Патенты с меткой «кристаллизации»

Страница 3

Устройство для кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 241316

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Иохиро, Кинго, Кисиро

МПК: B01D 9/00

Метки: кристаллизации

...башней 3, мешал водом 5, выгрузка промывным трубаппаратаообменной трубопроединенной ода ющей з пароперегонного кожухом 2, тепл кой 4, питающим ющей трубой б, со опроводом 7 и п Изобретение относится к устройствам дл кристаллизации и непрерывного отделени кристаллов перегонкой с водяным паром. Процесс осуществляется следующим обзом: 10 Рабочий раствор непрерывно подается потрубопроводу 5 в башню 3, где происходит теплообмен с водяным паром, поступающим из аппарата 1, после чего попадает внутрь аппарата и перегоняется с водяным паром, в 15 результате чего отделяются кристаллы продукта в тонкоизмельченной форме, которые распределяются затем по всей водной фазе под влиянием перемешивания. Значительная часть нагретого растворителя укодит с...

Способ автоматического регулирования процесса кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 242129

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дружинин, Романец, Рунов

МПК: G05D 11/02, G05D 23/13

Метки: кристаллизации, процесса

...и температуре раствора в предыдущем корпусе,ю выгружают из корпуса 1 с по- чика 13 концентрации твердой фа 1 и, ограничительного регулятора 14 ющего органа 15.Температуру раствора в вакуум-исдарителе корпуса 2 регулируют с помощью датчика 1 б температуры, регулятора 17, датчика 18 температуры, датчика 10 степени пересыщения, функционального блока 19 и регулирующего органа 20. Регулирующие органы 12 и 20 устанозлены соответственно на линиях 21 и 22 подачи хладагента в барометрические кон= денсаторы 4 и 5.Суспензию выгружают из корпуса 2 с помощью датчика 23 концентрации твердой фазы, регулятора 24 и регулирующего органа 25,Процесс кристаллизации в вакуум-кристаллизационной установке регулируют следующим образом,При изменении концентрации...

Устройство для определения коэффициентов насыщения, доброкачественности нормальных меласс и скорости кристаллизации сахарозы

Загрузка...

Номер патента: 244961

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Приходько

МПК: C13F 1/02, G01N 33/02

Метки: доброкачественности, коэффициентов, кристаллизации, меласс, насыщения, нормальных, сахарозы, скорости

...горизонтальной оси электродвигателем 7 через коническую передачу 8 и эластичную муфту 9.Термостат снабжен стаканами 10, устанавливаемыми под сосудами 3 во время выгруз ки проб. Стаканы 10 разделены внутри съемной ситчатой перегородкой 11 на две камеры, верхняя из которых предназначена для кристаллов, а нижняя - для межкристального раствора. Нижняя камера стакана имеет па трубок для подключения к вакуум-насосу.Жидкость для термостатирования емкости 1 подается во внутрь последней через неподвижный сальник 12 по вмонтированным в него трубкам. Для контроля температуры установ лен термометр 13.Работает устройство следующим образом, Исследуемый продукт заливают в сосуды 3,после чего их закрывают колпачками 14. Емкость 1, предварительно...

Куумная установка для получения отливок методом направленной кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 246791

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ерохин, Кичатов, Норин, Соболев, Устинов, Чирков, Чумаков

МПК: F27B 14/04

Метки: кристаллизации, куумная, методом, направленной, отливок

...ют термопарой 9, а температуру в печи подогрева - термопарой 10. етения едмет из еру 1, плам индукто- исталлизая формы в каретки б,ния в наасадки 8,25Бакуумиво к метовключающтигель с30 прогрева Известная вакуумная установка для получения отливок методом направленной кристаллизации с периодическим характером действия содержит вакуумную камеру, плавильный тигель с высокочастотным индуктором, исгочник подогрева формы, охлаждаемый кристаллизатор и механизм его перемещения, Однако при использовании этой установки керамическая форма в процессе ее нагрева под заливку, постоянно находится в контакте с водоохлаждаемым кристаллизатором, что мешает правильно вести процесс,направленной кристаллизации.Предлагаемая установка отличается тем,...

