Патенты с меткой «кристаллизации»

Номер патента: 373087

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: B22D 27/04

Метки: жидкого, кристаллизации, чугуна

...Однако при подаче воды непрерывным потоком на жидкий металл в литниковой чаше кокиля при избыточном количестве воды, поступающем в единицу времени, вода, попадая 10 в форму, приводит к браку отливки. При расходе воды, меньшем оптимального, имеют место выбросы металла в окружающее пространство, что по условиям техники безопасности при производстве кокильного литья не допустимо. При подаче воды на жидкий металл в распыленном виде снижается интенсивность процесса охлаждения металла в литниковой чаше по всему объему.Целью изобретения является ускорение 20 процесса кристаллизации и уменьшение выбросов металла из формы. Это достигается подачей воды в виде свободно падающих струй диаметром 12 - 15 мм на выходе сопел перпендикулярно...

Номер патента: 373298

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, процессом, утфеля

...задатчика 4 по параметру, регулятора 5, вторичного прибора б для контроля температуры утфеля и клапана 7 подачи охлаждающей воды в рубашку кристаллизатора.Работа системы управления процессом кри"таллизации утфеля осуществляется следующим образом.Охлаждающая вода п 8 в рубашку кристаллизатора 3 и уходит, забрав определенную часть тепла от утфеля. В процессе охлаждения утфеля сигнал от ротационного датчика 2 вязкости утфеля поступает на,программный задатчик 4 по параметру вязкости, предназначенный для нелинейного преобразования входного сигнала по вязкости в соответствии с профилем кулачка, который имеет заданную функциональную зависимость в виде оптимальной кривой роста вязкости утфеля (полученной на основе опыта).Сигнал от...

Номер патента: 379834

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бродский, Рабинович

МПК: G01L 1/00

Метки: возникающих, заливке, кристаллизации, литейной, прибор, усилий, форме

...темпа остывания отливки.Цель изобретения - создание прибора, позволяющего измерять усилия взаимодействия между отливкой и формой в процессе заливки и кристаллизации металла при различной жесткости формы, скорости охлаждения отливки и изменениях других факторов. Это достигается тем, что прибор, состоящийиз двух металлических полуформ, имеет под.вижный вкладыш, выполненный в одной из полуформ и связанный с датчиком, который жестко установлен на этой же полуформе.На чертеже показана схема прибора.Прибор содержит две металлические полуформы 1 и 2, образующие полость для получения отливки, а также элементы литниковой 0 системы. Нижняя полуформа 2 имеет отверстие, в котором помещен подвижный вкладыш 3. Последний соединен с...

Номер патента: 422526

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Гирский, Иванов, Кучер, Чижиков

МПК: B22D 11/112

Метки: кристаллизации, металла, предварительной

...сочлененный с нижним тор ванной камеры, в которой пр рительцая кристаллизация п Однако в таком устройст эффективна предварительна металла..р Г" ом ге исход дающ е це кристовь возврцикл повт занного недостатк аемой из высоко а, соединена с ва жена толкателеи части камеры, огнеупорной втул С целью устранения ука камера выполнена охлаж теплопроводного материа. куумной системой и сна расположенным в верхне нижняя часть ее защищен редмст,ц етени Устройство для предвализации металла, содержкамеру, отличающеесповышения эффектцвносткристаллизации металла,охлаждаемой пз высокотериала, соединена с вакуснабжена толкателем, расцей части камерь, а нижнна огнеупорной втулкой. цои кристалгерметичную что, с целью едварцтельнойа выполнена водного...

Номер патента: 425942

Опубликовано: 30.04.1974

Автор: Изобретени

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, процессом, утфеля

...путем изменения соотношения расхода холодной и горячей воды, подающейея в смеситель, и измерение температуры и вязкости утфеля.Целью изобретения является повыше точности поддержания температуры и у щение схемы управления.Для этого температуру хладонооителя регулируют в зависимости от температуры утфеля с коррекцией по его вязкости. На чертеже изображена схема установки автоматического управления для осуществления предлагаемого способа. Она состоит из термометра 1 для контроля температуры утфеля в кристаллизаторе 2, термометра 3 для контроля температуры охлаждающей воды в смесительном бачке 4, ротационного датчика 5 вязкости утфеля, вторичных приборов 6, 7 и 8, служащих соответственно для измерения температуры утфеля, температуры...

