллизационнуюкамеру 1 для поступления...

Номер патента: 1698295

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Анчеков, Петров

МПК: C13F 1/02

Метки: вакуум-аппарат, кристаллизации, раствора, сахарсодержащего

...3, устройство 4 для циркуляции кристалломассы, имеющее жестко укрепленный на вертикальном штоке 5 дисковый толкатель 6 и установленную на входе в центральный циркуляционный канал перегородку 7, полностью перекрывающую его входное отверстие и выполненную аналогично дисковому толкателю 6. К нижним поверхностям дискового толкателя 6 и перегородки 7 прикреплены большими основаниями конические сопла 8, равномерно расположенные на их поверхностях по концентрическим окружностям для циркуляции суспензии.Дисковый толкатель 6 и перегородка 7 повернуты в горизонтальной плоскости относительно друг друга таким образом, что отверстия в конических соплах взаимно не перекрывают и их оси не совпадают, Диаметр дискового толкателя 6 больше диаметра...

Номер патента: 1401937

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, положения, фронта

...ф 5 время движения катушки вдоль оси тиг" ля ее индуктивность и/или сопротивление непрерывно измеряются связанным с ней блоком 6 измерения электрических параметров. При пересечения катушкой О фронта 11 кристаллизации ее индуктивность и/или сопротивление меняются скачкообразно из"за различия н электропроводности расплава и кристалла, при этом на выходе блока 6 появляет- ;5, ся сигнал, поступающий на второй вход индикатора 7. Этот сигнал Фиксирует в индикаторе 7 текущее значение ко ордииаты катупКи 11 оступинпее с датчика 3 11 оложе 11 ия катушки н качествекоординаты Фронта кристаллизации. Вэтот момент с выхода индикатора напранл 11 ется сигнал на вход блока 5управления приводом катушки, которыйренерсирует привод и нознращает катушку н...

Номер патента: 1358480

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Златкин, Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, процесса

...в камеру 3 кристаллизации, включается вращение штока 2 вращения кристалла, реверсируется движение штока 1 перемещения кристалла, при этом начинает расти кристалл 4. Если в процессе выращивания в кристалле возникают структурные дефекты, например скопления дислокаций или трещины, они вызывают в ием акустическую змииссию - меха. нические колебания, которые передаются через затравку 5 пьезоэлектрическому преобразователю б, Сигналы акустической эмиссии, имеющие вид рздиоимпульса, с выхода преобразователя б поступают в предусилитель 7, з оттуда - - нз катушку 8 индуктивности. Преобразователь б, предусилитель 7 н катушка 8 вращаются и перемещаются вместе со штоком 2 возщения кристалла, Сигнал акустической эмиссии, проходящий через...

Номер патента: 1701750

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Волкодавова, Игошина, Сапронов, Славянский, Сороковая, Холькина

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, последней, утфеля

...приемную утфелемешалку раскачивают водой до 91% СВ, Для анализа отбирают утфел ь, межкристал ьн ы й раствор и мелассу,Утфель, уваренный по предлагаемому способу, имел следующие показатели: ДБутф. = 77,6%., ДБмежрист, р-ра = 63,6%, содержание кристаллов в утфеле К = 38,5%, размер кристаллов 0,25 мм, время уваривания утфеля 8,5 ч.Параллельно осуществляли уваривание по прототипу. При этом утфель имел следующие показатели: ДБутф. = 77,6%, ДБмежкр. р-р 64,3%, содержание кристаллов 25 30 35 лО 45 50 55 межкристального раствора (мелэссы) и снизит выход сахара,При уваривании утфеля последней кристаллизации во всех примеоах в вакуум-аппарат до полного закрытия поверхности нагрева паровой камеры набирают смесь оттеков утфелякристаллизации 70%...

Номер патента: 1701752

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Горба, Мовчан, Музыка

МПК: B22D 23/04, C22B 9/22

Метки: вращения, кристаллизации, методом, послойной, тел

...шток 59 одного вибровоэбудителя 57, расположенного на оси валика 46, размещен с возможностью непосредственного контактирования с валиком 46, а исполнительный шток 60 другого вибровозбудителя 58 установлен с возможностью контактирования со скобой 55 опор 53 для валика 46.Установка параметров работы вибровоэбудителей производится с помощью блока управления (на фиг, 4 не показан), Вибровозбудители 57 и 58 защищены отдействия теплового излучения, экранами 63 и 64.Установка для изготовпейия тел вращения в виде тонких дисков работает следующим образом (см, фиг, 2 и 3)., 5Исходный материал, используемый дпя послойной кристаллизации, на затравке 1 размещается в тигле 10, Затравка 1 жестко закрепляется на шпинделе 7, при этом ролик 25 возбудителя...

