Архив за 2000 год
Источник электронов
Номер патента: 1297657
Опубликовано: 10.06.2000
Автор: Григорьев
МПК: H01J 37/06
Метки: источник, электронов
1. Источник электронов, содержащий последовательно расположенные соосные катод, анод, лучевод и отклоняющую систему, а также вакуумный насос, отличающийся тем, что, с целью улучшения массогабаритных характеристик, насос расположен между анодом и отклоняющей системой, выполнен со сквозным каналом вдоль оси симметрии, а лучевод размещен внутри этого канала.2. Источник электронов по п.1, отличающийся тем, что вакуумный насос выполнен многоступенчатым, а лучевод снабжен отверстиями, расположенными между ступенями насоса.
Штамм escherichia coli в 834 (rb-, mb-)psk 323 продуцент рестриктазы и метилазы eco rii
Номер патента: 1026407
Опубликовано: 10.06.2000
МПК: C12N 1/20
Метки: escherichia, mb-)psk, метилазы, продуцент, рестриктазы, штамм, •рб
Штамм Escherichia coli B 834 (rB-, mB-)/pSK 323 (Всесоюзная коллекция микроорганизмов при Институте биохимии и физиологии микроорганизмов АН СССР, коллекционный номер ВКМ В-1445Д)-продуцент рестриктазы и метилазы Eco RII.
Конвейерная лента
Номер патента: 1596652
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Волотковский, Нохрин
МПК: B65G 15/34
Метки: конвейерная, лента
1. Конвейерная лента, включающая обкладки, защитную прокладку из разреженной ткани и прокладки с нитями основы и утка, имеющих переплетение, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения износа ленты при доставке кусковых грузов, нити утка расположены группами с промежутками между ними, причем группы нитей утка и промежутки между ними смежных прокладок расположены напротив друг друга.2. Лента по п.1, отличающаяся тем, что промежутки между группами нитей утка прокладок выполнены равными и имеют длину, большую, чем длина групп нитей утка, причем длины групп нитей утка одинаковы.
Двухосный комбинированный датчик углов и моментов гироскопа с упругим подвесом ротора
Номер патента: 1301093
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Борисов, Лушников, Сучков, Филиппов
МПК: G01C 19/28, G01C 19/30
Метки: гироскопа, датчик, двухосный, комбинированный, моментов, подвесом, ротора, углов, упругим
Двухосный комбинированный датчик углов и моментов гироскопа с упругим подвесом ротора, содержащий статор с магнитопроводом, управляющими и сигнальными обмотками по каждой оси, магнит и магнитопровод ротора, отличающийся тем, что, с целью расширения его диапазона измерения, магнитопровод статора выполнен в виде двух идентичных зубчатых частей каждая с 2n зубцами, а в магнитопроводе ротора выполнено n зубцов, магнит магнитосвязан дополнительным магнитопроводом с магнитопроводом статора и через зазор - с магнитопроводом ротора, образуя униполярную магнитную цепь, каждая сигнальная обмотка сформирована из двух пар диаметрально противоположных секций, каждая пара размещена на одной из зубчатых...
Магнитная отклоняющая система для электронной пушки
Номер патента: 1301219
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Григорьев, Тарасенков
МПК: H01J 3/32
Метки: магнитная, отклоняющая, пушки, электронной
Магнитная отклоняющая система для электронной пушки, содержащая электромагнитные катушки и центральный металлический лучепровод, торцы которого жестко закреплены в опорных фланцах, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия, центральный лучепровод выполнен в виде сильфона, а опорные фланцы жестко соединены между собой через диэлектрические дистанционные элементы.