Номер патента: 435192

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Загудаев, Ширинкин

МПК: B01D 9/02, C01F 7/50

Метки: алюминия, кристаллизации, фтористого

...в продукте 66,7% в пересчете на абсолютно сухое вещество.П р и м е р 2, 1000 г раствора концентрацией 117 г/л загружают в автоклав и выдержи вают при температуре 300 С и давлении70 атм, получают кристаллы с содержанием кристаллизационной воды 3,40%. ри 0 -едмет изобретени Способ кри ия из его в ри повышены щийся тем, а продукта и роводят приении 40 - 70 а Изобретение относится к получению соединений фтора, в частности к способу кристаллизации фтористого алюминия.Известен способ выделения фторида алюминия из его пересыщенных растворов при температуре 200 С с введением в раствор затравки кристаллов А 1 Рз, ЗН 20При проведении известного способа получают продукт с содержанием кристаллизационной воды до 12%, что предполагает высоко-...

Номер патента: 440209

Опубликовано: 25.08.1974

Автор: Манжола

МПК: B22D 23/00

Метки: кристаллизации, расплавов, скорости

...и литейной формой с жидким материалом со здают избыточное гидростатическое давление.Величина давления в зависимости от объема исследуемого расплава и температуры кипения жидкой среды, передаощей давление, находится в пределах от 100 до 500 атм, Давле ние предварительно измеряют поршневым манометром. Температуру расплава и формы определяют с помощью термопар, введенных в автоклав.После стабилизации заданной температурыжидкого материала и давления в автоклаве включают систему охлаждения для создания процесса затвердевания отливки. При понижении температуры жидких материалов и затвердевшей отливки происходит плавное 20 уменьшение давления в автоклаве. Г 1 рн переходе материалов из жидкого состояния в твер-.дое в зависимости от того, с...

Номер патента: 440211

Опубликовано: 25.08.1974

Автор: Ицкович

МПК: B22D 27/08

Метки: кристаллизации, металла

...изменяют на обратное,На чертеже изображена кинематическая схема устройства для реализации предлагаемого способа.Устройство содержит вертикальную неподвижную ось 1, сферическое кольцо 2, сферическую опору 3, стол 4, крепежный элемент 5, раму 6 стола, сферическое кольцо 7, сферическую опору 8, привод 9, ось 10 привода, привод 11, шарнир 12, направляющую 13, палец 14 эксцентрика и форму 15.На неподвижной вертикальной оси 1 находится шаровой шарнир, состоящий из сферического кольца 2 и сферической опоры 3, находящихся в центре стола. 4. На столе имеются крепежные элементы 5 типа стяжек с гайками. К столу крепится вертикально рама 6 с шаровым шарниром в центре верхней ча440211 Предмет изобретения Составитель Г. Кибовский Редактор Т....

Номер патента: 440569

Опубликовано: 25.08.1974

Авторы: Дунец, Квис, Киц, Лах

МПК: G01K 1/14

Метки: датчик, кристаллизации, металле, содержания, температуре, углерода

...например, в чугуне или стали, потемпературе кристаллизации, содержащиечувствительный элемент в виде термопары,которая может быть защищена колпачком, 5и керамическую ванну. При этом чувствительньи элемент устанавливается в дне керами есной ванны. Датчики изготавливаются только для одноразового применения.Цель изобретения - обеспечить использованне чувствительного элемента для нескольких измерений,Для этого керамич олненабез дна и установле чувствительным элементо пылеобразном веществе.На чертеже показана конструкция датчикасодержания углерода в металле по температуре кристаллизации.Чувствительный элемент (термопара) 1 с 20надетыми на него изоляторами 2 установленв ящике 3 с песком 4 так, чтобы горячий спайвыступал над поверхностью....

