Патенты с меткой «диодов»

Номер патента: 1726184

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Гундарев, Москвичев

МПК: B23K 37/04

Метки: автомат, аксиально, выводами, диодов, пайки, расположенными

...подпружиненную пластину 28 прижатие детали 22 к плоскости кольца 16, противодействуя подпрыгиванию к магнитному захвату при приближении его к детали 22,Механизм 11 захвата, расположенный на роторе 10, выполнен в виде магнитного и вакуумного захватов. Магнитный захват выполнен в виде закрепленной на роторе 10 с возможностью взаимодействия с кольцевым копиром 8 скалки 33 посредством ползуна 34 с роликом 35, закрепленных на скалке 33 относительно неподвижной стойки 36, обеспечивая таким образом возможность возвратно-поступательного перемещения скалки 33 при вращении ротора 10. На скалке 33 закреплен корпус 37 с подвижной относительно него рамкой 38 и блоком 39 постоянных магнитов. Рамка 38 имеет возможность перемещаться посредством. упоров...

Номер патента: 1732822

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Ренс

МПК: G09F 9/33, H01L 33/00

Метки: диодов, сеть, электролюминесцентных

...электролюминесцентных диодов, на фиг,2- один из электролюминесцентных диодов полосы на элементе радиатора, соединения которого располагаются в соответствующий ему коллимационный оптический элемент,Сеть электролюминесцентных диодов состоит из множества полупроводниковых кристаллов 1, преимущественно кубической формы, расположеных с постоянным интервалом друг за другом между двумя металлическими накладками 2 и 3 с контактами 4,В каждом кристалле 1 создаются известным образом по крайней мере, две области с проводимостью противоположного типа, формирующие электролюминесцентное соединение.Каждая накладка получается из проводов, выполненных из материала с хорошей электропроводностью и очень хорошей теплоп роводностью; Этот провод...

Номер патента: 1760594

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Новиков

МПК: H02H 7/12

Метки: выпрямительной, диодов, пробоя, сигнализации, установки

...(увеличении) напряжения обмоток 1 происходит дополнительный разряд (заряд) конденсаторов 7. Процесс дополнительного заряда конденсаторов 7 не создает запаздывания между изменениями напряжения обмоток 1 и напряжения конденсаторов 7, Тэк как конденсаторы 7 обладают свойством запоминания напряжения, то процесс дополнительного разряда конденсаторов 7 происходит с некоторым запаздыванием относительно изменения напряжения обмоток 1,Если выпрямительная установка не имеет пробитых диодов, то в ее рабочих режимах, которые сопровождаются изменением (преднамеренным регулированием) напряжения обмоток 1, напряжение конденсаторов 7 имеет одинаковую величину и полярность, которая показана на схеме фиг.1. В таких режимах в контурах блока 3....

Номер патента: 1786635

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Кудряшов, Никитин, Шаповалов

МПК: H03B 7/14

Метки: близкими, генератора, двух, диодов, импедансами, лавинно, мощностей, общей, перестройки, пролетных, резонансной, системе, сложением, частоты

...обоих диодов,пряжения, При этом максимальная полоса В научнотехнической и патентнойлитеперестройки частоты колебаний автогене- ратуре неизвестен способ перестройки часрэтора составляла 6 МГц при изменении.тоты путем измейения величий напряжения питания диода Ганна от 7,5 до 20 коэффициентов связи. Таким образом, заяв 11 В, Недостатки данного способа - нали- ляемьй способ. соответствует критерию "сучие перепада мощности выходного сигнала .щественное отличие". нодиодного генератора на ЛПД путем положные. зависимости от частоты генерации от направления изменения токов, т.е.при увеличении, например, тока первого ди ода (при фиксированном токе второГо) частота генерации уменьшается; а при уменьшении тока второго диода (при...

Номер патента: 1292456

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Козьякова

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, лавинно, пролетных, сопротивления, теплового

...ВАХ в точке перегиба;температурный коэффициентпробивного напряжения;эффективное значение токагреющего импульса;начальное значение пробивного напряжения диода,где 63 ППР 1 Приведенные соотнощения между параметрами импульса тока и тепловыми постоянными времени перехода и диода найдены экспЬрииентальныи путем, При50;,Р приращение пробивного напряжения (или приращение ВАХ в точ. ке перегиба) относительно начального довольно незначительно ( с 0,1 В), что затрудняет его определение. При 7 0,11 ВАХ плывет по экрану, потому что при этом происходит изменение температуры корпуса диода эа время измерения. При 10,1 г и скнажиости 4 на экране осциллографа отчетливо наблюдаются две ВАХ, не изменяющие своего положения за время измерения, с...

