Патенты опубликованные 15.07.1993

Номер патента: 1828567

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бондарева, Никулин, Шапошников, Шпита, Юрченко

МПК: H04M 1/57

Метки: абонента, аппарате, вызываемого, вызывающего, индикации, номера, телефонном

...по снятию телефонной трубки или нажатию кнопки индикации срабатывает ключ 1. С генератора 2 через счетчик 3, управляющий блок, ключ и линию связи 5 на АТС поступают потенциальный и тональный сигналы частотой 500 Гц, АТС выдает кодированную двухчастотным кодом информацию о номере и категории вызывающего абонента, Эта информация через ключ 1, блок АРУ 6, где усиливается и ограничивается, поступает на блок фильтров 7, который выделяет из данного кода б раздельных частот ( - ) Гц, 700 Гц, 900 Гц, 1100 Гц, 1300 Гц, 1500 Гц, 1700 Гц, которые затем. поступают через формирователь импульсов 8 на дешифратор 9, формирователь импульсов 8 преобразует выходные сигналы блока фильтров 7 в логические цифровые сигналы, обеспечивающие дальнейшую совместную...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 965266

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...устройство угловых перемещений,содержащее магнитострикционный элемент, выполненный в виде трубки, цилиндрическую обмотку и замыкающиймагнитопровод,Для обеспечения углового перемещения путем создания винтового магнитного поля в теле магнитострикционногоэлемента устройство содержит дополнительную торовую обмотку,Недостатком устройства я сясложность и нетехнологичность кон965266 Редактор Г,Берсенева Техред И,Моргентал Корректор А.КозоризР Заказ 2036 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, й, Раушская наб д. Й/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 струкции, обусловленная указаннойторовой обмоткой.1 елью изобретения...

Номер патента: 965267

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционный, перемещений, привод, угловых

...также магнитострикционный привод угловых перемещений, со- (Л держащий магнитострикционный элемент, М выполненный в виде диска, и цилиндри- (,Ь ческий сердечник с кольцевой выточкой, в которой размещена намагничивающая катушка.В известном приводе имеется дополнительная катушка возбуждения, охватывающая магнитострикционный элемент, для создания циркулярной составляющей спирального магнитного поля.Наличие этой катушки существенно усложняет конструкцию, приводит к нетехнологичности привода, в частности к затрудненной сборке и разборке.Уб 26 У Целью изобретения является упрощение конструкции и повышение ее технологичности. СоставительРедактор Г,Берсенева Техред М.Моргентал Коррект ла тиражго комитета по и35 Москва, ЖПодписноебретениям и...

Номер патента: 1163763

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Котов

МПК: H01L 21/331

Метки: мощных, свч, транзисторов

...кон11637 60 55 центрацией тока на периферии амит"терногп перехода.В данном способе устойчивость квторичному пробою зависит от велицинц общего сопротивления цели пассив-ной базы транзистора. Поскольку этосопротивление мало, ему соответствует малая максимальная мощность рассеяния, ограниченная шнурованием 10тока. Устойчивость транзистора квторичному пробою из-за отсутствияпадений напряжения на пассивной базеи на эмиттерном переходе также минимально 151 елью изобретения является улучшение электрических параметров транзисторов за счет повышения устойчивости транзистора к вторичному пробоюпри прямом смещении эмиттерного перехода.Поставленная цель достигается тем,цто в способе изготовления мощныхВЦ и СВЧ транзисторных структур,...

Номер патента: 1111651

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 11/00

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...соединять пружинный элемент с биметаллической пластиной вблизи ее свободного конца с целью создания напряжений растяжения и сжатия в слоях пластины на всей ее длине, а следовательно, с целью максимального использоаания активного материала биметаллической пластины для ростикения эййекта увеличения ее прогиба при намагничивании г Редактор Г,Берсенева техред М,Иоргентал (орректор И.шмакова аказ 283 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при П(НТ СССР113035, Иосква, Ж, Раушская наб д, /5 Производственно-издательский комбинатПатент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 микроперемещений, содержащее магнитострикционный элемент - биметаллическую пластину, выполненную из материалов с различными по знаку...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...

