Архив за 2000 год

Номер патента: 509192

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Меньших

МПК: H03K 5/159

Метки: генератор, импульсов

Генератор импульсов, содержащий нелинейный резонансный усилитель с элементами запаздывающей обратной связи, отличающийся тем, что, с целью обеспечения пространственно-периодической интенференции когерентных оптических колебаний при формировании взаимно когерентных оптических сигналов типа меандра, в него введен оптический квантовый генератор непрерывного действия, который через светоделительную пластину оптически связан с нелинейным резонансным усилителем с элементами запаздывающей обратной связи, выполненным в виде последовательно включенных оптического квантового усилителя и оптической линии задержки, выход которой связан с указанной светоделительной пластиной, установленной под углом по...

Номер патента: 1311507

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Абрамов, Пакин, Подоскин, Трифонов

МПК: H01B 17/26

Метки: ввод, высоковольтный

Высоковольтный ввод, содержащий корпус из изоляционного материала, расположенные на его поверхности основные кольцевые ребра, по периметру которых с двух сторон выполнены кольцевые выступы, и расположенные между основными промежуточные ребра меньшего диаметра, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности при уменьшении габаритов, на промежуточных ребрах выполнены выступы, аналогичные упомянутым, при этом кольцевые выступы смежных ребер перекрывают друг друга.

Номер патента: 328828

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Меньших

МПК: H03L 7/00

Метки: автоматической, подстройки, частоты

Устройство для автоматической подстройки частоты, содержащее перестраиваемый по частоте генератор, напряжение которого через направленный ответвитель подано на последовательно соединенные эталонный резонатор, например перестраиваемый, амплитудный детектор, фазовый детектор, к второму входу которого подключен генератор опорного напряжения, и фильтр нижних частот с двумя выходами, один из которых подключен к управляющему элементу генератора, дополнительно генератор опорного напряжения через аттенюатор соединен с управляющим по частоте элементом перестраиваемого генератора, а управляющий вход аттенюатора соединен через сумматор и фильтр нижних частот с выходом амплитудного детектора,...

Номер патента: 940586

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Барский, Дубровин, Нилов, Стрельников, Хохлов

МПК: G08B 13/08

Метки: замок, кодовый

Кодовый замок, содержащий исполнительный блок, блок памяти, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, выход которого подключен к первому входу блока управления, первый выход блока управления соединен с первым входом блока сигнализации, и коммутатор, первый вход коммутатора подключен к выходу формирователя сигналов, второй вход - к выходу блока сигнализации, первый выход которого соединен с входом блока памяти, второй выход - с входом исполнительного блока, выход которого соединен с вторым входом блока управления и первым входом дешифратора, выход узла контроля подключен к второму входу блока сигнализации и третьему входу блока управления, второй выход которого соединен с...

Номер патента: 1135342

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Бабанов, Елгазин, Морозов, Нилов, Стрельников

МПК: G08B 17/10

Метки: сигнализации, тревожной

1. Устройство для тревожной сигнализации, содержащее блок групповой сигнализации, источник питания и каналы сигнализации, каждый канал сигнализации выполнен из шлейфа сигнализации, выход которого через интегратор подключен к входу амплитудного компаратора, из элемента памяти, выход которого соединен с первым входом ключевого элемента, из элемента задержки, выход которого подключен к второму входу ключевого элемента, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения и повышения надежности устройства, в него введены узел задания режима сигнализации, времязадающий узел, а в каждый канал сигнализации введены ключ, формирователь импульсов, инвертор, сумматор, блок согласования и узел...

