Архив за 2000 год

Номер патента: 999816

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Игнатов, Медяник, Сухих, Толикин, Филин

МПК: G08B 13/19

Метки: охранной, сигнализации

Устройство для охранной сигнализации, содержащее генератор, выход которого подключен к входу инфракрасного излучателя, оптически связанного с фотоприемником, выход которого подключен к входу предусилителя, выход которого подключен к первому входу блока регулирования усиления, выход которого подключен к входу усилителя, выход которого через пиковый детектор подключен к второму входу блока регулирования усиления, и блок сигнализации, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения устройства, в него введены расширитель импульсов, детектор скважности, элемент ИЛИ, выход усилителя подключен к входу расширителя импульсов, выход которого подключен к входу детектора скважности,...

Номер патента: 1093115

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Анюхин, Борисов, Иванов, Кудрявцев, Литвинов

МПК: G08B 13/24

Метки: охранной, сигнализации

Устройство для охранной сигнализации, содержащее последовательно соединенные приемопередатчик, усилитель, детектор уровня, интегратор, формирователь сигнала тревоги и исполнительный блок, первый выход которого является выходом устройства, блок задержки, выход которого соединен с входом ключевого блока, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, в него введены блок разделения фронтов сигнала и блок сброса, выход которого соединен с входом формирователя сигнала тревоги, выход которого соединен с входом блока сброса, второй выход исполнительного блока соединен с входом блока разделения фронтов сигнала, первый выход которого соединен с входом блока задержки, второй...

Номер патента: 1618224

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...

Номер патента: 519043

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Теплова

МПК: C22C 9/00, H01L 21/00

Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.

Номер патента: 689155

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Блехман, Васильева, Дорохова, Колодкин, Слабковская, Чистова, Шпольский

МПК: C07D 211/86

Метки: 4-дигидропиридины, 5-дикарбэтокси-4-гетарил-1, 6-диметил-3, галогенсеребряных, качестве, области, сенсибилизаторов, спектра, эмульсий

2,6-Диметил-3,5-дикарбэтокси-4-гетарил-1,4-дигидропиридины, общей формулыгде Het : бензтиазолил-2; бензимидазолил-2; 1-метилбензимидазолил-2; 1-этилбензимидазолил-2,в качестве сенсибилизаторов галогенсеребряных эмульсий к УФ-области спектра.

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Номер патента: 812032

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гимпельсон, Демишев, Котерло, Малеев, Микаэлян, Успенская

МПК: G03C 1/40

Метки: галогенсеребряной, подготовки, поливу, фотографической, эмульсии

Способ подготовки к поливу фотографической галогенсеребряной эмульсии для изготовления цветных кинофотоматериалов путем введения в эмульсию цветной недиффундирующей компоненты, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности величины вязкости эмульсии при хранении перед поливом при сохранении фотографических свойств, в эмульсию после цветной недиффундирующей компоненты дополнительно вводят сополимер акриловой кислоты и тетрааллилпентаэритрит формулыв количестве 0,5 - 0,7% от массы загущаемой среды.

Номер патента: 812035

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Анищук, Власова, Дмитриев, Кадянова, Лаптева, Мизуч

МПК: G03C 1/85

Метки: материал, фотографический

Фотографический материал, состоящий из подложки, желатинового галогенсеребряного светочувствительного эмульсионного слоя, вспомогательного слоя или слоев, содержащих антистатик, отличающийся тем, что, с целью улучшения антистатических свойств фотографического материала, в качестве антистатика материала содержит соединение общей формулы IIгде R1 - оксиалкил C2-C4, R2 - алкил C1-C4, R3 - насыщенный или ненасыщенный ациклический углеводородный остаток C11-C17,в количестве от 20 до 200 г на кг желатины.

