Архив за 2000 год

Страница 71

Способ получения 3, 4-диметоксибензилиденгидразона 2селеназолидиндиона-2, 4

Номер патента: 801506

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Левшин, Цуркан

МПК: C07D 293/06

Метки: 2селеназолидиндиона-2, 4-диметоксибензилиденгидразона

Способ получения 3,4-диметоксибензилиденгидразона-2 селеназолидиндиона-2,4 с использованием селеносемикарбазона ацетона, 3,4-диметоксибензальдегида и монохлоруксусной кислоты, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса, подвергают одновременной конденсации селеносемикарбазон ацетона, 3,4-диметоксибензальдегид и монохлоруксусную кислоту в среде ледяной уксусной кислоты в присутствии в качестве катализатора водного раствора метиламина.

Способ получения смеси хлорметанов

Номер патента: 1195596

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бабич, Гвозд, Горин, Горожанкина, Ковалева, Розанов, Трегер

МПК: C07C 17/152, C07C 19/03

Метки: смеси, хлорметанов

Способ получения смеси хлорметанов взаимодействием метана и/или низших хлорметанов, хлористого водорода и/или хлора и кислорода или кислородосодержащего газа в полочном реакторе, содержащем 2-12 слоев катализатора при температуре газа на выходе в слой 240-350oC и на выходе из слоя 300-500oC, при подаче исходного метана и/или низших хлорметанов, хлористого водорода и/или хлора в начало процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта и упрощения технологии процесса, кислород вводят в реакционную массу порциями перед слоем катализатора в количестве 7,5-50% от общего количества кислорода, подаваемого в процесс.

Магнитоперестраиваемый твердотельный свч-генератор

Номер патента: 1254981

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Патрин, Петраковский, Соснин

МПК: H03B 7/14

Метки: магнитоперестраиваемый, свч-генератор, твердотельный

1. Магнитоперестраиваемый твердотельный СВЧ-генератор, содержащий отрезок линии передачи с короткозамыкателем, в котором установлены связанные электродинамически полупроводниковый диод с отрицательной проводимостью и гиромагнитный резонатор, который размещен во внешнем магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона перестройки частот, гиромагнитный резонатор выполнен из монокристалла слабых ферромагнетиков типа легкая плоскость - бората железа (FeBO3) или гематита ( -Fe2O3), базисная плоскость которого расположена в плоскости внешнего магнитного поля.2. СВЧ-генератор...

Газовый выключатель

Номер патента: 1136662

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Вишневский, Гутнер, Курицын, Торопчин

МПК: H01H 33/91

Метки: выключатель, газовый

Газовый выключатель, содержащий неподвижные главные и дугогасительные контакты, снабженные выдвинутым по отношению дугогасительного контакта электростатическим экраном, подвижные главные и дугогасительные контакты и изоляционное сопло, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности отключения, упомянутые неподвижные главные контакты расположены по отношению к торцу неподвижного дугогасительного контакта с противоположной электростатическому экрану стороны на расстоянии не менее 3/4 хода одного дугогасительного контакта в другом, а главный подвижный контакт снабжен подвижным электростатическим экраном, выдвинутым по отношению подвижного дугогасительного контакта в сторону неподвижных...

Галогенпроизводные 5-бензилиденселеназолидиндиона-2, 4, обладающие антимикробной активностью

Номер патента: 803374

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Левшин, Нещадим, Рудзит, Цуркан

МПК: A61K 31/41, C07D 293/06

Метки: 5-бензилиденселеназолидиндиона-2, активностью, антимикробной, галогенпроизводные, обладающие

Галогенпроизводные 5-бензилиденселеназолидиндиона-2,4 общей формулыгде R - 2-фтор, 3-фтор или 2,4-дихлор,обладающие антимикробной активностью.

Производные 5-м-нитробензилиденселеназолидиндиона-2, 4, обладающие психотропной активностью

Номер патента: 803375

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Волкова, Лаврецкая, Левшин, Цуркан

МПК: A61K 31/41, C07D 293/06

Метки: 5-м-нитробензилиденселеназолидиндиона-2, активностью, обладающие, производные, психотропной

Производные 5-м-нитробензилиденселеназолидиндиона-2,4 общей формулыгде R - калий, этил или карбэтоксиметил,обладающие психотропной активностью.

