Патенты с меткой «кристаллизации»

Номер патента: 1302630

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Воронцов, Орлова, Саркисов, Хайретдинова, Щукин

МПК: C03B 31/00

Метки: кристаллизации, стекла

...прц температуре первой ступени тер)Ообработкц (Т 1), р"вной 530 С, Вревыдержкп на первой ступени С ь ) 45 миц, Далее температуру со скорГ)стью 200 С/ч (Ч ) повышают до 950 С - температуры второй ступени термообработки (Т). Вф.имя выдержки ( ) цри цей равно 40 мин, Затем проводится охлаждение плит по режиму: охлаждение в интервале температур 950- 700 С со скоростью 250 С/ч (У ); в интервале 700-500 С Ч = 600/ч; от 500 С до комнатной температуры плиты охлаждаются со скоростью 150 С/ч (Ч ). Иэ 3 делие, прошедщее тепловую Обработку, подвергается механической Обработке - шлифовке, полировке, Обработанная поверхность имеет компактную сферопитовую структуру. Прочность на удар сиграновых плит, полученных но указанному режиму равна 1 О...

Номер патента: 1761810

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Ляшенко, Чернявская

МПК: C13F 1/00

Метки: кристаллизации, последней, процессом, уваривания, утфеля

...на установке "ускоренного получения насыщенных меласс". После чего определяют содержание сухих веществ и вяэкОСть По этим данным для допустимои вязко д= 4,4 Па с рассчитывают концентра1761810 225 "41,1100При управлении процессом увариванияпо известному способу меласса была пол 5 учена с вязкостью меньше допустимой иимела параметры; цию межкристального раствора СВ по формуле СВ=1001,07(19д+3,17) 09 9 н++ 3,17)(93,46 СВн -0,89)+0,95 + СВа-СВн СВ=82,0%;=3,48 Па с; Сх=42,3; где СВ, - массовая доля сухих веществ межкристального раствора утфеля, до которой следует вести уваривание;дд - максимально допустимая вязкость;н - вязкость межкристального раствора пробы доведенного до насыщенного состояния;СВн - массовая доля сухих веществ...

Номер патента: 1763515

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Дегтярев, Иванов, Пуленец

МПК: B22D 27/20, C22F 3/02

Метки: кристаллизации, направленной, расплава

...образованию дендритных свя зеи при остывании (охлаждении) монолита.Для возбуждения таких колебаний выбираем акустический сигнал, модулированный по амплитуде со следующими частотами; 20 25 где Г 1 - модуляционная частота;А - несущая частота;Ср - скорость продольной волны в материале;Л 1 - длина волны, соизмеримая с геометрическими размерами материала; 30Л 2 - длина волны, соизмеримая с геометрическими размерами зерен расплава.Таким образом, расплав будет подвергаться вибрационному воздействию, причем сигнал несущей частоты будет 35 локализовать в расплаве частицы (зерна или фрагменты зерен), а сигнал модулирующей частоты будет препятствовать образованию дендритных связей в районе границ расплава при формировании монолита, 40В...

Номер патента: 1780798

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Бондарь, Еремеев

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, непрерывной, растворов

...через штуцер 12.Гофрированный барабан 8 при вращении контактирует с ножами 9, что предупрежда. ет инкрустирование поверхности охлажде-.ния и увеличивает ресурс непрерывного 50 ведения технологического процесса, а так. же предупреждает вращение раствора вместе с барабаном, что способствует увеличению коэффициента теплопередачи,Часть потока исходного раствора, пода ваемого в верхнюю часть кристаллизаторачерез штуцер 11, создает благоприятные условия для роста мелких кристаллов, выносимых на поверхность раствора, способствуя стабилизации гранулометрического состава отводимых кристаллов. 5 10 15 носителя снабжен распылительными форсунками.На чертеже схематически показан вертикальныйй разрез кристаллизатора. Кристаллизатор состоит из корпуса...