Способ ведения взрывных работ
Номер патента: 1750338
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Абрамов, Власов, Картузов, Паздников
МПК: F42D 3/00
Метки: ведения, взрывных, работ
Способ ведения взрывных работ, включающий бурение, заряжание скважин, монтаж взрывной сети, короткозамедленное взрывание и ограничение числа ступеней замедления, отличающийся тем, что, с целью уменьшения динамических нагрузок на охраняемый объект путем исключения наложения колебаний от сейсмических и ударных воздушных волн, короткозамедленное взрывание осуществляют в направлении от охраняемого объекта, а количество ступеней замедлений определяют по соотношению:где n - число ступеней замедления; - интервал замедления, с;r1 и...
Способ управления стадией синтеза хлорметанов
Номер патента: 1127119
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Берлин, Бершов, Горин, Курник, Лебедев, Розенберг
МПК: B01D 3/42
Метки: синтеза, стадией, хлорметанов
1. Способ управления стадией синтеза хлорметанов, включающий жидкофазное хлорирование хлористого метила в реакторе с обратным холодильником в присутствии инициатора при повышенном давлении и температуре кипения образовавшихся продуктов с получением трех целевых хлорметанов и попутного хлористого водорода, отбор продуктов из реактора в паровой и жидкой фазах и выделение фракций целевых хлорметанов, хлористого водорода и бокового отбора фракции хлористого метила-рецикла в конденсационно-отпарной колонне с дефлегматором путем регулирования давления в системе отбором газообразного хлористого водорода, температуры на контрольной тарелке колонны изменением расхода хладагента в дефлегматор,...
Двухосный комбинированный датчик углов и моментов гироскопа
Номер патента: 1424451
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Козлов, Лагунов, Сучков, Уваров, Филиппов, Шишкин
МПК: G01C 19/28, G01P 9/02
Метки: гироскопа, датчик, двухосный, комбинированный, моментов, углов
1. Двухосный комбинированный датчик углов и моментов гироскопа, содержащий установленный на валу и соединенный с ним гибкой связью ротор с равномерно расположенными по его периферии N зубцами, статор в виде двух идентичных зубчатых колец с 2N зубцами каждое, установленный соосно в чашеобразном магнитопроводе, закрепленном на корпусе, кольцевой постоянный магнит, включенный в магнитную цепь, образованную статором, ротором и чашеобразным магнитопроводом, а также управляющие и сигнальные обмотки для каждой измерительной оси, причем каждая сигнальная обмотка выполнена из двух пар секций, а секция каждой обмотки состоит из двух катушек, размещенных на зубцах колец статора, отличающийся тем, что,...
Способ изготовления n-p+и p-p+-структур кремниевых непланарных приборов
Номер патента: 1424631
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров
МПК: H01L 21/208
Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов
Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020
Устройство для шнекового бурения
Номер патента: 1128645
Опубликовано: 20.06.2000
Автор: Матвеев
МПК: E21B 3/02
Устройство для шнекового бурения по авт. св. 1029668, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности его в работе путем исключения заклинивания каната в проходном отверстии корпуса вращателя, верхняя площадка опорной рамы размещена выше проходного отверстия корпуса вращателя и снабжена подшипнико-втулочной опорой шнекового бура, а корпус вращателя выполнен с оттяжным роликом, который огибается гибким канатом, проходящим через втулку подшипниковой опоры.
Высоковольтный выключатель постоянного тока
Номер патента: 1128700
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Воздвиженский, Иванов, Сидоров
МПК: H01H 9/30
Метки: выключатель, высоковольтный, постоянного
Высоковольтный выключатель постоянного тока, содержащий главные контакты, коммутирующие цепи по крайней мере двух ступеней коммутации, каждая из которых включает в себя последовательно соединенные управляемый ключ и предварительно заряжаемый конденсатор, причем коммутирующая цепь первой ступени коммутации включена параллельно главным контактам, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, в него введены последовательные цепи по числу ступеней коммутации, состоящие из диода и резистора, причем коммутирующая цепь каждой ступени коммутации, начиная со второй, включена параллельно управляющему ключу предыдущей ступени коммутации, каждая из последовательных...
Способ повышения радиационной стойкости кремния
Номер патента: 847839
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов
МПК: H01L 21/263, H01L 21/324
Метки: кремния, повышения, радиационной, стойкости
Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.
Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава
Номер патента: 666700
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше
МПК: C30B 11/00
Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава
Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.
Мощный высоковольтный малоиндуктивный резистор
Номер патента: 1426302
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Грачев, Оленин, Таратута
МПК: H01C 1/08
Метки: высоковольтный, малоиндуктивный, мощный, резистор
1. Мощный высоковольтный малоиндуктивный резистор, содержащий резистивный элемент, выполненный из провода или ленты, изготовленных из резистивного материала и покрытых слоем изоляции, и размещенный на корпусе, снабженном полостью для прохождения хладагента, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности рассеяния и уменьшения габаритов, по всей длине и контуру поперечного сечения провода или ленты резистивного элемента, покрытых слоем изоляции, размещена оболочка из металлического материала, электрически разомкнутая в плоскости поперечного сечения провода или ленты и расположенная с возможностью теплового контакта с корпусом.2. Резистор по п.1, отличающийся тем, что...
Фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1655280
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Никитин, Орлов, Шепшелей
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр
Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в параллельных акустических каналах размещены две секции входного встречно-штыревого преобразователя (ВШП), первый дополнительный ВШП и идентичные секции входного ВШП, второй дополнительный и два выходных ВШП, расположенные по обе стороны от входного ВШП, а выходные ВШП, соединенные с выходными клеммами фильтра, включены относительно дополнительных ВШП, соединенных с соответствующими эквивалентами нагрузки, с фазовым сдвигом 90o, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет...
Сверхпроводящее устройство с электронной регулировкой
Номер патента: 445122
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Байков, Герасимов, Лузе
МПК: H03J 3/20
Метки: регулировкой, сверхпроводящее, электронной
Сверхпроводящее устройство с электронной регулировкой, содержащее индуктор, магнитострикционный экран и сердечник, покрытые сверхпроводником, и обмотку управления, отличающееся тем, что, с целью увеличения диапазона регулирования индуктивности при сохранении высокой добротности, обмотка управления размещена в толще материала экрана и сердечника, причем зона размещения обмотки управления отделена от торцов магнитострикционного экрана и сердечника радиальными кольцевыми пазами.
Способ изготовления позисторов на основе титаната бария
Номер патента: 1304639
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Орлова, Текстер-Проскурякова, Шефтель
МПК: H01C 7/02
Метки: бария, основе, позисторов, титаната
1. Способ изготовления позисторов на основе титаната бария, включающий приготовление твердых растворов из отдельных компонентов, их смешивание, формовку заготовок, обжиг и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей напряженности позисторов, перед операцией смешивания твердых растворов осуществляют измельчение каждого из них.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что измельчение каждого из твердых растворов осуществляют в воде.
Способ периодической очистки осадительных электродов электрофильтра
Номер патента: 1187307
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Александрова, Догадин, Калинин, Мирзабекян, Орлов, Стученков
МПК: B01D 35/06
Метки: осадительных, периодической, электродов, электрофильтра
Способ периодической очистки осадительных электродов электрофильтра, преимущественно от высокоомной пыли заданной толщины, включающий поочередную подачу напряжений разной полярности на коронирующие электроды через коммутаторы, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности пылеулавливания за счет уменьшения вторичного пылеуноса, подачу напряжений разной полярности осуществляют циклами, состоящими из двух частей с различным временем переключения полярности напряжений в каждой, при этом в первой части цикла осуществляют переключение полярности напряжения за время t1, соизмеримое с временем релаксации заряда слоя, а во второй части цикла за время t2
Инжектор электронного потока
Номер патента: 1367828
Опубликовано: 20.06.2000
МПК: H01J 29/48, H05H 7/00
Метки: инжектор, потока, электронного
1. Инжектор электронного потока, содержащий ионный источник и соосно расположенные термокатод, прикатодный фокусирующий электрод, анод, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельной мощности формируемого инжектором пучка, в инжектор введен дополнительный полый прикатодный электрод, выполненный в виде щелевого экстрактора ионного источника и установленный осесимметрично по отношению к катоду, при этом расстояние от плоскости щели дополнительного прикатодного электрода до плоскости катода выбрано из соотношения dкщ/dка = 0,1 - 0,5, где dкщ - расстояние от плоскости катода до плоскости щели дополнительного прикатодного электрода; dка -...