Способ выделения изобутана из смесей углеводородов с4

Номер патента: 1037631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Горшков, Елифантьева, Кузнецов, Павлов, Чуркин

МПК: C07C 7/08, C07C 9/12

Метки: выделения, изобутана, смесей, углеводородов

Способ выделения изобутана из смесей углеводородов С4 путем ректификации в присутствии экстрагента на основе ацетонитрила или его смеси с водой, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь ацетонитрила и уменьшения энергозатрат, используют экстрагент, дополнительно содержащий 50 - 90 вес.% алифатического спирта с 1 - 4 атомами углерода в молекуле.

Контактная система вакуумной дугогасительной камеры

Номер патента: 1086977

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Воскресенский, Лукацкая, Селикатова, Сипелев

МПК: H01H 33/66

Метки: вакуумной, дугогасительной, камеры, контактная

Контактная система вакуумной дугогасительной камеры, содержащая подвижный и неподвижный электроды, электрически соединенные с токовводами, причем электроды и токовводы расположены на одной оси и каждый из электродов содержит по меньшей мере один виток, расположенный в плоскости, перпендикулярной указанной оси, а направление навивки витков обоих электродов одинаково, отличающаяся тем, что, с целью увеличения номинального тока камеры, в центре каждого из электродов выполнен контактный выступ, электрически соединенный с соответствующим токовводом, причем отношение суммарного импеданса контактного выступа и соединения контактного выступа с токовводом к суммарному импедансу витка и соединения...

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.

Устройство для управления электронным коммутатором

Номер патента: 1498356

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Леонтьева, Хасанов, Хомский

МПК: H02M 1/08

Метки: коммутатором, электронным

Устройство для управления электронным коммутатором, содержащее первый блок формирования сигнала управления, выход которого предназначен для подключения к управляющему входу электронного коммутатора, а вход связан с прямым выходом задатчика частоты и скважности импульсов управления, первый датчик тока, один вывод которого соединен с отрицательным выходом источника питания, а другой предназначен для соединения с катодом электронного коммутатора, отличающееся тем, что, с целью стабилизации напряжения на нагрузке в момент отпирания электронного коммутатора, в него введены шунтирующий вентиль, второй блок формирования сигнала управления, выполненный в виде источников положительного и...

Способ нанесения тонких пленок (его варианты)

Номер патента: 1316304

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Богатырев, Щекочихин, Яценко

МПК: C23C 14/54

Метки: варианты, его, нанесения, пленок, тонких

1. Способ нанесения тонких пленок, включающий вакуумирование рабочего объема и формирование пучка атомов осаждаемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты пленок, пучок облучают монохроматическим световым потоком, резонансно-поглощаемым атомами осаждаемого материала или атомами примеси, причем, если длина волны светового потока соответствует резонансному поглощению атомами осаждаемого материала, световой поток направляют навстречу пучку атомов и облучение проводят в режиме, обеспечивающем соотношение Eu Ea

Электронно-лучевой прибор

Номер патента: 1556427

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Богословская, Ульянов

МПК: H01J 21/10

Метки: прибор, электронно-лучевой

Электронно-лучевой прибор, содержащий корпус с натекателем газа и откачным патрубком, осесимметричные катод, прикатодный фокусирующий электрод, ускоряющий электрод, и коллектор, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности и КПД прибора с газовым наполнением, коллектор выполнен в виде сегмента эллипсоида, прикатодный фокусирующий электрод выполнен в виде кольца, форма внутренней поверхности которого описана уравнением:где - текущий радиус прикатодного фокусирующего электрода в цилиндрической системе координат, см;Z - расстояние от...

Установка для обработки анолита хлорных производств

Номер патента: 1380275

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Альтман, Лунина, Ромашин, Рябов, Свирская

МПК: C25B 1/26

Метки: анолита, производств, хлорных

Установка для обработки анолита хлорных производств, работающих по ртутному или мембранному методу, включающая колонну обесхлорирования, реактор донасыщения анолита, аппараты очистки от сульфатов и катионов жесткости, осветлитель и фильтр, отличающаяся тем, что, с целью сокращения расхода реагентов на обработку анолита, она дополнительно содержит двухкамерный электролизер с катионообменной мембраной, выход колонны обесхлорирования соединен с входом в катодную камеру электролизера, а выход из катодной камеры соединен с реактором донасыщения анолита, причем катодная камера заполнена кусковым графитом.

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Устройство для термической обработки веществ

Номер патента: 683064

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Квашнин, Рейтеров, Соколов

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, термической

Устройство для термической обработки веществ в контролируемой атмосфере, включающее рабочую камеру с вертикально расположенным цилиндрическим нагревателем, стопу тиглей чашеобразной формы, установленную на подвижной по вертикали опоре, загрузочную и разгрузочную камеры, отделенные от рабочей камеры шиберами, и транспортные средства для перемещения тиглей, отличающееся тем, что, с целью создания в тиглях осевой симметрии теплового поля и возможности выращивания кристаллов, шибера укреплены на штоках, расположенных по вертикальным осям загрузочной и разгрузочной камер, тигли выполнены с выемками на внешней боковой поверхности и транспортные средства - в виде захватов, консольно укрепленных на...

