Патенты с меткой «диодов»
Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов
Номер патента: 773536
Опубликовано: 23.10.1980
Автор: Хотько
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров, полупроводниковых
...(обозначенцточками) производится измерение прямого падения напряжения. В этот полупериод тиристор Т открыт, в результате создается цепь протекания прямого тока через испытуемый диоц - начало обмотки 3, тиристор Т, диод Д 1,испытуемый диод, резистор В 1, конецобмотки 3. Токи в остальных обмоткахотсутствуют (обратными токами диодов 2 ОД 2, ДЗ, Д 4 пренебрегаем). Прямое падение напряжения измеряется приборомУ . При смене полярности на вторичных обмотках происходит измерение обратного тока, В данном случае, как ив схеме известного устройства, создаются две цепи тока. Первая цепь - этоцепь, создаваемая низковольтной обмоткой 4 через диод Д 2 и резистор В 1,которая устраняет постоянную составляющую подмагничивания сердечника Мтрансформатора от...
Устройство термокомпенсации прямых характеристик полупроводниковых диодов
Номер патента: 871103
Опубликовано: 07.10.1981
Автор: Рожков
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, полупроводниковых, прямых, термокомпенсации, характеристик
...диоду,На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемого устройствана фиг. 2 - вариант принципиальнойсхемы устройства с элементами заданиярежимов опорного диода и вычитающегоустройства, в качестве которого может 1 обыть использована схема на основе операционного усилителя с дифференциальным входом.Предлагаемое устройство (фиг. 1):соцержит генератор тока 1, опорный 15диод 2, вычитающее устройство 3 итермокомпенсируемый диод 4Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее2 оНа первый вход вычитающего устройства3, на второй вход которого подаетсянапряжение смещения О смС выхода вычитающего устройствана вход термокомпенсируемого диода 4поступает напряжение 0 В =(.1 о-...
Способ изготовления диодов оптического диапазона
Номер патента: 786713
Опубликовано: 23.12.1981
Автор: Черняков
МПК: H01L 21/28
Метки: диапазона, диодов, оптического
...особенностью приведенной завцмости является наличие максимума тока. В этот момент начинается окисление металлического спая, дальнейшее поведение тока (уменьшение тока) со време 1 для дпгдтд ппд лдст дптдчисд д,5 1 О И 20 25 30 35 40 45 мнческого окисления прн, условии, что напряжение за время окисления возрастает намного меньше, чем растет сопротивление окисляемого спая. Характерное время окисления составляет около 1 мс, и окисление происходит при напряжении 0,5 - 0,6 В. Скорость нарастания пилообразного напряжения для данных условий не должна превышать 100 В/с. Использование такой зависимости тока, протекающего через спай, от приложенного нарастающего напряжения осуществляют в области уменьшения тока, например,...
Устройство для задания и измерения пикового тока туннельных диодов
Номер патента: 894614
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Антанавичюс, Масюлис, Мачюлайтис, Шахтинов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диодов, задания, пикового, туннельных
...резистор 5, параллельно туннельному диоду 4 подключен измеритель6 напряжения, например дифференци альный усилитель постоянного тока,а также усилитель 7 постоянного тока, вместе с калиброванным резистором 5 составляющий измеритель 8тока. Выход измерителя 6 напряженияф 5 соединен со входом регулируемого порогового устройства 9, например триггера Шмитта, выход которого подключенк управляющему входу аналоговогоключа О, другой вход аналогового50 ключа 10 соединен с выходом измерителя 8 тока, а выход - с одним входомкомпаратора 11, другой вход компаратора 11 соединен с узлом 12 управляемых калиброванных токов, а выход.55 через шину 13 сброса импульсов подключен к одному входу счетчика 14импульсов, другой вход; последнегосоединен с...