Номер патента: 676100

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дроздов

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, слоев

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

Номер патента: 1494386

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Гришанович, Ильина, Колосов, Крафт, Мисюра, Учитель

МПК: B23K 35/30

Метки: меди, пайки, припой, сплавов

Припой для пайки меди и ее сплавов, содержащий медь, фосфор и олово, отличающийся тем, что, с целью повышения ударной вязкости паяного соединения, он дополнительно содержит германий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Фосфор - 5 - 6Олово - 2 - 4Германий - 0,15 - 0,25Медь - Остальное

Номер патента: 736838

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Байков, Лузе

МПК: H03J 3/22

Метки: контур, резонансный, сверхпроводящий

Сверхпроводящий резонансный контур, содержащий экран, внутри которого размещены элементы связи, катушка индуктивности, выполненная в виде двух коаксиально расположенных обмоток, и расположенный соосно с ней конденсатор, состоящий из неподвижного электрода и размещенного внутри него подвижного электрода, на котором установлены изолированные кольца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения изменения коэффициента передачи в зависимости от уровня входного сигнала, на внешней поверхности подвижного электрода и внутренней поверхности неподвижного электрода установлены диаметрально расположенные гребни из сверхпроводящего материала, имеющие переменную по длине высоту.

Номер патента: 1757375

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ашкинази, Ермилов, Селезнев, Черненко

МПК: H01J 1/20

Метки: катодно-подогревательный, узел

Катодно-подогревательный узел, содержащий керн катода и подогреватель из ленты с одинаковым по всей длине поперечным сечением, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности и срока службы путем уменьшения неравномерности температуры керна, напротив края керна большая ось поперечного сечения ленты параллельна поверхности керна, а при удалении от края керна угол между большой осью поперечного сечения ленты и поверхностью керна плавно увеличивается, причем площадь проекции на керн убывает вдвое при удалении от края керна на расстояние, равное зазору между керном и подогревателем.

Номер патента: 1195609

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Вьюнов, Гинак, Левшин, Цуркан

МПК: C07D 277/34, C07D 293/06

Метки: 5-арилиден-2-арилиминотиаили, селеназолидин-4-онов

1. Способ получения 5-арилиден-2-арилиминотиа- или селеназолидин-4-онов общей формулыгде при Х - атом серы R1 - атом водорода, n-метил, n-нитро или n-метоксигруппа или при Х - атом селена R1 - атом водорода, R2 - атом водорода, n-хлор, n-нитро-, n-метокси или n-диметиламиногруппа,с использованием ароматического альдегида в среде уксусной кислоты в присутствии безводного ацетата натрия при нагревании, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии процесса и расширения ассортимента целевых продуктов, ароматический альдегид общей формулы

Номер патента: 1254990

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Гусев, Лисин

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсный, каскадный

Каскадный импульсный генератор, содержащий зарядный блок и в каждом каскаде индуктивные элементы, первый и второй выпрямительные элементы и последовательно соединенные накопительный конденсатор и разрядник, причем индуктивные элементы всех каскадов соединены между собой последовательно с образованием двух параллельных зарядных ветвей, начало одной из которых соединено с первым выходным выводом зарядного блока, причем первый вывод накопительного конденсатора первого каскада соединен с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью снижения удельных массогабаритных показателей, в него введен размыкающий коммутатор, подключенный к началу другой зарядной ветви и к второму выходному выводу...

Номер патента: 1085442

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахтман, Бротиковский, Павлынев

МПК: H01L 21/316

Метки: меза-структур, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого представляет собой n дорожек (при n > 1) шириной h и расстоянием между центрами дорожек, равным +2b, где h/2...

Номер патента: 1085451

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Дерменжи, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: направлении, обратном, проводящий, тиристор

Тиристор, проводящий в обратном направлении, полупроводниковая структура которого содержит первый эмиттерный слой, зашунтированный на отдельных участках с первым базовым слоем, однородно разветвленный управляющий электрод, контактирующий с первым базовым слоем, второй эмиттерный слой, зашунтированный с вторым базовым слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических параметров и температурной стабильности электрических характеристик, второй базовый слой имеет выход на поверхность второго эмиттерного слоя в виде локальных участков, которые расположены в пределах проекции разветвленного управляющего электрода.