Номер патента: 1782302

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дэвид, Питер

МПК: F24H 7/00

Метки: аккумулирования, аппарат, виде, высвобождения, зародышеобразовательной, контролируемого, кристаллизации, перехода, скрытой, тепла, теплоаккумулирующий, теплообменный, теплоты, фазового

...15 биметаллической плас дымя устойчивьми состояниями, в койст-стины 11 и вогнутость 18 пластийй 14 посторукцйю которого входят двасмежных твер- яннонаходились в контакте друг с другом.дых тела с впадинами для ловушечного.При температурах окружающей среды, презахватамеждунймикристаллита 25 матери- . вышающих температуру конструкции Т,ала 20. Эти два твердых тела выполнены в 55 пластины 11 и 14 более сильно прижимают-виде биметаллической пластины 11 с двумя ся друг к другу в точке 18(см. фиг.З), чем приустойчивыми положениями-и вогнутым уча- температуре ниже Т (см. фиг.4),стком 15 и однослойной пружинной пласти- Через отверстие 16 в биметаллическойны 14, имеющей выгйутостьи пластине 11 фазопеременный материал 20контактирующей с...

Номер патента: 1784647

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Гришагина, Савич, Спивак, Сущенко, Штангеев

МПК: B01D 9/02, C13F 1/02

Метки: вакуум-аппарат, кристаллизации, растворов

...отверстия 11 для выхода пара,расположенные в зоне над кипятильнымитрубками 6,. Поверхность теплообмена 5 снабженапатрубками 12, 13 и 14 для подвода пара;отвода конденсата и отвода аммиачных газов.Трубовал 9 соединен с магистралью пара при помощи трубопровода 15 и имеетпривод 1.6. На трубовале установлена припомощи сэльникового уплотнения 17 распределительная коробка 18 для пара, сообщающаяся с полостью трубовала через окна19 в его стенке.Вакуум-аппарат работает следующимобразом,Внутри корпуса 1 создается разряжение путем соединения его через патрубок 3с вакуумно-конденсационной системой (начертеже не изображена). Нижняя часть корпуса через патрубок 2 заполняется подлежащим кристаллйвации сахаросодержащимраствором таким образом,...

Номер патента: 1791777

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Дубовик, Ивченко, Непомнящий, Райхел

МПК: G01N 33/38

Метки: кристаллизации, кристаллов, линейной, максимумов, роста, скорости, температур, центров, числа

...да темпера тур(йо 5 образцов: на каждую температу- . ру), укэ 3 анных в табл, 1-3, в печис сйлитбйь 1 миЙЙРевэтелямй. Прикаждой.последу)ощей темпер; туре образцы выни-.мают иЗ"печи и "охлаж,ают на воздухе,по сле чего производят профилирование полированной поверхностй с помощью профилографэ-йрофилометра мздели 201,- - йключающее запись профилограмм и из-мерение йнтегральной шероховатости. 35 Профилограммы записывают при вертикальном увеличении 2 г 0000 и горизонталь ном - 4000 крат и оп зеделяют количествопиков на единицу длины профилограммы (по 3 участка Йа каждом "образце). После 40 профилирования образцы исследуют методом угольно-платиновой реплика ции, Предварительное травление исследуемой поверхн 6 сти осуществляют в 2,4-ном...

Номер патента: 1799286

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Макагон, Нестеров, Смирнов

МПК: B01D 53/26

Метки: газовых, гидратов, кристаллизации

...= 284,1 К, другой вывод изэтой серии опытов заключается в том, что дляразличных начальных ЬТнач = Т 1 нач - Т 2составляющих для кривой 2 9 К, а для кривой3 5 К, разница в скоростях гидратообразования менее значительна, чем от наличия сульфанола, т.е, термическая (в зависимости отЛ Т) интенсификации процесса гидратообразования уступает от интенсификации гидратообразования путем добавки сульфонола.На фиг,2 кривая 1 показывает темп перехода газообразного фреона 12 в гидратгоале однократного кратковременного перемешивания для системы вода+газ фреона:12+сульфонол (0,008 ), Кривая 2 иллюстрируетто же и для той же системы, но с другимколичеством сульфонола (0,1;). Для обеихкривых начальное давление газа фреона 12было 320 кПа, а температура...