Номер патента: 1703638

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Арипов, Ибрагимов, Марданов, Талипов

МПК: C07C 45/78, C07C 47/57

Метки: госсипола, кристаллизации

...исследованиям структуры этих кристаллов методом рентгеноструктурного анализа, в их решетку входит эфир всоотношении госсипол: эфир 1:1. Кристаллы ют терять молекулы растворителя. Однако скорость десольватации сильно зависит от размеров кристаллов, практически доходя до нуля для достаточно крупных (0,02 х 0,1 х 0,4 ммз) монокристаллов.П р и м е р 4, Берут монокристаллы формы И(, тщательно растирают в порошок и сушат под вакуумом в течение 2-4 ч при постоянном перемешивании, контролируя исчезновение на дь фрактограмме пика фор 5 10 15 20 форму(Ч, зависит от степени измельчения и совершенства кристаллов формы И 1.Данные рентгеноструктурных исследований монокристаллов этой формы свидетельствуют о том, что и эта кристаллическая...

Номер патента: 1705741

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Локтюшин, Мананков

МПК: G01N 33/38

Метки: кристаллизации, параметров, силикатных, стекол

...до заданной температурыв диаг(азоне 8 ОО О(: с интервалом3( (:, 11 ри достижении заданной температуры дна образна извлекают из печи,один из них охлаждают на воздухе имикроскопически определяют скоростькристаллизации его и по скоростикристаллизации определяют время изотермической выдержки. Второй образецо,помещают в муйжель при 55 О (; длядальнейшего охлаждения до комнатнойтемпературы. Третий образец послеиэотермической выдержки охлаждаютв муФельной печи до комнатной температуры. Изготавливают полированный ан(с(ий и с помощью микроскопаМИН 8 определяют размеры кристаллов,Находят разность размеров кригталлонобразцов, нь(держанных н изотермичес1705741 ких и неизотермических условиях, Определяют скорость кристаллизации виэотермических...

Номер патента: 1707081

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Балуева, Морев, Сапронов, Славянский

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, утфеля

...ОДс(ОРОД- ность кристаллов сахара, а при превышении 70 от общего времени усложня(отся усло вия истощения межкристально о раствора; окончательного сгущения утфеля перед суском из вакуум-аппарата.Выполнение этих условий позноляе) проводить уваривание с Оптимальны;, прО центным содержанием кристаллов в у вел е. что уменьшает вероятность их ком(ло (епдции, Кроме того, в этих условлях Обеспечивается максимальная массовая скорость кристаллизации и рост кристаллов,Окончательное сгущение утфеля прон., дят перед спуском из вакуум-апардтд до содержания в нем 92-937 ь СВ.П р и м е р 1, В вакуум.аппарате создя От разрежение и набира)ОТ в него смесь слропа с клеровкой (Ч = 89.2; СВ = 62,1 ,) до полного закрытия поверхности нагрева паровой...

Номер патента: 1707082

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Аносов, Сапронов, Славянский

МПК: C13F 1/06

Метки: кристаллизации, последней, разделения, утфеля

...ухудша-, ются условия растворимости корки сахара на ф,ильтрующей поверхности ротора и условия отделения межкристального раствора от кристаллов.Рассмотренные требования к содержанию сухих веществ в оттеке для распыления наиболее эффективны при выдерживании егс температуры в пределах 80-85 С,Если его температура менее 80 С, то отделение межкристального раствора от кристаллов ухудшается, а при температуре более 85 С возможно растворение части кристаллов, что связано с возрастанием потерь сахара. в мелассе.Расход этого оттекэ на внешнюю поверхность ротора в количестве 5-10 к массе сахара способствует поддержанию оптимальных условий для отделения оттекэ от кристаллов. При его расходе менее 53 к массе сахара не выдерживается необходимой...