Номер патента: 511755

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/205

Метки: n+-слоев, арсенида, галлия, кристаллах, пленках

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2 10-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 10-4 атм.

Номер патента: 1436815

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Наймарк

МПК: H01T 2/00

Метки: каскадный, разрядник

Каскадный разрядник, содержащий два главных электрода и расположенный между ними управляющий электрод, соединенные с резистивным делителем напряжения, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени запаздывания срабатывания и увеличения стабильности этого времени, управляющий электрод выполнен в виде двух дисков с отверстиями, связанных между собой через две последовательно соединенные емкости, общая точка которых является точкой приложения управляющего импульса напряжения, и подсоединенных к различным точкам резистивного делителя напряжения.

Номер патента: 1498359

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Реут, Тарасов, Чванов

МПК: H02P 5/46

Метки: гистерезисных, группы, пуска, частотного, электродвигателей

Способ частотного пуска группы гистерезисных электродвигателей, при котором изменяют частоту и величину напряжения питания из условия сохранения постоянными потока и абсолютного критического скольжения, отличающийся тем, что, с целью снижения времени разгона и повышения экономичности, устанавливают начальную величину частоты питания равной предварительно определенной первой критической величине абсолютного скольжения, соответствующей общему максимуму индукционной и гистерезисной составляющих момента, осуществляют упомянутое изменение частоты и величины напряжения питания, по достижении частотой питания номинального значения стабилизируют частоту питания, контролируют частоту скольжения и по...

Номер патента: 1316501

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, низкотемпературных, поверхности, покрытий, полупроводниковых, приборов, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, двуокись кремния вводят в водный раствор азотнокислых солей в виде водного раствора кремниевой кислоты.

Номер патента: 1258287

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Горячев, Жуков, Лисин, Пакин, Подоскин

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, многоступенчатый

Многоступенчатый генератор высоковольтных импульсов, выполненный по схеме умножения напряжения и содержащий первую и вторую клеммы для подключения источника питания, соединенные соответственно с первой и второй последовательными зарядными цепочками переключающих элементов, конденсаторные ступени умножения напряжения, каждая из которых соединена с переключающими элементами первой и второй последовательных зарядных цепочек, управляемые коммутаторы, токоограничительные элементы, нагрузку, причем конденсаторные ступени умножения напряжения соединены между собой и с нагрузкой последовательно через управляемые коммутаторы, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной импульсной мощности,...

Номер патента: 1200722

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Бурба, Опарышев, Харитонов

МПК: G06F 17/00

Метки: надежности, объектов, прогнозирования, технических

Устройство для прогнозирования надежности технических объектов, содержащее коррелятор, вход которого соединен с первым входом устройства, а выход - с первым входом анализатора случайного процесса, второй вход и выход которого подключены соответственно к первому входу устройства и через вычислительный блок - к информационному входу блока возведения в степень, вход задания степени которого соединен с первым входом блока управления, а выход блока возведения в степень соединен с первым входом блока умножения, второй вход и выход которого подключены соответственно через блок дифференцирования - к второму входу устройства и к первому входу сумматора, второй вход которого соединен с вторым выходом...

Номер патента: 1501876

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены входной секционированный преобразователь, содержащий последовательно соединенные секции, и выходной преобразователь, выполненный секционированным, эквиваленты проводимостей нагрузки, источники сигналов, соединенные соответственно с одними суммирующими шинами входного и выходного преобразователей, другие суммирующие шины которых соединены с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения уровня паразитного сигнала тройного прохождения (СТП), в него введены индуктивный и резистивный элементы, включенные параллельно входному преобразователю, в качестве...

Номер патента: 1261528

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 29/861

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа; - концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием...

Номер патента: 1384112

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: низкотемпературных, покрытий, стекловидных

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водных растворов азотнокислых солей стеклообразующих компонентов кремниевой кислоты, аммиака, сливание растворов, просушивание и растирание образующегося осадка в порошок, нанесение и оплавление слоя порошка на поверхности полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, растворы сливают в следующей последовательности: раствор кремниевой кислоты, раствор аммиака, раствор азотнокислых солей - стеклообразующих компонентов.