Аппарат для непрерывной кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 254476

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Лельчук, Марголин

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, кристаллизации, непрерывной

...В. К. Попехред Л. В. Куклина едактор Е. П, Шиль рина рек Подпнсно. ров СССР Тираж 480ений и открытий прн Сове Раушскаи наб., д. 4/5 Мини ипогрпфии, пр. Сапунова, 2 Предмет изобретения А)ппарат для непрерывной кристаллизации, состоящий из камеры, воздухораспределительного устройства и устройств для загрузки и выгрузки материала, от,гичающийся тем, что, с целью обеспечения условий непрерывной кристаллизации, улучшения управления проаказ 424/31.ИИПИ Когиитега по делана изобреМоск в а 7 Кцессом и интенсификации теплообмена, камера разделена вертикальными перегородками на три отсека, а воздукораспределительное устройство включает беспровальную решетку 5 и три дутьевых патрубка, через которые осуществляют раздельную регулируемую подачу воздука...

Устройство непрерывного действия для кристаллизации сахарного сиропа

Загрузка...

Номер патента: 258938

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бажал, Гулый, Попов, Сиренко

МПК: B01B 1/00, C13G 1/00

Метки: действия, кристаллизации, непрерывного, сахарного, сиропа

...молодогоутфеля. Время пребывания кристаллообразующейся, массы в камере 5 определяется объемомэтой массы и расходом молодого утфеля. При60 практически постоянном расходе, пересыщениии температуре, количество образовавшихсякристаллов и их размер в молодом утфеледанной доброкачественности определяютсявременем пребывания его в камере 5, т. е. ве 65 личиной его объема. Величину объема массы55 60 65 в камере 5 регулируют изменением уровня слива молодого утфеля путем перемещения вверх или вниз трубы 11 конической парой 15 через маховичок 16.Количество поступающего раствора в прямоточную поверхность нагрева 36 регулируют задвижкой 39 в зависимости от,расхода сиро,па, подаваемого на подкачку по патрубку 30 (второго потока).Второй поток сиропа по...

Апппарат для фмкционной кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 264339

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Логвиненко, Мит

МПК: B01D 9/00

Метки: апппарат, кристаллизации, фмкционной

...холодильн каждой секции, внутри которого цирк теплоноситель, и наклонных ножей дл кристаллов.Однако в таком аппарате трудно создать градиент температур между его секциями.С целью повышения эффективности и упрощения конструкции, в каждой секции предлагаемого аппарата укреплены на валу охлаждающие элементы в виде дисков из тепло- проводящего материала, диаметр которых уменьшается от секции к секции.На чертеже схематически изображен предлагаемый аппарат.Он состоит из резервуара 1, полого вала 2, охлаждающих дисков 3, ножей 4, секционирующих перегородок 5, устройства для обогрева б, патрубков 7 и 8 соответственно для ввода и вывода теплоносителя.Аппарат работает следующим образом.Разделяемую смесь загружают в крайнюю (на чертеже - левую)...

Способ определения кривизны фронта кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 272285

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Ильченко

МПК: C30B 15/22

Метки: кривизны, кристаллизации, фронта

...1 пьезокристалла 2. Ультразвуковые колебания в пьезокристалле возникают под действием электрических импульсов, генерируемых ламповым импульсным возбудителем 3 и, распостраняясь вдоль затравки 1 и ксристалла 4, частично отражаются от фронта кристаллизации 5, достигают пьезокристалла и преобразуются им в электрические импульсы, восприниисчемые приемником 6 с электроннолучевым индикатором, Импульсы для запуска возбудителя и развертки индикатора вырабатываются генератором синхронизирующих импульсов 7. Если фронт кристаллизации плоский и параллелен плоскости пьезокристалла, отраженные импульсы имеют максимально возможную для данного полупроводника и установки амплитуду. При наличии кривизны амплитуда будет меньше максимальной.Абсолютное...

Аппарат для противоточной фракционированной кристаллизации в тонком слое

Загрузка...

Номер патента: 273158

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Зыкоб, Логвиненко, Мит

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, кристаллизации, противоточной, слое, тонком, фракционированной

...вавшаяся жидкая асти под действием сЛы тяжести стекает между крцсталламц в корыто. В результате происходит перераспределение компонентов между твердой ц жидкой фазамц, а ца поверхности оарабаца остается тонкий равномерный слой предварительно очищенного вещества, который поступает в область действия нагревателя 3, где достигается высокая степень опсткц. Нагреватель 3 прц изменении зазора создает такой температурный градиент, прц котором на нижнем его конце температура на несколько градусов выше температуры плавления удаляемых компонентов, а на верхнем - выше максимальной температуры плавления всех компонентов. входящих в состав смеси.Таким образом, предварительно очищенный слой, цермещаясь в сторону более высоких температур, плавится, а...