Устройство автоматической подстройки частоты
Номер патента: 322131
Опубликовано: 20.06.2000
Автор: Меньших
МПК: H03L 7/00
Метки: автоматической, подстройки, частоты
Устройство автоматической подстройки частоты, содержащее последовательно соединенные подстраиваемый генератор с управляющим элементом, направленный ответвитель, эталонный резонатор, амплитудный детектор, фазовый детектор и генератор опорного напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности частоты, снижения статической и динамической ошибок, повышения быстродействия и расширения полос "схватывания" и "удержания", между упомянутым направленным ответвителем и эталонным резонатором включен смеситель, второй вход которого подключен к выходу генератора опорного напряжения через генератор частотно-модулированных сигналов, а между амплитудным детектором и фазовым детектором...
Способ получения полимерной диафрагмы
Номер патента: 1602082
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Банников, Воробьева, Ивантер, Мазанько, Пылаева, Чумичева
МПК: C25B 13/08
Метки: диафрагмы, полимерной
1. Способ получения полимерной диафрагмы для электролиза растворов хлоридов щелочных металлов, включающий приготовление смеси политетрафторэтилена, гидрофильного материала из соединений циркония или титана и порообразователя, вальцевание смеси в лист, термообработку его и удаление порообразователя, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрохимических характеристик диафрагмы, обеспечивающих повышение выхода по току щелочи, снижение содержания хлоратов в щелочи при электролизе растворов хлоридов щелочных металлов, а также повышение стабильности характеристик диафрагмы при восстановлении токовой нагрузки после ее отключений, в качестве соединений циркония или титана используют оксихлорид...
Способ изготовления полупроводниковой структуры
Номер патента: 385536
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Романов, Серяпин, Серяпина, Смирнов
МПК: H01L 21/26
Метки: полупроводниковой, структуры
Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефектов полупроводниковой структуры.
Устройство тревожной сигнализации
Номер патента: 1487715
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Ломакина, Хохлов, Чащин
МПК: G08B 23/00
Метки: сигнализации, тревожной
Устройство тревожной сигнализации, содержащее источник питания, к выводам которого подключен первый делитель напряжения, состоящий из трех последовательно соединенных резисторов, плюсовая шина источника питания соединена с одним выводом сигнальной цепи, один вывод эталонного резистора соединен с минусовой шиной источника питания, а другой вывод эталонного резистора соединен с эмиттером первого ключевого транзистора и с катодом первого разделительного диода, анод которого соединен с базой второго ключевого транзистора и с анодом второго разделительного диода, коллекторы первого и второго ключевых транзисторов объединены и через первый ограничительный резистор соединены с базой третьего...
Электронный инжектор
Номер патента: 1487788
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Ивкин, Малафаев, Новичков
МПК: H05H 5/00
Метки: инжектор, электронный
1. Электронный инжектор, содержащий вакуумную камеру, внутри которой на проходном изоляторе установлен многопучковый катодный узел, расположенные соосно катодному узлу анод, трубу дрейфа с выходной диафрагмой, средства для ее подсоединения к системе напуска газа, расположенную соосно с катодным узлом магнитную катушку с ферромагнитным экраном и подключенный через проходной изолятор к катодному узлу источник питания с резистовым делителем, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем увеличения плотности мощности и снижения расходимости пучка, в него введены дополнительный проходной изолятор и установленный на нем промежуточный анод, выполненный в виде двух...
Элемент памяти
Номер патента: 936727
Опубликовано: 20.06.2000
МПК: G11C 11/40
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.