Номер патента: 1800341

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Балашов, Изотова, Кулишенко, Малов, Соловьев

МПК: G01N 25/04

Метки: веществ, жидких, кристаллизации, температуры

...непрерывно в течение всего цикла испытаний блоком регистрации температуры 8, на- ф пример, комбинированным цифровым прибором Щ 301-3 с самописцем. В качестве датчика температуры использован медный термометр сопротивления, Узконаправленный пучок от источника света 6 (гелий-неонового лазера ЛГНс длиной волны 0,63 мкм) непрерывно пропускается через ох1800341 2 Составитель Б.МаловРедактор Техред М.Моргентал Корректор Л.Пилипенко 3 Тираж ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 аказ 116 ВНИИ при ГКНТ ССС производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 лаждаемую пробу. Приемник излучения 7, например, фотодиод ФД, расположен на торце световода так, чтобы на...

Номер патента: 1804371

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Соколов

МПК: B22D 11/00

Метки: кристаллизации, расплава

...4 с патрубком 5 и венти лем 12, связанными с напорной гидравлической системой 6 подачи охлаждающей жидкости, которая обеспечивает заданные расходы и гидродинамическое давление охлаждающей жидкости, 10К кожуху 4 крепится стенка 7 кристаллизатора, установленная с переменным зазором 8 относительно поддона 3. В качестве охлаждающей жидкости используется вода 9, а в качестве разливаемого расплава - 15 расплав 10.меди. Направление движения потока воды совпадает с направлением движения заготовки. На стенке 7 выполнен участок 11, расширяющийся в направлении увеличения статического давления распла ва, Высота участка 11 стенки кристаллизатора равна глубине жидкой фазы слитка и расстоянию,от уровня А-А до уровня В-В,Глубина лунки определяется по...

Номер патента: 1804484

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Веса, Хейкки

МПК: C13K 11/00

Метки: кристаллизации, фруктозы

...быть промыты с целью повышения их чистоты, Целесообразно осуществлять это с применением смеси этанол-вода с приблизительно таким же молярным соотношением зтанол-вода, как и у удаляемой из кристаллизатора азеотропной смеси, Для этой цели может быть использована аликвотная часть конденсата из кристаллизатора.Конденсированная азеотропная смесь содержит значительное количество этанола, который может быть подан на рециркуляцию в процесс кристаллизации фруктозы после обезвоживания, Обезвоживание этанола может быть осуществлено различными способами, Например, требуемое отделение воды от этанола может быть осуществлено путем дистилляции при пониженном давлении 8,5 - 9,0 кПа или путем применения аэеотропообразователя. нап рмер н-пентана,...

Номер патента: 1828848

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Кавнин, Кадышев, Сидунов

МПК: B01D 9/00, C02F 1/48

Метки: веществ, жидкости, кристаллизации

...стороны, а по периметрам оснований колец выполнена перфорация. Диаметр колец в широких основаниях 1,6 10 м, вусеченныхвершинах 810 м,высота 2 10 м. Крайние кольца обечайки 11 соединены с кольцами 17 и 18 концентратора магнитного потока, выполненными из меди. Тринадцать конических колец обечайки 11 с кольцами 17 и 18 образуют единый электропроводный контур высотой 3 10 м, который установлен коаксиально в корпусе 1 и в обечайке 3 10м, который установлен коаксиально в корпусе 1 и в обечайке 10 с рабочими зазорами 10 м с обечайкой 10. Обечайка 11 с кольцами 17 и 18 обладает полным электрическим сопротивлением В 11=1,5 10 Ом для кольцевых токов пром.частоты.Обечайка 12 изготовлена из листовой меди в виде соосного набора конических колец,...

Номер патента: 1830270

Опубликовано: 30.07.1993

Автор: Покутнев

МПК: B01D 9/02

Метки: кислоты, кристаллизации, лимонной

...в теплообменные секции, где она, контактируя черезстенки поверхностей теплообмена с раствором лимонной кислоты, находящимся в аппарате 2, охлаждает его до заданныхзначений температур. Из теплообменныхсекций вода (рассол) через сливные отводы10 34 и сливной трубопровод 35 оборотной воды (рассол) подается в сборник для повторного использования.Раствор лимонной кислоты, постоянноперемещаясь вдоль цилиндрического кор 15 пуса, последовательно контактирует со всеми теплообменными секциями.Перемешивание раствора осуществляют с помощью мешалки 6. Мешалку приводят во вращение установленными на20 крышке аппарата приводами 8.Количество воды (рассола) с определенной температурой, поступающей в секцииаппарата, устанавливают при помощи регулирующего...