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов

Номер патента: 1382303

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Буров, Волков, Липатов, Овчинников

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов, кремниевых

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов путем наращивания эпитаксиальных слоев на легированные бором подложки, включающий приготовление раствора-расплава кремния в олове и введение в него легирующей добавки, изотермическую выдержку при температуре начала процесса, приведение раствора-расплава в контакт с подложками, травление подложек путем нагрева системы и последующее принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет устранения включений олова на границе p-n-перехода, дополнительно вводят в раствор-расплав 0,001 - 0,01 мас. % индия или галлия, изотермическую выдержку осуществляют в вакууме при давлении не более 0,13 Па, причем...

Вагоноопрокидыватель

Номер патента: 1614340

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Тараканов

МПК: B65G 67/48

Метки: вагоноопрокидыватель

1. Вагоноопрокидыватель по авт. св. N 1553487, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности с одновременным повышением полноты очистки вагона от остатков груза, он снабжен установленными на очистном органе подпружиненными штоками с закрепленными на них с возможностью вращения фрезами.2. Вагоноопрокидыватель по п.1, отличающийся тем, что он снабжен установленными на траверсе подпружиненными фиксаторами очистного органа.

Способ стабилизации суспензии серы

Номер патента: 1089896

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Болтаев, Каримов, Коршунов, Лазарянц, Мелехов, Мусаев, Хамраев, Юлдашев

МПК: C01B 17/10

Метки: серы, стабилизации, суспензии

Способ стабилизации суспензии серы введением стабилизирующей добавки - продукта полимеризации хлоргидрата диалкиламиноалкилметакрилата, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса за счет снижения расхода стабилизирующей добавки и повышения степени стабилизации, в качестве стабилизирующей добавки используют продукт полимеризации хлоргидрата диэтиламиноэтилметакрилата.

Денситометр

Номер патента: 893008

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Вейцман, Вендровский, Волчек, Журавлев, Симаков

МПК: G01J 1/44

Метки: денситометр

Денситометр, содержащий осветитель, фотоэлектронный умножитель, включенный на входе последовательной цепи, состоящей из логарифмического преобразователя, аналого-цифрового преобразователя и индикаторного устройства, и блок коррекции нуля, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых оптических плотностей, в него введены цифровой компаратор, коммутирующее устройство и регулируемый источник питания, выход которого соединен с цепями питания фотоэлектронного умножителя, а вход - с коммутирующим устройством, другой выход которого соединен с входом целых единиц индикаторного устройства, а вход - с выходом цифрового компаратора, соединенного с блоком коррекции нуля и с...

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Способ регулирования инвертора электропередачи постоянного тока

Номер патента: 1042566

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Берх, Ступель, Цфасман, Юрганова

МПК: H02J 1/00, H02M 1/08

Метки: инвертора, постоянного, электропередачи

Способ регулирования инвертора электропередачи постоянного тока регулятором угла погасания, заключающийся в том, что формируют сигнал, пропорциональный отклонению измеряемой величины угла погасания от уставки, в зависимости от указанного сигнала формируют сигнал, воздействующий на моменты отпирания вентилей инвертора, и при изменении инвертируемого тока создают форсировочное воздействие на уставку регулятора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения сбросов мощности электропередачи постоянного тока в переходных режимах, отключают форсировочное воздействие при достижении сигналом регулятора заданного значения, выбранного из условий обеспечения необходимых для успешной коммутации вентилей...

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком

Номер патента: 1616419

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: кремния, легирования, мышьяком, пленкообразующий, раствор

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком, содержащий тетраэтоксисилан, этиловый спирт, ортомышьяковую кислоту и катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности поверхностного сопротивления и снижения разброса по глубине диффузионных слоев толщиной до 8 мкм, раствор дополнительно содержит воду, а в качестве катализатора используют азотную или соляную кислоты при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Тетраэтоксисилан - 16,0 - 26,0Этиловый спирт - 61,3 - 73,9Ортомышьяковая кислота - 3,1 - 6,8Азотная (соляная) кислота - 0,5 - 1,4Вода - 4,5 - 6,5