Номер патента: 1817866

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Громов, Джус, Муратов, Нерсесян, Татеосов, Христич

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, импульсных, кремниевых, эпитаксиально-диффузионных

...области и переходе металл- полупроводник уменьшится, что позволит увеличить плотность тока с одновременным сохранением (уменьшением) граничного значения ОпрямПримерамй конкретного использования данного изобретения является изготовление диодов: 1) 2 Д(КД)2999 (Опрям 0,93 В пРипрям 20 А овос.обр. 200) на кРисталле диаметром 6,0 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 8,5 мм 2) 2 Д(КД) 2997 (Ообр 0,93 В при 1 прям = ЗОА, лоос,обр. 200) На КРИСтаЛЛЕ ДИаМЕтРОМ 8,5 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 10 мм.Режим дополнительного термоотжига, с целью уменьшения падения напряжения на контактах и в прйконтактных областях, выбран был следующим: Т=1250 С, с =.(2-5) ч.Режим термообжига, согласно технологиче. ских...

Номер патента: 1817867

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Головнин, Джуманова, Рифтин, Тихонов, Церфас

МПК: H01L 21/306

Метки: диодов, полупроводниковых

...при получении диодов средней ибол . эй мощности,После соэд.ния р-и перехода путемдиффузии влюмии.,:я, бора и фосфора иа соответствуюшие стороны пластины на ее поверхность осаждают никель, Химическоеосаждение никеля с отжигом 1-.го слоя притемпературе 600-700 С в среде водородаповторяют 2-3 раза для получения качественного омического контакта, На никелированные пластины, наносят рисунок иэ слояфоторезиста с помощью фотолитографического процесса, Слой фотореэиста наносятв местных промежутков между полупроводниковыми структурами диодов. На свобод ные от фотореэиста области наносятэлектрохимическим способом слой золота,толщиной 1 - 1,5 мкм, который выполняетфункции омического контакта и одновременно является маскирующим покрытиемпри...

Номер патента: 1824598

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Варначев, Глуховский, Ильина, Маров, Никитин

МПК: G01R 29/26

Метки: диодов, отношения, смесительных, шумового

...10 к входу интегратора 11, выход интегратора 1 подключен к входу переключателя 12, первый выход которого подсоединен к первому входу вычитающего устройства 13, а второй через запоминающее устройство 14 и выключатель 15 - к второму входу вычитающего устройства. Выход вычитающего устройства 13 соединен спервым входом делителя 16, Второй вход делителя 16 черездетектор 7 подключен к выходу усилителя б,а его выход подключен к индикатору 17,Выход ждущего мультивибратора 18 подсо 5 единен к управляющим входам электронных переключателей 14 и 12 и выключателя15, а вход - к нормально разомкнутой кнопке.Устройство работает следующим обраВставляется измеряемый диод и на передней панели прибора нажимается кнопка"Измерение", В этом случае на выходе...

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....

Номер патента: 1536982

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, коэффициентом, лавинного, однородности, положительным, пробоя, температурным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОДНОРОДНОСТИ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ ДИОДОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ НАПРЯЖЕНИЯ, включающий пропускание через диод импульсов обратного тока, отличающийся тем, что, с целью устранения разрушения прибора в процессе измерений, на диод подают последовательно два одиночных прямоугольных импульса обратного тока равной длительности с различными амплитудами со средней плотностью тока в импульсе не менее 20 А/см2, измеряют напряжения на диоде в конце каждого импульса тока, определяют по ним дифференциальное сопротивление диода, при этом длительность импульсов обратного тока выбирают в пределах 2 10-6c

Номер патента: 1579340

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Битюрин, Миронов, Петров, Чириманов

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, лавино-пролетных, матрицы, мезаструктур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МЕЗАСТРУКТУР ЛАВИНО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ, включающий формирование на подложке германиевой или арсенидгаллиевой структуры типа n+-p-p+ (n+-n-p+), нанесение металлизации на структуру и ее разделение на отдельные активные элементы, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона генерации и повышения КПД диодов, в качестве материалв подложки используют медь, трехслойную структуру формируют путем нанесения на подложку слоев типа n+-p(n+-n), их рекристаллизации при 400 500oС, а p+-слои формируют на рекристаллизованной двухслойной структуре методом низкотемпературной диффузии.