Номер патента: 404416

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Абриталин, Парфенова, Подлесных, Сидельникова, Уварова

МПК: G03C 1/06

Метки: инфрахроматический, кинофотоматериал

1. Инфрахроматический кинофотоматериал, содержащий подложку, желатиновый галогенсеребряный инфрахроматический эмульсионный слой и защитный слой, включающий желатину и водорастворимую соль серебра, отличающийся тем, что, с целью улучшения в материале соотношения чувствительность - разрешающая способность, в состав защитного и эмульсионного слоев введено анионное поверхностно-активное вещество, содержащее сульфо- или сульфатогруппу или их смесь.2. Кинофотоматериал по п.1, отличающийся тем, что в эмульсионный слой введены стабилизаторы, дубители, активаторы и химические сенсибилизаторы.3. Кинофотоматериал по пп.1 и 2, отличающийся тем, что в защитный слой введены...

Номер патента: 1672802

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Суранов

МПК: G01J 1/44

Метки: многоканальный, фотометр

Многоканальный фотометр, содержащий фотодиодный датчик изображения, блок опроса, аналого-цифровой преобразователь, мультиплексор, оперативное запоминающее устройство, адресный счетчик, счетчик числа опросов, триггер готовности и вычислительное устройство, при этом вход запуска аналого-цифрового преобразователя подключен к тактовому выходу блока опроса, выход конца преобразования - к первому входу мультиплексора, а информационные выходы - к первым информационным входам оперативного запоминающего устройства, выход мультиплексора соединен с тактовым входом адресного счетчика, вход которого соединен с входом записи счетчика числа опросов, входом сброса триггера готовности, входом синхронизации...

Номер патента: 1147155

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Зильберфайн, Михайловский, Черепов, Эпов

МПК: G01R 17/10

Метки: измерительный, мост, полной, проводимости

Измерительный мост полной проводимости по авт.св. 999774, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем увеличения диапазона частот проводимых измерений, в него введены гетеродин, два смесителя и фильтр измерительных частот, причем первый смеситель включен между измерительной диагональю четырехплечевого моста и усилителем, узкополосный фильтр соединен со вторым смесителем, выход которого через фильтр измерительных частот подключен к блоку стабилизации напряжения питания моста, а гетеродин соединен со вторыми входами смесителей.

Номер патента: 405474

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Белый, Воскобойников, Гиновкер, Синица

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой проводящего материала, например кремния.

Номер патента: 1816161

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль

МПК: H01L 21/324

Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...

Номер патента: 1326094

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Альперович, Бобылев, Морозов, Чикичев

МПК: H01J 31/04

Метки: излучения, инфракрасного, поток, электронов

Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов, содержащий расположенный на прозрачной подложке легированный полупроводниковый слой р-типа проводимости с активированной цезией и кислородом свободной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона и увеличения помехозащищенности, между легированным полупроводниковым слоем р-типа проводимости и подложкой последовательно размещены полупроводниковый слой с глубокими уровнями и барьерный контактный слой, смещаемый в запорном направлении, а перед прозрачной подложкой расположен источник света, длина волны которого лежит в области электропоглощения полупроводникового слоя с глубокими уровнями.

Номер патента: 814055

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Булатецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, излучательной, рекомбинации, светодиода

Способ определения времени излучательной рекомбинации светодиода с одновременным измерением интенсивности излучения, включающий возбуждение светодиода и проекцию выбранного участка излучающей поверхности на фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона в области малых времен релаксации, световой поток, идущий от светодиода, перекрывают и измеряют высокочастотный ток, проходящий через светодиод, затем, постепенно увеличивая световой поток, измеряют минимальное значение этого тока и по отношению минимального тока к первоначальному току светодиода находят время излучательной рекомбинации светодиода по формулеarctg2

Номер патента: 814096

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бородкина, Нагорный, Чибисова

МПК: G03G 13/00

Метки: везикулярной, записи, информации, пленке

Способ записи информации на везикулярной пленке, включающей очувствление пленки равномерным экспонированием УФ-излучением и избирательное нагревание сфокусированным тепловым лучом, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости записи после экспонирования УФ-излучением, пленку нагревают 1 - 5 с при 50 - 70oC.

Номер патента: 345877

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Авдеева, Альперович, Ванюков, Вомпе, Исаенко, Левкоев, Серебряков, Стариков

МПК: H01S 3/10

Метки: генератора, затвор, квантового, оптического, пассивный

1. Пассивный затвор для оптического квантового генератора на неодимовом стекле, содержащий полиметиновый краситель, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токсичности и увеличения стабильности, он выполнен в виде пластины из пленкообразующего соединения, в состав которой введен указанный краситель.2. Пассивный затвор по п.1, отличающийся тем, что в качестве пленкообразующего вещества использованы эфиры целлюлозы.3. Пассивный затвор по п.1, отличающийся тем, что в качестве пленкообразующего вещества использованы хлорированные поливиниловые смолы.

