Патенты с меткой «кристаллизации»

Номер патента: 960601

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Ажогин, Галициян, Кононицын, Мовчан, Мысак

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, плава, температуры

...с помощьюдросселя 11В исходном состоянии полости внутреннего 2 и наружного 1 цилиндровзаполнены плавом. Пробоотборник отключен от источников газа (не показан).Устройство работает следующим образом.45В момент начала цикла измерениянаружный цилиндр 1 через трубку 6 соединяется с источником газа для охлаждения. Плав под. действием давлениягаза вытесняется из наружного цилинд-ра 1 в технологичекую емкость 3 и вдальнейшем истечение газа проходитнепосредственно в объем технологической емкости 3 с плавом. При этом начинается процесс передачи тепла от ЭЭпробы плава, находящейся во внутреннем цилиндре 2, к потоку охлаждающего газа. Одноверменно часть воздуха 1 фчерез дроссель 11 по трубке 10 поступает внутрь пробы, находящейся ь цилиндре 2....

Номер патента: 968720

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Бутузов, Гуржий, Лившиц, Маркус, Семенов

МПК: G01N 25/02

Метки: веществ, затвердевания, кристаллизации, расплавов, температуры

...3 9687ципу смещения равновесия, сопровождается выделением тепла, которое повышает температуру вещества до его температуры кристаллизации. Таким образом,при медленном охлаждении расплавакристаллизуемого вещества температурная кривая кристаллизации имеет экс"тремум, соответствующий его температуре кристаллизации или горизонтальныйучасток или перегиб, что зависит от 1 Оскорости охлаждения и количества вещества.Поэтому в практике подбирают бпти.- мальные условия (скорость охлажденияи количество пробы), чтобы за наименее короткий по времени цикл произвести автоматическую регистрацию иливизуальный замер температуры кристаллизации. Сбычно при таком методецикл, включающий отбор пробы, охлаж Одение ее до кристаллического состояния и расплавление...

Номер патента: 969667

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Буксеев, Воскресенский, Классен, Мелихов, Михеева, Роман, Рудин

МПК: C01B 25/22

Метки: кальция, кристаллизации, модификатор, сульфата

...лаков деэмульгаторов при разрушении нефтяных и масляных эмульсий, антидетонаторов моторных топлив. Нафтанат натрия является одним из важных видов1,7 дигидратный 90 120 65 120 30 1,5 1,5 полугидратныйангидритный 100 120 полугидратнодигидратндигидратный 65 70 180 180 1,5 1,8 100 100 1,4 200 полугидратный 100ангидритный 60 100 1,4 30 100 полугидратно- дигидратный дигидратный 1,5 1,8 170 120 70 70 170 220 1,5 140 140 полугидратныйангидритный 1,4 60 30 230 полугидратнодигидратный 120 1,5 1,8 200 120 . 70 дигидратный полугидратныйангидритный 250 150 150 300 250 полугидратно- дигидратный 3 1,5, 100 40 200 240 1,8 дигидратныйполугидратныйангидритный 140 130 130 30 280 1,4 70 250 полугидратно дигидратный 1,5 90 3 969687 4жирового сырья для...

Номер патента: 969722

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Апасов, Меткин, Петров, Сапронов, Тужилкин, Фурсов

МПК: C13G 1/00

Метки: вакуум-аппарат, кристаллизации, сахарсодержащего, сиропа

...секции трубчатых коллекторов 15 и 16, изогнутых по форме выреза 11. Трубчатые коллекторы 15 и 16 соединены с патрубками 12 и имеют форсунки 17 для рассредоточенного впрыскивания подкачиваемого оттека. В средней и верхней части кон 10 фузора у его большего основания соосно установлены трубчатые коллекторы 18 и 19 с форсунками 17, также сообщенные с патрубками 12, форсунки 17 пространственно ориентированы так, 15 чтобы подкачиваемый оттек возможно раномернее турбулизировал увариваемую массу в зоне седиментации, так как при этом достигается максимальный эффект интенсификации массообмена 20 между межкристальным раствором и растущими кристаллами сахара, а .также ускорял ее циркуляцию. Форсунки 17 коллекторов 13, 15, 16, 18 и 19 ориентированы...

