Патенты с меткой «диодов»
Способ изготовления полупроводниковых диодов с барьером шоттки
Номер патента: 306650
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01L 21/443
Метки: барьером, диодов, полупроводниковых, шоттки
...того, толщина пленки не ограничивается вследствие термического разложения, как это обычно имеет место при использовании шестифтористого вольфрама. Можно легко образовать пленки вольфрама толщиной боле 1 лк.В соответствии с предложенным способом, на подложку может быть осаждена пленка вольфрама, однородная по толщине, с металлическим блеском, не содержащая неразложившихся галоидных соединений вольфрама.Кроме того, поскольку температура полупроводниковой подложки остается ниже 500 С, химически устойчивые промежуточные вещества на границе между этой подложкой и пленкой вольфрама не образуются, и на границе формируется барьер Шоттки, обладающий хорошим выпрямительным действием.На фиг. 1 показана установка для осу.цествления способа; на...
Устройство для измерения и разбраковки туннельных диодов по статическил параметрам
Номер патента: 312215
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Панкевич
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметрам, разбраковки, статическил, туннельных
...размах которых пропорционален разности 1, - 1 г, поэтомусигнал на выходе электронного луча пропорционален этому разностному сигналу. С выхода электронного ключа сигнал поступает на пиковый детектор 18. Произведя калибровку индикаторного прибора 19 подачей на него сигнала 1, (после системы АРУ), на прибор затем подают разностный сигнал 1 - 1 г. Отклонение стрелки прибора будет пропорциональное отношение1 12 12=1 --11 1,т, е. выходной индикаторный прибор 19 может быть оцифрован непосредственно в значениях 1 ЛгКанал 5 измерения напряжения /з содержит усилитель 20, сигнал на который подается с измеряемого туннельного диода 9 и детектируется на выходе усилителя пиковым детектором 21, Прибор 22, подключенный к выходу детектора, отградуирован...
Устройство для испытания клипперных диодов
Номер патента: 314161
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Зубарев, Пшеничников
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, испытания, клипперных
...3. При этом клемма 5 для подключения анода клипперного диода подключена и минусовому концу формирующей линии 1, второп конец вто ричной оомоткп трансформатора 3 подключенк аиоду вспомогательного тиратрона б, Последний катодом через нагрузку 7 импульсного трансформатора 3 подключен к клемме 5 для подключения анода клипперного диода и -О соответственно к мпнусовому концу формирующей линии 1.При подаче сигнала на управляющую сеткукоммутатора 2, последний открывается и через него проходит ток перезаряда формирующей 25 лпн ги 1. Когда волна перезаряда достигаетконца формирующей линии 1, она отражается, и при этом формирующая линия 1 начинает заряжаться напряжением с обратной полярностью, При нарастании напряжения переза ряда...
Способ изготовления туннельных диодов
Номер патента: 324943
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/40
Метки: диодов, туннельных
...других полупроводниковых материалов для изготовления туннельных диодов.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.Кристалл СтаАь тг-типа обрабатывают одним из общеизвестных методов с целью его ориентации по кристаллографической плоскости (111) и выявления ее полярности.В пластину баЛь и-типа в атмосфере водорода со стороны (111) А вплавляют навеску олова диаметром до 100 лгкм, а на всю поверхность (111) В наплавляют пластину олова. Температура плавления 600.+5 С, время выдержки 10 - 30 мин, скорость охлаждения 250 - 300 С в первые 60 сек и -50 С в дальнейшем.Полученные образцы совместно с избыточным количеством летучей акцепторной примеси (Хп) помещают в замкнутый объем, заполненный водородом.При температуре 480 - 500...
