Способ изготовления тел вращения методом послойной кристаллизации расплава на затравку
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(5) ОПИСАН ЕТЕ Я ВТОРСКОМУ СВ ЕЛЬСТВ Х ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(71) Институт электросварки имени Е.О.Патона АН УССР (ЯО), и Исследовательский центр инструментального производства (оо)(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕЛ ВРА ЩЕНИЯ МЕТОДОМ ПОСЛОЙНОЙ КРИ СТАЛЛИЗАЦИИ РАСПЛАВА НА ЗАТРАВК 1647033 А 1(57) Изобретение относится к специальной злектрометаллургии, в частности к изготовлению тел вращения методом послойной кристаллизации расплава на затравку, вращающуюся вокруг собственной оси. Целью изобретения является получение сплошных заготовок заданного профиля с однородной высококачественной макроструктурой и минимальным припуском на последующую механическую обработку. Вращающуюся вокруг сОбственной оси в вакуумной камере 1 затравку 2 вводят в контакт с расплавом 3 металла, температуру которого регулируют с помощью электронно-лучевых нагревателей 4 и 5. По мере намораживания металла на затравку 2 каждый слой 6 приводят вконтакт с поверхностью 7 заданного профиля охлаждаемого вращающегося ролика 8,1647033 ческой Заготовки 10 20 риала. 30 формирующего профиль затравки 2. При кристаллизации слоя.6 расплава на поверхности затравки 2 в процессе ее вращения перед приведением закристаллизованного слоя металла в контакт с роликом 8 указанИзобретение относится к специальной электрометаллургии, в частности к изготовлению тел вращения методом послойной кристаллизации расплава на вращающуюся вокруг собственной оси затравку,Целью изобретения является получение сплошных заготовок заданного профиля с однородной тонкодисперсной макроструктурой и минимальным припуском на последующую механическую обработку.На Фиг,1 приведена схема изготовления сплошных тел вращения методом послойной кристаллизации расплава на затравку, вращающегося вокруг собственной оси; на фиг.2 - 7- некоторые профили заготовок для производства дисковых и цилиндрических Фреэ, изготовленных предлагаемым способом.Способ осуществляют следующим образом.Вращающуюся вокруг собственной оси в вакуумной камере 1 (Фиг.1) затравку 2 вводят в .контакт с поверхностью расплава 3 металла, заданный температурный режим которого поддерживают постоянным с помощью электронно-лучевых нагревателей 4 и 5, По мере роста металла на затравке 2, каждый единичный кристаллиэующийся слой 6 металла на затравке 2 входит в соприкосновение с поверхностью 7 заданного профиля охлаждаемого вращающегося ролика 8 и, ведя кристаллизацию этого слоя, Формируют заданный профиль, Так как установленный на фиксированном расстоянии от затравки ролик 8 выполняет роль кристаллизатора, то послойная кристаллизация металла на затравке осуществляется беэ какого-либо усилия со стороны ролика.В случае применения материалов для послойной кристаллизации, у которых узкий температурный интервал кристаллизации либо обладающих высокой теплопроводностью, а также при большом диаметре затравки либо ее массивности, перед формированием заданного профиля каждый единичный кристаллизующийся слой 6 повторно нагревают электронно-лучевым нагревателем 9 до оплавления.При необходимости получать слоевое соединение эакристаллиэованных слоев металлов конической формы контактированый слой оплавляют дополнительным электронно-лучевым нагревателем 9 и кристаллизация расплава ,на затравке осуществляется беэ усилия со стороны ролика. 1 з,п. Ф-лы, 7 ил. ние затравки с расплавом осуществляют при расположении ее оси вращения под углом к расплаву. Чем больше угол наклона оси вращения затравки к расплаву, тем меньше угол конусности получаемой кониПолучение заготовок с тонкодисперсной микроструктурой кристаллизующегося материала осуществляют путем пластического реформирования постоянным или переменным усилием каждого кристаллизующегося слоя до его полного затвердевания одним или несколькими охлаждаемыми роликами с заданными профилями рабочих поверхностей.Линейную скорость вращения рабочей поверхности ролика поддерживают примерно равной линейной скорости вращения очередного кристаллизующегося слоя матеВ случае применения материалов для послойной кристаллизации, у которых узкий температурный интервал кристаллизации либо обладающих высокой теплопроводно 25 стью, а также при большом диаметре заготовки либо ее массивности, каждый эа кристаллиэованный слой или общее слоевое соединение после затвердевания дополнительно оплавляют электронно-лучевым нагревателем и деформируют роликами,Формируя заданный профиль. Изобретение может найти применениев инструментальном производстве машиностроительных предприятий, в частности для35 изготовления дисковых и цилиндрическихФреэ: одноугловых фрез(фиг,2), двухугловых(фиг.