Родин

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 1701064

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Родин, Базыленко, Василевич

МПК: H01L 21/302

Метки: создания, микрорисунка, поверхности, кремния

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла

Загрузка...

Номер патента: 1697563

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Родин, Турцевич, Базыленко, Баянов

МПК: H01L 21/306

Метки: полицидом, металла, микрорисунка, тугоплавкого, многослойной, структуре

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...

Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Сухопаров, Дулинец, Красницкий, Турцевич, Родин

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, микросхем, межсоединений

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...

Межсоединение для сверхбольших интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1730989

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Турцевич, Лесникова, Демьянович

МПК: H01L 23/46

Метки: схем, интегральных, межсоединение, сверхбольших

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Баянов, Базыленко, Родин, Буляк, Турцевич

МПК: H01L 21/312

Метки: алюминия, сплавов, микрорисунка, межслойного, слое, микрорельефе, диэлектрика, создания

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Ранцевая система скафандра для работы в открытом космосе

Номер патента: 1781977

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Чистяков, Кудрявцев, Шарипов, Емельянов, Абрамов, Ошеров, Родин

МПК: B64G 1/60, B64G 6/00

Метки: открытом, космосе, работы, скафандра, ранцевая

Ранцевая система скафандра для работы в открытом космосе, содержащая герметичный блок, электрофал связи с бортовыми системами космического корабля, агрегаты электрорадиооборудования и источник электропитания для автономной работы в космосе, отличающаяся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных и массогабаритных характеристик и повышения надежности системы путем использования электрофала при работе в непосредственной близости от выходного люка космического объекта и обеспечения работы на удалении от объекта без электрофала, она снабжена установленным под герметичным блоком и соединенным с ним посредством быстро-разъемного соединения негерметичным блоком, в полости которого размещены...

Способ подготовки заготовки к прошивке

Номер патента: 1350903

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Сычев, Финагин, Терентьев, Подкустов, Потапов, Рябов, Пашков, Родин

МПК: B21B 19/04

Метки: заготовки, подготовки, прошивке

Способ подготовки заготовки к прошивке, включающий нагрев сплошной заготовки под прошивку, нанесение зацентровочного углубления на торец заготовки и ее безоправочную винтовую прокатку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества проката, нанесение зацентровочного углубления производят до безоправочной винтовой прокатки.

Состав для вытеснения нефти из пласта

Номер патента: 1405383

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Матыцина, Родин, Жданова, Пушина, Каримов, Корпачева, Юлбарисов

МПК: E21B 43/22

Метки: нефти, вытеснения, пласта, состав

Состав для вытеснения нефти из пласта, содержащий биологически активный субстрат биохимического комбината по производству белково-витаминных концентратов и добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения нефтевытесняющих свойств состава, в качестве добавки он содержит пектофоетидин ГЗХ при следующем соотношении компонентов, мас.%:Биологически активный субстрат биохимического комбината по производству белково-витаминных концентратов - 92,00 - 99,95Пектофоетидин ГЗХ - 0,05 - 8,00

Способ приготовления катализатора для гидрообработки нефтяных фракций

Номер патента: 1750091

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Родин, Старцев

МПК: B01J 23/85, B01J 37/02

Метки: фракций, гидрообработки, нефтяных, катализатора, приготовления

Способ приготовления катализатора для гидрообработки нефтяных фракций, включающий пропитку носителя - окиси алюминия водными растворами соединения вольфрама и нитрата никеля и сушку катализатора, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенной активностью, в качестве соединения вольфрама используют оксалат вольфрама (5+), и перед пропиткой раствором нитрата никеля вольфрамсодержащий носитель дополнительно обрабатывают водным раствором аммиака.