Устройство для сборки полупроводниковых диодов
Номер патента: 331454
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Аш, Леваков, Мантель, Петраковский
МПК: H01L 21/00
Метки: диодов, полупроводниковых, сборки
...резьбовое отверстие которого входит винт 27 вертикальн цой регулироВки, пОдвижно укреплш 1 цьш н указанной цаправляошей. В кронштейне 26 подвижно укреплен винт 28 продольной регулировки, входящий в резьбовое, отверстие кронштейна 29 продольной регулировки (сч.фиг, 2), сидящего н продольном пазу кронштейна 26. В кронштейне 29 подвижно укреплен винт 30 поперечной регулировки (см. фиг.2), входящий в резьбовое отверстие вилки 31 (см. фиг, 2), лежащей ца кронштейне 26 и одновременно охватывающей сноич нижним пазом, кронштейн 29. Такая конструкция обеспечивает возможность регулцровк: поло 10 15 20 25 30Ч 0 4жения вилки 31 в трех взаимно перпенд 1 кулярных направлениях,Для фиксации вилки 31 н отрегулированном положении служит вццт 32,...
Измеритель заряда переключения диодов
Номер патента: 337738
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Урбонас
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения
...связи с выхода операционного усилителя на вход А в точке В устанавл 1- вается напряжение, равное задаваемому делителем,а переключеник тока, геульсов, двух- регулируемый смещения и ечивает высо 10овышение точности тет изобретения р Измерителсодержащий ключ аюших торную схем ник напряже Изобретение относится к техникмерений.Известный измеритель зарядния диодов, содержащий источнератор переключающих импдиодную детекторную схему,делитель, источник напряженияустройство индикации, не обеспкой точности измерений,Цель изобретения - пизмерений,Для этого в предлагаемом устройстве кточке соединения диодов детекторной схемы подключен инвертирующий вход операционного 15усилителя, другой вход которого связали с регулируемым делителем, соединенным с...
Устройство для изл1ерения экстремальных токов туннельных диодов
Номер патента: 342142
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Дтгнтно, Терпигорев, Федорков
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, изл1ерения, токов, туннельных, экстремальных
...подярности тока 1 периодически с частотой синхронизатора б сбрасывают диод 1 в низковольтное состояние, создавая на нем и,мпулысы,напряжения, соответствующие переключению диода. Эти импульсы запускают формирователь 7. Импульсы напряжения с выхода формирователя 7 накапливаются в накопителе 14, который запирает ключ 13, прекращая форсированный заряд кондеосатора 1 О.Через исследуемый диод 1 протекает:постояиный ток 1, примерно равный току 1 макс342142 Предмет изобретения Составитель 3. ЧелиоковаРедактор Т, Орловская Техред А, Камышникова Корректоры: Л. Корогоди М. Коробова Заказ 1945/13 Изд.842 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография,...
Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых диодов
Номер патента: 391475
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических
...изображена схема предлагаемого устройства, 30 В положительныи полупериод переменного напряжения открывается тиратрон 2 а и на иснытуемый диод 4 действует обратное напряжение У,ор, которое контролируется индикатором 11. В отрицательный полупериод тира. трон 2 а закрывается, открывается тиратрон 2 б и через диод протекает ток в прямом направлении, Этот ток регулируется резистором 13 и контролируется индикатором б. Одновременно с тиратроном 2 б открываются тиратропы 7, обеспечивая тем самым подключение к измерительному мосту испытуемого диода, индикатор 9 регистрирует, падение напряжения на диоде при прохождении по нему пряИзобретение относится к конрительной технике, конкретно кдля контроля и испытаний повых диодов,Устройство работает...
Измеритель заряда переключения полупроводниковых диодов
Номер патента: 399798
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Урбонас
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых
...импульсов обратного напряжения. Индикаторное устройство 18 в этом случае показывает суммарную величину заряда переключения.При поступлении с обоих выходов 11 и 12 схемы 13 управления единичных уровней на схему совпадений 5, на выходе последней образуются пачки из двух импульсов, следующие с периодом повторения импульсов прямого тока. Импульсы в пачках смещены на четверть периода повторения пачек. Эти импульсы запускают генератор 14 импульсов обратного напряжения, выходные импульсы которого приведены на фиг, 2 з. Как видно из фиг, 2 з, первый импульс пачки совпадает с импульсами прямого тока, а второй - с паузой между импульсами прямого тока. Эти импульсы попадают на измеряемый диод 15, и на выходе детектора 16 появляются...