Номер патента: 693923

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Алферов, Донин

МПК: H01S 3/03

Метки: газоразрядная, сильноточная, трубка

Сильноточная газоразрядная трубка, состоящая из секций, имеющих разрядный канал и каналы охлаждения, и электродов, расположенных на концах трубки, отличающаяся тем, что, с целью увеличения удельной мощности генерации и срока службы трубки, в секциях разрядного канала выполнены сквозные отверстия перпендикулярно разрядному каналу, в которые вставлены одно напротив другого сверхзвуковые сопла и диффузоры, а по обеим сторонам разрядного канала расположены балластные объемы, выполненные секционированными, причем секции разрядного канала отделены от балластных объемов изоляторами, снабженными перегородками, а между перегородками установлены защитные экраны, которые одним концом плотно закреплены...

Номер патента: 816291

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Павлов, Табатадзе

МПК: G03G 5/022

Метки: материал, фототермопластический

1. Фототермопластический материал, содержащий подложку с последовательно расположенными на ней проводящим слоем, инжекционным слоем, включающим селен с добавкой теллура, и фототермопластическим слоем из поли-N-винилкарбазола и термопластического полимера, отличающийся тем, что, с целью увеличения термостабильности материала, он имеет слой сульфида мышьяка толщиной 0,03 - 0,1 мкм, расположенный между проводящим и инжекционным слоями.2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он имеет дополнительный слой сульфида мышьяка толщиной 0,03 - 0,1 мкм, расположенный между инжекционным и фототермопластическим слоями.

Номер патента: 695323

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Абраменко, Валеева, Жиряков, Казымов, Логунова, Макаров, Поплавская, Приклонских, Сумская

МПК: G03C 1/12

Метки: галогенсеребряных, сенсибилизации, фотографических, эмульсий

Способ сенсибилизации галогенсеребряных фотографических эмульсий для кинофотоматериалов, чувствительных к красной зоне спектра с максимумом чувствительности при = 680 нм путем введения в эмульсию тиакарбоцианинбетаина и 3,3'-ди/ -оксиэтил/-9-метилтиакарбоцианина, отличающийся тем, что, с целью стабилизации фотографических характеристик кинофотоматериалов, в качестве тиакарбоцианинбетаина в эмульсию вводят соединение общей формулы Iгде R и R' -

Номер патента: 634605

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Недужий, Нюнько, Павлов, Радугина, Сидаравичус, Табатадзе

МПК: G03G 5/022, G03G 5/07

Метки: материал, фототермопластический

Фототермопластический материал, содержащий подложку, проводящий слой, слой неорганического фотополупроводника из селена, слой органического фотополупроводника из поли-N-эпоксипропилкарбазола или поли-N-винилкарбазола и термопластический слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, обеспечения использования как при положительном, так и при отрицательном потенциале заряжения, он дополнительно содержит слой неорганического фотополупроводника из селена или сульфида мышьяка, расположенный между органическим фотополупроводниковым и термопластическим слоями.

Номер патента: 751235

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бородкина, Дудка, Еремина, Лойко, Малахова, Наумова

МПК: B32B 27/28, G03G 5/022

Метки: записи, информации, материал, термопластический

Термопластичный материал для записи информации электронным лучом, содержащий металлизированную подложку и термопластичный слой на основе канифоли, отличающийся тем, что, с целью увеличения цикличности записи при сохранении высокой электроночувствительности, термопластичный слой выполнен из смолы на основе канифоли и циклогексадиена - 1,3 или циклопентадиена при их соотношении 100 : 20 - 25 соответственно.