Номер патента: 463694

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Вистинь, Горина, Карпов, Кузнецов, Чистяков

МПК: C09K 3/00

Метки: жидких, кристаллизации, кристаллов, холестерических

...период окисления увеличивается в 10 раз по сравнению со смесью без стабилизатора. Худшим является сверхстабильный иминоксильный радикал К. При термостарении порядок следования ингибиторов в ряду активности изменяется, за исключением первого и последнего членов, о чем свидетельствуют данные табл. 2. Предмет изобретения аа 2 ат 63 1 4 уменьшение ингибиробания Таблица 2 Термостарение открытого слоя хопестерической смеси В при 75 С в течение 36 ч1 гхолиди смесь тсмпсра, турпь)й ин т н лте)ьнсртурного интервала нветовой гаммы(нижняп гранина Ойратемисратуп)ый интервал постовой гаммь,зон т. пл,г. п.) тервал постовой гаммы,Составитель Е. ГорловаТехред Т. Курилко Корректор Л, Брахннна 1 ледактор Е. Хорина Заказ 3061 Пзд.а 241 Тираж 740...

Номер патента: 465209

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Ермолаев, Кузнецов, Михин, Пахомов, Пеклер, Розенберг

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...между кристаллизующимся раствором и хладагентом не превышает заданной величины, выбранной в расчете избежать инкрустации стенок аппарата и добиться охлажде ния кристаллизуемого раствора за минимальный срок,Температура хладагента на входе в рубашку кристаллизатора изменяется благодаря циркуляции хладагента между подогревате лем 2 и холодильником 3, тепловая нагрузкакоторых меняется по сигналу датчика 6 температуры с помощью программного автоматического регулятора 5. Скорость хладагента в рубашке кристаллизатора должна превы- ЗО шать 0,1 м/сек для обеспечения интенсивноготеплообмена между кристаллизующимся рас- твором и хладагентом.Хладагент циркулирует в замкнутой системе рубашка кристаллизатора - теплообменники с помощью...

Номер патента: 465266

Опубликовано: 30.03.1975

Автор: Хаменский

МПК: B22D 11/00

Метки: кристаллизации, послойной, слитка

...в него патрубок, а с металло- приемником - по типу сообщающихся сосудов, при этом металлоприемник выполнен с герметичной крышкой, соединенной с подвижной частью кристаллизатора.Это позволяет вводить в полость кристаллизации металлоприемника провакуумированный и после этого не подвергающийся влиянию внешней среды жидкий металл.На чертеже представлена схема предлагаемой установки.Она состоит из промежуточного ковша 1, вакуумной камеры 2, погружаемого в промежуточный ковш патрубка 3, соединяющего вакуумную камеру с ковшом, металлоприемника 4, патрубка 5, соединяющего металло- приемник и вакуумную камеру по типу сообщающихся сосудов, неподвижной части б кристаллизатора, герметичной крышки 7, соединенной с подвижной частью...

Номер патента: 467750

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Баранов, Белышев, Насибуллин, Одинцов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации

...изменяя скорости циркуляции суспенаии, резко увеличивает поверхность раэ дела фаз (пар-раствор), в результате чего снижается местное пересыщение раствора на поверхности испарения. Это приводит к повышению качества кристаллического про- . дукта и устраняет инкоуотирование поверхностей соприкасающихся с июлем раствором.П р и м е р. Хлористый калйй и нЬтрий кристаллизуют из водных растворов при режимах, приведенных в з табл. 1 и 2.Здесь же приведены значения среднего раз мера кристаллов, полученных при отсутствии воздуха и при его подаче в зону кипе ния в количестве до 2,5 г на 1 мЗ циркулирующей суспензии.467750 Таб лица 1 Кристаллизация КС Е Температура, оС Производительность циркулирующейсуспензии питающегораствора по соли,кг/час Беэ...

