Патенты с меткой «кристаллизации»

Номер патента: 1440926

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Степыгин, Тригуб, Ульшин, Фурсов

МПК: C13F 1/02

Метки: аппарате, вакуум, веществ, кристаллизации, кристалломассы, перемешивания

...для кристаллизации веществ состоит из усг тановленного на валу корпуса 1 с окнами 2 и ситчатогс конуса 3.Корпус 1 выполнен в виде диска с кольцевой отбортовкой 4, направленной вниз. Окна 2 для вывода маточно гс раствора расположены о периметру отбортовки. Ситчатый конус 3, выполненный из сетки с полированной наружной поверхностью, крепится к отбортовке прижимным кольцом 5 таким образом, что основание ситчатого конуса расположено на одном уровне с нижней кромкой окон.Устройство работает следующим об.разом.При приведении корпуса 1 во вращение смесь кристаллов и маточного раствора, например утфель сахарного производства, вследствие насосного эффекта, возникающего при вращении ас О симетричного ротора, подходит к поверхности...

Номер патента: 1447554

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Иванов, Лунев, Паршин, Шестаков, Щеголев

МПК: B22D 11/22

Метки: вторичного, заготовок, зоне, кристаллизации, литья, непрерывного, охлаждения, процессом, слитка

...и скорости еговытягивания, На основе результатовизмерений определяют сумму Т1447554на вход первого блока деления. На второй вход этого блока поступает сигнал, пропорциональный Т, На выходе первого блока деления вырабатывается сигнал, пропорциональный отношению Т/Т= 1055/1480 = 0,713. Сигнал, пропорциональный величине Ч, поступает на вход второго блокаделения. На второй вход этого бло где Т - температура поверхностислитка;Т - температура кристаллизацииКметалла;Ч - скорость вытягивания слитка;- оптимальная скорость вытягивания слитка;К - коэффициент, зависящий отмарки разливаемого металла,К = 0,05 - 0,35.Диапазон коэффициента К установлен экспериментально на основе анализа качества металла при разливке различ ных марок металла,...

Номер патента: 1453282

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Заволженский, Микшис, Рыбин, Тайц

МПК: G01N 25/02

Метки: водных, инициирования, кристаллизации, переохлажденных, растворов

...чертеже показана схема устройства.Устройство содержит выполненныйиз теплопроводного материала зонд 1,который снабжен телескопическим кожухом 2 и пружиной 3. Зонд соединен 15с теплопроводной пластиной 4 и термобатареей 5.Электродвигатель 6 связан с кожу-хом 2 и термобатареей с целью их поступательного перемещения, Кожух 20снабжен пластиной 7 с калиброваннымотверстием. Под неподвижным упором8 размещена емкость 9 для переохлажденного раствора,Устройство работает следующим образом.Термобатарея 5 охлаждает пластину 4 и связанный с ней зонд 1 до температуры, при которой на поверхности конца зонда начинается замораживание атмосферной влаги, конденсиру"ющейся из окружающего воздуха. Кожух2 препятствует проникновению влагико всей поверхности...

Номер патента: 1469409

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Галициян, Огородник, Переплетчиков, Штеренберг

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, расплавов, температуры

...5 на который надет электропривод 6. Коленчатый вал перпендикулярен плоскости перемещения термочувствительного элемента.Устройство работает следующим разом.Пробоотборник 2 погружают в расплав исследуемого вещества, которое заполняет кристаллизационную камеру 3. В пробоотборник 2 и кристаллизационную камеру 3 подают охлаждающий газ (например, сжатый воздух). Исследуемое и эталонное вещества в кае 3 и калибраторе 4 охлаждаются, ачинается процесс их кристаллизации. Поворотом коленчатого вала 5 под действием электропривода а 180 термочувствительный элем10Формула изобретенияУстройство для измерения температуры кристаллизации расплавов, содержащее термодатчик, пробоотборник и калибрующее устройство, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью...