Способ измерения абсолютной мощности излучающих диодов
Номер патента: 409156
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 31/26
Метки: абсолютной, диодов, излучающих, мощности
...1(ТРц 1 сОЙ опноси, 1 ии коОРОМмоиность из:учсци) изыср 51) Г ка;lцоро)аццьl (1)отоприс ч ц цк) п ио налиоровои ьмкргвым оцред(ля,от л 0 ццос(ь цадаюцего цафотоирисмпик излучения.(пако известиыц сносОб имеет малую точи(ть цз)ср(.пня асол)пой )Опности цзлч(цця, 10 обугловлсгц) ног)еи)иостямп калиб.рои ц фотоприемника, разлцпс) спектральЦз( Я РЬ СТСРИС ТИК ИЗ, 1( аlоцСИ, ЦОД 51 И Отоирцечицка и т,;,Цель избрет( цця - ) ьц л ичсп:с 10(ностии з )1( р си ц 51 а б ( О,1 ) т ц )1) иц ) с тц за у а ) и ц .диодов,ссь достпгасгся тсч 1 что ю црсдлагасчомусцособу Нзм(ряот по;цо и)1)о к диоду электричсскую )опность и его температуру при прямом токе, затем изменяют полярность подводимого к диоду тока па обратнуо, изме- РЯОТ ПОДВО;ИМУЮ и;110 )10...
Способ стабилизации выходных характеристик вакуумированных диодов
Номер патента: 382172
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Биков, Казин, Копылов, Сергеев
МПК: H01J 45/00
Метки: вакуумированных, выходных, диодов, стабилизации, характеристик
...операций при обезтаживании, включающий тер мическую очистку поверхности катода, электронно-термическую очистку поверхности анода и контроль состояния поверхности анода (ее частоты) по изменению работы выхода Катода после проведения этапа электронно термической очистки анода.Последовательность операций такова: измеряют работу выхода термически очищенной поверхности катода, проводят очередной этап электронно-термической очистки поверхности З 0 анода, по ле чего вновь измеряют работу выхода катода. Наблюдаемая разница значений работы выхода катода позволяет судачить о наличии загрязнений на поверхности анода,. Указанный цикл операций проводят до тех ггор; пока не совпадут величины работ выхода катода, измеренных до и после...
Устройство для измерениявремени восстановления обратного сопротивления диодов
Номер патента: 429383
Опубликовано: 25.05.1974
МПК: G01R 31/26
Метки: восстановления, диодов, измерениявремени, обратного, сопротивления
...ключевого элемента 10, выход которого соединен со входами управления генератора 8 тока отсчетного уровня, генератора 1 прямого тока и генератора 4 импульса обратного напряжения.Устройство работает следующим образом.Импульсы тактовой частоты, поступающиепо цепи синхронизации от генератора 4 импульсов обратного напряжения, синхронизируют работу развертки осциллографа 7. Фронт импульсов пилообразного напряжения развертки осциллографа 7, соответствующий обратному ходу луча, переключает бпстаопльный ключевой элемент 10, напряжение с вь- хода которого управляет работой выходных каскадов генераторов 1, 4, 8,Уровни напряжения на входе, прп которых происходит отпирание выходных каскадов генераторов 1, 4 и 8, устанавливаются взаимно...
Устройство для формовкиполупроводниковых диодов
Номер патента: 429385
Опубликовано: 25.05.1974
Авторы: Еньшин, Окружнов, Стручаев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: диодов, формовкиполупроводниковых
...б, посылая тактовые импульсы, которые совместно с информацией, получаемой от счетчиков 9, 10 и ячеек 4, б, 12 памяти, через схемы совпадения 7, 8 и 11 управляют включением источника 1 и блока 3.С приходом первого тактового импульса на входах схемы совпадения 8 создается комбинация сигналов, составленная из логических единиц, так как наличие тактового импульса, исходное состояние счетчика 10 и начальная информация ячейки Б памяти представляют25 собой логические единицы. При этом на выходе схемы совпадения 8 появляется сигнал, который, воздействуя на источник 1, заставляет последний пропустить через диод импульс тока, форма и мощность которого определена состоянием счетчика 10.Спад первого тактового импульса приводит к спаду сигнала...