Жидкость для датчика отвесной линии

Номер патента: 1123289

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Сорокина, Иозеф, Фищенко, Родин, Астрединов, Королев

МПК: C09K 3/00, G01C 9/18

Метки: линии, жидкость, отвесной, датчика

Жидкость для датчика отвесной линии на основе диметилформамида и неорганического хлорсодержащего соединения, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности величины удельной электропроводности жидкости за счет уменьшения ее агрессивности в отношении коррозии конструкционных материалов и повышения срока службы датчика, в качестве неорганического хлорсодержащего соединения она содержит хлорнокислый аммоний при следующем соотношении компонентов, моль/л:Хлорнокислый аммоний - 5,2 10-7 - 1.4 10-1Диметилформамид - Остальное

Жидкость для датчика отвесной линии

Номер патента: 925091

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Иозеф, Родин, Астрединов, Красивичев, Сорокина

МПК: C09K 3/00

Метки: отвесной, жидкость, датчика, линии

Жидкость для датчика отвесной линии на основе хлористого лития и растворителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности величины удельной электропроводности раствора за счет уменьшения его агрессивности в отношении коррозии конструкционных материалов и повышения срока службы датчика, в качестве растворителя она содержит диметилформамид при следующих соотношениях компонентов, м/л:Хлористый литий - 1 10-12 - 1.4 10-1Диметилформамид - Остальное

Способ изготовления лент для лезвий безопасных бритв и устройство для его осуществления

Номер патента: 1238313

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Жучин, Полухин, Воронцов, Сорокин, Ващенко, Сухачев, Пименов, Родин

МПК: B21B 3/00

Метки: безопасных, лезвий, бритв, лент

1. Способ изготовления лент для лезвий безопасных бритв, включающий прокатку полосы, продольную резку на ленты и перфорацию отверстий по осевой линии ленты, отличающийся тем, что, с целью повышения качества ленты путем устранения продольной коробоватости за счет снижения остаточных напряжений в перемычках между перфорированными отверстиями, в процессе прокатки по ширине полосы создают неравномерность деформации, причем разность обжатия составляет 0,1 - 1,2%.2. Устройство для изготовления лент для лезвий безопасных бритв, представляющее собой прокатный валок с выпуклой образующей бочки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества ленты путем устранения продольной коробоватости,...

Межэлементные соединения

Загрузка...

Номер патента: 1825236

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Родин, Турцевич, Довнар, Козачонок, Малышев

МПК: H01L 21/28

Метки: соединения, межэлементные

...до более 0,15 мкм нецелесообразно, т, к. не приведет к дальнейшему снижению бугорков на поверхности нижележащего рисунка при увеличении удельного сопротивления нижнего уровня межэлементных соединений.Кроме того, верхний предел по толщине пленки для обоих классов материалов обусловлен увеличением коэффициента отражения для света с длинами волн А) - 574 нм (режим совмещения) 12 = 436 нм (режим экспонирования) и ухудшением вследствие этого антиотражающих свойств пленки.Конструкция межэлементных соединений поясняется чертежом, где 1 - полупроводниковая подложка с активными элементами; 2 - диэлектрический слой с созданными в нем контактными окнами; 3 - контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в полупроводниковой подложке; 4 -...

Способ изготовления обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Турцевич, Родин, Смаль, Довнар, Красницкий, Наливайко

МПК: H01L 21/82

Метки: памяти, элемента, конденсатора, схем, накопительного, обкладки, интегральных

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Родин, Турцевич, Наливайко, Красницкий, Баянов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, конденсатора, поликристаллического, обкладки

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Способ сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Родин, Базыленко, Гулевич, Державская

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, слоев, травления, структур, полупроводниковых, сухого

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Плазмообразующая смесь для плазмохимической обработки разводки алюминия и его сплавов при изготовлении сбис

Загрузка...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Цыбулько, Турцевич, Сасновский, Родин

МПК: H01L 21/28

Метки: плазмохимической, сплавов, сбис, смесь, плазмообразующая, разводки, изготовлении, алюминия

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Устройство для очистки длинномерных цилиндрических изделий от окалины

Загрузка...