Номер патента: 467934

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Еременко, Кравчук

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, непрерывной, процессом, растворов, сахарных

...разность температур определяют как разность между температурой кипения утфеля в секциях вакуум-аппарата, измеренную с помощью датчиков, и температурой насыщения вторичного пара. Последнюю определяют по абсолютному давлению пара и формируют в вычислительном устройстве. Таким образом, фактическое значение эбулиоскопической разности температур вычисляют по формуле:ЫФ 1 уф рь (1) По заданному значению пересыщения в каждой секции с учетом чистоты раствора, вводимой в вычислительное устройство по данным анализа, и температуры утфеля в этих секциях, вычисляют заданное значение сухих веществ по формуле: зд аГ Н 100СВс =, 100(о ) ч, + а,.Н,. 100 а,. - заданное значение пересыщения в с-той секции, вводимое в вычислительное устройство от...

Номер патента: 468069

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Бейлинсон, Вольных, Питонов, Розенфельд, Усыскин, Шмуйлов

МПК: F25B 49/00

Метки: абсорбционной, автоматической, аппаратов, заащиты, кристаллизации, раствора, холодильной

...лития жуточной концентрации, циркуляция го осуществляется насосом 4. В ре поглощения паров уменьшается конце раствора, подаваемого насосом 5 чере обменник 6 в генератор 7, в котором ется концентрация раствора за счет ния теплоносителя в трубное прос генератора по линии 8. Образующиеся при выпаривании парды конденсируются в конденсаторе 9.кость через гидрозатвор подается в итель 2. Крепкий раствор по линии 10 через теплообменник 6 самотеком поступает в абсорбер 3. Для улучшения работы машины введена дополнительная рециркуляция воды насосом 11. Для удаления неконденсирующихся газов установлен воздуходелитель 12 и вакуумный насос 13.Регулятор производительности 14, например электронный регулирующий прибор, по сигналу датчика 15,...

Номер патента: 468706

Опубликовано: 30.04.1975

Автор: Иващиненко

МПК: B22D 27/00

Метки: кристаллизации, литейной, направленно-последовательной, расплава, форме

...системе, с металлопроводом 6, вакуумный аккумулятор 7 и воздушный насос 8. Раздаточ 468706ная емкость снабжена герметичной крышкой9, вакуумметром 10, датчиком уровня 11, натекателем 12, в качестве которого используется вакуумный магнитный клапан ДУМКи при помощи вентилей 13 и 14 соединена свакуумной системой,Раздаточная емкость 5 и металлопровод 6изнутри футерованы набивкой из жароупорного бетона, а снаружи заключены в вакуумную рубашку 15. Нижний конец металлопровода утоплен в насадке 16, выполненной ввиде чашечки из теплоизоляционного материала (например из жароупорного бетона),армированной металлическим листом 17.Насадка установлена таким образом, чторасстояние между нижним торцом металлопровода и верхним торцом насадки не...

Номер патента: 436523

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Носов, Ткаченко, Филиппов

МПК: B01D 9/02

Метки: колонна, кристаллизации, противоточная, пульсационная, расплавов, фракционной

...к снижению эффективности процесса кристаллизации, Кроме того, в камере фильтрации возникает большое гидравлическое сопротивление слоя кристаллов. Камера А кристаллизации линдрический корпус 1 с рубаш лаждения и шнек 3. Над камерой фильтрации ра 5 вод планетарных мешалок, сост подвижного вала 4, на конце к дится шестерня 5, водила б с пр тернями 7 спиральных мешало ющая перегородка 9 располож 0 камеры Б фильтрации, В нижне ры Б расположен плавитель 10 11 для создания пульсаций.Предлагаемая колонна работает следующими15 образом. тИсходный расплав подается в камеру А, гдеохлаждается с помощью хладагента, подаваемого в рубашку 2, Образующаяся суспензия шнеком 3 подается в камеру Б фильтрации, 20 где происходит отделение маточника,...