Номер патента: 1329450

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Азаров, Игнатов, Толикин, Чугунов

МПК: G08B 13/18

Метки: охранной, сигнализации

1. Устройство для охранной сигнализации, содержащее фокусирующий элемент, оптически связанный с приемником излучения, выход которого соединен с усилителем инфранизких частот, амплитудный селектор положительных сигналов, амплитудный селектор отрицательных сигналов и формирователь сигнала тревоги, отличающееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и функциональной надежности устройства, в него введены дискретизатор, генератор импульсов, импульсный усилитель, первый и второй накопители, селектор длительности, формирователь временных интервалов, два измерителя временных интервалов, блок анализа информации, первый вход дискретизатора соединен с выходом усилителя инфранизких частот, а...

Номер патента: 410714

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ищенко, Лисицын, Старинский, Чаповский

МПК: H01S 3/107

Метки: генератор, квантовый, оптический, перестраиваемый, частоте

1. Перестраиваемый по частоте оптический квантовый генератор, содержащий активный элемент, резонатор и помещенную в него селектирующую пленку, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости перестройки частоты излучения, между селектирующей пленкой и одним из зеркал резонатора расположен электрооптический элемент, подключенный к источнику управляющего напряжения.2. Генератор по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь в резонаторе, селектирующая пленка и названное зеркало резонатора нанесены непосредственно на две поверхности электрооптического элемента.

Номер патента: 1271231

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Попов, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: бесконтактного, емкости, полупроводника

1. Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника, состоящий в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения и освещении его модулированным световым потоком, измерения сигнала конденсаторной фотоЭДС, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, автоматизации и упрощения измерений, сигнал конденсаторной фотоЭДС поддерживают постоянным изменением светового потока по критериюImE = const,где ImE - мнимая часть конденсаторной фотоЭДС, измеряют амплитуду интенсивности модулированного светового потока и рассчитывают емкость полупроводника по математической формуле.2. Устройство для бесконтактного измерения емкости полупроводника,...

Номер патента: 1099751

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов, Стучинский

МПК: G02F 1/17

Метки: излучения, инфракрасного, модулятор

Модулятор инфракрасного излучения, содержащий управляющий источник излучения и модулирующую среду с изменяющимся под действием управляющего излучения пропусканием, отличающийся тем, что, с целью понижения требуемой для управления модулятором мощности управляющего источника и модуляции пучков инфракрасного излучения большой линейной апертуры без искажения их формы, модулирующая среда выполнена в виде плоско-параллельной пластины из кремния, облученного нейтронами дозой 1017 - 1020 нейтр/см2 и отожженного при температуре 540 - 840 К.

Номер патента: 635789

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гершинский, Фомин, Черепов

МПК: G01N 27/48

Метки: алюминия, количества, кремния, пленках

Способ определения количества кремния в пленках алюминия путем электрохимического анодного растворения контролируемой пленки с последующим определением количества электричества, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности при определении до 0,1 вес.% количества кремния в пленке алюминия, контролируемую пленку предварительно наносят на подложку - свидетель из кремния n-типа, затем производят нагрев системы до температуры 500-550oC с последующим охлаждением со скоростью 10-15 град/мин.

Номер патента: 1050408

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Анюхин, Борисов

МПК: G08B 13/18

Метки: охранной, сигнализации

Устройство для охранной сигнализации, содержащее автодин и последовательно соединенные источник питания и первый и второй стабилизаторы напряжения, каждый из которых выполнен на транзисторе с операционным усилителем в цепи обратной связи, инвертирующий и неинвертирующий входы операционного усилителя второго стабилизатора напряжения соответственно через первый и второй резисторы соединены с входной клеммой автодина, нагрузочный элемент и индикатор тревоги, который через усилитель соединен с эмиттером транзистора второго стабилизатора напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения экономичности путем снижения потребляемой мощности устройства, в него введен делитель напряжения на двух...

Номер патента: 753250

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Вдовин, Скок

МПК: G01J 3/30

Метки: излучения, спектра

Способ измерения спектра излучения, включающий пропускание исследуемого излучения через измерительную систему, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и уменьшения трудоемкости, проводят совмещение монохроматического излучения лазера накачки и исследуемого излучения на элементе, в котором осуществляют контролируемую перестройку двух энергетических уровней, затем отделяют исследуемый сигнал накачки и направляют его на фотоприемник с последующей регистрацией исследуемого сигнала на двухкоординатном приборе.