Номер патента: 1472085

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Беломытцев, Бондарь, Калмычков, Свердлин, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...7. Сигнал от датчика расхода 4 поступает на регулятор расхода 1, связанный с исполнительным механизмом 12. Корректирующий сигнал от датчика температуры 1 О поступает на исполнительный механизм 12 также через регулятор расхода 11. Данное изобретение позволяет увеличить объем зоны кристаллизации и интенсифицировать тепломассообменные процессы. 2 з. п. ф-лы, 1 ил. 2газожидкостный разделитель 6, где происходит разделение воздуха и суспензии. Воздух отводится через воздушник 17, а суспензия поступает на смеситель 7, в котором смешивается с непрерывно поступаюшим исходным раствором, а затем в кристаллизатор 1. Для улучшения разделения воздуха и суспензии ввод в разделитель 6 выполнен по касательной к стенке, при этом разделитель 6 имеет...

Номер патента: 1472512

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Козявкин, Мельник, Романюк

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, сахара

...сахарозы, вязкость,Получают при использовании моноаммонийфосфата мелассу с СВ=84,67,СХ=48, 1%, ДБ=56, 87 вязко сУь 5, 50 Па.с.Эффект кристаллизации 8,7%, При обработке утфеля по известному способуполучают доброкачественность мелассы57,6%, вязкость 5,56 Па.с., эффекткристаллизации 7,97.П р и м е р 2, В примере используют тот же образец утфеля, что ив примере 1, Кристаллизацио осуществляют с добавлением в одну пробуутфеля моноаммонийфосфата в количестве 0,10% к массе утфеля и в другуюпробу - нитрата аммония в таком жеколичестве. Температуру утфеля снижают с 70 до 40 С в течение 24 ч,поддерживая коэффициент пересыщениямежкристального раствора постоянным,По окончании кристаллизации пробы утФеля центрифугируют в течение 10 мини в...

Номер патента: 1490084

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Павлющик, Чернов, Эйфер, Яицкий

МПК: C01D 5/00

Метки: кристаллизации, натрия, сульфата

...смешения. Для перемешивания суспензии газообразным агентом - водяным паром, образующимся в глубине слоя, в основание слоя суспензии подают исходную осадительную ванну в количестве 1298 кг/ч с температуройо50 С (иеремешивающий дополнительный поток, в т.ч, по секциям: 1 420 кг/ч; 11 - 330 кг/ч, 111 288 кг/ч, 1 Ч - 260 кг/ч. Количество отсасынаемых из секций кристаллизатора паров 1073 кг/ч, Расход рабочего пара на работу пароэжекторон 2855 кг/ч. Всего конденсируется н конденсаторе смешения 3928 кг/ч паров воды, Расход воды с температуройи28 С н барометрический конденсатор на конденсацию 3928 кг/ч паров воды составляет 785,6 м /ч. Количествоэпродукционной суспензии из последней 1 Ч секции катализатора 38925 кг/ч, После проведения всех...

Номер патента: 1497509

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Зубарев, Лобанов, Платонов, Сумароков, Третьяков

МПК: G01N 15/02

Метки: кристаллизации, процесса

...повысить 5 10 з 1497В технологическом аппарате 1 находится реакционная масса, в которой образуются кристаллы. Реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами, подаваемыми с ультразвукового датчика 2:основным с частотой 1,0- 10 МГц и дополнительным с частотой 0,1-0,8 МГц.При прохождении ультразвука черезсреду, в которой начинается росткристаллов, происходит относительноеизменение частоты основного импульса(фиг. 1 кривая а), Начало этого изменения, которое можно выдели ь поэкстремуму первой производной (кривая б), соответствует началу кристаллизации. Ультразвуковым измерительным прибором 3 измеряют поглощение и частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величинепервой производной...

Номер патента: 1503991

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Гостищев, Середа

МПК: B22D 17/32

Метки: затвердевания, кристаллизации, металла, момента, отливки

...машинылитья под давлением на первый вход Ауправления устройства, запускаетсявычислительный блок 2, При этом напервом выходе вычислительного устройства по сигналу, поступающему с датчика температуры формы, формируетсясигнал, пропорциональный времени кристаллизации отливки, а на втором выходе вычислительного устройства формируется сигнал, пропорциональный 45времени затвердевания отливки,его.После окончания эапрессовки металл,запрессованный в форму, начинаеткристаллизоваться, причем процесскристаллизации идет к пресс-остатку,При этом пресс-остаток кристаллизуется после кристаллизации отливкиажидкий металл пресс-остатка используется для подпитки кристаллизирующейся отливки. Ультразвуковые сигналы,излучаемые кристаллизирующейся...