Способ автоматического регулирования процесса кристаллизации в вакуум-кристаллизационнойустановке

Загрузка...

Номер патента: 278631

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дружинин, Романец, Рунов

МПК: B01D 9/00, G05D 11/02, G05D 23/13 ...

Метки: вакуум-кристаллизационнойустановке, кристаллизации, процесса

...вакуум-испарителе 9 регулируется посредст вом регулятора температуры 10, вычислительного устройства 7 и регулирующего устройства 11. Выгрузка продукта из кристаллизатора 2 осуществляется при помощи датчика 12 концентрации твердой фазы, регулятора 13 и ре гулирующего органа 14.Регулирование процесса кристаллизации ввакуум-кристаллизационной установке производится следующим образом.При изменении концентрации компонентов 25 в исходном растворе происходит отклонениестепени насыщения раствора, поступающего в кристаллизптор, что приводит к изменению пересыщеттия раствора в кристаллизаторе и нарушению оптимального режима процесса 30 кристаллизации.278 б 31 ираж 480 Подписное аз 3286 ипографии, пр. Сапуно Вычислительное устройство 7 по сигналу...

Способ кристаллизации вторичного фосфорнокислого калия

Загрузка...

Номер патента: 279600

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Леонтьева, Ломакина, Фомина

МПК: B01D 9/02, C01B 25/30

Метки: вторичного, калия, кристаллизации, фосфорнокислого

...в присутствии первичного фос. форпокислого кяли 51. Однако степень крпстял лизацпп незначительна (пе вышс 30%), получаетс 5 мелкокристяллически 1 1)одукт и процесс кристаллизации длптелеп. 10С целью получения крупных крпсталлоь, сокращения времени и повышения степени кристаллизации предлягяется К 1)истЛлтЗяцию вести в присутствии третичного фосфорнокислого калия. 15Содержание третичного фосфор нокислого калия в насыщенном растворе вторичного фосфор покисл ого калия составляет 0,8 - 7,0%, предпочтительно б,О - 7,0%.20 Кристаллизация вторичного лого калия по предлагаемому дит без введения затравочны высокой степенью кристаллиза льные технологические показатели ого и известного способов крин вторичного фосфор но кислого ставлены в...

Способ кристаллизации солей

Загрузка...

Номер патента: 280438

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Воробьев, Греднев, Грйл, Дюмулен, Панчеико, Сучкоз, Хорошилин

МПК: B01D 9/02, C01B 11/14

Метки: кристаллизации, солей

...соль в виде пульпы, содержащей мелкие кристаллы хлорпда натрия определенного гранулометрического состава в количестве, необходимом для процесса, подается на кристаллизацию.Содержащийся в пульпе хлорат натрия выделяется в виде кристаллов, а весь мелкий хлорид натрия переходит в раствор. В рсзультате из раствора дополнительно выделяются кристаллы хлората натрия, Концентрация хлорида натрия в растворе достигает 220 г/л, что вполне достаточно для повторного использования маточного раствора в процессе электролиза.На чертеже представлена технологическая схема, используемая для выполнения процесса,Раствор хлорат-хлоридных щелоков, содержащий 500 - 550 гл хлората натрия и 100 - 110 г/л ллорида натрия, подают непрсрывно с пооц о...

Способ автоматического регулирования процесса кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 281410

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Косьмин, Марюхненко, Романец

МПК: B01D 9/02, G05D 23/30

Метки: кристаллизации, процесса

...на отбор выходящего потока.Недостатком известного способа является низкое качество выходного продукта, поскольку не учитывается влияние на тепловой режим процесса изменения температуры кипения раствора при изменении концентрации компонентов в нем.С целью улучшения качества продукта в предлагаемом способе дополнительно регулируют тепловой режим установки по температуре раствора, выходящего из вакуум-испарителей воздействием на подачу охлаждающей воды в барометрические конденсаторы при одновременной стабилизации расхода исходного раствора,И Е 2814 ОЗаказ 3502/2 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 новленный на...