Устройство для измерения характеристик переключающих диодов
Номер патента: 928265
Опубликовано: 15.05.1982
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, переключающих, характеристик
...лучаосциллографа 1 О, который вырабатывает импульсы напряжения, сдвинутые по отношению начала Формирования импульсов на выходах генераторов 2 и 11. Величина этого сдвига вырабатывается большей продолжительности переходных процессов 35в измерительной цепи. При этомсумма сдвига и. длительности импульса, вырабатываемого модулятором 9,не превышает длительность любогоиз импульсов, поступающих от генеораторов 2 и 11. При поступленииимпульса от модулятора 9 на вход2 осциллографа 10 на экране последнего появляется светящаяся точка.Ее координаты пропорциональны 45напряжению на исследуемом элементеи току через него.От генераторов импульсов 3 и 4через сумматор 24 на вход измерительной цеи (22 и 23) поступаютпрямоугольные импульсы, сдвинутыекак...
Способ получения винилпропаргиловых диэфиров диодов
Номер патента: 811735
Опубликовано: 30.06.1982
Авторы: Лавров, Паршина, Станкевич, Трофимов
МПК: C07C 43/16
Метки: винилпропаргиловых, диодов, диэфиров
...комитета СССР по делам изобретений и о .рытий 11303 о, Москва, Ж-Зб, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 отделение органического слоя с последующей его перегонкой.Идентификация продуктов с помощьюГЖХ проводится на хроматографеЛХММД, колонна: длина 3 м, диаметр 53 мм, фаза - хлорнстый натрий, размер0,1 - 0,25 м, обработанный 1%-ным полиэтиленгликолем молекулярной массы 20000,газ-носитель - гелий, детектор по теплопроводности, потенциометр КСП 26403. 1 оП р и м е р 1, Синтез винилпропаргилового диэфира этиленгликоля (1).В реакционную колбу, снабженную термометром, мешалкой и обратным холодильником, помещают 20,0 г (0,5 моль) едкого натра, 20,0 мл воды, 0,3 г (2,0 мол. %)трибутиламина, 8,8 г (0,1 моль)...
Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов
Номер патента: 555762
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Гавриленко, Загайтов, Кононенко, Кузовкин, Прохоров, Радомысленский, Шаповалов
МПК: H01L 21/18
Метки: германиевых, диодов, полупроводниковых, точечных
...германиевый кристалл,а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.Способ осуществляется следующим образомм.Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия гг-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 - 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска - к платиновому выводу После этого555762 Формула изобретения Редактор О. Филиппова Корректор А....
Устройство для визуального контроля характеристик полупроводниковых диодов
Номер патента: 951200
Опубликовано: 15.08.1982
МПК: G01R 31/26
Метки: визуального, диодов, полупроводниковых, характеристик
...5 и б.Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, у которого напряжение лавинногопробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5, Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.2 б,г), изображенные пунктирной линией.Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока Зд . Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току Лб . Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует), Напряжение является порогом...
Способ определения устойчивости диодов к механическим воздействиям
Номер патента: 958985
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Давыдов, Павлович, Фастовец
МПК: G01R 31/26
Метки: воздействиям, диодов, механическим, устойчивости
...21 Бп 1 -- л- аО 40% 1 Т таКТгде Э - рабочий ток диода;ь 2 - амплитуда переменного тока;д Б - амплитуда переменного напряжения; 45у - уровень механического воздействия;г - сопротивление базы диодав - коэффициент, зависящий отрекомбинационных механизмовв р-и переходе;е - заряд электрона;постоянная Больцмана;Т - абсолютная температура поКельвину.55Способ реализуется следующим образом.Собирают электрическую цепь, состоящую из посЛедовательно соединенных источника постоянного напряжения:, измерителя амплитуды переменного тока и включенного в прямомнаправлении испытуемого диода, параллельно которому подключают измеритель амплитуды переменного напряжения. Устанавливают рабочий ток 1 65 диода, Затем подвергают испытуемый диод динамическому...
Устройство для классификации полупроводниковых диодов
Номер патента: 960672
Опубликовано: 23.09.1982
Авторы: Баринов, Романов, Щепетов
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, классификации, полупроводниковых
...измерительную позицию, которая служит дляполучения информации о положении диодаС приходом диоца 15 на первую измерительную позицию (клеммы 17 - 20)по команде, идущей. от схем 2 управле-ния, с выхода генератора 1 импульсов нана клемму 17 поступает первый положительный импульс опроса, который приналичии контактирования диода 15 склеммами 17 - 20 проходит на все 4входа логической схемы И 3 и выделяется на ее входных сопротивлениях (непоказаны). Это вызывает появление навыходе логической схемы И 3 импульса,управляющего работой схемы 4 ориентации и схемы 5 переключения,В случае, когда диод оказываетсявключенным в обратном направлении(диод. 6), то при наличии контактырования диода 16, с клеммами 17 - 20 второй положительный импульс спроса с...