Номер патента: 1508970

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Жан-Люк, Жил, Поль, Рене

МПК: F17D 1/17

Метки: извлечении, ингибирования, кристаллизации, маслах, нефти, парафинов, скважины, сырых

...сос- где Е - вес осадка в сыром:аслетавлять 2-7. Молекулярные веса опре- без присадки;деляют хроматографией путем прони- Е - вес осадка в сыром масле,кания геля (СРС) . содержащем присадку.Присадку по изобретению вводят в П р и м е р 1 (получение сопосырые масла с весовой концентрацией, лимерной присадки). В реактор объедостигающей 5-400 ррш, предпочтительно 100-1500, Включение осуществляют при температуре, превышающей на 30о20 точку текучести сирого материала, при перемешивании.Степень полимеризации сополимеров измеряют гельпроникающей хроматографией (СРС), что позволяет измерять молекулярные веса в областивеличин, эквивалентной полистирблу,и показатель полидисперсности. Инфракрасную спектрометрию используют, чтобы дозировать в...

Номер патента: 1541506

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Гулый, Лищук, Манк, Михайлик

МПК: C13G 1/06, G01N 33/02

Метки: кристаллизации, процесса, растворов, сахарных

...регистрируют тем же устройством при оптимальном протекании процесса варки утфеля в вакуум-апнарате. Для определения величины нормированного значения градиента температур устройство помещают в промышленный вакуум-аппарат и проводят варку утфеля квалифицированным аппаратчиком. Полученные при ртом значения градиента температуры с учетом уровня (массы) утфеля в вакуум-аппарате являются эталонными или нормированными. По результатам измерений градиента температуры в нескольких (5-6) варках вычисляют средние нормированные его величины, которые и принимаются эа основу при контролепроцесса кристаллизации.В таблице показаны изменения текущих значений градиента температур в зависимости от уровня утфеля в вакуум-аппарате. П р и м е р, Устройство...

Номер патента: 1543319

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Абрамов, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

...найти по формуле аЬс 40 2 9где а - ширина канавки, мм;Ь - расстояние от края подложкидо точки перехода травления 45в кристаллизацию, мм;с - глубина канавки у края подложки, мкм.Величина а и Ь измеряют с точностью + О, 1 мкм, а величину С определяют, изучая интерференционную картину на поверхности подложки, с точностью + 0,2 мкм.В данном случае а = 5 мм, Ь= 42 5 мм с = 8 810 мм следоваЬ 9 955тельно, Ч = 0,94 мм.Затем определяют вес растворившейся части по формулеР =7, где- плотность СаАз,= 5,4 г/см = 5,4 мг/мм,Р = 5 4 0 94 = 5,05 м,и пересчитывают его в концентрациюАз по формулеО ХАз 1+2 ХУ - Р, АСа 9где Р - исходный всс Са Р = 500 мг1".4 О 6 а 9А - . атомный вес Са, Аса= 69,72;М - молекулярный вес СаАз5 05 69,72 эХ : г , 9 = 4 9 410...

Номер патента: 1551746

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Игошина, Карпенко, Морев, Сапронов, Славянский, Тужилкин

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, утфеля

...0,03 мм, После образования 12кристаллов на 1 мм поверхности пробного стекла подкачкой сиропа процесспереводят в метастабильную зону ихнаращивания со степенью пересыщения1,11. Далее проводят наращиваниекристаллов до размера 0,25 кч и придостижении утфелем 607. объема вакуумаппарата, 507. сваренного утфеля отбирают в соседний аппара г. После отбора части утфеля в другой аппараттребуется время для растворения образующейся "муки, и перевода процессауваривания в метастабильную зону наращивания. Причем больше времени натакую обработку требует вакуум-аппарат с отобранной частью утфеля, Затемотобранную и оставшуюся части утфеляпродолжают уваривать при пониженномостаточном давлении 16 кПа до полнойа 551746 6готовности утфелей. При этом...

Номер патента: 1557497

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Журавлев, Мовчан, Огородник, Олейник

МПК: G01N 25/02

Метки: вещества, кристаллизации, температуры

...газа. Устройство установлено в технологической емкости 11 таким образом, чтобы уровень плава в ней был выше верхней кромки цилиндра 1.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии в кожух 9 по трубке 10 подается охлаждающий газ. Плав вытеснен из кожуха 9 в технологическую емкость 11, чехол 5 термочувствительного элемента 4 расположен в верхней части направляющей 8. В начале цикла измерения управляющее устройство отключает подачу охлаждающего газа в кожух 9. Плав из технологической емкости 11 заполняет полость кожуха 9, при этом за счет выталкивающей силы, действующей на поплавок 7, емкость с эталонным веществом поднимается до тех пор, пока чехол 5 за счет конусовидной формы плотно не сядет в гнездо в нижней части...