Номер патента: 303899

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Бучас

МПК: E04H 3/12, E04H 3/22

Метки: трибуна

...причем задняя стенка каждой последующей кабины прикреплена к козырьку предыдущей кабины, а основание последующей кабины отстоит от основания предыдущей, образуя смотровую щель.На фиг. 1 показана предлагаемая трибуна, поперечный разрез; на фиг. 2 - то же, общий вид, в аксонометрической проекции.)5 Е 04 Н 3/12, Е 04 Н 3/22 я с я тем, что, с целью уве мости, каждая ступень три перечном сечении-обр снабжена козырьком, прич каждой последующей каби к козырьку предыдущей ка ние последующей кабины вания предыдущей каб смотровую щель. Трибуна состоит из несущей части 1 со ступенчатой системой поперечных зрительных рядов 2, расположенных с уклоном в сторону просмотра. Каждая ступень трибуны имеет в поперечном сечении -образную форму и...

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 1173741

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Самусь, Шигорин, Юрна

МПК: C08L 63/02, C09D 163/02, C09D 5/08 ...

Метки: защитных, композиция, покрытий

...в соотношении 1:1;) Сиесь растворителей (нетиленхлорил, тридтортрихлорэтдн и моноэтилоеый эеир этилснгликаля е соотношении 1;1:1) Условнаявязкость по03-4, сп Раста"каемость11737) 1 Пгтатоляенме таСлмцы Стойкость покрытий в агрессивных срелахпри 240 С (сутки ро начала разрушения) Примечание Примеры композиции (мас Ьь) 1 ОЬ-мыйраствор НС 1 3 Ь-мый раствор ИаС 1 10 Ь-ныйраствор ВаОН Пример 1 Эпоксипмая смоля ЭЧ Сланцевое наело 33,0 13,7 Т(лс ИЛИ СУРИК КЕЛЕЗный 16,0э,э1,7 более 120 Покрытие пплумятовое, ровное безпотеков и пругнхлефектпв ТалькЯэрпсил более 120 более 120 26,25,4 Полиэтиленполиямин илн аминспенольный отеерлнтель Рфбьэ Пример 2 Э 4,5 15,9 Эпоксилная смола ЭЧ Сланцевое масло Т(пт или сурик хелеэный Покрытие полуматп апе,...

Номер патента: 1119393

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ахундов, Гусейнов, Кулиев, Султанов

МПК: F24F 1/02

Метки: кондиционер

...а основная размещена в дру и обе решетки кинематическ ны между собой. етка, вози возлу".решетку,тем, что,ности исощности иВозможноснтилятораегорорка,ека каасположеная решетка,гом канале,и соединеПоставленная цель ростигается что в отсеке на выходе вентилятора установлена продольная перегородка, со стенками отсека каналы, в одном из которых расположена дополнительная регулирующая решетка, а основная размещена в другом канале, и обе .решетки кинематически соеринены менщу собой.На чертеже приведена одна из возможных конструкций кондиционера в поперечном разрезе.Кондиционер сорержит воздухоохладительный отсек 1, в котором последовательно по ходу воздуха размещены воздухозаборная решетка 2, воздухоохладитель 3, вентилятор 4, и...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Номер патента: 1070804

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Петрушин, Руденко, Тимченко, Токарев, Тришечкин, Шер

МПК: B21J 5/00, B23Q 41/00

Метки: автоматическая, линия, объемной, штамповки

...цилиндра 5 выступы 10 и 11 планки 9 то поднимаются, то опускаются.При этом изделие то получает возможность поступать на обрубку, то удерживается на транспортере,Яа транспортером 4 размещен лоток12, установленный с ним соосно, покоторому изделие скатывается с помощью специально на нем установленных направляющих 13 на обрезной штамп14 строго по оси лотка 12, Для удержания изделия на плите штампа при еедвижении с лотка над ним установленоустройство, содержащее ось 15, планку 16 с балансиром 17, удерживающееизделие на плите штампа в определенном месте,,Посылка изделия в ручей обрезногоштампа 14 производится с помощью устройства, установленного под лотком,соосно с ним содержащего силовой цилиндр 18, на штоке 19 которого смонтирована вилка...