Номер патента: 478862

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Еременко, Кравчук, Ропотенко

МПК: C13F 1/02

Метки: исследования, кристаллизации, кристаллообразования, процессов, растворов

...62, 63; регулирующим органом 64 для контроля и регулирования абсолютного давления; приборами 65, 66 регулирования поступления раствора в зависимости от его пересы- щения и уровня; регулятором 67 и регулирующим органом 68; приборами 69 - 71 контроля электропроводности; прибором 72 контроля температуры греющего пара; прибором 73 контроля температуры пара термостатирующего устройства; прибором 74 контроля и регистрации фазовых превращений и эффекта различных интенсификаторов процессов кристаллообразования и кристаллизации растворов. (Приборы контроля расхода, давления воздуха и пара, дозаторы поверхностпоактивных веществ на чертеже не показаны.)Устройство также снабжено: вентилем 75 для отключения его от вакуумной линии; вентилем 76...

Номер патента: 479486

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Грачев, Ильченко, Романченко, Снегирев, Филипчук

МПК: B01J 17/00

Метки: кривизны, кристаллизации, формы, фронта

...казанной толщины.Угол расхождения луча 20 для частот 45и 75 Мтц составляет: 6 и: 4 соответ ственно,Редактор Т. Шарганова Корректор Т, Гревцова Заказ 2817/2 Изд. Мо 956 Тираж 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Для упрощения анализа для каждого угла расхождения луча отбирают только те амплитуды отраженных импульсов, которые соответствуют одному и тому же значению эталонной амплитуды.Соотношение А,/Аз между амплитудами импульса луча с меньшим (А,) и большим (Аг) углом расхождения для фронта, выпуклого в сторону расплава, и франта, выпуклого в сторону монокристалла, при длине кристалла к=100 мм и радиусе кривизны г=...

Номер патента: 480978

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Вихляев, Ефимов, Ищук, Сапко, Якобше

МПК: G01N 33/20

Метки: кристаллизации, моделирования, процессов, состав, сплавов

...в кристаллизующемся сплаве предлагаемый состав для моделирования, процессов кристаллизации сплавов дополнительно содержит азобензол при следующем соотноше нии компонентов (в вес, %):Салол 55 - 99,98 Азобензол Остальное.Применение указанного состава для моделирования процессов кристаллизации спла вов позволяет изучать путем физического моделирования на прозрачных моделях процессы заполняемости литейных форм сплавом, закономерности структурообразования и поведения растворимых примесей и легирующих 30 элементов в слитках и отливках в зависимости480978 Составитель В. ВихляевРедактор Н, Корченко Техред Т. Миронова Корректор Л, Денискина Заказ 2520/14 Изд,1670 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета...

Номер патента: 481292

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Голуб, Гуторов, Култаев, Курлянд, Пономаренко

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса, растворов

...снабжено датчиком расхода хладоносителя на выходе из кристллииа и регулятором соотношения, входы а чертеже изображена принципиальная Устройство содержит установленный внижней части колонного кристаллизатора 1,клапан 2 выгрузки суспензии, датчик 3расхода исходного раствора, датчик 4 расхода хладоносителя на входе в кристаллизатор, датчик 5 расхода хладоносителя на выходе из кристаллизатора, регулятор соотношения 6, генератор импульсов 7. Датчики 4,5 соединены с регулятором соотношения 6,воздействующим через генератор импульсов7 на клапан 2. Датчик 3 соединен с регулятором 8, воздействующим на регулирующий орган 9 подачи исходного раствора.,Датчик 4 соединен с регулятором 10, воздействующим на регулирующий орган 11 по.дачи...