Номер патента: 1570741

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Баклаженко, Бекасов, Белонощенко, Квасов, Макаренко, Шулешов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов, солей

...условиях на бессатураторной установке получения сульфата аммония с типовыми вакуум-выпарными кристаллизаторами с внутренней нагревательной камерой, причем, один иэ аппаратов был модернизирован соответственно схеме, приведенной на чертеже. Питающий раствор концентрацией 407 содержал также 0,8-,ОЕ свободной серной кислоты и другие сопутствующие примеси. Опыты проводили при различных режимах выгрузки продуктовых кристаллов: с классификацией и без классификации, с выводом и без вывода маточного раствора иэ зоны . кристаллизации. Накопление примесей в зоне кристаллизации контролировали по кислотнос,ти раствора, вводимого непосредственно из вакуум-испарителя.Результаты приведены в табл.1. 70741 51015 50 55 Как видно из табл. 1, при...

Номер патента: 1572674

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Беломытцев, Бондарь, Калмычков, Свердлин, Юсипов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...контуром циркуляции суспензии, ЗОУстройство работает следующим образом. Исходный раствор перед введением в кристаллизатор 1 смешивают с суспензией, отбираемой из промежуточной зоны кристаллизатора, и полученную смесь, содержащую большое число мелких кристаллов, на поверхности которых снимается пересьпцение, создаваемое при охлаждении смеси, последовательно пропускают через все междисковые полости, охлаждая ее с помощью поверхности теппообмена до конечной температуры хладоносителя, движущегося по каналам дисков в противотоке с указанной смесью, после чего направляют через переливной фонарь 3 в центрифугу или фильтр 8для разделения на твердую и жидкую составляющие. При отклонении от заданных значений пересыщения смеси исходного и...

Номер патента: 1575103

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Колесников, Малахов, Новоселов, Сафронов, Якобсон

МПК: G01N 11/14

Метки: кристаллизации, расплава, скорости

...ипостроения термокинетических диаграмм.Анализ уравнения (1) показываетчто в начальный момент времени, когдалЬ =0 и 0 =О,уголопределяетсяиз выраженияи =1(Н-О)=Е 10, т,е, соот"оветствует максимальному значению, показанному на тарировочном графике,В конце затвердевания при-- ок,л ЛЬ=Н угол ( будет равен нули, а приКНЬ=-=1(Н ) = - = -- так какг "к гН по условию равно 1 О,Следовательно, при постоянной ско -рости эатвердевания отливки графикифункций ( =11 и С =1(Н-Ь) идентичны, представляют собой прямые линии и накладываются друг на друга(фиг,3), В данном случае скоростькристаллизации определяется из соотношения ЬкХ л )Л(2) где В. - скорость кристаллизации;Ь к - величина, определеннаяпо графику в интервале от 0 до Н при известном врелмени...

Номер патента: 1576232

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Банников, Давыдков, Теребаев, Хоперская

МПК: B22D 27/04

Метки: кристаллизации, магнитов, направленной, отливок, постоянных, режима, температурного, установке

...равной скоростикристаллизации данного сплава. Приэтом с помощью индуктора 4, генератора 16, нагревателя 5 и блока 15 управления стабилизируется температура футеровки и шахты печи. В процессе вытяжки отливок магнитов, когда эффектиновсть теплоотвода черезтвердую фазу и стенки формы посред-.ством холодильника 22 станет значительно меньше теплоотвода черезбоковые стенки формы в воздух, а регулирующий вентильисполнительного механизма 20 полностью открыт сигналом с первоговыхода регулирующего устройства 10,в коммутатор 19 подается сигнал наподключение первого выхода блока 17сравнения к входу регулирующегоустройства 11, а с второго выходарегулирующего устройства 10 подается сигнал к управляющему входу коммутатора 18, который переключает второй...