Устройство для классификации полупроводниковых диодов
Номер патента: 443340
Опубликовано: 15.09.1974
Авторы: Божко, Лубяный, Маслов, Тверезовский
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, классификации, полупроводниковых
...информации о положении диода.С приходом диода 15 на первую измерительную позицию (клеммы 16 и 17) с генератора импульсов 1 по команде со схем управления 2 на диод 15 поступает импульс положительной полярности. В случае, когда диод оказывается включенным в прямом направлении, на резисторе 14 выделяется импульс, Если же диод оказывается включенным в цепь в обратном направлении, на резисторе 14 импульс не выделяется. Информация о положении диода на первой группе измерительных контактов, полученная с резистора 14, подается на вход схемы ориентации 3, Количество триггеров (на чертеже не показано) в регистре сдвига схемы ориентации равно числу измерительных позиций плюс триггер, вход которого соединен с резистором 14 и который стоит первым...
Фазорегулирующая схема запуска управляемых диодов
Номер патента: 448094
Опубликовано: 30.10.1974
Авторы: Гвоздецкий, Дудко, Скляревич, Скрыпник
МПК: B23K 9/10
Метки: диодов, запуска, схема, управляемых, фазорегулирующая
...отрицательный выход которого йодкпючен к гочке соединения потенциомегра и конденсатора 3. В схему запуска включены также последовательно соединенные стабилитрон 11 и сопротивление 12, образующие цепь стабилизации. Параллельно4480943набору сопротивлений 4-6 включен диод 13, а параллельно конденсатору 3 йри помощи выключателя 14 может быть включено сопротивление 15. Переключающий диод 8 зашунтирован конденсагором 1 б. Между кагодом переключающего дйода 8 и анодом управляющего диода 9включено сопрогивление 17.В исходном состоянии выключатель 14 выключен, а конденсатор 3 заряжен до напряжения, равного максимальной величине напряжения заряда конденсатора 7 основной УЩЩЩУЩоУ 4 цУДЩиУкРДРУи конденсагора 3 на сопротивление 15.Одновременно с...
Устройство для испытания газоразрядных клиперных диодов
Номер патента: 463079
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Мягкова, Петровский, Полякова
МПК: G01R 31/22
Метки: газоразрядных, диодов, испытания, клиперных
...емкость 7 заряжаются от источникаЕ, Напряжение на емкости 7 прикладывается к управляющему электроду тиратрона 4 и предотвращает автоматический запуск его, В этот период тиратроны закрыты и испытуемый 10 прибор держит обратное напряжение.При подаче импульсов напряжения на управляющий электрод коммутирующего тира- трона 1 (запуск идет периодическими импульсами) и отсутствии запускающих импуль сов напряжения на управляющем электродетиратрона 4 последний закрыт, а тиратрон 1 открыт. Формирующая линия 2 разряжается и чсрез тиратрон 1, а следовательно, и испытуемый прибор 8 течет ток, соответствующий 20 нормальному режиму работы генератора СВЧ.При наличии запускающего импульса науправляющем электроде тиратрона 1 (У) и приходе импульса...
Устройство для контроля постоянных составляющих токов полупроводниковых диодов
Номер патента: 488152
Опубликовано: 15.10.1975
Автор: Бедняков
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, полупроводниковых, постоянных, составляющих, токов
...14, соединенный с измерительными цепями 5 и 6 через детптель напряжения 15.Диоды 7 и 8 в измерительных цепях вк(цочены разнополярно.Устройстьо работает следуОцпм образом.Прп вклочецпи источника низкочастотногонапряжения 14 вык,цочателем 6 цапряжецис 20 поступает на разнополярно включенные диоды 7 ц 8, которые вклочсцы по схеме двухполуперподцого выпрямлсния. 1 ерез диоды 7, 8 и резисторы 9, 10 протекает выпрямленены ток источника низкочастотного цапряжения, 25 который фиксируется индикаторами 11 и 12.При отсутствии мощности гетеродица 17диоды 1 и 2 почти полностью закрыты и представляют собой значительные сопротивления.При наличии мощности гетеродина токи диого дов 1 и 2 резко возрастают, а сопротивления;арректор Л. Котова рчикова...