Номер патента: 2001107

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Антоновская, Антоновский, Беляева, Озеров, Спичак, Штангеев

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, сахара

...ПАВ и не допустить начала растворения граней кристалла (оплавление граней),В предлагаемом способе используют известное количество ПАВ, распределенное в виде эмульсии в паровой среде, составляющее 0,0001 - 0,0003 кг на 1 кг использованного пара После достижения состояния разрушения пленки желтый сахар смешивают с 1 оттеком 1 кристаллизации, и на кристаллах вновь образуется пленка, но ее состав соответствует составу продукта гораздо более высокой доброкачественности, Процесс аффинации завершен при полном вытеснении пленки мелассы, причем завершен без получения дополнительного оттека как в способе, при котором имеют лесто аффинационные центрифуги,Таки л образом, преимущества предложенного способа состоят в том, что путем обработки...

Номер патента: 2001108

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Антоновская, Антоновский, Беляева, Озеров, Спичак, Требин, Штангеев

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, сахара

...кристаллов эатравочного утфеля до размеров 0,12, мм и далее как в примере 2.Однородность кристаллов составляет 83 , (по прототипу 68,3%),П р и м е р 5. В примере используют тот же зеленый оттек, что и в примере 2, Вносят затравочные кристаллы с размерами частиц 0,03 мм. После появления числа кристаллов 20 на 1 мм поверхности пробного стекла производят наращивание кристаллов затравочного утфеля до размеров 0,12 мм и далее как в примере 2.Однородность кристаллов составляет 71,7 , Наблюдается снижение как эффекта, так и однородности кристаллов, 1 нсло кристаллов менее 25 приводит к снижению однородности кристаллов,П р и м е р 6, В примере используют тот же зеленый оттек, что и в примере 2. Вносят затравочные кристаллы с размерами...

Номер патента: 1541822

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Александров, Костенко, Рукасов, Токарев

МПК: B01D 9/02, C07F 9/24, C07F 9/40 ...

Метки: кристаллизации, низкоплавких, пестицидов, расплавов

1. СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НИЗКОПЛАВКИХ ПЕСТИЦИДОВ ИЗ РАСПЛАВОВ путем подачи расплава в рабочую среду, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества целевого продукта, расплав подают в водную эмульсию, содержащую 0,1 - 7,0 мас. % неионогенных поверхностно-активных веществ и 1,0 - 7 мас. % неполярной жидкости-толуола или бензола при 50 - 95o до содержания в ней 10 - 25 мас. % расплава с последующим снижением температуры до 15 - 0oС со скоростью 0,1 - 1,5oС/мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неионогенных поверхностно-активных веществ используют ОП-7 или ОП-10.

Номер патента: 1213568

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дулепов, Обухов, Смолин, Цветкова

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, кристаллизации, растворов

АППАРАТ ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСТВОРОВ, включающий корпус с подъемной трубой и внутренней перегородкой, фонарь с трубопроводом отвода суспензии, фонарь с трубопроводом отвода маточного раствора, переливная кромка которого расположена выше переливной кромки трубопровода отвода суспензии, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности аппарата в работе, за счет уменьшения инкрустации его внутренних поверхностей и уменьшения брызгоуноса в период выхода на установившийся режим работы, он снабжен дополнительным трубопроводом с регулирующим органом, соединяющим трубопровод отвода маточного раствора с фонарем, причем верхний срез дополнительного трубопровода расположен на уровне или выше переливной кромки трубопровода отвода суспензий и ниже...

Номер патента: 1398136

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Баранов, Ковзель, Обухов, Труфанов

МПК: B01D 1/00, B01D 9/02

Метки: водных, кристаллизации, растворов, солей

СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СОЛЕЙ ИЗ ВОДНЫХ РАСТВОРОВ в вакуумвыпарном аппарате с циркуляционным контуром и установленной на нем выносной греющей камерой путем нагрева исходного раствора, его выпаривания в зоне кипения под вакуумом до получения суспензии кристаллов, пропускания полученной суспензии по циркуляционному контуру с промежуточным ее нагревом в греющей камере и ввода нагретой суспензии в зону кипения под уровень кипящего раствора, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса за счет исключения в зоне кипения локальных областей парообразования и пересыщения раствора, ввод суспензии в зону кипения осуществляют в виде отдельных восходящих струй со скоростью 0,8-2,0 м/с.