Номер патента: 1713891

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Бехине, Ганслик, Гейл, Дадак, Заплетал, Млчох, Палффи, Подлезл, Шваб, Шолцова, Шубрт

МПК: C01G 49/06, C09C 1/24

Метки: железа, зародыша, красной, кристаллизации, непосредственной, окиси, приготовления

...и размеры частиц лепидокрокита влияет скорость окисления осадка. Большая скорость может привести к получению гетита, медленное окисление может привести к образованию даже магнетита (Рез 04). Оптимальным установлен такой ход реакции, при когором в 1 л реакционной смеси окисляется в течение 1 ч 5-35 г Ре.Таким способом, приготовленный лепидокрокит превращается в растворе сульфата железа в приведенных условиях в чистый, микрокристаллический гематит, если его передтем подвергаюттермической или гидро- термической обработке. Такая обработка состоит в нагревании лепидокрокита на воздухе при 120-200 С в течение 1-6 ч или в нагревании суспензии лепидокрокита в воде или в растворе сульфата аммония, и/или сульфата натрия, и/или сульфата магния с...

Номер патента: 1713892

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Бехине, Ганслик, Гейл, Дадак, Заплетал, Млчох, Палффы, Подлезл, Шваб, Шолцова, Шубрт

МПК: C01G 49/06, C09C 1/24

Метки: железа, зародыша, красной, кристаллизации, непосредственной, окиси, приготовления

...значении рН 8,5 позволяет сдвинуть ход его термического превращения в пользу заданной реакции.(3) причем это превращение осуществляют нагреваниемв растворе сульфата железа до температуры 80-100 С в течение 0,1-6 ч. 5В промышленности невозможно точно поддерживать желаемые параметры, особенно рН, в достаточно узких пределах. Для , достижения стандартных оптимальных результатов в процессе подготовки зародыша 10 для кристаллизации красной окиси железа может поэтому оказаться целесообразным включить перер превращением реакцией окисления приготовленного лепидокрокита .дальнейшую стадию, при которой происхо дит изменение распределения адсорбированной (неструктурной) воды в микрокристаллах лепидокрокита, в результате чего нагревание...

Номер патента: 1718102

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Вердина, Горынин, Назаров

МПК: G01N 27/48

Метки: аморфного, кристаллизации, металлического, сплава, степени

...илиотожженом состояниях.После катодной выдержки для удпассивной пленки с поверхности спобласти потенциалов (-800)-(+500)хлорсеребряному электроду, протельность выдержки 1 - 5 мин, ведуттку потенциала со скоростью 2 - 5анодную область до потенциалов+90затем сразу начинают развертку потла в обратном направлении с той жестью до значений анодного тока, рнулю,аления лава в мВ подолжи- развермВ/с вОмВ и енциа- скоро- авного ведена циклическая разв координатах величина е За - прямая развертка, ертка,Р, ограниченные коордивующей кривой, рассчи1718102 тывают методом планиметрии из графика, полученного на х-у рекордере (см, чертеж 1) или из значений зарядов, записанных .на кулонометре или иными способами, напримср запоминанием сигналов...

Номер патента: 1724302

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Винников, Гумницкий, Кривошеев, Юрим

МПК: B01D 9/02

Метки: кальция, кристаллизации, преимущественно, растворов, сульфата

...из устройства штуцером 12.Устройство работает следующим образом.Штуцером 7 в верхнюю часть корпуса1 подается исходный раствор, которыйопускается вниз корпуса вследствиебольшей плотности, чем смесь воздухаи раствора, которые постуПают в центральную трубу 2 подымаясь вверх,смешиваются с исходным раствором, совершают циркуляционное движение в пространстве между корпусом 1 и центральной трубой 2, Газовая фаза, пройдя центральную трубу, отделяется отжидкой сепаратором 11 и выводится сустройства штуцером 12.Серная кислота из емкости 4 потрубопроводу 5 поступает в барботер3, где, смешиваясь со струей сжатоговоздуха источника 6, образует тонкодисперсную смесь, которая подаетсяв нижнюю часть центральной трубы 2,где прОисходят интенсивная...

Номер патента: 1726517

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Василенко, Гулый, Мирончук, Потельчак

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизатор, кристаллизации, последней, производстве, сахарном, ступени, утфеля

...в верхней части имеет отдельную камеру для смешивания поступающего утфеля с сахаросодержащим раствором или водой, снабженную перемешивающими лопастями, укрепленными на полом валу, и расположенным центрально вокруг него переливным бортом с отверстиями для подачи смеси в зону кристаллизации.На фиг.1 схематично изображен кристаллизатор, продольный разрез; на фиг.2 - разрез А - А на фиг,1.Кристаллизатор для утфеля последней ступе;д кристаллизации в сахарном производстве содержит вертикальный цилиндрический корпус 1, снабженный патрубками 2 и.3 для подвода и отвода утфеля и имеющий внутри зону кристаллизации утфеля и установленное внутри него перемешивающееустройство, состоящее из полого вала 4 спатрубками 5 и 6 для подвода и отвода...