Номер патента: 973545

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Авсенев, Жбанков

МПК: A61K 31/721, C08B 37/02, C08L 5/02 ...

Метки: декстрана, кристаллизации

...порошка проводят в рентгеновской камереВРС. После экстракции соли на рент генограммах исчезают узкие интенсивные кристаллические рефлексы КС 1 ипоявляются более широкие рефлексыкристаллического декстрана. Для .контроля за ходом кристаллизации сняты 45также спектры комбинационного рассеяния полученных образцов, (Фиг. 1);Образцы находятся в стеклянныхзапаянных капиллярах. Стрелками нафиг. 1 отмечены наиболее существенные спектроскопические изменения,возникающие в процессе кристаллизации и отлищающие кристаллические образцы от аморфного (Фиг. 1.1) . Спектры полученного кристаллического обраэца ( фиг. 1 Ш, образец после экст-ракции соли) и образца, закристаллиэованного известным способом при нагревании водного раствора в течение 2 ч при 80...

Номер патента: 998506

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Бориско, Гнездилова, Перелыгин, Ремизов

МПК: C13F 1/02

Метки: кристаллизации, сахара

...повысить качество, отделяемогопри фуговке желтого сахара за счетуменьшения количества пленочной мелассы. В этом случае снижается качествонесахаров, увлекаемых с желтым сахаром на уваривание утфеля 1 продукта,в результате чего снижаются затратына очистку сахарных растворов и дополнительно повышается выход сахара,При кристаллизации сахаросодержащих растворов, например утфеля ГГ 1продукта, в утфель либо при спуске егоиз вакуум-аппаратов в мешалки, либопри кристаллизации в мешалках-кристаллиэаторах вводят смесь роданида аммония с сульфаминовой кислотой в количестве 1-3 к массе кристаллизуемого раствора при следующем количестве компонентов, мас.:Роданид аммония 50,0-91,7Сульфаминоваякислота 50,0-8,3П р и м е .р. При выгрузке иэ...

Номер патента: 1002889

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Белавцева, Зотов, Короткоручко, Маслов, Чемерис, Яременко

МПК: G01N 1/42, G01N 25/02

Метки: кристаллизации, объектов, степени

...охлаждениипробы осуществляют вывод электронного луча в точку экрана, совпадающуюс начальной (ТН) температурой объекта. фактически осуществляют наложение термограмм. Зто достигается путем закорачивания коммутирующих диодов 6 и 7 переключателем 14. Послеэтого термоэлемент 1 с новой пробойпомещают в хладагент, и сигнал, усиленный усилителем 2 термо-ЭДС, поступает на вертикально отклоняющиепластины электронного прибора 3 с запоминанием. Одновременно этот же сигнал поступает на вход нуль-органа 4,где он сравнивается с опорным напряжением источника Оф, При этом величина опорного напряжения устанавливается такой, что при отсутствии сигналатермопары на входе нуль-органа 4создается отрицательный потенциал,приложенный через ограничивающий...

Номер патента: 1011148

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Вязовов, Савватин, Тихомирова, Федоров

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, кристаллизации, растворов

...указанных способов.Гсли охлаждение осуществляетсятолько за счет самоиспарения воды надвакуумом, то теплообменники аппаратаподают теплоноситель и хладагент,имеющие градиент температур в 2-20 Со: по отношению к раствору,с целью создания градиента температур в холодныхи горячих зонах.В случае охлаждения. раствора засчет поверхностного теплообмена в теплообменники холодной зоны подают хладагент с минимальной температурой сцелью создать не только холодную зо.;ну, но и отвести максимально возможное количество тепла. В теплообменники горячей зоны подают теплоноси;тель, имеющий температуру на 2-20 Свыше средней температуры охлаждаемогораствора, с целью создать некотороеувеличение температуры раствора, необходимое для растворения...