Номер патента: 1800705

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Касаткин, Максютов, Гарбер, Каргачев, Кузнецов, Родин

МПК: B21B 45/04, B21C 43/04

Метки: окалины, цилиндрических, длинномерных

...шнека 7 по подаче порошка в камеру 1 облегчаются. Затраты мощности привода шнека 7 на трение уменьшаются, а полезная мощность, расходуемая на уплотнение порошка 2 в камере, растет, Это улучшает качество очистки изделия 4,Наилучшим образом цель изобретения достигается в том случае, если длина выступающего в переходную камеру участка шнека выбирается из соотношения,1 = Б + Ь (1)где Б - шаг винтового ребра шнека;Ь - толщина винтового ребра шнека.Действительно, в этом случае на выступающем участке шнека располагается целый виток винтового ребра, в каждый момент обеспечивает силовое воздействие на порошок со стороны шнека в переходной камере одновременно по полной окружности (на угле 2 й), т,е, создает наилучшие условия для...

Материал контактно-барьерного подслоя для межэлементных соединений

Загрузка...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Калошкин, Довнар, Дулинец, Семенов, Красницкий, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: соединений, подслоя, материал, контактно-барьерного, межэлементных

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Способ получения метанола

Загрузка...

Номер патента: 1817446

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Криштопа, Пантазьев, Родин, Барков, Бондарь, Калякин, Ищенко, Лисица

МПК: C07C 31/04

Метки: метанола

...массы и выгружают. Массу сушат, таблетируют и дробят. Дальнейшиеоперации проводят, как в примере 1,П р и м е р 6, Перед проведением про 5 цесса синтеза метанола готовят катализатор, для чего смешивают 53,8 г хромового ангидрида с 86,2 г оксида цинка. Массу загружают в смеситель при включенном перемешивающем устройстве. Приливают 49 мл дистиллированной воды, перемешивают 30 мин и вносят 60 г катализатора СНМ, обработанного под давлением 5,0 УПа (соотношение А:В=-ЗО:70), перемешивают 1 ч до получения однородной сыпучей массы и выгружают, Катализаторную массу сушат, таблетируют и дробят, Дальнейшие операции проводят, как в примере 1,П р и м е р 7 (сравнительный), Перед проведением процесса синтеза метанола готовят катализатор, для чего...

Способ получения антикокцидийного препарата на основе омомицина

Номер патента: 1684982

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Иваницкая, Воробьева, Навашин, Ковалев, Котуранов, Дробышева, Иванова, Сингал, Сазонова, Кудинова, Муренец, Родин, Виолин, Коробкова

МПК: A61K 31/71, A61K 35/66

Метки: основе, препарата, омомицина, антикокцидийного

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИКОКЦИДИЙНОГО ПРЕПАРАТА НА ОСНОВЕ ОМОМИЦИНА путем культивирования Streptomyces chromopurpureus subsp.chiketamanus subsp.nov. на жидких питательных средах, отделения и высушивания мицелия и экстракции из него растворителем целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения качества препарата, в качестве растворителя для экстракции используют смесь петролейного эфира с хлороформом в соотношении 3 4 1, а после экстракции целевого продукта из мицелия проводят его хроматографическую очистку на кремниевой кислоте, концентрирование элюатов, обработку их водным раствором 1 н. NOH и высушивание.

Способ приготовления катализатора для синтеза метанола

Номер патента: 1750094

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Родин, Овсиенко, Рыжак, Калякин

МПК: B01J 23/80, B01J 37/03

Метки: приготовления, метанола, синтеза, катализатора

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРА ДЛЯ СИНТЕЗА МЕТАНОЛА путем последовательного осаждения алюминийсодержащего стабилизирующего наполнителя и активной медьцинксодержащей композиции в присутствии данного наполнителя из соответствующих азотнокислых растворов добавлением карбоната натрия с последующим отделением образовавшейся катализаторной массы, ее сушкой, прокаливанием и формованием, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенными активностью и стабильностью, осаждение алюминийсодержащего наполнителя ведут из азотнокислых растворов цинка и алюминия и осаждением медьцинксодержащей композиции - из азотнокислого раствора меди и цинка, включающего азотнокислый алюминий.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Устройство для дифференциально-термического анализа