Номер патента: 1352699

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Баранов, Власов, Зеньков, Ковзель, Птухин, Труфанов

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, кристаллизации

1. АППАРАТ ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ растворов, содержащий корпус с аксиально расположенной трубой вскипания, на верхнем конце которой размещен диффузор, греющую камеру, циркуляционный насос, штуцера подвода исходного раствора и отвода упаренной суспензии, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества конденсата и исключения инкрустаций, верхний срез диффузора снабжен устройством, выполненным в виде полого конуса, на поверхности которого имеются несколько рядов отверстий.2. Аппарат по п.1, отличающийся тем, что угол раскрытия конуса выполнен таким, что осевые линии, проходящие через центры отверстий, наиболее удаленных от вершины конуса и перпендикулярные его боковой поверхности, пересекаются со стенкой корпуса аппарата выше штуцера...

Номер патента: 1591743

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Лившиц, Линецкий, Майоров, Нерсесян, Рохгендлер, Эзакели

МПК: B23K 9/10, H04N 5/30

Метки: ванны, зоны, кристаллизации, сварочной

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗОНЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СВАРОЧНОЙ ВАННЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.1. Способ определения зоны кристаллизации сварочной ванны путем контроля яркости изображения сварочной ванны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, яркость изображения контролируют в двух зонах спектра, расположенных по обе стороны длины волны максимального излучения, при температуре кристаллизации свариваемого материала, а зону кристаллизации определяют по совпадению яркости изображения в этих зонах спектра.2. Устройство для определения зоны кристаллизации сварочной ванны, содержащее телевизионную камеру с двумя передающими трубками, выходы которых через смеситель подключены к видеоконтрольному устройству,...

Номер патента: 1075479

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Картовский, Серкин, Токманцев

МПК: B01D 1/10, B01D 45/12

Метки: аппарат, выпарной, кристаллизации, растворов

ВЫПАРНОЙ АППАРАТ ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСТВОРОВ, содержащий вертикальную греющую камеру, сепаратор, подключенный к ней посредством циркуляционной трубы, размещенные в сепараторе каплеуловитель и центробежный отбойник с центральным отверстием, по оси которого установлена форсунка, соединенная с устройством для подачи исходного раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки вторичного пара за счет предотвращения кристаллизации раствора в жалюзийном каплеуловителе, сепаратор снабжен перфорированным конусом, размещенным снаружи форсунки в центральном отверстии центробежного отбойника, при этом форсунка установлена в вершине перфорированного конуса.

Номер патента: 978464

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Веретенников, Вильский, Глазков, Добровольский, Иванов, Курач, Миндели, Сладкоштеев, Стремский, Фоменко, Харадзе, Царенко

МПК: B22D 11/10, B22D 27/02

Метки: интенсификации, кристаллизации, литье, непрерывном, слитков

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИНТЕНСИФИКАЦИИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СЛИТКОВ ПРИ НЕПРЕРЫВНОМ ЛИТЬЕ, содержащее токоподводы, установленные с зазором к слитку и подключенные через коммутатор к накопителю энергии, отличающееся тем, что, с целью повышения долговечности токоподводов, стабилизации процесса разряда, токоподводы выполнены с отверстиями для подачи в зону разряда малопроводной жидкости.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью упрощения разрядной цепи, оно снабжено системой порционной подачи жидкости в зону разряда.

Номер патента: 1777268

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Левераш, Ронкин

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, кристаллизации, растворов

АППАРАТ ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСТВОРОВ, содержащий сепаратор с подъемной трубой и внутренней перегородкой, образующую отстойную зону, циркуляционную трубу с насосом, трубу для отбора осветленного маточного раствора со штуцером, фонарь с переливной трубой для подвода суспензии и патрубком для отвода суспензии и регулирующее устройство, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы аппарата за счет уменьшения инкрустаций и упрощения регулирования его работы, переливная труба фонаря снабжена трубопроводом, соединенным с напорной частью циркуляционной трубы, при этом верхний срез переливной трубы расположен на уровне или выше штуцера отвода осветленного маточного раствора, а регулирующее устройство установлено на фонаре с...