Устройство для выпуска электронного пучка
Номер патента: 1190960
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Григорьев, Степанов, Федоров
МПК: H05H 7/00
Метки: выпуска, пучка, электронного
Устройство для выпуска электронного пучка преимущественно в газовый объем из вакуумной камеры с системой откачки, содержащее фольговое окно, выполненное в виде опорного фланца с прижимной рамкой, между которыми расположена фольга, а по внутреннему периметру прижимной пластинки расположена уплотнительная прокладка, и механизм перемотки фольги, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности, оно снабжено дополнительным уплотнительным элементом, расположенным по наружному периметру прижимной рамки со стороны, обращенной к опорному фланцу, имеющему отверстия и внутренний канал, и вакуумным клапаном, соединяющим газовый объем с камерой, сообщающейся через отверстия...
Высоковольтный импульсный генератор
Номер патента: 1250137
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Горячев, Жуков, Лисин, Пакин, Подоскин, Решидов
МПК: H03K 3/53
Метки: высоковольтный, генератор, импульсный
1. Высоковольтный импульсный генератор, содержащий выпрямительное зарядное устройство, цепочки переключающих элементов, соединенные с конденсаторными ступенями умножения напряжения, которые включены последовательно через управляемые разрядники, подключенные к блоку поджига через разделительные конденсаторы, отличающийся тем, что, с целью увеличения предельной энергоемкости и надежности, конденсаторные ступени умножения напряжения выполнены в виде ряда независимых ветвей, соединенных параллельно на выходе, каждая ветвь снабжена двумя цепочками переключающих элементов, установленных на каждой конденсаторной ступени и соединенных с разнополярными выводами ступени.2. Генератор по п.1,...
Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов
Номер патента: 1082252
Опубликовано: 20.06.2000
МПК: H01L 21/60
Метки: многоэлементных, полупроводниковых, приборов
Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов, включающий разделение р-n-структур большой площади пазами с двух сторон на элементы и приварку металлических выводов путем приложения давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения электрофизических параметров многоэлементных приборов, перед разделением структуры на элементы из металлической проволоки, образующей эвтектический сплав с полупроводниковым материалом, изготавливают группы контактных шин, которые прикладывают к полупроводниковым структурам и устанавливают в пакет последовательно с прижимным элементом, помещаемым в раму, выполненную из материала, отличного от...
Устройство для контроля высоковольтного тиристорного вентиля
Номер патента: 1082278
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Дуров, Лытаев, Морозов, Фомин, Январев
Метки: вентиля, высоковольтного, тиристорного
Устройство для контроля высоковольтного тиристорного вентиля, состоящего из цепи последовательно соединенных тиристоров, содержащее датчики на потенциале каждого тиристора, подключенные через световоды к блоку детекторов, преобразующему световые сигналы в электрические, селектор, блок буферной памяти, соединенный через блок элементов ИЛИ с входом кодирующего сумматора, выход которого подключен к входу счетчика и через блок выбора по большинству к первому входу блока элементов И, выход счетчика подключен к входу блока сравнения и через селектор записи к входу блока памяти, одноименные разряды регистров которого через селектор считывания соединены с вторым входом блока элементов ИЛИ и вторым...
Силовой полупроводниковый прибор
Номер патента: 1493030
Опубликовано: 20.06.2000
Автор: Бономорский
МПК: H01L 29/74
Метки: полупроводниковый, прибор, силовой
Силовой полупроводниковый прибор, состоящий из полупроводниковой структуры с двумя основными поверхностями, включающей множество секций, каждая из которых образована множеством электрически соединенных между собой сегментов, содержащих каждый область первого типа проводимости, окруженную областью второго типа проводимости, причем обе области сегмента выходят с точностью до рельефа на первую основную поверхность, и электродов, один из которых прилегает к второй основной поверхности, а остальные служат для создания электрического контакта с областями, выходящими на первую основную поверхность, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических характеристик, каждая секция...