Патенты с меткой «кристаллизации»
Устройство для кристаллизации микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 481071
Опубликовано: 10.10.1999
Авторы: Колесников, Тюньков
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, кристаллизации, микропровода, стеклянной
Устройство для кристаллизации микропровода в стеклянной изоляции, содержащее ванну с отверстием в донной части, смонтированную на каретке с механизмами вертикального и горизонтального перемещений, отличающееся тем, что, с целью использования для кристаллизации пастообразных веществ, например полиметилсилоксановых жидкостей, ванна выполнена в виде двух снабженных механизмом разведения, прижатых одна к другой призм, плоскость разъема которых проходит через упомянутое отверстие параллельно направлению горизонтального перемещения, причем поперечное сечение ванны имеет U-образную форму, а отверстие - форму вытянутого в направлении горизонтального перемещения прямоугольника.
Аппарат для кристаллизации хлористого алюминия из паровой фазы
Номер патента: 984112
Опубликовано: 20.12.1999
Авторы: Андреева, Венчаков, Пеклер, Филатов, Янов
МПК: B01D 7/02
Метки: алюминия, аппарат, кристаллизации, паровой, фазы, хлористого
Аппарат для кристаллизации хлористого алюминия из паровой фазы, содержащий герметичный корпус с установленным внутри него с возможностью вращения, по крайней мере, одним охлаждаемым изнутри барабаном, скребковым устройством для съема твердого продукта, выполненным в виде ножа, и сальниками, отличающийся тем, что, с целью уменьшения в готовом продукте содержания примесей хлоридов железа и титана, повышения производительности аппарата и получения готового продукта в виде однородных по размеру кристаллов, наружная поверхность барабана покрыта фторопластом.
Аппарат для кристаллизации веществ
Номер патента: 788477
Опубликовано: 20.12.1999
Авторы: Амитин, Ламбрев, Михин, Пеклер, Филатов
МПК: B01D 7/00
Метки: аппарат, веществ, кристаллизации
Аппарат для кристаллизации веществ, включающий корпус, внутри которого размещены два вращающихся барабана, охлаждаемые изнутри, и ножевую систему, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности кристаллизации из паровой фазы преимущественно паров хлористого алюминия, барабаны установлены друг над другом параллельно между собой со смещением осей вращения по вертикали относительно друг друга на расстояние 0,75 - 0,9 диаметра барабана, а по горизонтали - на расстояние 0,5 - 0,8 диаметра барабана.
Способ кристаллизации рибофлавина и устройство для его осуществления
Номер патента: 862425
Опубликовано: 27.12.1999
Авторы: Емельянов, Золотарев, Коршунов, Марсин, Михин, Пеклер, Позднеев, Тхоревская
МПК: B01D 9/00
Метки: кристаллизации, рибофлавина
1. Способ кристаллизации рибофлавина из солянокислого раствора путем смешения его с водой с последующим охлаждением в кристаллизаторе, отделением кристаллов от маточного раствора и возвращением его в кристаллизатор, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса кристаллизации, маточный раствор возвращают в кристаллизатор двумя потоками в объемном соотношении 3 : 1 - 5 : 1, а подачу солянокислого раствора рибофлавина в кристаллизатор осуществляют совместно с меньшим потоком маточного раствора.2. Устройство для осуществления способа по п.1, включающее корпус, снабженный двумя штуцерами для ввода и одним штуцером для вывода маточного раствора, а также штуцером для ввода исходного...
Способ получения фазы bi2sr2cacuocuo8путем кристаллизации из расплава
Номер патента: 1748587
Опубликовано: 27.04.2000
МПК: H01L 39/24
Метки: bi2sr2cacuocuo8путем, кристаллизации, расплава, фазы
Способ получения фазы Bi2Sr2CaCuO8- путем кристаллизации из расплава, включающий приготовление расплава необходимого состава, охлаждение до температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных кристаллов, расплав приготавливают из шихты исходного состава Bi2Sr1,6+xCa1,4+xCuO8+ , где -0,1 x 0,1.
Способ измерения температуры начала кристаллизации примесей в жидком металле
Номер патента: 1258178
Опубликовано: 10.11.2001
Авторы: Бочарин, Василевич, Сроелов
МПК: G01N 27/72
Метки: жидком, кристаллизации, металле, начала, примесей, температуры
Способ измерения температуры начала кристаллизации примесей в жидком металле, включающий отбор пробы жидкого металла, охлаждение пробы жидкого металла и определение параметров движущейся пробы жидкого металла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, на пробу воздействуют сильным магнитным полем, перпендикулярным направлению движения пробы, при этом величина магнитного поля выбирается из следующего условия:где Во - величина магнитной индукции;Dо - внутренний диаметр измерительного канала, по которому течет проба жидкого металла;
Устройство для измерения температуры начала кристаллизации примесей в жидком металле
Номер патента: 1308000
Опубликовано: 27.11.2001
Авторы: Бочарин, Василевич, Сроелов
МПК: G01N 25/06
Метки: жидком, кристаллизации, металле, начала, примесей, температуры
Устройство для измерения температуры начала кристаллизации примесей в жидком металле, содержащее последовательно расположенные теплообменник-рекуператор, чувствительный элемент, на канале которого расположен электромагнитный расходомер с электродами и магнитной системой, а внутри - термоэлектрический преобразователь, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения и сокращения времени измерения, оно содержит дополнительный теплообменник, внутренний диаметр которого в 6 - 40 раз больше внутреннего диаметра канала чувствительного элемента с положительной кривизной участка перехода от канала дополнительного теплообменника к каналу чувствительного элемента, ширина и длина полюсных...
Способ определения фронта кристаллизации и устройство для его осуществления
Номер патента: 1635598
Опубликовано: 27.07.2004
Авторы: Лаишевцев, Липский, Петелькин
МПК: C30B 11/00, C30B 21/00
Метки: кристаллизации, фронта
1. Способ определения фронта кристаллизации при получении монокристаллов, включающий перемещение литейной формы с исходным веществом в фиксированном температурном поле и измерение во времени параметра процесса на разной высоте формы, отличающийся тем, что, с целью облегчения измерений в труднодоступных местах формы, в качестве параметра измерения используют высоту границы твердой фазы, получаемую после расплавления исходного вещества, фиксирования температурного поля и слива жидкой и/или твердожидкой его части.2. Устройство для определения фронта кристаллизации, включающее литейную форму с полостью для исходного вещества, установленную на кристаллизаторе с возможностью перемещения,...
Состав охлаждающей жидкометаллической ванны для процесса направленной кристаллизации
Номер патента: 1649858
Опубликовано: 27.11.2013
Авторы: Бельский, Иванов, Купченко, Майонов, Нестерович, Поко
МПК: C30B 21/02, C30B 29/52
Метки: ванны, жидкометаллической, кристаллизации, направленной, охлаждающей, процесса, состав
Состав охлаждающей жидкометаллической ванны для процесса направленной кристаллизации эвтектических сплавов, включающий алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, он дополнительно включает медь при следующем соотношении компонентов, мас.%: Медь20-70 Алюминий30-80