Номер патента: 1581340

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Козодеров, Романенко

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, растворов

...горячего раствора и его охлаждения до 16-20 С смесь раствора и кристаллов за счет подпора непрерывно загружаемого раствора и кипения непрерывно самотеком выгружается через переливное отверстие на дальнейшую обработку, например Фильтрацию, промывку и осушку кристаллов с получением готового продукта кристаллов восьмиводной хлорокиси циркония. эОтходяшие пары-газы растворителей и нагретый воздух отсасываются через отверстие 7, расположенное в крьппке камеры.П р и м е р 1. Способ кристаллизации хлорокиси циркония с периодической выгрузкой смеси охлажденных раствора и кристаллов.Предварительно упаренный горячий раствор с температурой, например 105 С, имеющий температуру начала выпадения зародьппей кристаллов, например, 90 С, заливают в...

Номер патента: 1588497

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Абрамов, Батышев, Безпалько, Болотов, Зайцев, Любавин

МПК: B22D 18/02

Метки: давлением, кристаллизацией, кристаллизации, литье, скорости, сплавов

...ЬЛЯЛИ лЛЯК 1)сстртктпруу.11 Я фиг. 2 привепена с:(ема макроструктуры ППОпоЛЬНОГС ТЕМПЛЕта ЛИО: И С 1)ГО С."НтКЯ.Д Я " В Е Г, Т В ЯИ Е С 1;1 и )У У( ЧО ",. Г г П Е 1,) СВ гЕМ ЗКТЕ:.:ОГО паВЛ:ю)НЧС) СТОСОНЫ ВЕРХ.ЕГО ТОРЦЯ ОтлиьКИ )ЭИВОРРГ К 6 ОЛЕР ВЬ 1 СОКОй СКОрОСти рОСта 51 Я)лрсу)Я, ЧТО ХараК- тсризуется его сравит.льО большей длисй (11, фиг. 2). Вследствие;Ог"рь ня треие, дявлеие, воздей твующес ня д.с 1 З) рицы (реактив:Ос дзвлеие, и," еет меньвую Ве линуНу и, следсвятелл 1;О, ск)зывяе 50)ес с;Збсе г.)К 5 ие ия скор)с.Ос: Ия;гоп и (1 у, ф И г. 2),у. 1,; я Я Л О М И , . 1:., 1 1 игл1 у п), 1==18 мм, т.е. 11;:1 п 1,Г разя.Способ Обеспечивает Оиредедегие сксрсс ТИ КРИС ТЯЛИЗЯИИ С.ЛЯЯ ИСХОДЯ КЗ С 1,. Ю ЩЕГО.11 рсЯсс затв Ярцев я)-.ия 0",...

Номер патента: 1589173

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Воронов, Епифанов, Космына, Некрасов, Суздаль

МПК: G01N 25/04

Метки: выращивании, кристаллизации, кристаллов, начала, раствора-расплава

...фазового сдвига, коммутатор и блок синхронизации, реверсивный счетчик, схему сравнения изадающее устройство.Блок 4 управления содержит триггери согласующий блок.Блок 5 фиксации температуры содержит коммутатор, аналого-цифровойпреобразователь и регистр памяти.Блок б фиксации электросопротивлеиия содержит счетчик импульсов, схеМу сравнения, задающее устройство,блок синхронизации.20Блок 7 обработки информации со".держит вычислительное устройство тиПа "Электроника Д 3-28", входящее вуправляющую микросхему ВУМС.Блок 8 индикации содержит дисплей, у 5термопечатное устройство, схему звуковой сигнализации.Момент начала кристаллизации определяют следующим образом,При помощи блока 1 перемещений.измерительный электрод 3...

Номер патента: 1602879

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Горба, Мовчан, Музыка, Панна

МПК: C22B 9/22

Метки: заготовок, затравку, кристаллизации, металла, методом, послойной

...тигля 2. Затравка 1 защемляется между двумя охлаждаемыми пластинами 36 и 37, размещается между охлаждаемыми валками 30-35, устанавливается в радиальных газах 4 и 5 тигля 2 и закрепляется в захватах 18 и 19 штоков 16 и 17 гидроцилиндров 12 и 13. С помощью электронных лучей 41 и 42 исходный материал 10 в тигле подвергается плавке. Одновременно во внутренние полости валков 30-35, стенки 3 тигля 2 и пластины 36 и 37 подается охлаждающая вода. Путем регулирования протока воды через пластины 36 и 37 устанавливается температура торцовой поверхности затравки 11, соответствующая режиму послойной кристаллизации. Кроме того, пластины 36 и 37 препятствуют депланации затравки от действия температурных напряжений, Включением блока 22 давления...

