Лаврищев

Номер патента: 572427

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Антипин, Зеленцов, Лаврищев, Ратов, Телешов

МПК: C01B 25/12, C01G 23/00, C07C 17/093 ...

Метки: окислов, совместных, титана, фосфора

...холодильником, соединенным со змеевиковой ловушкой,помещенной в охлаждаемый сосуд Дьюара,загружают 180 г четыреххлористого титана ипри перемешивании по каплям добавляют337 г трибутилфосфата. Компоненты реагируют с саморазогревом, смесь охлаждают доб 0 С, 11 ри этом в газовую фазу выделяетсяхлористый бутил, Температуру смеси поднимают до 180"С и выдерживают 2,5 ч. Хлористый бутил конденсируют в змеевиковой ловушке и очищают перегонкой от бутенаЗО (101,5 г) и хлористого водорода. Выход хло.572427 Составитель Й. Кириленкоедактор Т, Девятко Техред И, Михайлова Корректор И. Позняковск аказ 2223/8 Изд.742 НПО Государственного ком по делам изоб 113035, Москва, ЖТираж 671тета Совета Министров СССетений и открытий5, Раушская наб д. 4/5...

Номер патента: 570007

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Боков, Корсаков, Лаврищев, Максимова, Наумова, Новожилов, Швед, Юрина

МПК: G03G 5/00

Метки: резиста, состав

...на хромированщде сгеклянные подложки 45(толщина хрома 0,2 мкм), Подложки сушато30 мин при 90 С и слой элекгронорезйсга толщиной 0,4 мкм экспонируют по заданной, программе электронным пучком;(ускоряющее напряж 2 ение 20 кВ, плотность заряда 50-68 10 Кп/см ). После проявления в течение 3 мин в смеси голуол-иэопропиловыйспирт 10:1,подложки сушат 30 мин при10(С и травят через образовавшуюся мяску хромовый слой в щелочном гравигеле, 55содержащем красную кровяную соль. Элементы с размерами 0,5 мкм воспроизводятся при хорошей четкости край.Л р и м е р 2, Из 14%-ного раствораполициклогексадиена (мол, в, 3,5 гыс) 60 в смеси голуол-ксплол 1:.1, стабилизирован ного 1% сянгонокса, на хромированных подложках методом, описанным в примере 1...

Номер патента: 567565

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Воропай, Ковалинский, Лаврищев, Лебедев, Легостаев, Мещеряк, Патон, Пентегов, Растегаев, Стемковский, Шейковский

МПК: B23K 9/10

Метки: дуговой, плавящимся, сварки, электродом

...Воропай, В, Я. ЛаврищевВ, В. Растегаев аботает устройство следующим обр зом,При возбуждении электрической дуги в моменты времени, предшествующие отрыву капли или короткому замыканию, возникают скачкообразные изменения напряжения дуги, которые преобразуются блоком управления в управляющие импульсы, включающие диагонально расположенные тиристоры 5 и 7 с определенной временной задержкой. Через регулируемое сопротивление 4, конденсатор 9 и указанные тиристоры ответвляется импульс тока, благодаря чему амплитуда тока в сварочной цепи снижается. При повторном поступлении импульсов с блока управления включаются тиристоры 6 и 8, и процесс повторяется. Возможная частота повторения циклов перезарядки конденсатора 9 может быть выбрана...

Номер патента: 564328

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Алехин, Лаврищев, Сорокин

МПК: C09K 13/00

Метки: металлов, раствор, травления, электрохимического

...качествотравления; в растворах хлористого литияостаются нестравленные точечные участки,которые приходится дотравливать химически.Этот факт можно объяснить эффектомН. А, Изгарышева, который заключаетсяв изменении скорости электродной реакциипод действием добавок простейших ионов.А это, в свою очередь, объясняется тем,что добавки посторонних ионов могут адсорбироваться ца поверхности электрода,изменяя градиент потенциала в двойномэлектрическом слое. Еще большее значение,как известно, имеют явления десольватации. Вполне понятно, что ионы К+Ца и И, отличаясь своими размерами,4значительно отличаются способностью адсорбироваться, а также оказывать поляризующее действие ца ационы, в частностица ион хлора, Последний факт как раз иприводит к...

Номер патента: 539284

Опубликовано: 15.12.1976

Автор: Лаврищев

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционный, фильтр

...показателя окислов.1 О На чертеже представлена схема предложенного интерференцнонного фильтра.Интер фсренцнонный фильтр содержит оптическуо подложку 1, прозрачную в заданной области спектра, на которую нанесено покры тне в виде многослойных зеркал 2 и 3, разделенных промежуточным слоем 4. Многослойное зеркало 2 выполнено из чередующихся слоев 5 и 6 окислов с высоким пн и низким и показателями преломления, например, из 20окислов тантала и кремния, причем толщина слоев равна 1/4 Х. Зеркало 3 содержит чередующиеся слои диэлектрика 7 и 8 толщиной 1/4 Х с высоким и", и низким а" показа телями прело.,;лсння соответственно мер, нз сернистого цинка н крполита .ого магния). Промежуточный слойтолщину, кратную 1/2 Р,. При этом ЗО точный слой 4 и...