Номер патента: 1011149

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Караськов, Слесаренко

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, солей

...раСтвора проводить в полецентробежных сил.Очищенный таким образом от .хладагента раствор подают на кристаллоращение, благодаря чему в кристаллизате практически исключено присутствие хладагента.На чертеже представлена схема,поясняющая способ,Схема включает контактную колонну 1, центробежный сепаратор 2, кристаллораститель 3 и фильтрующую центрифугу 4.Исходный насыщенный раствор солиподают в верхнюю часть контактнойкрлонны 1, а в нижнюю ее часть вводят хладагент, плотность и температура которого ниже плотности и температуры раствора. Хладагент при вводе диспергируют. Под действием гравитационного поля и вследствие раэйости плотностей раствор и капли хладагента движутся в вертикальном противотоке. При этом между ними...

Номер патента: 1011531

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Богачева, Газиев, Жуматаев, Исматов, Каримов, Курчатов, Нурузова, Хан

МПК: C01G 41/00

Метки: аммония, кристаллизации, паравольфрамата

...СССРн 71 г 39 г, кл. с 01 ь 41/00, 1977.3. Румянцев В.К. и, др. Сб. Химияредких цветных металлов. 1975 в с с. 68"72 (прототип ). 1 Б 4)(Б 7) СпОсОБ кРистАллизАции ПАРАВОЛЬФРАНАТА АММОНИЯ, включающий упа-.; ривание раствора вольфрарата аммония: с добавлением соединений, связываю-: щих примеси, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения вы" хода конечного продукта и повышенияего чистоты, упарку ведут. с добавлением щавелевокислого аммония прй, его весовом соотношении с суммарным ;седерианиеи ррииесей, равнри 1(0,3- .0,6)3 1011531, . 4йень очистки составляет по обоим при- продукта с 90,5-923 до 927-937531 месям 98 ). и повысить чистоту конечного продук.та эа счет исключения его эагряэне"Таким образом, предлагаемый способ ния серой...

Номер патента: 1015288

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Ажогин, Иванов, Кононицын, Мовчан, Мысак

МПК: G01N 25/02

Метки: веществ, кристаллизации, температуры

...потоков внешней среды. Охлаждающая камера защитного кожуха позволяет создавать направленное перемещение среды сверху вниз внутри защитного кожуха. Это достигается за счет разницы плотностей горячей среды у циркуляционных окон кожуха и охлажденной средой у нижней кромки защитного кожуха. Направленная циркуляция внутри защитного кожуха позволяет избавиться от влияния на процесс кристаллизации хаотических вихревых потоков среды, Из условий технологического процесса определяется минимально допустимый уровень среды в защитном кожухе. Выше этого уровня трубки, подводящие хладагент, покрываются теплоиэоляцией. Это позволяет устранить влияние уровня среды на показания температуры кристаллизации.На чертеже изображен общий вид устройства...

Номер патента: 1017737

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Авраменко, Белик, Еременко, Заика, Кравчук, Макаренко

МПК: C13G 1/06

Метки: вакуум-аппарате, действия, кристаллизации, периодического, процессом, сахара

...а выходсоединен с входами блока контроля нрегулирования вязкости и блока сигнализации готовности утфеля. На чертеже представлена блоксхема предлагаемого устройства.Устройство содержит измеритель ный преобразователь 1. расхода конденсата греющего пара, электрбтермо" преобразователь 2 темПературы кипения утфеля, измерительный преобразователь 3 абсолютного давления в аппарате, измерительный -преобразова тель 4 уровня утфеля, эадатчик 5доброкачественности исходного раствора, измерительный преобразователь6 вязкости утфеля, прибор 7 контроля и преобразования температурыкипения утфеля, функциональный преобразователь 8 температурй кипенияводы, блок 9 определения Фактической депрессии раствора, прибор 10контроля программной и....

Номер патента: 1029979

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Алехина, Володин, Володина, Яншевский

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса, растворов

...может бытькак выше, так и ниже температурыпоступающих кристаллов,Так, при температуре поступающих сверху вниз кристаллов 20 С и температуре промывной жидкости, поступающей встречным потоком, 10 С перепад температуры в контрольных точках составляет от 5 до 8 С в зависимости от высоты слоя кристаллов.Данная зависимость позволяет поддерживать оптимальную скорость дви-. жения слоя кристаллов и промывной. жидкости путем поддержания заданного значения разности температур.На чертеже изображена принципиальная схема устройства автоматического регулирования процесса нев аппаратах с зоной промывки кристаллов, реализующая спбсоб.Устройство содержит установленные в нижней части кристаллизатора 1 с промывателем 2 чувствительные элементы 3 датчика...