Номер патента: 1124821

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Затолокин, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...расположенных по направлениямлегкого намагничивания слоев биметал" 25лической пластины, а обмотка намагничивания выполнена из двух электрически несвязанных частей, ка нрая изкоторых размещена на одной из полоскожуха, при этом биметаллическая 3пластина одним из углов скреплена скожухом, а к противоположному углуподсоединен перемещаемый объект,Выполнение слоев биметаллическойпластины из одного магнитострикцион"ного материала, но со взаимно перпендикулярной текстуровкой исключаетвозникновение ложного перемещенияпри изменении температуры, что иобеспечивает достижение поставленной 40цели,На Фиг 1 схематически изображеноустройство микроперемещений, наФиг,2 - сечение устройства по А-А;на Фиг. 3 - устройство со снятой би...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...

Номер патента: 845678

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Аноприенко, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: транзисторов

...слой бтолщиной 0,4 мкм, Далее фотогравировкойв маскирующем слое б вскрывают окно 7через которое формируют и -область подла 0гированной пассивной базы 8 с целью сжения последовательного сопротивле:имежду эмиттерным и базовым котактомДиффузию осуществляют из греххлористоО Фостора РС 1, в две стадии, загон куфооа ведут при температуре 9800 Гизкотемпературная разгон ка ,Т,":сухОЙ и уэлд)кненной вОдяными парами среде со следующими дйффузионьк 1 и параметрами: Й. 15 омlг и Х=2 м,.толщиной окисла 9- 0,35 мкм. Далее в "зокисла б с помощью фотогравировки вскрывают окно 10. через которое диффузией бора и формируют эмиттернуО Обэсть 11.45Диффузию осуществляют из борного ангидрида В 20 з в две стадии, Первая стадия - загонка проводится при...

Номер патента: 1542337

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алексенко, Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/441

Метки: полупроводниковых, структур

...размеры и плотность бугорков9, на Фиг, 3 - указаннал структурапосле стравливанил (планаризации)бугорков, на Фиг. 4 - структура- . 25Фиг, 3 после окисления алюминиевойразводки 6 в порах 8 диэлектрическогопокрытия (9 " окись алюминия),П р и и е р конкретного осуществления способа. 30На полупроводниковую подложку сосформированными элементами структур1-11 вакуумным осанденем на установке УВН-П 2 наносят алюминийтолщиной 12 икм. Затем Формируют металлизированную разводку 6 полупроводниковых структур, наносят диэлектрическое покрьтие 7 например двуокиськремния, толщиной 0,2. мкм методомокисления ионосилана в кислороде при 4050 С. Перед нанесением диэлектрикавозможна пассивацил поверхности ме.тагла, например,...

Номер патента: 1028230

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Пьянков, Шерешков, Шмырев

МПК: H05B 3/52

Метки: заполнения, наполнителем, трубчатого, электронагревателя

...сус 1 г:овленным в зазоре между оболочкорезистивным элементом направляюще 1, снабженной приводом переме"щения и Фиксатор для закрепления оболочки и оковыводяцего стержня установленный ча одном конце электронагревателяаправляющая выполненав виде поло о шнека, заглубленногоодним концом внутрь бункера и установленного перпендикулярно к еговходному и соосно с его выходным от"верстием, к которому прикреплен штуцер для присоединения к оболочке ТЗН,и устройство снабн ено узлом взаимного горизонтального перемещения направляющей и Фиксатора, выполненногов виде передвижной платФормы с механизмом регулируемого нагружения,Подвижная платФорма в зависимостиот размеров ТЭН может быть соединеналибо с Фиксатором, либо с приводомперемещения полого...