Устройство для сборки мембран с корпусами диодов
Номер патента: 1046060
Опубликовано: 07.10.1983
МПК: B23P 19/08
Метки: диодов, корпусами, мембран, сборки
...3, К лотку прикреплен валик 6, несущий пластинчатые отсекатели 7, жестко соединенные с ним. Валик б через рычаг Ы взаимодействует со штырями 9, расположенными на торце барабана 4, К нижнему торцу лотка прикреплена подпружиненная заслонка 10 для фик-. сирования мембран 5 при захвате их барабаном 4; Барабан 4 имеет семь шлицеобразных выступов 11, в каждом иэ которых выполнены шесть радиальных отверстий 12, заканчивающихся гнездами 13 для базирования и .Удержания в процессе сборки мембран 5. Последние удерживаются в гнездах 13 барабана 4 за счет вакуума, ко-, торый подводится к ним через, осевое отверстие 14 и кольцевые секторные проточки 15, выполненные в оси 16 барабана 4, Кольцевые секторные проточки 15 подключают вакуум к гнездам...
Устройство для контроля полупроводниковых диодов
Номер патента: 1064243
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Белогуб, Бровко, Разлом, Смирнов
МПК: G01R 31/28
Метки: диодов, полупроводниковых
...при .этом к контакту 12 можетбыть подключен как анод, так и катодиспытуемого диода. Пусть подключениедиода катодом к контакту 12, а анодом 55к контакту 13 - подключение 1, апротивоположное подключение - подключение 11. После подключения диодаавтоматический загрузчик через кивертор 22 блока 5 связи с автоматическимзагрузчиком производит пуск устройства. По сигналу фПускф происходитустановка триггеров 33 и 34 анализатора 7 и триггеров 39-42 блока 8 обработки результатов анализа в начальное состояние, начинает работу генера-б 5 тор 26 импульсов блока 6 синхронизацииРабота устройства происходит в четыре такта. При поступлении первого импульса с генератора 26 импульсов в счетчик 27 начинается первый такт работы устройства....
Устройство для измерения параметров полупроводниковых диодов
Номер патента: 1064244
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Колмогоров, Телемтаев, Тер-Погосов, Терехин
МПК: G01R 31/28
Метки: диодов, параметров, полупроводниковых
...цепи, к первому выходу которой подключены вход усилителявысокой частоты и опорный вход фазометра, соединенных выходами черезвычислительный блок с входом индикатора.10 На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.Устройство содержит высокочастотный генератор 1, аттенюатор 2, развязывающую цепь, выполненную в виде15 1 высокочастотного трансформатора 3,опорный резистор 4 шины для подключения исследуемого (испытуемого) ди;ода 5, усилитель б обратной связи,усилитель 7 высокой частоты, фазо 20 метр 8, вычислительный блок 9, индикатар 10 и источник 11 смещения.Выход высокочастотного генератора1 через аттенюатор 2 соединен с входом развязывающей цепи, в качестве25 которого использована первичная обмотка трансформатора...
Способ отбраковки шумовых лавинно-пролетных диодов
Номер патента: 1100586
Опубликовано: 30.06.1984
Авторы: Лошицкий, Торчинская, Щербина
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, лавинно-пролетных, отбраковки, шумовых
...соотношениям;10 А 1 об 410 Аииобратные токи при напряжениях О и О соответственно;Опр напряжение пробоя,Установленный критерий годности шумовых ЛПД определен экспериментально в результате измерений зависимости относительной спектральной плотности мощности шума от величины соответствующих токов на обратной ветви вольт-амперных характеристикиспытанных приборов, При этом для испытаний отбирались приборы с одинаковымк значениями емкостей и пробивных напряжений, а также одинакового конструктивного исполнения.При комнатной температуре обратный ток 1 об кремниевых ЛПД можно представить как сумму трех компонент; термогенерационного 1 , голевого 1(илн тУннельного 1 т) и .лавинного 1 токов гдЕ 1 б1обр 2 1 рбр 1 тг + 1 н + 2 л Измерять...