Номер патента: 1811143

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Григорянц, Дмитриев, Нам, Смирнова, Шумовский

МПК: C01B 39/02

Метки: гидротермальной, кристаллизации, непрерывной, цеолита

...прохождении через тарелки в 3-10 раз по сравнению со скоростью в свободном сечении аппарата, а так же подачу потока с наложением на него возвратно-поступательных колебаний не была выявлена, Причем увеличение линейной скорости потока меньше чем в 3 раза приводит к образованию цеолитов с размерами частиц более 8 мк, что нежелательно, как нежелательно и увеличение линейной скорости потока более чем в 10 раз, так как это связано с необходимостью резкого уменьшения проходного сечения тарелки, приводящего к возрастанию ее гидравлического сопротивления,Кристаллизацию цеолита по заявленному способу осуществляют следующим образом,Гелеобразный поток щелочного алюмокремнегидрогеля непрерывно подают в верхнюю зону прямоточной, секционированной...

Номер патента: 1626591

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Боровинский, Давыдов

МПК: B01D 9/00, C01F 7/14

Метки: кристаллизации, растворов, твердой, фазы

...сил крупные включения суспензии отбрасываются к периферии и сползают по стенкам днища в его нижнюю часть, Далее они, двигаясь к устью эрлнфта, работающего при больших приведенных скоростях газа, подхватываются нм и выносятся в патрубок 9 выхода суспензии, Затем по трубопроводу 14 крупные включения суспензии вместе с другой частью суспензии, прошедшей обработку в теплообменнике 3, транспортируются в кристаллизатор 1 или в последующий кристаллизатор 2. Очищенная от крупных включений суспензия поднимается и, проходя по трубкам теплообменника 3, приобретает требуемую для технологического режима температуру. На выходе из трубок теплообменника суспензия смешивается в зоне патрубка 9 выхода с крупными включениями суспензии и...

Номер патента: 1602183

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава по авт. св. N 1543319, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации раствора-расплава, после первоначального определения момента начала кристаллизации в расплав элемента III группы вводят дополнительное количество соединения AIIIBV для образования насыщенного раствора-расплава при температуре начала кристаллизации раствора-расплава, повторно перемещают раствор-расплав по поверхности кристалла AIIIBV со скоростью , где Vx и V'x скорости перемещения раствора-расплава при первоначальном...

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Номер патента: 1332886

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Белевич, Груцо, Маковецкая

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикально, выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации, содержащее печь, имеющую две зоны, разделенные диафрагмой, и установленную в ней с возможностью перемещения цилиндрическую ампулу с коническим концом, отличающееся тем, что, с целью исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижения температурного градиента в расплаве, нижняя часть ампулы снабжена экраном, диаметр которого равен диаметру ампулы, а его нижний торец расположен в нижней зоне печи.

Номер патента: 1104794

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Бобрин, Захарченко, Леванович, Мазанько, Михин, Полубенцев, Попов, Солошенко, Фокин, Шур

МПК: B01D 9/02, C01D 3/24

Метки: кристаллизации, натрия, хлорида

Способ кристаллизации хлорида натрия путем упаривания его раствора в многоступенчатой установке, часть аппаратов которой работает при температуре кипения раствора выше 100oС, а часть - ниже 100oС, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода пара и повышения производительности, в каждом из аппаратов с температурой кипения раствора выше 100oС процесс ведут при полезной разности температур 5 - 7oС, составляющей 30 - 55% от полезной разности температур в каждом из аппаратов, работающих при температуре кипения раствора ниже 100oС.

Номер патента: 1058111

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Беркетов, Зонненбург, Ильин, Коровкин, Ламбрев, Позднеев, Фрайман

МПК: B01D 7/02, B01D 9/00

Метки: алюминия, безводного, кристаллизации, хлористого

1. Устройство для кристаллизации безводного хлористого алюминия, включающее цилиндрический корпус с охлаждающей рубашкой и смонтированный по оси корпуса вращающийся вал с закрепленными на нем консолями со скребками, отличающееся тем, что, с целью получения однородных частиц хлористого алюминия за счет предотвращения отложений твердого продукта на вращающихся поверхностях, вал и консоли выполнены с каналами для циркуляции теплоносителя, при этом вал снабжен перегородками, установленными внутри него ниже соединения вала с консолями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что консоли соединены между собой полыми трубами.