Устройство фильтро-компенсирующей цепи передачи постоянного тока

Номер патента: 1616485

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Болдырев, Кулаков

МПК: H02J 3/18

Метки: передачи, постоянного, фильтро-компенсирующей, цепи

Устройство фильтро-компенсирующей цепи передачи постоянного тока, содержащее трехфазный высоковольтный выключатель, имеющий контакты-повторители и включенный в каждую фазу цепочки конденсаторной батареи фильтра, причем в нейтраль фильтра включен резистор, зашунтированный однофазным коммутационным аппаратом, снабженным соленоидами отключения и включения и контактом-повторителем отключенного положения, а также устройство защиты нулевой последовательности, снабженное выходным реле, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности за счет снижения коммутационных воздействий и улучшения электромагнитной совместимости фильтро-компенсирующей цепи и передачи постоянного тока, оно дополнительно...

Термоэлектронный эмиттер

Номер патента: 1385895

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Логинов, Наумкин, Репников, Цыба, Чужко, Шумилин

МПК: H01J 1/14

Метки: термоэлектронный, эмиттер

Термоэлектронный эмиттер, содержащий керн из графита или материала на его основе, например пироуглерода, и эмиссионное покрытие из гексаборида лантана, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, снижения мощности накала и повышения механической прочности, между керном и покрытием из гексаборида лантана расположены два слоя, при этом слой, непосредственно контактирующий с керном, выполнен из карбида переходного металла IV-V групп периодической системы элементов толщиной 100-200 мкм, а слой, расположенный между карбидом и эмиссионным покрытием, выполнен из диборида того же металла толщиной 25 - 50 мкм.

Электронная пушка

Номер патента: 1443680

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Григорьев, Мурашов, Тарасенков

МПК: H01J 37/06

Метки: пушка, электронная

Электронная пушка, включающая автономно откачиваемые катодную и промежуточную вакуумные камеры, соединенные между собой первым лучепроводом, второй лучепровод, соосный первому, соединяющий промежуточную камеру с технологической, вакуумный затвор с направляющей в виде диска с отверстием соосным лучепроводам, установленный в промежуточной камере на торце первого лучепровода, и плоскую диафрагму с отверстием, соосным лучепроводам, расположенную в промежуточной камере между торцом второго лучепровода и направляющей вакуумного затвора, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и эксплуатации пушки за счет устранения системы напуска газа, диафрагма установлена на изоляторах с зазорами...

Измеритель высоты полета

Номер патента: 1322765

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Давыдов, Кузнецов, Сизиков

МПК: G01C 5/06

Метки: высоты, измеритель, полета

Измеритель высоты полета, содержащий датчик высоты, первый и второй сумматоры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности в условиях маневрирования летательного аппарата путем компенсации динамических ошибок, в него введена схема сравнения, первое реле с размыкающими контактами, первый интегратор, второе реле с замыкающими контактами, второй и третий интеграторы, третий сумматор, шесть блоков умножения, квадратор, блок деления, датчики продольного, вертикального и бокового ускорений, датчики углов крена и тангажа, датчики синуса и косинуса угла крена, задатчик гравитационного ускорения, при этом выход датчика высоты через схему сравнения, размыкающие контакты первого реле, первый...

Способ получения целлюлозы

Номер патента: 1766100

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Ковалева, Пазухина

МПК: D21C 1/06, D21C 3/06

Метки: целлюлозы

Способ получения целлюлозы, включающий пропарку исходного растительного сырья, обработку щелочным раствором при повышенных температуре и давлении, удаление отработанного пропиточного раствора и сульфитную варку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода целлюлозы при сохранении ее качества, в качестве щелочного раствора используют раствор гидроксида калия с концентрацией 25 - 40 г/л в единицах K2O.

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Номер патента: 1618211

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Промежуточная емкость для установок рафинирующего переплава с горизонтальной подачей расходуемой заготовки

Номер патента: 1505042

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Афонин, Брагин, Гарипов, Колесников, Мансуров, Метелкин, Тихоновский, Тур

МПК: C22B 9/22, F27B 14/10

Метки: горизонтальной, емкость, заготовки, переплава, подачей, промежуточная, расходуемой, рафинирующего, установок

Промежуточная емкость для установок рафинирующего переплава с горизонтальной подачей расходуемой заготовки, содержащая охлаждаемый металлический корпус со сливным носком, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годного металла в слиток за счет полного сплавления расходуемой заготовки, она снабжена охлаждаемым приемным желобом, примыкающим к корпусу промежуточной емкости со стороны подачи заготовки и установленным своей рабочей поверхностью под углом к горизонтальной плоскости.