Устройство подбора диодов для параллельного включения
Номер патента: 1100589
Опубликовано: 30.06.1984
МПК: G01R 31/26
Метки: включения, диодов, параллельного, подбора
...с первым входом элементавыход которого соединен с управляющим входом коммутатора 3, входомзапуска блока 5 контроля напряжениян входом счетчика 9, первый выходкоторого соединен с вторым входомблока 6 регистрации, а второй выходчерез первую дифференцирующую цепь10 - с первым входом триггера 8, выход которого. соединен с вторым входом элемента 1 и через вторую дифференцирующую цепь 11 с управляющимивходами счетчика 9 и блока 6, второй,вход триггера 8 соединен с входомзапуска устройства,Блок 5 контроля напряжений можетбыть, например, выполнен в виде последовательно соединенных цифровоговольтметра постоянного тока с внешним запуском и дешифратора.Устройство подбора диодов для параллельного включения работает сле дующим образом.При...
Устройство для контроля состояния параллельно соединенных диодов
Номер патента: 1101985
Опубликовано: 07.07.1984
Авторы: Антюхин, Гордюшкин, Феоктистов, Чаусов, Чумоватов
МПК: H02M 1/18
Метки: диодов, параллельно, соединенных, состояния
...выходного трансформаторов служит один из силовых выводов контролируемого диода, развяэывающий элемент выполнен в виде съемной токо- проводящей перемычки, а трансформаторы - с разъемными сердечниками.На фиг.1 представлена функциональная схема контроля, на фиг,2 принципиальная электрическая схема устройства.Устройство для контроля состояния параллельно соединенных диодов 1 преобразователя содержит источник 2 контрольного переменного электрического сигнала, выход которого подключен к первичной обмотке 3 входного трансформатора 4, приемник 5 электрического сигнала, например электроиэмерительный прибор (амперметр), вход которого подключен к вторичной обмотке 6 выходного трансформатора 7, и съемную токо- проводящую перемычку 8,...
Способ измерения теплового сопротивления лавинно-пролетных диодов
Номер патента: 1128204
Опубликовано: 07.12.1984
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, лавинно-пролетных, сопротивления, теплового
...10 при верхней частоте 14 МГц модулирующего сигнала.Варьируют температуру корпуса диода и измеряют крутизну наклона температурной зависимости полного падения 15 напряжения на диоде 30 /О,Варьируют частоту модулирующего сигнала от. верхней частоты Ц до нижней частоты 1 и измеряют дифференциальное сопротивление диода на фикси,. 20 рованных характерных частотах 1;определенных ранее при калибровке на аналогичных диодах данной конструкции.Подсчитывают величины составляющих 25 теплового сопротивления диода по формулеФ" Б) - " 06)ц10 3ОЯ;Д;При Ц = 1 тепловое сопротивление 1 равно суммарному,0 тепловомусопротивлению диода. На фиксированных частотах 1, внутри .интервала частоттепповое сопротивление 9 характеризует тепловое сопротивление диода...
Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов
Номер патента: 1138768
Опубликовано: 07.02.1985
Авторы: Габов, Карасев, Муртазин
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических
...и вторым входами сумматора 15, выход которого соединен с опорным входом второго цифроаналогового преобразователя (ЦА 11) 6, выход которого соединен с управляющим входом стабилизатора 17 тока, выход которого соединен с выходом блока 3 задания тока, выход генератора 14 переменного напряжения соединен с опорными входами первого цифроаналогового преобразователя 9 и фазовогр детектора 12, выход которого соединен с вторым входом блока 7 фиксации результатов, а сигнальный вход фазового детектора 12 соединен с выходом избирательного усилителя 11, вход которого соединен с выходом блока 1 О вычитания, первый вход которого соединен с выходом полосового фильтра 4, а второй вход с выхо- дом первого цифроаналогового преобразователя 9, цифровой...