Номер патента: 948251

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Бусаров, Зыкин, Коваленко, Морозов, Мурашов, Ряковский, Станотин

МПК: G08B 25/00

Метки: объектов, охранной, подвижных, сигнализации

Устройство охранной сигнализации для подвижных объектов, содержащее сигнализатор, в котором установлены блок питания, датчики охранной сигнализации, подключенные к первому входу блока кодирования информации, первый выход которого соединен с первым входом радиопередатчика, и приемник, в котором установлены блок демодуляции радиосигналов, первый выход которого соединен с первым входом блока декодирования информации, блок обнаружения пропуска сигналов, выход которого подключен к индикатору, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы и уменьшения потребляемой мощности устройства, в сигнализатор введены блоки управления и кодирования номера, электронный ключ, переключатель...

Номер патента: 1042513

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Жаринов, Коваленко, Логинов, Шеметов

МПК: H01J 3/02

Метки: пушка, электронная

Электронная пушка, содержащая осесимметрично расположенные в параллельных плоскостях прямонакальный проволочный катод, охватывающий его кольцевой фокусирующий электрод и кольцевой анод с осесимметричным отверстием, отличающаяся тем, что, с целью увеличения тока пушки и повышения надежности ее работы, в фокусирующем электроде, со стороны его торца, обращенного к аноду, выполнены равномерно расположенные радиальные пазы прямоугольного сечения, в которых размещены П-образные секции катода, концы радиально направленных участков которых жестко закреплены, а перпендикулярные радиусам участки секций соединены с осесимметричным токоподводом через пружинящие контакты, при этом отверстие в аноде...

Номер патента: 1718530

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Верещагин, Громовой, Жуков, Калинин, Киселев, Панюшкин, Решидов, Соколова

МПК: C01B 13/11

Метки: озонатор

Озонатор, содержащий источник высокого переменного напряжения и соединенные с ним два электрода, один которых выполнен со сплошным покрытием из твердого диэлектрика со стороны газового промежутка между электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения удельных энергозатрат на производство озона, второй электрод со стороны газового промежутка между электродами снабжен покрытием из пористого диэлектрика.

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1093151

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Григорьев

МПК: H01J 1/20, H01J 3/02

Метки: катодный, подогревом, узел, электронным

Катодный узел с электронным подогревом, содержащий соосно расположенные основной катод в виде диска с отверстием в центре, кольцевой проволочный прямонакальный вспомогательный катод, экран в виде полого цилиндра с плоским дном, обращенный открытым торцом к катодам, и коллектор ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и долговечности, вспомогательный катод размещен внутри экрана на расстоянии от открытого торца экрана, равном 2 - 10 диаметрам проволоки вспомогательного катода, в дне экрана выполнено осесимметрично расположенное отверстие, диаметр которого равен диаметру отверстия в основном катоде, коллектор ионов размещен вне экрана на расстоянии от него, превышающем...

Номер патента: 1322934

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Богомяков, Дученко, Матанов, Потапчук

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, транзистор

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.

Номер патента: 1387824

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Данильчук, Туркот

МПК: H01L 39/06

Метки: криогенный, токоввод

Криогенный токоввод, содержащий токоведущий элемент, выполненный в виде пучка тонкостенных трубок, расположенных по винтовой линии, и коллекторов тока, расположенных на концах трубок и соединенных с ними электрически, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и снижения теплопритоков в зону низких температур, трубки изолированы друг от друга и размещены в коллекторах тока в два слоя с числом трубок 3(n + 1), где n = 1, 2, 3 ..., причем трубки внутреннего слоя размещены равномерно по окружности, а центры трубок наружного слоя размещены в вершинах равносторонних образованных поочередно одной или двумя трубками внутреннего слоя и двумя или одной соответственно трубками наружного слоя...