Номер патента: 1033150

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Еремеев, Каграманов, Леханов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса

...6 отвода готового продукта, трубопровод 7 отвода фильтрата, трубопровод 8 отвода слива кристаллизатора, трубопровод 9 подвода на холодильную установку, трубопровод О подвода хладагента в кристаллизатор, трубопровод 11 отвода хладагента из кристаллизатора, линию подвода . 12 электроэнергии к холодильной установке, датчик 13 расхода исходного раствора, датчик 14 расхода раствора росле кристаллизатора, датчик 15 расхода хладагента, датчик 16 концентрации исходного раствора, датчик 17 концентрации раствора после кристаллизатора, датчик 18 потребления электроэнергии, датчик 19 температуры в кристаллизаторе, датчик 20 температуры хладагента, первый, второй и третий элементы 21,22 и 23 сравнения, первый второй, третий, четвертый и пятый...

Номер патента: 839167

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Левин, Миськов, Ольшанский, Стронский

МПК: B23K 15/00

Метки: кристаллизации, поверхности, сварного, шва

...сварного шва при электронно"лучевой сварке толстостенных изделий с горизонтальной ориентацией электронного луча, содержащем медный водоохлаждаемый кристаллизатор, последний снабжен приводами перемещения относительно сварного шва соответственно в вертикальном направлении и в наклонном направлении под углом 5-45 з к горизонтами, а рабочая поверхность криаталлизатора выполнена плоской.Иа чертеже показана схема устройства.30Оно содержит медный водоохлаждаемый кристаллизатор 1, жестко закрепленный на кронштейне 2. Кронштейн сое динен с приводом в виде зубчатой рейки 3, которая находится в зацеп ленин с шестерней 4, сидящей на валу мотор-редуктора 5. Зубчатая рейка закреплена в направляющей пленсе б,- которая соединена с гайкой 7,...

Номер патента: 1044304

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Бей, Бондарь, Малов, Скоморохов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, расплавов

...коллектор2 для подвода хладоносителя внутрь вальца, ванну 3, снабженную рубашкой 4 для термостатирования расплава или раствора, ножи 5 - для скалывания твердого продукта с цилиндрической поверхности вальца, переливное устройство 6 для стабилизации уров ня расплава в ванне 3, дозатор 7 для дозирования твердого продукта и обеспечения герметизации внутренней полости кристаллизатора и кожух 8 для герметизации внутренней полости кристаллизатора.Коллектор 2 снабжен форсунками 9 для 45 разбрызгивания хладоносителя на внутреннюю поверхность вальца и отсасывающей трубой 10 для удаления отработанного хладоносителя из внутренней полости вальца.Рубашка 4 снабжена штуцерами для подвода теплоносителя 11 и отвода отработанного теплоносителя...

Номер патента: 1049180

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Карклин, Микельсон

МПК: B22D 27/02

Метки: кристаллизации, процессе, сплава, электромагнитной

...нанего в начале кристаллизации переменныммагнитным полем, последнее выключаютпри достижении сплавом температуры ниже температуры ликвидуса с температурным интервалом, равным 15-20% температурного интервала кристаллизации,. после чего на сплав воздействуют постоянным магнитным полем до окончаниязатвердевания.Воздействие переменного магнитногополя в интервале Т, - ТоС измельчает макроструктуру отливки, для измельОчения микроструктуры при температуреТ, ОС выключают переменное магнитноеиоле и включают постоянное магнитноеполе. Постоянным магнитным полем воздействуют до полного затвердевания отливки,При температуре Т., С формированиемакроструктуры отливки в основном за 80 2канчивается и начинается затвердевание междендритной жидкости,...