Устройство для разбраковки диодов по времени восстановления обратного сопротивления
Номер патента: 1140064
Опубликовано: 15.02.1985
МПК: G01R 31/26
Метки: восстановления, времени, диодов, обратного, разбраковки, сопротивления
...собщей шиной, три 6-8 одновибратора,формирователь 9 сдвига уровня,три 10-12 3 -триггера, дешифратор 13и четыре 14-1 индикатора, причемвторой выход генератора 1 прямоготока соединен с входом первого 6одновибратора, выход которого сое"1140064 3динен с С-входом первого 10 Р -триггера, Р -вход которого подключен к выходу формирователя 9 сдвига уровня и Р -входу второго 11 Р -триггера, С-вход которого подключен к С -входу третьего 12 Ю -триггера и выходу третьего 8 одновибратора, вход которого подключен ко второму выходу генератора 2 импульсов обратного напряжения, 3 -вход третье О го 12 0 -триггера соединен с выходом второго одновибратора, вход которого подключен к клемме 4 для подключения катода испытуемого диода и входу формирователя 9...
Устройство для разбраковки полупроводниковых диодов
Номер патента: 1164636
Опубликовано: 30.06.1985
Авторы: Баканов, Загинайлов, Кощей, Сатонин
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, полупроводниковых, разбраковки
...содержит двепусковые 16 и 7 кнопки, четыре формирователя 18-21 импульсов, элемент 2 И 22, элемент 2 ИЛИ 23; КЯ-триггер 24, генератор 25, тактовый счет-чик 26, распределитель 27 импульсов, 30адресный счетчик 28, причем первыйвывод первой кнопки 16 соединен спервым входом элемента 2 И 22 черезпервый формирователь 18 импульсоввыход элемента 2 И 22 соединен с вхо5 дом адресного счетчика 28, выходкоторого подключен к первому выходу блока 5 управления, второй входэлемента 2 И 22 соединен с инверсным выходом КС-триггера, Б-вход 40которого соединен с первым выводомварой кнопки 17 через второй формирователь 19 импульсон, а К-вход -с выходом элемента 2 ИЛИ 23, который 45также подключен к К-входу тактовогосчетчика 26, первый вход элемента2 ИЛИ...
Устройство для подключения мощных диодов
Номер патента: 1195307
Опубликовано: 30.11.1985
Авторы: Гончаров, Романов, Смирнов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диодов, мощных, подключения
...анодный вывод может своей плоской частью двигаться либо вдольтраектории движения оси вывода, либопод любым произвольным углом к этойтраектории. При этом в первом случаевывод диода 4 свободно входит междуконтактными пружинами 7 и 8, а во 15 втором случае, не доходя точки контактирования на определенное расстояние, плоская часть анодного вывода касается пружины 7 и эа счет принуди. тельного перемещения диода 4 диском транспортера 2 происходит разворот диода 4 так, что плоская часть анодного вывода располагается вдоль траектории движения оси диода 4 и анодный вывод беспрепятственно входит в контактный узел. При этом катодный резьбовой вывод диода заходит на позицию контактирования между двумя плоскими пружинами 9 и 10, изогнутыми в точке...
Устройство для исследования процессов релаксации емкости полупроводниковых диодов
Номер патента: 1196784
Опубликовано: 07.12.1985
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диодов, емкости, исследования, полупроводниковых, процессов, релаксации
...постоянного напряжения. Измеритель 1 емкости выполнен в виде измерительного контура 12 и 2 Т моста 13, вход которого соединен свыходом измерительного контура 12,первый вход которого соединен с первым входом измерителя 1 емкости, авторой вход измерительного контура12 соединен с вторым входом измерителя 1 емкости. При этом измерительный контур 12 выполнен в виде .пере 15 20 менного измерительного конденсатора 14, параллельно которому подключены последовательно соединенные индуктивность 15 и конденсатор 16, точка соединения которых подключена к второму входу измерительного контура 1, а точка соединения конденсаторов 14 и 16 контура подключена к общей шине, с которой также соединена вторая клемма 4 для подключения исследуемого...
Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов
Номер патента: 1265662
Опубликовано: 23.10.1986
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических
...напряжение Б = Бхвп(я С + Ь), амплитуда которогопропорциональна величине г контроли 40руемого диода 18, а Фаза запаздываетотносительно фазы напряжения Б навеличину ь , через фильтр 3 поступает на первый вход блока 9 и на второй вход блока 11. 45Запаздывание фазы на Ьд вызванонеидентичностью параметров цепей прохождения сигналов У и У.Действительно, сигнал Б на первый вход блока 11 подается непосредственно с выхода генератора 13, асигнал У Формируется переменнымтоком 1 ., протекающим с выхода сумматора 14 через ЦАП 6, стабилизатор17 коммутатор 1, блок 2 через контролируемый диод 18 и поступает навторой вход блока 11 через Фильтр 3.Каждый из этих блоков, а также конт 62 4ролируемый диод 18 вносят соответствующую задержку фазы...
Тестер для контроля силовых диодов
Номер патента: 1317550
Опубликовано: 15.06.1987
Авторы: Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов
МПК: H02H 7/10
Метки: диодов, силовых, тестер
...реле 6.1 и 7.1 обесточеныПосле подключения зажимов 8 и 9 кдиоду 1 нажимают кнопку 3, подаваянапряжение на провода А и Б. Далее 50работа тестера зависит от состояниядиода 1, причем возможны при случая,Диод 1 исправен,Реле 6,1 получает питание черезконтакт 7.3, зажим 9, диод 1 и зажим 8, Реле 6.1, вклкчаемое по схемена фиг. 2, производит переключения:контактом 6,2 подключает резистор5 (фиг, 3); контактом 6,3 включает реле 7.1, которое встает на самоподхват контактом 7,2, а свой контакт 7.3 переводит в нижнее положение, В результате получают эквивалентную схему питания реле 6.1 пофиг. 4, Поскольку. обратное сопротивление К, исправного диода 1 велико,то реле 6.1 остается включенным,как и реле 7.1. Контактами 64 и 7.4включается лампа...
Устройство для контроля состояния диодов мостового выпрямителя
Номер патента: 1319153
Опубликовано: 23.06.1987
Авторы: Алексеев, Туфляков, Чаусов, Якубсон
МПК: H02H 7/10
Метки: выпрямителя, диодов, мостового, состояния
...представлена схема устройства для контроля состояния диодов.Устройство содержит датчики 1 - 18 тока по числу диодов мостового выпрямителя, установленные входами последовательно в цепь соответствующих диодов 19 - 36 мостового выпрямителя, каждое плечо которого содержит и параллельно включенных диодов 19 - 21, 22 - 24, 25 - 27, 28 - 30, 31 - 33 и 3436.Сигнальный блок 37, представленный на чертеже только для катодной группы вентилей мостового выпрямителя, содержит элементы И.НЕ 38 - 40 по числу плеч в одной группе вентилей мостового выпрямителя с гп входами по числу диодов в одном плече выпрямителя. Входы соответствующего элемента И - НЕ подключены к выходам датчиком тока соответствующих плеч мостового выпрямителя, а выходы элементов И...
Однотактный преобразователь напряжения с обратным включением диодов
Номер патента: 1527691
Опубликовано: 07.12.1989
Авторы: Криштафович, Кузьменко, Лебедев
МПК: H02M 3/335
Метки: включением, диодов, обратным, однотактный
...запасается собственными динамическими емкостями обмоток и междуобмоточными паразитными емкостями многообмоточного дросселя, Собственные емкости обмоток перезаряжаютсяпри смене полярности входного напряжения, поэтому для определения ихдинамической емкости может быть применен подход(+) ) )У + )7ц 22сгде С - собственная динамическаяемкость одной вторичной об"мотки дросселя,Г 2 - напряжение на зажимах однойвторичной обмотки дросселя,(+) нУ )1- количество энергии, запасаемой собственной емкостьювторичной обмотки на соседних полупериодах переменного напряжения,учитывая, что разность потенциалов любых частей соседних вторичных обмоток дросселя на всех этапах имеет одинаковый знак, запишем для динамической межобмоточной емкости:ы"...