Устройство для измерения обратных токов полупроводниковых диодов
Номер патента: 496516
Опубликовано: 25.12.1975
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, обратных, полупроводниковых, токов
...следуюшим обраОбратное напряжение, совпадающееОзе с положительной полуволной напряжения питания сети, поступает через пе-,реключатель 4 на измеряемый диод 1. Обратный ток, протекающий через конденсатор7 заряжает его. При этом амплитуда напряжения на конденсаторе пропорциональнасреднему значению обратного тока за одинпериод напряжения питающей сети, Когдаконденсатор заряжается, полевой транзистор закрыт положительным напряжением, рподаваемым на его затвор с формирующейцепочки. В интервале времени, составляющем 210-;330 периода питающей сети,полевой транзистор 8 открывается отрицательным напряжением с формирующей цепи 15и интегрирующий конденсатор разряжаетсячерез ограничительный резистор 9, Напряжение через резистор 9,...
Контактное устройство для подключения мощных диодов и стабилитронов к измерительному прибору
Номер патента: 512515
Опубликовано: 30.04.1976
Авторы: Астахова, Балов, Маркин, Мишенькин
МПК: H01L 21/20
Метки: диодов, измерительному, контактное, мощных, подключения, прибору, стабилитронов
...подвижной кареткой, а другой конец опирается через ролик на внутреннюю поверхность кожуха измерительного прибора, а на основании устройства закрепленыэлектромагнит и микропереключатель.На фиг. 1 показано предлагаемое устройствов нерабочем положении; на фиг, 2 - то же, врабочем положении.Контактирующее устройство состоит из основания 1, жестко закрепленного на панелиприбора 2, каретки 3 с контактом - радиатором 4, пружин 5, скобы 6 из магнитомягкогоматериала, жестко соединенного с кареткой 3,переключателей 7, электромагнита 8, направляющих 9.На каретке 3 в стойке 10 из изоляционногоматериала на оси 11 закреплен рычаг 12, несущий подпружиненный контакт 13 и ролик14. Рычаг подпружинен пружиной 15. Снаружи к каретке 3 прикреплена крышка 16...
Способ изготовления полупроводниковых диодов на основе соединений а в
Номер патента: 251096
Опубликовано: 05.01.1977
Авторы: Алферов, Андреев, Корольков, Носов, Портной, Третьяков
МПК: H01H 21/203
Метки: диодов, основе, полупроводниковых, соединений
...алюмивысокой чистоты позволяет получить концентрацию примесей в выращенных твердых растворах порядка 10Я 1Твердые растворы Яха Яз с ой низкой концентрацией примесей можно получить только п-типа, Использование в качестве подложки 4 оЯВ р-типа позволяет создать р-п-переход и высокочистый слой в области объемного заряда диода в течение одного технологического цикла.Критическая напряженность поля в твердых растворах с шириной запрещенной зоны,25 1096 Составитель М, ЛепешкинаРедактор В. Данилова ТехредА. Демьянова Корректор С. Болдижар Заказ 818/78 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035; Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул,...
Автомат классификации диодов
Номер патента: 562883
Опубликовано: 25.06.1977
МПК: H01L 21/66
Метки: автомат, диодов, классификации
...органы сортирующего устройства выполнены в виде выталкивающих планок, закрепленных на подвижных якорях электромагнитных приводов.На фиг. 1 - кинематическая схема автомата; на фиг. 2 - схема, поясняющая работу автомата; на,фиг, 3 и 4 рабочий ротор, узел 1 и разрез Л - А на фиг. 2.Автомат классификации диодов состоит из загрузочного устройства 1, ротора 2 поштучной выдачи диодов, перегружающего 3 и рабочего 4 роторов, закрепленных:неподвижно на валах соответственно 5, 6 и 7, зубчатых колес 8, контактов 9 и сортирующего устройства 10 с выталкивающими планками 11, укрепленными на якорях электромагнитов 12. Рабочий ротор состоит из диска 13, закрепленных на его цилиндрической поверхности неподвижных 14 и подпружиненных к ним подвижных...