Номер патента: 1049753

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Литвинов

МПК: G01K 7/02

Метки: кристаллизации, металла, процессе, температуры

...в зависимости от действутрщих в оболочке растягивающих сил, возникающих при кристаллизации и усадке. стали, Обьем между тер.мопарой 1 и внутренней оболочкой 5 заполня.ется тугоплавким порошком, например, квар.цевой пудрой,б, а пространство между вну.тренней и наружной оболочками заполнено жа-45 ропрочным бетоном 7 содержащим алундовуюпудру1С конца, противоположного днищу 3, оболочки 4 и 5 закрыты жестко закрепленной переходной колодкой 8, которая обеспечиваетнахождение термопары в сжатом состоянии,Посредством переходника оболочки крепятсяк удлйнительиой трубе 9, в которой размещепы нерабочие концы термопары в изоляции,например в алундовой двухканальной соломке,крепящейся свободно в переходных колодках8 и 10. На удлиняющей трубе 9...

Номер патента: 1052318

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Вотинов, Жаворонков, Казначеев, Кузьминов, Лунев, Нечаев, Сорокин, Шестаков, Шичков, Шутин, Щеголев

МПК: B22D 11/16

Метки: кристаллизации, непрерывного, процессом, слитка

...замерять температуру поверхности слиткав зоне вторичного охлаждения, способне позволяет обеспечить заданную скорость кристаллизации.20Известен способ автоматическогоуправления процессом кристаллизациинепрерывного слитка, включающий измерение уровня металла в кристаллизаторе Я .25Однако данный способ не предусматривает регулирование расхода водыв зоне вторичного охлаждения,Известно устройство для автоматического управления процессом кристаллизации непрерывного слитка,содер- З 0жащее последовательно соединенныеизмеритель уровня, преобразователь,сумматор, элемент сравнения, усилитель и исполнительный механизм, атакже следящий привод и блок компенсации разьыва стопорной пары, причемвторой вход сумматора соединен с датчиком уровня, а...

Номер патента: 1057169

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Калюкин, Лебедев

МПК: B22D 7/04

Метки: кристаллизации, направленной, отливок

...отливок длиной 250 мм и болеефобязательно принудительное охлаждениезатвердевшей части кристаллиэующей- .ся отливки, и кроме того, невозможно получение отливок сложной форьы(винтовые, спиралеобразные и т.д.с постоянным сечением).Цель изобретения - повышениеэффективности процесса затвердевания за счет регулирования температуры жидкого металла,Поставленная цель достигаетсятем, что в способе получения отливок направленной кристаллизацией,включающем заливку металла в литейную форму с открытым дном, размещенную на кристаллизаторе-электроде,введение сверху второго электрода,пропускание электрического тока через залитый в литейную форму металл,электрический ток пропускают с постоянной плотностью 7-10 А/мм и наФпряжением, уменьшающимся по...

Номер патента: 1061692

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Дьердь, Дьюла, Золтан, Иштван, Йожеф, Петер, Эндре

МПК: B01D 9/02

Метки: вещества, кристаллизации, путем, раствора, твердого

...форму зубьев пилы. Первый элемент 47 жестко соединен сэксцентрическим отверстием 46 барабана 43, так что его геометрическаяпродольная ось, пересекает продольную ось общего полого корпуса 37эа пределами барабана 43, также каки продольные геометрические оси остальных элементов 48,49 и 50. Стен-:ки барабана 43 и элементов 47 - 50выполнены из фильтрованной пластивыполнены из фильтровальной пласти 60 проводу 28 можно подводить, напримерхладагент, а нагревшееся охлаждающее средство можно отвести по трубопроводу 29Двойные пространства 30соединены между собой трубками 31.Барабан 13 имеет меньшую торцовуюкрышку 32, Из нижней части кожуха 23 75выходит вниз труба 33, соединеннаясо шнековым конвейером 34. Шнековыйконвейер имеет цилиндрический...

Номер патента: 1061925

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Бакрин, Вершинин, Гриднев, Малов, Телюк

МПК: B22D 27/04

Метки: кристаллизации, направленной, отливок

...в виде О-образных направля. ющих с продольными пазами, наклоненными под регулируемым углом друт к другу с об. разованием в области их сопряжения ванны дпя хладагента,На фиг. 1 изображено устройство, продольный вертикальный разрез; фиг, 2 - разрез А - А .на фиг, 1; фиг, 3 - продольный вертикальный разрез приемного отсека устройства.Устройство состоит иэ камеры 1 с футе. ровкой 2 и с шиберным затвором 3, нотолоч. ными 4 и вертикальными (боковыми) 5 нагревательными элементами, О-образного днища 6,которое в кристаллиэационной 7 и охладительной 8 зонах, выполнено из двух половинО-образных направляющих 9, с продольнымипазами 10, шарнирно скрепленных в верхнейчасти со стенками ванны 11 и наклоненныхпод регулируемым углом, который изменяетсяс...