Способ автоматического регулирования кристаллизации сахарапроцесса

Загрузка...

Номер патента: 286627

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гоцадзе, Таварткиладзе, Шенгели

МПК: C13F 1/02, C13G 1/06

Метки: кристаллизации, сахарапроцесса

...путем изменения расхода сиропа и теплоносителя.Для повышения точности регулирования ц создания тем самым оптимальных условий роста кристаллов предложен способ, согласно 15 коорому пересыщецце раствора определяют цо разности между текущей ц равновесной его концентрациями, находя последнюю как функцию температуры и доброкачественности межрцстального раствора с помощью математц ческой модели.Иа чертеже изображена система автоматического регулирования процесса кристаллцза 1 ци сахара.Сцстема включает объект управления 1, 25 математическую модель 2, блок разности 3, блок сравнения 4, задающее устройство 5 ц исполнительный механизм 6.По предлагаемому способу величину пересыщеция ЛС поддерживают ца заданном уров утем ввода ццформдшп от объекта...

Способ кристаллизации стеклоизделий

Загрузка...

Номер патента: 288250

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белкина, Гуревич

МПК: C03B 32/00

Метки: кристаллизации, стеклоизделий

...оправка извлекается из ситалловой оболочки.В описываемом процессе могут быть выделены участки подъема температуры и участки 20 выдержки заготовки при определенной температуре.В ходе подъема температуры протекают одновременно два процесса: процесс ситаллизации и процесс калибровки (обжатие оправки 25 стеклом заготовки). Благодаря разнице давлений на наружную и внутреннюю поверхности заготовки стекло размягчается при более низкой температуре, и потому на первом этапе ситаллизации заготовка уже плотно обжимает 30 оправку. Процесс калибровки завершается, и возникает новая задача: удержание полученной внутренней формы и размеров заготовки в ходе дальнейшего процесса ситаллизации. Для этого по завершению калибровки процесс...

Устройство для измерения температуры в процессе кристаллизации металла

Загрузка...

Номер патента: 289306

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пименов, Цурков

МПК: G01K 7/02

Метки: кристаллизации, металла, процессе, температуры

...(виток к витку), после чего последняя покрывается огнеупорной лентой (асбестовой) в несколько слоев, На эту оболочку наносится слой специально подобранной тсрмозащитной оболочки 9 следующего соста за (в вес. ч.): 0,25 маршалцт - 0,25 шамотцойпорошок - 0,25 кварцевая пдра - 0,25 жидкое стекло, поверхность которой покрывается вновь огнеупорной лентой.Труба с термозашитной оболочкой высуши вается в печи при высоких температурах. Этаоболочка свободно с зазором помещается в трубе из нцзкоугчеродистой стали 10, на один цз кОнцОВ которой жестко цясяживяетс 51 наконечник 11 цз цизеоуглеродистой стали, на дру гой - переходник 12, посредством еотопого289306 Предмет изобретения Составитель И. И. Дубсон 1 едактор А. В. Корнеев Тскред 3. Н....

Способ кристаллизации щелочи

Загрузка...

Номер патента: 289580

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Лаури, Финл

МПК: C01D 7/24

Метки: кристаллизации, щелочи

...по предлагаемому способу. На схеме представлены котел-утилизатор 1,аппарат для растворения 2, предвар 1 тельны кароснизатор 3, выпарной аппарат 4 0 карбспизатор 5.5 Способ переработки зеленого щелока осуществляется следующим ооразом.Г 1 лав направляется в аппарат 2, где происходит его растворение. Далее освстлспный зеленый щелок, который содержит Н.О, 11, аСО.МазЯ. ХазЯО Ма 50 з, подают напредваритсльнуо кароонизацию в карбоннзатор 3. Карбопизация осущеспвляется топочны Гзахи, выхсд 51 цими из кот.1 а-мтилпза 101 та.Раствор после предварительной карсониза цип подаот в выпарной аппарат, где происходит испарение Н.О и удаление Н 25. Часть кристаллического карбоната натрия отсирают в карсоннзатор э, где его растворяст 0 затем...

Способ регулирования установки для кристаллизации методом непрерывного выпаривания

Загрузка...