Номер патента: 1347831

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Емельянов, Ефремова, Ильичев, Инкин, Лозовский, Попов, Шелюхин

МПК: H01L 33/00

Метки: диодов, излучающих, матриц, монолитных, у-адресацией

Способ изготовления монолитных матриц излучающих диодов с Х-У-адресацией на AIGaAs, включающий формирование в высокоомной подложке с ориентацией 100 проводящих каналов, эпитаксиальное наращивание активных слоев, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных матриц путем исключения двухуровневой разводки, адресные p-шины в Х-направлении формируют на подложке с нанесенным локально маскирующим слоем методом зонной плавки с градиентом температуры перпендикулярно плоскости подложки из расплава галлия с добавкой германия или цинка в количестве 2-4 ат. при температуре 1100-1270 К, градиенте температуры 20-40 К/см со скоростью перекристаллизации 5-200 мкм/ч, затем формируют активные слои, рабочие элементы которых выделяют...

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Номер патента: 711947

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Корчков, Михайловский, Черепов

МПК: H01L 21/24

Метки: диодов, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 105-107 В/см и плотности тока 106-107 А/см2.

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Номер патента: 1809701

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Аринушкин, Берман, Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Козлов, Ломасов, Ременюк, Ткаченко, Толстобров

МПК: H01L 21/263

Метки: диодов, кремниевых, силовых

Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условияEпов= a+bxj+ Eк, кэВ,где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области,a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм,

Номер патента: 1595274

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Абросимова, Асина, Ковешников, Сурма, Уверская, Чернякин

МПК: H01L 21/26

Метки: быстровосстанавливающихся, диодов, силовых

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с в течение импульса засветки 170 - 190 с от 20

Номер патента: 1535272

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бротиковский, Минков

МПК: H01L 21/78

Метки: высоковольтных, диодов, изготовлении, кремниевых, мезаструктур, формирования

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20...

Номер патента: 950151

Опубликовано: 10.04.2006

Авторы: Кашин, Мауэрман, Орлов, Панин

МПК: H02H 7/10

Метки: двух, диодов, зашунтированных, последовательно, резистором, соединенных, цепи

1. Способ контроля цепи из двух последовательно соединенных диодов, зашунтированных резистором, подключенной к источнику питания, состоящий в том, что измеряют падение напряжения в указанной цепи при прямой и обратной полярности подключаемого к ней источника питания и сравнивают результаты измерения между собой и с допустимой величиной напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измеряют падение напряжения на каждом диоде при закороченном другом диоде при обратной полярности подключаемого к цепи источника питания и сравнивают результаты измерения между собой и с другой допустимой величиной напряжения.2. Устройство для осуществления способа по п.1, содержащее...

Номер патента: 1840125

Опубликовано: 27.06.2006

Автор: Борисов

МПК: G01R 31/00

Метки: ганна, динамической, диодов, емкости, эффективной

Устройство для измерения эффективной динамической емкости диодов Ганна, содержащее измерительный резонатор, источник питания диодов Ганна и измеритель частоты, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, оно снабжено источником постоянного смещения диода с p-n переходом, фильтром нижних частот (ФНЧ), генератором стандартных сигналов (ГСС), при этом выходы источников питания диода Ганна и смещения диода с p-n переходом через переключатель и ФНЧ соединены со входом измерительного резонатора, а выход ГСС соединен со входом измерителя частоты через указанный измерительный резонатор.

Номер патента: 1840426

Опубликовано: 20.03.2007

Авторы: Быков, Гогонова, Давыдов, Ермолаев, Кустов, Лузгин

МПК: H05K 7/02

Метки: диодов, крепления

Устройство для крепления диодов, содержащее корпус с контактным элементом, подпружиненный стержень, поджатый контактным колпачком в виде винта, цанги, одна из которых размещена в корпусе, а другая - на подпружиненном стержне, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности крепления за счет снижения изгибающего усилия на диод при сохранении электрического контакта и теплоотвода, оно снабжено муфтой, выполненной в виде диэлектрической втулки, установленной между цангами, причем в муфте выполнена проточка для размещения одной из цанг, наружная поверхность муфты разъемно соединена с накидной гайкой, а другая цанга размещена в проточке другой накидной гайки, также разъемно соединенной с диэлектрической муфтой.

Номер патента: 1840429

Опубликовано: 20.03.2007

Авторы: Быков, Семьянский

МПК: H05K 7/02

Метки: диодов, крепления

1. Устройство для крепления диодов, содержащее корпус с контактным элементом, диэлектрическую втулку, выполненную в виде шайбы с двухсторонней металлизацией, сквозные окна в диэлектрике для установки диодов, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, за счет уменьшения изгибающего усилия на диод при сохранении малого осевого давления, диод расположен перпендикулярно плоскости втулки в окнах, выполненных в виде окружности с диаметром по размеру диаметра диода, при этом один вывод диода соединен с металлизированным слоем на одной стороне, другой - с металлизированным слоем на другой стороне втулки.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что по крайней мере один из выводов диодов соединен с металлизированным слоем с...

Номер патента: 818372

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...