Номер патента: 1001660

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Заруцкий, Мациевский, Рохленко, Трукшина

МПК: C07D 307/62

Метки: аскорбиновой, кислоты, кристаллизации, процесса

...процесса кристаллизации аскорбиновой кислоты позволило установить, что этот процесс обладает целим рядом особенностей, которые и дали воэможность использовать ультразвук высокой частоты для контроля концентрации кристалловКэтим особенностям относятся следующие:в интервале от 60 до 4 С,т,е.д в практически реализуемом интервале температур, размер кристаллов меняется настолько неэначительно,что это не оказывает влияния на величину а;в этом же диапазоне температур кристаллы аскорбиновой кислоты вообще не коагулируют.Установлено, что измерение концентрации с помощью ультразвуковых колебаний в широком диапазоне концентраций оптимально на частоте от 2 до 3 МГц.На частоте меньше 2 МГц зависимость К =1(С) выражена очень слабо, что...

Номер патента: 1073659

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ажогин, Литовкин, Мовчан, Мысак, Следнев

МПК: G01N 25/14

Метки: кристаллизации, плава, температуры

...вместе с барабаном. Другойконец шланга соединен с подвижнымэлементом контактной коробки 13.Контактная коробка, редуктор иэлектромагнитньй двига.тель прикреплены к несущей раме. К ней же присоединены поплавки 14 Ограничивающие погружение барабана Б расплав,Несущая рама связана направляющимиустройствами 15 с установочной арматурой 1 б.Устройство контактной коробки со,цержит корпус, н котором расположен подшипник 17 с запресонанной вНЕГО КОНтаКтНОй ГОЛОЬКОй 18 с КОТОРаЯгайкой 19 жестко соединяется сошлангом 12. 11 а контактной головкерасг.оложены контактные пластины 20,Бдводы 1 Ото,";х Б;,хо ят в ".ф.лостьГОЛОВКИ: 1. ЭТИМ БЫБСГгасЛ ГРИСОЕДзсЯ -ются троводсас Со Вторичным присоромко;-1 такт 1 ые 11 ластл.:ы г Вязаны 1 осредством щеток 21,...

Номер патента: 1074561

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Бойко, Вовк, Долошицкий, Кишенюк, Минков, Окрепкий, Соколовский, Яремчук

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса, шенита

...нарушения в параметрах работы (изменение давления, температур) ВКУ.Для того, чтобы качество шенитане ухудшалось и извлечение (выход)его из раствора было максимальным,45общий расход воды сульфатного раствора и свежей воды, подаваемой передВКУ,. должно отвечать количествуиспарившейся воды. В этом случаераствор после ВКУ не изменится, а 50только произойдет его охлаждение,что является необходимым для выпадения кристаллов шенита иэ раствора.Целью изобретения является снижение потерь и повышение качества полу чаемого продукта при переменных расходах исходного раствора и параметрахработы ВКУ. Поставленная цель достигается тем,60 что соотношение расходов сульфатного раствора, воды и насыщенного раствора изменяют в зависимости...

Номер патента: 1077616

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Габриелян, Енгибарян, Мосинян, Сафарян

МПК: B01D 9/02

Метки: веществ, кристаллизации, растворов

...содержит 605 г/л К О или 88 б г/л КВАСОВПример 2. Исходный раствор с концентрацией по КО 725,5 г/л подают в верхнюю камеру аппарата, В нижнюю камеру подают маточный раствор в количестве 4,3 л/ч с концентрацией по КО 603,0 г/л или 882,0 г/л КСОз. Высота нижней камеры 3 150 мм. Технологические параметры проведения процесса сведены в таблице (опыты 10, 2,4 и 7). Средняя проба полученного осадка имеет гранулометрический состав: 1,2 мм 11,3"/,;0,6 мм 53,2/о; 0,12 мм 35,5/о Химический состав полученного осадка, о/о К 20 56 9 о/о, СОь 26,4 /о, Н 20 16 7 о/о.Фильтр содержит: 605 г/л КО или 885 г/л КгСОзПример 3. Исходный раствор с концентрацией по КО 698,2 гл и 1025 г л КСОзподают в верхнюю камеру аппарата. В нижнюю камеру подают маточный...