З), фасонных полукруглых выпуклых(фиг,4), фасонных полукруглых вогнутых(фиг.5), дисковых модульных фреэ (фиг.6),40 пальцевых модульных фрез (фиг.7) и другихтипов специальных фреэ, причем контур заготовки получается с минимальным припуском на дальнейшую механическуюобработку, а для получения фреэы необхо 45 димопроизвести нарезку зубцов,П р и м е р. Исходный материал - стальР 6 М 5, используемый для формирования тела вращения заданного профиля, помещаютв прямоугольный водоохлаждаемый мед 50 ный тигель модернизированнойэлектронно-лучевой установки У 3-145, при 1647033меняющейся для лабораторных исследований. Затравку в виде диска с наружным диаметром 120 мм и толщиной 3 мм, изготовленную из стали 20, закрепляют на торце горизонтального вала в вакуумной камере. После достижения в камере вакуума порядка 1 10 - 6 10 Па, включают систему электронно-лучевого нагрева, благодаря чему осуществляется плавка исходного материала в тигле и нагрев вращающейся вокруг собственной оси затравки до температуры порядка 850 С. Скорость вращения затравки составляет 10 об/мин. Затем перемещением тигля в вертикальном направлении затравку вводят в соприкосновение с жидким металлом, Глубина. погружения затравки в расплав составляет примерно 1 мм. В момент касания вращающейся затравки с жидким металлом начинается послойная кристаллизация металла на затравку,Для формирования заданного профиля кристаллизующегося слоя в плоскости вращения затравки устанавливают охлаждаемый медный ролик с наружным диаметром 40 мм, торцовая полированная поверхность которого соответствует получению одного из предлагаемых профилей (фиг,2-7). Водоохлаждаемый ролик устанавливают так, что расстояние от его поверхности наибольшего диаметра до заготовки равно толщине первого намороженного слоя и составляет 0,8 мм. Первый,намороженный слой - это переходной слой, образующийся из материала заготовки и намораживаемого материала. Второй слой, контактируя с профильной поверхностью ролика, кристаллизуется, принимая заданную форму. Одновременно с послойной кристаллизацией и формообразованием слоев материала на затравке осуществляется подпитка тигля и его перемещение в направлении от затравки, чем обеспечивается постоянныйконтакт последнего закристаллизованногослоя с расплавом металла.5 Полученные предлагаемым способомзаготовки со слоевым соединением закристаллизованных слоев стали Р 6 М 5 полностью повторяют профиль устанавливаемыхроликов. Чистота поверхности полученного10 профиля соответствует 3,2 по стандарту.Положительный эффект от предлагаемого способа по сравнению с известнымдостигается за счет повышения работоспособности и стойкости инструмента иэ-за15 улучшения качества материала режущихкромок фрез, а также за счет исключениямеханических операций по черновой обработке полученного слоя фигурного профиля,а в некоторых случаях за счет получения20 заготовок, не требующих дальнейшей механической обработки.Формула изобретения1, Способ изготовления тел вращенияметодом послойной кристаллизации рас 25 плава на затравку, включающий введениевращающейся вокруг собственной оси затравки в соприкосновение с расплавом материала, захват тонкого слоя расплаваповерхностью затравки с последующей кри 30 сталлизацией слоя на затравке, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью получения сплошных заготовок заданного профиля с однородной высококачественной макроструктурой и минимальным припуском на после 35 дующую механическую обработку, передкристаллизацией каждый слой на затравкепропускают по меньшей мере через одинохлаждаемый профилированный режим,причем процесс осуществляют в вакууМе.40 2.Способпоп 1,отличающийсятем. что слой материала на затравке передпропусканием через профилированный ро лик оплавляют электронным лучом,1647033 Фиг 2 Жцг дактор И:Дерба авцова ар а изводственно ль Заказ 1379 ВНИИПИ оставитель С.Дзигоев хред М.Моргентал КорректоТираж, 404 Подписноевенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ий комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101
СмотретьЗаявка
4485039, 21.09.1988
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОСВАРКИ ИМ. Е. О. ПАТОНА АН УССР, ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР ИНСТРУМЕНТАЛЬНОГО ПРОИЗВОДСТВА
МОВЧАН БОРИС АЛЕКСЕЕВИЧ, МУЗЫКА НИКОЛАЙ РОМАНОВИЧ, ГОРБА НАУМ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ДИТМАР ФАБИАН, МАНФРЕД ТЭЛЕ
МПК / Метки
МПК: C22B 9/22
Метки: вращения, затравку, кристаллизации, методом, послойной, расплава, тел
Опубликовано: 07.05.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1647033-sposob-izgotovleniya-tel-vrashheniya-metodom-poslojjnojj-kristallizacii-rasplava-na-zatravku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тел вращения методом послойной кристаллизации расплава на затравку</a>
Предыдущий патент: Способ получения l-лизина
Следующий патент: Способ изготовления деталей из металлических порошков
Случайный патент: Способ калибровки гидрофонов