Номер патента: 1604390

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Волохов, Клочкова, Москаленко, Овчинников, Перченок, Ракитин, Расходчиков, Романенков, Фармаковская

МПК: B01D 9/02

Метки: алюминатных, кристаллизации, разделительное, растворов

...в эл ю мин и евой и ром ы шлен ности.Цель изобретения - увеличение производительности.На чертеже показано устройство,общий вид.Устройство содержит цилиндрический корпус 1 в виде стакана с коническим дном, которое имеет в вершине своего конуса входной штуцер 2, примыкающую к корпусу 1 коническую крышку 3, в вершине конуса которой расположен выходной штуцер 4, Штуцера 2 и 4 расположены аксиально по торцам устройства. С внешней стороны к корпусу 1 примыкает нагревательный элемент 5 в виде спирально навитой вокруг корпуса трубки с циркулирующим внутри нее теплоносителем, которым может быть нагретая вода. Внутри корпуса расположен охлаждаемый элемент 6, имеющий форму стакана, выполненного из избирательно проницаемого материала, например...

Номер патента: 1604855

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Морев, Сапронов, Славянский, Тужилкин

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, последней, утфеля

...в виде пленки. При пересыщении ниже 1,02 возможно растворение части кристаллов сахара при подготовке утфеля к центрифугированию, а при величине коэффициента пересыщения выше 1,03 затрудняется центрифугирование утфеля, возрастает содержание мелассы в отделяемом на центрифугах сахаре, и возможны его потери в виле "мукив мелассе, что отрицательно сказывается на достижении цели,Перед центрифугированием утфельподогревают и центрифугируют с получением сахара и мелассы.П р и м е р 1. В вакуум-аппаратесоздают разрежение 0,060 ИПа, набирают первый оттек утфеляс Дб = 78,57и СВ = 83,2 Е до полного закрытия поверхности нагрева паровой камеры,включают подачу пара в греющую камеру, сгущают и заводят в оттеке центрыкристаллизации, вводя в аппарат...

Номер патента: 1611936

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Балуева, Гопун, Игошина, Сапронов, Славянский, Стрельников

МПК: C13F 1/10

Метки: кристаллизации, первой, разделения, утфеля

...В том случае, когда расход горячей воды в момент окончания отделения первого оттека меньше, чем О,бф и соответственно меньше, чем 0,20 к массе утфеля в момент отделения второго оттека, то увеличивается разбавление этих оттеков, а энергозатраты на последующее выпаривание из них воды возрастают,Первый и второй оттеки отбирают из центрифуги с помощью сегрегатора, а сахар-песок выгружают из центрифуги в конце цикла центрифугирования,П р и м е р 1, Утфель первой кристаллизации с Ч=90,5 и СВ = 92,7 подают вротор центрифуги и начинают отделение первого оттека при 1480 мин . Одновременно с этим измеряют механическое воздействие первого оттека на чувствительный элемент пневмосилового преобразователя устройства контроля за отделением оттеков,...

Номер патента: 1611958

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Горба, Мовчан, Музыка

МПК: C22B 9/22

Метки: вращения, затравку, кристаллизации, методом, послойной, расплава, тел

...2 приводит во вращение вал 4 с затравкой 3 и с помогью Фрикционной пары колес 25 и 27 проводится во вращение ведущий вал 17, а следовательно, и вал 18 с валком 13, имеющим профиль, повторяющий профиль затравки 3. Валок 13 устанавливается в непосредственной близости от расплава, Одновременно пушкой 7 нагревается затравка 3 до температуры, величина которой устанавливается в зависимости от материала заготовки, кристаллизующегося материала и технологических режимов процесса.Передаточные числаФрикционной пары колес 25 и 27, а также зубчатых пар колес 28 - 29 и шестерен 15 - 16 выбираются из условия обеспечения соотношения, при котором выдерживается примерное равенство линейных скоростей их контактируемых поверхностей:,п 2 Вп ггде п -...