Номер патента: 1450589

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Луконин, Баишев, Мамедов, Кашкай, Родин

МПК: G01N 25/02

Метки: анализа, дифференциально-термического

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНО-ТЕРМИЧЕСКОГО АНАЛИЗА, содержащее печь с реакционной камерой, измерители температуры пробы и температуры среды внутри печи и канал для подачи потока газа в реакционную камеру, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и производительности анализа путем создания безградиентного температурного поля вокруг микрочастиц пробы, оно дополнительно содержит последовательно соединенные с каналом для подачи потока газа, расположенные по ходу перемещения потока газа до входа в печь распылитель микрочастиц пробы в потоке газа, сепаратор микрочастиц пробы, ионизатор микрочастиц пробы, а внутри печи поперек реакционной камеры установлен теплопроводный экран, контактирующий с измерителем температуры пробы.2....

Способ изготовления многослойных пьезокерамических элементов

Номер патента: 1688754

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Татаренко, Новиков, Петрухина, Прохоров, Губайдулина, Раевский, Родин

МПК: H01L 41/24

Метки: многослойных, элементов, пьезокерамических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ системы цирконата-титаната свинца, включающий сборку из чередующихся слоев пьезокерамического и электропроводного материала и обжиг, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения технологии, электропроводные слои выполняют из оксида кадмия, а обжиг проводят при температурах 930-1010oС в течение 0,5-1,5 ч.

Устройство для установки упругих колец в наружные канавки деталей

Номер патента: 1598365

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Родин, Граф, Жиляев, Бергман, Бондарцев, Добрынин

МПК: B23P 19/08

Метки: канавки, наружные, упругих, установки, колец

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ УПРУГИХ КОЛЕЦ В НАРУЖНЫЕ КАНАВКИ ДЕТАЛЕЙ, содержащее размещенные на основании питатель, колонну со сборочной головкой и приводы вертикального перемещения и поворота колонны, а также упор, при этом сборочная головка выполнена в виде коаксиально расположенных разжимного конуса, цангового захвата и толкателя, закрепленного на колонне, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, устройство снабжено дополнительными упорами и дополнительной колонной с диском, кинематически связанной с приводом поворота основной колонны, при этом дополнительные упоры закреплены на диске и имеют возможность поочередного взаимодействия с основной колонной, кроме того, привод вертикального перемещения колонны...

Автомат для запрессовки трубок в каркас теплообменника

Номер патента: 1401780

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бондарцев, Жиляев, Родин, Граф, Добрынин, Бергман

МПК: B23P 19/02, B23P 15/26

Метки: теплообменника, каркас, автомат, трубок, запрессовки

1. АВТОМАТ ДЛЯ ЗАПРЕССОВКИ ТРУБОК В КАРКАС ТЕПЛООБМЕННИКА, содержащий смонтированные на станине бункер с подающим шибером, горизонтальные направляющие, механизм крепления и перемещения каркаса в виде подвижной головки, стол, установленный с возможностью перемещения в направляющих станины, смонтированный на столе механизм поджатия и центрирования трубок, выполненный в виде оправки с центрирующим конусом, привода в виде силового цилиндра и толкателя с центрирующим конусом, установленного соосно оправке, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем обеспечения постоянства ориентирования трубок относительно отверстий каркаса в процессе запрессовки, направляющие станины установлены параллельно оси запрессовки, подвижная головка...

Дисковый инструмент

Загрузка...