Номер патента: 1084038

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Жилеев, Калинов, Цуцарин, Чефонов, Чефонова

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процессом

...проблема. К тому же при больших кристаллах также возникают трудности при фуговКеРезкое снижение температуры во время процесса роста кристаллов ведет к захвату кристаллом примесей в маточнике. Кроме того, возникают области перемещения, в которых на новых, кристаллах левоамина происходит кристаллизация второго антипода - декстрамина, что грозит образованием конгломерата.Цель изобретения - повышение качества целевого продукта.Поставленная цель достигается тем, что устройство для автоматического управления процессом кристаллизации, содержащее датчик содержания рацемата и затравки, соединенный с регулятором подачи хладагента, снабжено взаимосвязанным программным задатчиком и регулятором-корректором, при этом программный задатчик соединен с...

Номер патента: 1085612

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Бей, Пономаренко, Потебня, Рашевский

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, расплавов

...охлаждаемую поверхность-валец 2, привод 3 для непрерывного перемещения указанной поверхности, устройство 4 для нанесения на охлаждаемую поверхность расплава, устройство 5 для съема корки закристаллизовавшегося продукта, газодувки 6, смесителя 7 для получения пылегазовой смеси, дозатора 8 затравки кристаллизуемого вещества, щелевых форсунок 9 для подачи пылегазовой смеси на неза кристаллизовавшуюся поверхность расплава, циклона 1 О для очистки отработанного газа от кристаллического вещества и теплообменника 11 для охлаждения газа, вывод которого соединен с газодувкой 6 штуцеров ввода исходного расплава 2 в кристаллизатор, вывода из аппарата закристаллизовавшегося продукта 13 и пылегазового потока 14, подачи охлаждаемой кристаллической...

Номер патента: 1092396

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Ажогин, Галициян, Киенко, Лахин, Мелик-Шахназаров, Мовчан, Мысак

МПК: G01N 25/48

Метки: кристаллизации, непрерывного, плава, температуры

...состоящие каждая издвух термопар, причем рабочие концывсех термопар расположены с шагомОь крЗРгде 5 - шаг;б - расход плава;Гвремя кристаллизации;- площадь поперечного сеченияпроточной ячейки,а между дифференциальными термопарами и измерительным прибором установлен блок выбора сигнала.Кроме того, часть проточной ячейки помещена в холодильную камеру, а на конце проточной ячейки расположен эжектор.На чертеже показано предлагаемое устройство, общий вид. Устройство, выполненное в виде микрокалорнмеура, содержит проточную ячейку 1, часть которой расположена в холодильной камере 2; Яа конце проточной ячейки расположен эжектор 3. внутри проточной ячейки, выполненной в вице трубки, расположены дифференциальные термопары 4, состоящие каждая из...

Номер патента: 1095923

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Еремеев, Леханов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллизации, процесса

...готового продукта осуществляют из нижней части кристаллиза. тора 1 по трубопроводу 5 на фильтр 2, где происходит разделение готово" го продукта, отводимого по линии б, и фильтрата, отводимого по трубопроводу 7, Фильтрат фильтра 2 соединяется со сливом кристаллизатора 1, отводимого по трубопроводу 8, В рубашку кристаллизатора 1 по трубопроводу 10 подают хладагент, который отводится по трубопроводу 11, Хладагент, поступающий в кристаллизатор, предварительно охлаждают в холодильной установке 3, Электроэнергию в холодильнуюустановку 3 подают по линии 12,Критерий управления устройстваследующий:П (Тк, Яе) - ф щахП.= С - (Зе + З,х + Зе)( Ех СЕХ ЕЬВСЕЬ )Ц 1Зх - Я,ЦЗЕХ=ОВх Ц 4,где П - прибыль, (без учета условнопостоянных затрат);С -...