Номер патента: 1613432

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Данина, Конов, Челюканова

МПК: C01D 15/04, C01F 7/04

Метки: кристаллизации, лития, растворов, тетрахлоралюмината

...позволяет повысить размер получаемых кристаллов тетрахлоралюмината лития с 7 - 10 до 30 - 50 мкм, 1 табл. суспензию отфильтровывают на стеклянном фильтре при 80 С в инертной среде. Толуольный раствор при перемешивании охлаждают до 30 С, после чего выпавшие кристаллы отфильтровывают. промывают холодным толуолом и сушат в вакууме. Ко-, нечный продукт - белый мелкокристаллический порошок (температура плавления 142 - 142,5 С).П р и м е р ы 2-11. Процесс ведут согласно предлагаемому способу,Для К 200 г горячего толуольного раствора, полученного как в примере 1 и содержащего 87,9 г (0,5 М) тетрахлоралюмината лития добавляют алюмогидрид лития и проводят кристаллизацию раствора охлаждением. Результаты опытов, полученные при различных количествах...

Номер патента: 1620510

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Жариков, Приходько, Сторожев

МПК: C30B 11/00, C30B 30/06

Метки: «и—или», веществ, кристаллизации, плавления

...250 мм и размерах пластин по50 мм частота колебаний пластины 12выбрана равной 157 Гц, а пластины13 - 168 Гц,что меньше предельнойвеличины 7000 Гц, а значения амплитуд заданы равными 3,25 и 3,15 ммдля пластин 12 и 13 соответственно,что обеспечивает создание структурыконвекции с циркуляционным потоком18, Созданная структура конвекпииобеспечивает пятикратное ускорениепроцесса,П р и м е р 3. На Фиг. 3 предлагаемый способ использован для оптимизации процессов плавления исходного вещества и перемешивания расплава 21 в прямоугольном контейнере 22, при движении которого вниз относительно нагревателя 23 происходит рост кристаллов 24, В исходном процессе тепломассоперенос в расплаве характеризуется наличием циркуляционного потока...

Номер патента: 1624065

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Борисов, Косенко, Маслов, Федоров

МПК: C30B 13/28, C30B 35/00

Метки: исследования, кристаллизации, направленной

...или фотоаппаратом) процесс направленной кристаллизации. Затем паво ротол 1 кольца 3 изменяют угол Рс требуел 1 ым шагамл многократно повторяот списанные опеоации и исследуют вл.1 яние днизст опии лавер:ностной энергии гран 1- цы оаз. дгд и кинетического коэфф(1 ииентд 15 нд с(дб 1 льнссть и маофологию Чэоантд ,-,;,Г 5 ь; в об= тйрсны ст нулевой От; -т и .,ме. Гдзл .р ндпэдвляОщих ",.епэр- с., з;О(., ссяГ;:,(.;Лет с толщи(10 й 1,"а 1,",1, ОЬ( Н Д И З С Л И й (,Л С 1 ЧХ П Л Д С Т И г 1 ВД Г Р Е В Я .(эль,х эгелдн Гэ; составляет 4 мл 1,Уста(,; стас расс;.е; следус 1,. эбрдс. н ы;: . ( . Гэ.та- с мадан "р 1ы 1 .т.:,"10 "1. 1 ои г.Я = 1 "э 1;С.(.ЭЮТ,-.ССТ-.Рвг.УЛНРНРДСЛ;ЛС:.КЕ- -э.х с 1 метри:;ых 15 сксеые эетэи с:.;-1:.; с (-с э и р-. к - .;...

Номер патента: 1632708

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Варенчук, Корниенко, Привалов, Романенко

МПК: B23K 28/00

Метки: ванны, изотерм, кристаллизации, сварочной

...расплава по достижению температуры ликвидуса с определенным переохлаждением из него начинают выпадать кристаллы твердой фазы.По мере дальнейшего охлаждения объем,занимаемый кристаллитами, увеличивается, кристаллиты соединяются в каркас,заполненный оставшейся жидкостью.При дальнейшем охлаждении появляетсяопасность разрушения каркаса возникающими при охлаждении усилиями усадки. Таким образом, температура появления новых надрывов-трещин при кристаллизации лежит несколько ниже температуры ликвидуса. Ее называют верхним интервалом эффективной температуры кристаллизации или верхней температурой температурного интервала хрупкости. Нижний интервал эффективной температуры кристаллизации ограничен линией солидуса, поскольку кристаллизация...