Устройство для испытания и тренировки газоразрядных импульсных диодов
Номер патента: 575584
Опубликовано: 05.10.1977
Авторы: Мягкова, Петровский, Полякова
МПК: G01R 31/24
Метки: газоразрядных, диодов, импульсных, испытания, тренировки
...электрод . тиратрона 1, фор мируюшая линия 2 разряжается и в цепи (катод тиратрона 1 - стабилитрон 6 -резистор 4 1-испытуемый прибор 5) течет ток.При отсутствии сигнала на управляюцпо, 10 электродах тиратрона 1, формирующая линия 2 заряжается от источника Я, . В этот пе. риод тмратрон закрыт и к испытуемому прибор" 5 приложено обратное напряжение, В щели (анод испытуемой лампы 5 - резистор 4 - б диод 7 - резистор 8 - катод тиратрона 1 катод испытуемой лампы ф) течет обратный ток, создавая падение напряжения на резисторе 8, причем величина падения на нем определяется при данном обратном напряж 20 нии анода давлением наполняюшего газа.Если давление наполняющего газа в испыту- емом приборе меньше какой-то определенной критической...
Измеритель заряда переключения полупроводниковых диодов
Номер патента: 575585
Опубликовано: 05.10.1977
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых
...и в цифровой код в реверсивном счеччике).Интегрирование импульсов обратного тока исследуемого диода осуществляется засчет динамических свойств цепи негатронас:подключенными к нему пассивными элементами, При этом производится разделениеимпульсов не по амплитуде, как в обычных 30детекторах, а по фазе, т.е. во временной области. На чертеже представлена схема предложенного измерителя заряда переключения,Выходы генератора прямого рока 1 и генератора 2 переключающих импульсов обратного напряжения подключены к аноду исследуемого диода 3 и к управляющему входу негатрона 4, а также через элемент задержр кй 5 - к счетному входу реверсивного четчика 6. Катод диода 3 через параллельную ЯС -цепь из емкости 7 и резистора 8 подключен к первой...
Способ определения максимально допустимого тока лавинно пролетных диодов
Номер патента: 596894
Опубликовано: 05.03.1978
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, допустимого, лавинно, максимально, пролетных
...на диоде регулировкой температуры диода.Комбинированное воздействие ступенчатого снижения постсяннО тока с одновременным вк 111 с:1 ение"., высокочастотного тока такой же ам 11 ли гуды приводит к тому, что.пиковое значение тока не отличается от величины заданного изме- рит ельн ОГО тОкаа и зме 1 е 1111 е пи КОВОГО значения напряжения на диоде обусловлено лишь изменением температуры р-и- перехода.Способ осушествляется сяедующим образом. На контролируемый прибор подается измерительный посто 5111 ный тОк в обратном направлении, при этом Фиксируется постоянное напряжение на диОде Затем задается скачок ПОстоян кого тока на испытуемом ди -.де и одновременно включается высоко. астотний59 б 894 Формула , изобретения Составитель Т. ДозоровТехред...
Устройство для измерения характеристических токов и напряжений туннельных диодов
Номер патента: 603925
Опубликовано: 25.04.1978
Автор: Чирков
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, напряжений, токов, туннельных, характеристических
...4. Таким образом, триггер 1вместе с ичвертором 2 выполняет роль источника напряжения смешения на туннельный диод, Выход генератора 4 соединен свходом усилителя 5, а выход усилителя -с управляющим входом триггера 1. Делитель напряжения 3 выполнен на резисторах 108,9 и потенциометре 10,Принцип работы схемы заключается вследующем, В исходном состоянии на выходе триггера 1 - алогический Оф, а навыходе инвертора 2 - логическая 1". Напряжение соответствующее "логической 1 фпоступает на выход резистивного делителя 3.Потенциометр 10 установлен в положение, соотг.ветствующее напряжению на туннельном диоде,меньшему напряжения "пикаф, Далее с помощьюпотенциометра 10 напряжение на туннельномдиоде монотонно повышается до достижения напряжения...