Устройство для измерения шумового отношения смесительных диодов
Номер патента: 1531032
Опубликовано: 23.12.1989
Авторы: Глуховский, Маров, Никитин
МПК: G01R 29/26
Метки: диодов, отношения, смесительных, шумового
...являющееся суммой падения напряжения на диоде сигнала с частотой Е,(Н,=К 1,) и шумового напряжения, генерируемого диодом и равного в соответствии с известной фор 50 мулой Найквиста Цщ = 4 1 ХТЕ И,где К - постоянная Больцмана;55Т - абсолютная температура диода; бГ - полоса частот, в которой измеряется Н После усиления малошумящим усилителем 4 происходит разделение сигналов на два канала: синусоидальный сигнал с частотой Й г усиливается узкополосным усилителем 5 с линейной амплитудной характеристикой и после детектирования детектором 6 поступает на один из входов делителя 9, усилитель 7 настроен на частоту Г - про 1 ч межуточную частоту тех устройств, где диод используется как смесительный, полоса пропускания усилителя 7 равняется д Г ч...
Устройство для контроля параметров диодов
Номер патента: 1636809
Опубликовано: 23.03.1991
Автор: Баканов
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров
...тип контролируемого диода, а входам эадатчика 1 обратного напряжения и задатчика 2 прямого тока. Второй инфорвходу блока 13 управления. Первый выход допускового контроля, что приводит к уста 1636809значит, и величина обратного напряжения, допускового значения обратного тока, прямого тока, проходящего через контролируе- мый диод, и допускового значения прямого падения напряжения на этом диоде, При установленном диоде между клеммами 4 и 5 проходит обратный ток, который преобразуется преобразователем 9 ток - напряжение таким образом, что клемма 5 находится под нулевым потенциалом, Напряжение, пропорциональное току, проходящему через контролируемый диод с выхода преобразователя 9 ток - напряжение (фиг.2 к), подается на первый блок 11...
Способ соединения полупроводниковых пластин в стопу для изготовления высоковольтных диодов
Номер патента: 1637965
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Баронин, Гононов, Фальков, Хмелев, Шмиткин
МПК: B23K 1/00
Метки: высоковольтных, диодов, пластин, полупроводниковых, соединения, стопу
...погружают во флюс для пропитки и вертикально загружают по три стопы одновременно между сжимающими обкладками приспособления, зазор между обкладками и стопой составляет.1,75 мм, Зазор 1,75 (0,25 мм от толщины стопы, смоченной флюсом) принят для разного количества полупроводниковых пластин в стопе, где критерием служит условие исключения распадания собранной стопы в процессе погружения в припой на отдельные группы, Толщина стопы из 26 полупроводниковых пластин в среднем составляет 6,54 мм. Толщина пластин после пропитки флюсом 6,93 мм, зазор между плоскостями полупроводниковых пластин составил 0,015 мм.Собранный пакет со стопами погружают в ванну с расплавленным свинцом при 380-400 С под воздействием колебаний с амплитудой 0,04-0,08...
Автомат для контроля и сортировки диодов
Номер патента: 1688942
Опубликовано: 07.11.1991
Авторы: Аршук, Замчалов, Рябов, Утробин
МПК: B07C 5/08
Метки: автомат, диодов, сортировки
...механизмом 19, Диоды поочередно с помощью направляющих 10 перегружаются с рабочего ротора 4 на ротор 5 разгрузки. При этом выталкиватели 23 деформируются выводами загружаемь х диодов. За счет сил трения диоды удерживаются диододержателями 22 и перемещаются ротором разгрузки к лоткам 11, При соответствии лотка типу данного диода по команде блока управления исполнительным механизмом 18 электромагнит 24 срабатывает, диододержатель 22 раскрывается и данный диод под действием силы тяжести и выталкивателя 23 выталкивается в этот лоток, где он попадает в воронкообразную струю разреженного воздуха, создаваемую вихревым пневмоэжектсром 12, который дополнительно ориентирует диод, засасывает его, ускоряет и перемещает по трубопроводу 13 в...