Номер патента: 485150

Опубликовано: 25.09.1975

Автор: Спешилов

МПК: C13K 5/00

Метки: кристаллизации, молочного, патоке, сахара

...ао 1 э 0 Составитель Н, ХмельТеххц М, Ликович Корректор 3, фанта Редактор А. Бер Заказ 1163 Тираж 445 Подписное БНИИПИ Государственного комитета Совета Минис-ров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва,Ж 35, Раушсквя наб., д. 4/5филиал.ППП Патент,г. Ужгород, ул. Гагарина 101 сиропом (сгущенной сывороткой) исходной 50%-й конпентрации. Интенсивность подпитки регулируют так, чтобы температура суспенэии в первом корпусе составоляла около 45 С, а концентрация растворенной лактозы в жидкой фазе суспензииоколо 43%,По достижении установленного рабочего уровня на первой стадии суспензия переходит во вторую стадию, а из него в таком же порядке - в третью и затемв четвертую. Иэ последней стадии, суспензия через разгрузочное...

Номер патента: 488593

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Головин, Иванов, Мансуров, Проскурин

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации

...С. В, Головин, А, П е стенок кристаллизатора,лопередающих, приводит к по- производительности, изменеени характеристики целевогокого продукта, нарушениюработы технологического цик Аппарат состоит из корпуса 1, сборниккристаллов 2, распределительного устройства 3 для диспергирования несмешивающегося с раствором хладагента и отстойника 4 для его отделения, Аппарат имеет также патрубки 5 и 6 для ввода и вывода раствора.В основании колонны по периметруустановлен перевернутый желоб 7 для рав- номерной подачи холодной несмешивающейся жидкости вдоль стенок корпуса, которые выполнены наклонными.Подаваемая в колонну через желоб 7несмешивающаяся с раствором жидкость, всплывая, омывает внутреннюю поверхностьФстенок колонны. Наклонные стенки корпуса...

Номер патента: 495151

Опубликовано: 15.12.1975

Автор: Горелов

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизации, металлов, плавов, расплавов

...расплав в процессе его кристаллизации позволяет повысить качество отливок, в частности их механические свойства.Целью изобретения является повышение эффективности воздействия электрического тока на процесс кристаллизации отливок и следовательно еще большее повышение механических свойств отливок за счет улучшения их структуры. Это достигается путем подачи положительного заряда через пламя, струи газа или жидкости.По предлагаемому способу горелку или форсунку подсоединяют к положительному полюсу источника постоянного тока, пламя, струю жидкости или газа приводят в контакт с изложницей, а в нижней части изложницы помещают пластину с отрицательным зарядом. При этом начинаются интенсивное охлаждение изложницы и интенс тепла от жидкого...

Номер патента: 503905

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Береговая, Еременко, Лехтер, Объякова, Ропотенко, Шмидт

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, сахара

...открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 3в сиропе или в межкристальном оттекепри 80 С в соотношении от 1;1 до 1;5,С использованием АМГС в утфеле 1кристаллизации при массе одной варки10 т был получен выход продукта 5280 кг(выход продукта п 1.п тех же условиях вслучае использования известного поверхностно-активного вещества Ходаг СВ 5210 кг).П р и м е р 1, В вакуум-аппаратутфеля Б 1 продукта вводят в виде раствора 1000 г ацетилированных моноглицеридов стеариновой кислоты со степеньюконверсии гидроксильных групп 50% (примассе одной вари 10 т, что составляет001 к массе утфеля).Раствор;АМГС готовят в сиропе или межкристальном оттекепри 80 оС в отношении 1;1, Поддерживают разрежение 0,78...

Номер патента: 513005

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Вербов, Ильинков, Мальц, Нерославская, Эйдман

МПК: C01F 7/06

Метки: алюмосиликатов, глиноземного, кристаллизации, производства, процесса, пульп, растворов

...и объем отложения алюмосиликатов на авила об по льпос делае и в снижении поверхности а .стигается бла выпарн возмож менны совревых схе ппаратов. Указанная цельгодаря созданию центров Известно, что для проведения кристалли. зации по всему объему водно-дисперсной си темы и уменьшения отложений технологичес ких осадков на поверхностях трубопроводов и аппаратов в раствор или пульпу вводят кристаллическую затравку. Применительно к растворам и пульпам,глиноземного производства введение затравки алюмосиликата не дает желаемого эффекта вследствие .высокой устойчивости пересышенных поЯ щелочных систем,ество образовавшихся зародышв алюмосиликатов было достаактически полного устранениятеплообменной поверхности вьтов и подогревателей....