Номер патента: 1732817

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Андре

МПК: C22B 21/06

Метки: алюминия, кристаллизации, методом, фракционной

...поршень, предназначенный для уплотнения, с целью воздействия на очищаемую массу давлением, что упрощает выталкивание межкристаллической жидкости и это воздействие может быть также обеспечено непрерывно или прерывистым образом.Подвод. тепла и воздействие поршнем, выполненные одновременно, служат для еще большего повышения эффективности способа.П р и м е р. В алюминиевой ванне проанализированы четыре фракции по 1 т каждая, имеющие близкий состав, которые раздельно подвергнуты операции очистки методом фракционной кристаллизации в соответствии со следующими операционными вариантами.Вариант 1: по ранее существующейтехнологии с длительностью кристаллизации 8 ч.Вариант 2: по ранее существующей технологии с длительностью кристаллизации...

Номер патента: 1738861

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Балуева, Гоцун, Сапронов, Славянский, Стрельников

МПК: C13F 1/08

Метки: кристаллизации, перфой, разделения, утфеля

...том возможен временной разрыв в воздействии на чувствительный элемент устройства, что ведет. к нарушению последовательности операций цикла центрифугирования.В том случае, когда расход пробеливающего сахарсодержащего раствора составляет менее 5% к массе кристаллов сахара, не обеспечена полная замена пленки межкристального раствора на более качественный сахарсодержащий раствор, что ухудшает качество получаемого сахара-песка и требует дополнительного расхода горячей пробеливающей воды,При превышении расхода сахарсодержаьцего раствора более 10 к массе кристаллов сахара не выдержаны оптимальные условия замены пленки межкристального раствора, что ухудшает качество сахара-песка, при этом возрастают длительность центрифугированияи...

Номер патента: 1533371

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/24

Метки: кристаллизации, процесса, расплава

...положение риска по датчику 11, По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещается внаправлении движения границы расплавкристалл со скоростью, обеспечивающейпостоянство или иэненение в заданныхпределах крутящего момента. Положение1533311 Составитель В. федоровТехред И,Дидык Корректор О, Кравцова,МР ела к тор Т. Горичева Заказ 2310 Тираж 236 Подпис ноеВНИИ 11 И Го:уларствецного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Рэушсквя наб., д. 4/5 роизволственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, О 1рацицы раздл опрелелвтс в по покааццям латников 8 и 11 и цо грвдуирод гной зависимости крутяего моментаог расстояния между диском и границейраглав-кристалл. В лонце процессакгц:таллцзации диск...

Номер патента: 1747494

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Бугаенко, Сорокин

МПК: C13F 1/02, G01N 33/02

Метки: веществ, конце, кристаллизации, последнего, продукта, содержания, сухих, требуемого, утфеле

...сухие вещества СВд, и содержание сахара внормальной мелассе (СХн). Исходя из этих ЗОпараметров находят концентрацию (Ац),На основании полученных величин поуравнениюСВ 2 = 100 -- (100 - СВ 1) 35А 1Аннаходят концентрацию утфеля последнегопродукта в конце кристаллизации.Использование в данном способе равенства величин концентрации несахара вводе нормальной мелассы и утфеля в конце 40кристаллизации исключает возможностьвлияния других факторов на точность определений, так как величина концентрации несахара в воде не зависит от температуры идругих параметров, т.е, является надежнымпараметром; обеспечивающим наивысшуюточность определения.Поскольку параметры сваренного утфеля, т.е, перед кристаллизацией, могут существенно меняться, это...

Номер патента: 1755147

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Венгринович, Лапатнюк, Стасик

МПК: G01N 25/04

Метки: аморфного, бинарных, кристаллизации, основе, сплавов, теллура, температуры

...Экстраполируя лийейную зависимость Тх от состава на нулевое содержаниегаллия было найдено, что температура кристаллизации аморфного теллура составляет318 К.0 Формула изобретения1, Способ определения температурыкристаллизации аморфного теллура и бинарных сплавов на его основе, не поддающихся переводу в некристаллическое5 состояние, включающий измерение термических параметров, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точности идостоверности определения, используют неменее трех образцов - сплавов на основе0 теллура, долускающйх перевод в аморфноесостояние, переводят сплавы в аморфноесостояние; определяют их температуру кристаллизации, строят зависимости температуры кристаллизации от состава,5 экстраполируякоторую на...