Лапатнюк

Номер патента: 1755147

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Венгринович, Лапатнюк, Стасик

МПК: G01N 25/04

Метки: аморфного, бинарных, кристаллизации, основе, сплавов, теллура, температуры

...Экстраполируя лийейную зависимость Тх от состава на нулевое содержаниегаллия было найдено, что температура кристаллизации аморфного теллура составляет318 К.0 Формула изобретения1, Способ определения температурыкристаллизации аморфного теллура и бинарных сплавов на его основе, не поддающихся переводу в некристаллическое5 состояние, включающий измерение термических параметров, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точности идостоверности определения, используют неменее трех образцов - сплавов на основе0 теллура, долускающйх перевод в аморфноесостояние, переводят сплавы в аморфноесостояние; определяют их температуру кристаллизации, строят зависимости температуры кристаллизации от состава,5 экстраполируякоторую на...