Номер патента: 294364

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жорж, Иностранна, Иностранны

МПК: B01D 9/02, C13F 1/02

Метки: выпаривания, кристаллизации, методом, непрерывного, установки

...23 и трубопровод 24 для отвода готового продукта.Обрабатываемыи продукт, например сахарный сок, предварительно концентрируется в отдельном устройстве и смешивается с зародышами кристаллов; эта смесь вводится в первую секцию установки для кристаллизации по трубопроводу 9, на котором установлен клапан 12, регулирующий подачу пара. Смесь кристаллов и сока проходит из одной секции в другую через отверстия, выполнспш.с в псрсгородках 25.В каждои секции фракция сока ВыпариВастся тсплох, подаВасмьм паром В нагрсВасмыс секции, а фракция сахара, которая в ней содсрж 11 ся, кристаллзустс 51. ДЛ 51 поддсржап 1 я определенной концентрации сока и процснтпо- ГО содс 1 жания к 1 исталлОВ В каждои секции В них вводят ненасыщенный сок, подача которого...

Способ кристаллизации светочувствительногостекла

Загрузка...

Номер патента: 294806

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Константиновский, Скрипко

МПК: C03B 32/00

Метки: кристаллизации, светочувствительногостекла

...светочувствительного стекла, находящуюся при температуре, например, 500 С облучают направленным коротковолновым светом с длиной волны, напри мер, 260 лак и мощностью 10 лвт лшн/слз и конвейером направляют на последующую термообработку. Обязательным условием осуществления описываемого способа является создание одним из известных способов ца облучаемой поверхности стекла тонкого слоя, например, 5 л материала с оптической плотностью более высокой, чем оптическая плотность стекла, например расплава борной кислоты. Угол наклона луча света к поверхности экрана выбирается таким, чтобы обеспечить полное вцутреннее отражение от поверхности се к. а, и 3 с вс и т о т отч е с к ои л о т и о с тэ крана. 1(оротковолцов й свет соприкасается, таким...

Устройство для определения температуры кристаллизации плава

Загрузка...

Номер патента: 309275

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: G01N 1/10

Метки: кристаллизации, плава, температуры

...трубке установлен манометр 10 для контроля давления подаваемого в змеевике хладагента (воздух, вода) от источника (на чертеже не показан).Устройство работает следующим образом.Шарообразнын змеевик 1 с чувствительным элементом 2 внутри погружается полностью в поток расплавленной аммиачной селитры, Через некоторое время змеевик и чувствительный элемент прогреваются до температуры перегретого плава, Поток плава своводно проникает через щели между витками змеевика 1 и омывает чехол 3 чувствительного элемента 2. Стрелка и перо вторичного прибора (на чертеже нс показан) поднимаются по шкале вверх, и в зоне подхода к температуре перегретого плава позиционный регулятор (на чертеже не показан) включает подачу хладагента (сжатого воздуха) на...

Устройство для противоточной фракционированной кристаллизации в тонком слое

Загрузка...

Номер патента: 318399

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бычкова, Гельперин, Головин, Калужский, Натуральных

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, противоточной, слое, тонком, фракционированной

...в направлении, указанном стрелкой, вдоль неподвижного нагревателя. Разделение происходит на рабочих поверхностях колонки, находящихся в зоне действия нагревателя,П Устрой нированно включаю щ тикально отличающ производи выполнень верхности но.Изобретение относится к устройствам,предназначенным для разделения методомпротивоточной фракционированной кристаллизации в тонком слое различных органических веществ,Известно устройство для противоточнойфракционированной кристаллизации в тонком слое, состоящее из колонки, представляющей собой перфорированную трубку с выступающими краями отверстий для удержания кристаллов, и цилиндрического нагревателя, Разделение вещес 1 в происходит поддействием градиента температур в процессеоднократного...

Способ кристаллизации полых стеклоизделий

Загрузка...

Номер патента: 319557

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Воскобойников, Зильцерман

МПК: C03B 29/04

Метки: кристаллизации, полых, стеклоизделий

...П мет изобретени стеклоизде- одноврементем, что, с ии изделий чт в подвеации полых аботки при т гичаюгцийся кристаллизац ботку их вед Способ крг 0 лий путем т ном вращени целью обесп любой формь шснном состосталл рмооб их чени об нитОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 26.1,1970 ( 1407057/29-33) Опубликовано 02.Х 1.1971. Бюллетень33 Дата опубликования описания 29.Х 11.1971 АЛЛ ИЗАЦИ И ПОЛ ЪХ СТЕ Известны способы кристаллизации полых стеклоизделий путем их термообработки при одновременном вращении.Цель изобретения - обеспечить кристаллизацию изделий любой формы.Это достигается тем, что обработку ведут в подвешенном состоянии.Изделия термически обрабатывают в непрерывно действующей печи,...