Номер патента: 514613

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Найдис, Островская, Ханукович, Холодов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...и холода, так как основная массарастворителя или маточного раствора, применяемого квк хладагент, выйдет из аппв- аа.рата в горячем виде и после небольшого псьдогрева может быть использована для рвство-рения новых порций вещества, подвергаемого перекристаллизации,П р и м е р. Осуществление способа фКри, ствллизация фенацетинв,13Пс трубе прямоугольяо, гс ччя, 1:я товленной из пористой нержин.кей стлимарки ФСН, пропускают горячий (околоо100 С) насыщенный (около 1,2 Ъ.,) водный раствор фенвцетина, ослаждение ведется очи - щенной-от взвешенных частиц холодной во - дой, проходившей противотоком в кожухе вокруг трубы под давлением несколько большим, чем давление раствора внутри трубы. Внутренняяповерхность трубы после окончаниа процесса была...

Номер патента: 520329

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Клаус, Хайнц, Хуберт

МПК: C01D 5/00

Метки: кристаллизации, натрия, сернокислого

...(23) Приоритет - (32) (3) И Р С 012/153277 (ЗЗ) (43) Опубликовано 05,07,76. (45) Дата опубликования о Изобретение относится к области получения,сернокислого натрия кристаллизацией из водныхрастворов и может быть использовано в химическойпромышленности,Известен способ кристаллизации .сернокисло-го натрия из водных растворов путем контактирования их с ацетоном при перемешивании. При испарении ацетона происходит кристаллизация безводногосульфата натрия.Однако он непозволяет получить крупныхкристаллов. При смешивании раствора сернокислого натрия с ацетоном при перемешивании образуются мелкие кристаллы сульфата натрия, которыезатруднительно отделить от раствора, Кроме того,это приводит к значительным потерям ацетона,агаемэму способу...

Номер патента: 535953

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Голдобаев, Горбунов, Кондауров

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, кристаллизации, непрерывных, проведения, процессов, синтеза

...температуру кипения и концентрация которого определяет степень кристаллизации продукта в растворе,Проведение процесса кристаллизации начи. нают с подготовки аппарата к рабочему сотоянию. Для этого регулировочными вентилями 12 устанавливают необходимый расход газа в каждой секции 5 - 10, Далее в теплообменник 13 секций 5 - 10 подают теплоноситель с соответствующей температурой, По показаниям приборов в каждой секции устанавливают нужный режим кристаллизации (температуру и расход газа). Затем в камеру 1 через патрубок 17 с помощью вентиля 19 подают с определенной скоростью исходный раствор. Раствор перемещается вниз по наклонному пористому желобу 2, продуваемому снизу потоком нагретого газа, т. е. поступающая в камеру жидкость на...

Номер патента: 539074

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Бажал, Гулый, Мирончук

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, процессом, растворов, сахара

...дпсперсионной среды дисперсной системы.Амплитуду и частоту колебания концентрации дпсперспонной среды дисперсной системы определяют в зависимости от доорокачественности кристаллизующего раствора и длительности процесса кристаллизации.Так, в случае кристаллизации сахарного раствора (сиропа) доброкачественности 93 ед. (утфель 1 продукта) во второй период варки концентрацию межкрпстального раствора изменяют в пределах 80 - 88 О/, сухих веществ (СВ) с частотой 5 - 7 колебаний в 1 час при средней конечной концентрации утфельной массы 94 оо СВ.539074 Ф о 1 ил и 11: О б р е т е 11 11 5 Составитель А. Бражникова Текрсл М, Семенов Корректор Л. Котова Рсдактоо Е. лорина Заказ 110,2 Изд. М 147 Тираж 471 Подписное ЦНИИГ 1 И Государственного...