Номер патента: 1839658

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Колин, Родин

МПК: B28D 1/04

Метки: дисковый, инструмент

...элементы 3. Нэ выступах 2 расположены вставки 4 в тела корпуса, для уста новки которых в задней части кэждого выступа производят, например, эрозионным способом выборки нэ 1)3 - 1/2 толщины корпуса; Образованные выемки покрывают клеем. Поверх выемокуклэдывэ ют вставки 4. Форма вставок образуется кривой, соединяющей периферийную часть выступа 2 с его задним основанием. Периферийная часть выступа, выполненная с вставкой, т.е, слоистая, составляет 2/3-1/2 25 длины выступа,Дисковый инструмент работает следующим образом. Формула изобретенияДИСКОВЫЙ ИНСТРУМЕНТ, содержа-щий корпус с вставками и выступами нэ 3периферии, на которых установлены режу-.щие элементы, отличающийся тем, что, сцелью снижения трещинообразования у. оснОваний выступов,...

Установка для обезжиривания и подогрева скрапа перед плавкой

Загрузка...

Номер патента: 2003707

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Родин, Горелов, Михалев, Грачев, Мальченков

МПК: F23H 1/00, C22B 1/248

Метки: скрапа, обезжиривания, подогрева, плавкой

...аг- "0 неупорным кирпичом 3 (высокоглинсземистые огнеупорные блоки размером 150 х 200 х 500 мм), Сбоку установки выполнена топка 4, о которую введены две двухпроводные газовые горелки 5, Над топкой 15 установлен колосник б из литой жаропрочцой стали, на который с помощью магнитной шайбы загружается крупногабаритная шихта 7 для обезжиривания и подогрева или устанавливаются короба - корзины с мелко кусковой шихтой. Для отвода продуктов сгорания над установкой (бункером) смонтироан вытяжной зонд 8, через который отходящие газы поступают в систему очистки или используются, например. для подогрева воздуха, воды и т.п.Выполнение днища емкости в ниде колосника позволяет вести процесс тепловой обработки шихты с высоким тепловым КПД, дает...

Линия производства жира

Загрузка...

Номер патента: 2003661

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Белухин, Родин, Сницар

МПК: C11B 1/12, C11B 1/16

Метки: производства, линия, жира

...объединенные электродвигатель 57 и двухступенчатый планетарный зубчатый редуктор 58. Первая ступень редуктора 58 состоит иэ первого центрального подвижного зубчатого колеса 59, первых са 50 теллитов 60, первого неподвижного зубчатого колеса 61 и первого водила 62. Соответственно вторая ступень редуктора 58 состоит из второго центрального подвижного зубчатого колеса 63, вторых сателлитов 64, второго неподвижного зубчатого колеса 65 и второго водила 66. Число сателлитов 60 и 64 в каждой ступени редуктора 58 равно трем (на фиг.7 в каждой ступени редуктора показано по одному сателлиту). Сателлиты в вой стрелки со стороны загрузки продукта).Корпус 42 с рубашкой и полый вал 46 обог-,каждой ступени расположены друг относительно друга под...

Устройство для шелушения зерна

Загрузка...

Номер патента: 1837966

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Сергеев, Родин, Аристов, Зяблин

МПК: B02B 3/04

Метки: зерна, шелушения

...зазора между в себя фиг. 2) плаваюической поверхностью, пусе 1 с возможностью еского движения. В сеется резьбовое отверчен резьбовой вал 10 с зьбой и штурвалом 11, ыполнена сферическая ленная без зазоров в 6 подшипника 14, Устодинаковых механизма а, так как валец 4 устаМеханизм регулвальцами включаетщую шайбу 9 со сферустановленную в корсовершения сферичредине шайбы иместие, в которое вкрусамотормозящей реНа конце вала 10 вголовка 12, установполости 13 корпусаройство имеет дварегулирования зазорновлен в двух подшипниках (на фиг. 2 второй механизм не показан),Устройство работает следующим образом,Обрабатываемый материал из эагрузочного бункера 2 поступает в зазор междувальцами 3 и 4, которые вращаются от привода навстречу друг...