Устройство для испытания клипперных диодов
Номер патента: 619874
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Ерин, Зубарев, Пшеничников
МПК: G01R 31/24
Метки: диодов, испытания, клипперных
...с зарядным дросселем и Одиодом.Схема увтройства для испытанияклипперных диодов показана на чертеже,Устройство состоит иэ источника 15питания 1, зарядного дросселя 2, формирующей линии 3, к началу которойподключен коммутатор 4, а к концуцепь снятия перезаряда формирующейлинии, состоящей иэ нагруэочного ре- ,эистора 5 и испытуемого диода 6. Параллельно клеммам 7 подключения испытуемого диода введены последовательно соединенные второг коммутатор8, резистор 9 и низковольтный источник постоянного напряжения 10, положительным полюсом. соединенный с клеммой для подключения анода испытуемого диода и анодом дополнительного диода 11, катод кторого через дроссель12 и третий коммутатор 13 соединенс катодом второго;коммутатора. Междуотрицательным...
Способ контроля пригодности эпитаксиальных пленок для изготовления диодов ганна
Номер патента: 653586
Опубликовано: 25.03.1979
Авторы: Бурлаков, Красильников, Кукушкин, Люзе, Эленкриг
МПК: H01L 21/66
Метки: ганна, диодов, пленок, пригодности, эпитаксиальных
...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...
Устройство контроля надежности омических контактов полупроводниковых диодов
Номер патента: 673940
Опубликовано: 15.07.1979
МПК: G01R 31/02, G01R 31/26
Метки: диодов, контактов, надежности, омических, полупроводниковых
...вентилей, обеспечивающих разделение импульсов положительной и отрицательной полярности, приходящих на его вход,Для обнаружения и фиксации кратковременных постоянных обрывов и кратковременных коротких замыканий в цепи контролируемого диода Рх, например, при воздействии механических ударов или испытаниях на вибропрочность он подключается через соединительные проводники или контактное устройство к клеммам между выходом генератора 1 импульсов и входом устройства 5 разделения импульсов через согласующее устройство 3. Двуполярные сигналы от генератора 1, проходя через исправный испытуемый диод Рх, преобразуются в импульсы отрицательной полярности, воздействующие на вход устройства разделения импульсов, При этом на входе 7 устройства...
Способ определения теплового сопротивления диодов ганна
Номер патента: 705390
Опубликовано: 25.12.1979
Авторы: Полисадов, Смагин, Шаповал, Юрченко
МПК: G01R 31/26
Метки: ганна, диодов, сопротивления, теплового
...явля используется эквивалентность тепются сложность оборудования и изме- ловых режимов при саморазогреве Рарения при малых временах тепловой бочим током .и внешним подогреве дирелаксации, а также низкая произно- ода до температуры активной области. дительность при технологическом Импульсная вольт-амперная характеконтроле больших партий диодов.ристика диода снимается с помощью30Т эоров Коррект топ Т дрейк 8022/ аж 1073 дарственизобрет ЖР Зак ТирГосу делам сква Подписно омитета СС открытий я наб. д, ного к ений и ЦНИИП п113035 а Мс РД сЧВ /у%Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Прое тная,серии импульсов малой длительностии большой скважности, имеющих линейнонарастающую амплитуду напряжения,Установка включает в себя генератор 1 серии...
Устройство для измерения характеристических напряжений туннельных диодов
Номер патента: 744387
Опубликовано: 30.06.1980
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, напряжений, туннельных, характеристических
...тока максимума, после чего происходит скачкообразное перемещение рабочей точки диода на диффузионную ветвь и возникает положительцый перепад напряжения ца Испытуемом диоде 2. Дискримипа гор перепадов 6 подает в это время сигнал ца схему 5 управления счетчиком и:пульсов, которая останавливает счетчик 4, а также ПСрЕКЛОаРТуправ,яЕМэй:СтстНК Тока 7 В РЕ.:КИМ УМЕНЬШЕНИЯ тОКа ДО ЦттСВО. О Зпачтне 5. Таи Образом, чсосз пспьтсхь;Й диод 2 формируется импульс тока трсуголь пой формы.Слсдующцй цикл начинается с:тоявлспцсм второго импульса ца вь хсдс;сл тсля частоты 3. зтих импульсом з: пускеетс:1 ; Ц 1 ЕГЛ 5 СЬ 1, ЦСстпИК Гока, 1;Отстсцт .нформирует царастающиц Во Врем.пп токнТЕРЕЗ ЦСПЫТ, СМЬИ;т,ПОД,. и ЧСРСЗ Г."СЗ; СПОЧТ аеття СЧСТ 1 И 1:, 4...