Способ определения содержания примеси в расплаве по температуре кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 358659

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Беленький, Бердышев, Блинов, Каганов, Левитан, Московский, Тебенькова

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, примеси, расплаве, содержания, температуре

...имеют высокую чувствительность.Содержание примеси в расплаве по температуре кристаллизации определяют предложенным способом с помощью устройства, показанного на чертеже,Устройство содержит огнеупорный стакан 1,высокотемпературный малогабаритный, малоинерционный электрический термометр сопротивления 2, изготовлецный из порошков высо котемпературцых окислов и карбидов метаг лов, например А 1,.0 з, МдО, Т 1 С, ц цомсщенны 1 в огнеупорную защитную трубку 3, проходящую чсрез отверстие в дце стакана. Отверстие уплотнено огнеупорной массой 4, В термометр сопротивления впрессованы электроды 5, сделанные из высокотемпературных материалов, например вольфрама, молибдена. В зоцс пониженной температуры электроды проложены в...

Способ определения скорости продвижения фронта кристаллизации слитка

Загрузка...

Номер патента: 359090

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ждановский, Казачков, Ревтов, Федоров

МПК: B22D 7/00

Метки: кристаллизации, продвижения, скорости, слитка, фронта

...кристаллизации слитка и повышение точности измерения. Это достигается тем, что зонд, погруженный на заданную глубину в изложницу с жидким металлом, отклоняют от вертикали до соприкосновения с горизонтальным фронтом кристаллизации, после чего фиксируют угол отклонения зонда от вертикали,Способ осуществляют следующим образом, После наполнения изложницы жидким металлом на нее устанавливают измерительное устройство, Затем в жидкую сердцевину слитка погружают на исследуемую глубину стальной зонд. Глубину погружения зонда контролируют металлическим стержнем, закрепленным в верхней части зонда. Стержень при погружении зонда на заданную глубину входит в пазы измерительного устройства, образуя устойчивый шарнир.По достижении заданной...

Устройство для исследования процессов кристаллизации растворов

Загрузка...

Номер патента: 387285

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G01N 33/00

Метки: исследования, кристаллизации, процессов, растворов

...перфорированный сосуд 3 с размещенными в нем кристаллами сахара.Контуры 1 и 2 оборудованы термостатирующими рубашками, подключенными к ультратермостату 4. На рабочих участках контуров вмонтированы призмы 5 рефрактометров для измерения текущей концентрации раствора иобъективы б микроскопа сравнения, которыесводят в одно общее поле зрения окуляра 7изображения от исследуемых объектов при5 помощи неподвижных прямоугольных призм.Оба контура снабжены встроенной улиткой8 с лопастью для обеспечения перемещенияисследуемого раствора по контуру. Приводлопасти осуществляется от магнитной мсшал 10 ки 9 (типа ММ).Контроль температуры в коцтуре осуществляется термопарой 10 с регистрирующим механизмом 11,Работает устройство следующим обра15...

Способ массовой кристаллизации из растворов19

Загрузка...

Номер патента: 394061

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Лапицка, Пинтох, Реутович, Ходова, Цитович, Шац, Шварцман, Шмндт

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, массовой, растворов19

...Это приводит к уменьшению выхода готового продукта за счет уноса мелких фракций маточным раствором при отделении кристаллического продукта от маточного раствора и затрудняет отмывку кристаллического продукта от маточного раствора, ведет к необходимости увеличения количества промывной жидкости, что, в свою очередь, обусловливает потери готового продукта, растворяющегося в промывной жидкости. Полученный кристаллический продукт неоднороден по гранулометрическому составу, что создает условия для его слеживания.Для увеличения размеров кристаллов и повышения однородности их гр ану лометрического состава предлагают способ, отличающийся от пзвсстного тем, что высалпватель вводят в раствор, в котором шц 1 цппрованы зародыши кристаллов. В растворе...

Способ изогидрической кристаллизации растворов

Загрузка...

Номер патента: 396116

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Коржов, Мелихов, Пашухин, Пеклер, Розенберг, Хейфец

МПК: B01D 9/02

Метки: изогидрической, кристаллизации, растворов

...для осуществления предлагаемого способа.Через сопло 1 в цилиндро-кошгческий кристаллизатор посту пает непрерывНо циркулирующий с помощью насоса 2 маточник, отб;1- раемый из верхНей части кристаллизатора и захола 5 живаемый в скоростнов холодильни 3 пределения потоков в ппаряте.ПО мере Ост; кристаллов крупные част 11 цысОбирются В нитине 1 части аппарата, из ко.торой их направляют в дезпнтегрирующее устройство з, в котором онн измельчаются, послечего их вводят в средшою часть класснфикацио;ног кону с; в зону миНима,льного пересыщення раствора с помощью распределителя 6.Скорость восход 51 щего поток 1 т 2 ковя, что ряз 10 дробленные кристаллы продолжают остяваться в этой зо;е; ристяллизятора, где н прои- ходят процесс нх...

Устройство для измерения температурь) кристаллизации расплавов

Загрузка...

Номер патента: 398838

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ев, Иващенко, Пистун, Шелепннков

МПК: G01K 11/28

Метки: кристаллизации, расплавов, температур

...моста 2 и поступающего на дифманометрический преобразователь 5, а также изменен е давления на выходе дифманометрического преобразователя 5. Стрелка регистрирующего прбора 6 при прогревании змеевика 1 и дросселей ) и 4 непрерывно перемещается вверх.Прп достп)кении температуры, соответствующей м,ксимально Возможной температуре кристаллизации, давление па выходе дифм,- номегрического преобразователя 5 становит;я равным давлению задатчика В и мембранный блок сумматора 10 передвигается в верхнее положене, при этом нижнее сопло сумматора открывается, В результате этого давление на выходе сумматора 10 становится равным давлению задтчик 9, т. е. становится равным даьлепшо В средних камерах сумматора 11.Мембранный блок сумматора 11 за счет...

Способ кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 406551

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Удк

МПК: B01D 9/00

Метки: кристаллизации

...в раствор на. грсвают до температуры, близкой к температу ре рястьоря в зоне крисяаллизацпи, я кристаллический осадок взмучивагот у донкой поверхности кристаллизатора.П р и м е р. Стеляпнуо емкость обьемом 1 .г заполняют горячим насыщенным раство. ром хлористого калия при температуре 90 С Б раствор добавляют несколько капель по герхнос".ч;о-активного вещества, папрплср аминов, и затравку 1 - 1,5 г мслких кристаллов хлс;ристого калия. Над поверхностью растьоря создают вягсуу.; 10 - 20.г,г рт. ст. из 1 ааспылителя, находящегося в колбе; через раствор продувают воздух, нагретый до температуры, близрсдмет изо тс; ил О олей из растворов актпвньх веществ з раствор, от.гггчсглучгпеиия качеств ух пере подачей ературы, близкой опе крпстяллизаок...

Устройство для отсоса газов, вьщеляющихся при кристаллизации слитка в изложнице

Загрузка...

Номер патента: 372021

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кузнецов, Рогулева

МПК: B22D 7/12, F27D 17/00

Метки: вьщеляющихся, газов, изложнице, кристаллизации, отсоса, слитка

...2 - схема работы устройства; на фиг, 3 - разрез по А-А на фиг 1 На корпусе 1 отсоса (фиг. 1) находится приставка 2 П-образной формы, закрепленная на оси вращения 8, являющейся составной частью рамы 4. На конце верхней плоскости приставки, ближнем к изложнице 5,При разливке металла приставка 2дится в исходном положении 1 (фиг. 2).кость б загружается необходимое коли 5 теплоизолирующей смеси. Тяга 8 дровводится в зацепление с приставкой, т. е.дроссель полностью открыт. После окончания заливки металла в изложницу 5 приставка по роликам 7 подается вперед (в сторону из- О ложницы). Тяга 8 перемещается вместе сприставкой, благодаря чему происходит постепенное закрытие дросселя. В момент выхода оси вращения д приставки 2 на край корпуса 1...