Номер патента: 531833

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Базыльчик, Голикова, Гусаков, Зернова, Лаврищев, Шавырин, Шварцбурд, Эрман

МПК: C09D 3/16

Метки: лакокрасочный, состав

...ведут до полного ра.60 творения этих компонентов, Затем в аппарат загру. ртовлаги 25 - 35%, В качестве ненасыщенной поли. эфирной смолы используют продукт взаимодействия а - Р -непредельных многоосновных кислот(фумаровой, малеиновой и лр.), многоатомных спиртов со смесью алифатических и моноцикличес. ких терпенов состава СН,(далее, смесь - "катализат")1 Катализат является продуктом каталитического парофазного превращения ливена (карена) и пинен - (карен) . содержащих фракций ,различных видов скипидара при температуре 170-300 С, преимущественно при 190 - 250 С под действием диамитовой земли. Катализах представВ качестве алкидных смол используют высыхающие алкидные смолы, модифицированные маслами или синтетическими жирными...

Номер патента: 527265

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Воропай, Дейнеко, Дудко, Лаврищев, Лебедев, Мещеряк, Патон, Пентегов, Растегаев

МПК: B23K 9/16

Метки: дуговой, сварки

...мычки между каплей и ванной в модуги на не успевшую погрузиться вжидкого металла (см,фиг, 1, кадр, ческая обработка эксперименталь527265 Ц 1 ИИПИ Заказ 587/16Тираж 1178 Подписное Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ных данных по разбрызгиванию электродного металла показала, что более 90% потерь металлапроисходит по указанным выше причинам. По отно.шению к весу расплавленной электродной проволоки это составляет не менее 10 %.Цель изобретения - уменьшение разбрызгива.ния металла, повышение качества и производительности сварки. Это достигается тем, что после отрыва капли от электрода уменьшение сварочного токапроизводят на время, равное времени естественюгопогружения капли в сварочную ванну.На фиг. 1 показана кинограмма...

Номер патента: 441002

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Боков, Гликман, Горон, Гуржеев, Захаров, Корсаков, Лаврищев, Матвиенко, Семенов

МПК: G03F 7/12

Метки: фотошаблонов, цветных

...1 чем окрашенного поверх, уностпого слоя. Лапример, буферный раствор Иплавиковой кислоты (32 об.ч, насыщенногоМНГ и 6 об. ч. НГ ) обеспечивает указанное соотношение скоростей,Процесс получения изображения на поВерхности окрашенного стекла состоит в ЗОИанесе ии извест,ым способом позитивногоили негативного фотореэистов, фотопечати,проявления и сушки, Изображение фоторезис;та переносят па Окрашенный слой путемтравления участкст стекла, не закрытыхЯфоторезистом. При травлении в буферномфтористоводородном травителе скорость.гравлещя окрашенного слоч в 4 раза меньше травления чистого стекла. ри атом соотношение скоростей при травлении на глуби-,окрашенного слоя 0,3-0,35, боковаятенка окрашенного рисунка имеет вертиальное положение, что и...

Номер патента: 484816

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Боков, Гаденко, Гуржеев, Захаров, Иванов, Кандыба, Колесников, Корсаков, Лаврищев

МПК: H05K 3/06

Метки: фотошаблонов, цветных

...Корректоры: О. Тюрина и Т. Добровольская Редактор С. Хейфиц Изд.30 Тираж 1029 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Заказ 82/3 Типография, пр. Сапунова, 2 чтобы перенести изображение эмульсионной маски на фоторезист. Последний проявляют в 2%-ном растворе тринатрийфосфата в течение 20 с при комнатной температуре. Участки фоторезиста, подверженные облучению, при проявлении удаляются. Фоторезист промывают водой и сушат ступенчато - сначала при 90 С в течение 15 мин, затем при 110 С в течение 20 - 25 мин.Подложку с изображением фотошаблона из фоторезиста помещают в катодную установку на водоохлаждаемый высокочастотный электрод. Из-под...

Номер патента: 512447

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Гендин, Дюбайло, Лаврищев

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционных, фильтров

...устройство 11 фотометра, кассету12, контрольные узкополосные фильтры 13 и14, фотоприемник 15, ввод 16 вращения в вакуум, испаряемое вещество 17 с высоким показателем преломления, шестерни 18 и 19,лампы 20 накаливания, неподвижные шестерни 21 и 22 и фиксатор 23,10 Работает устройство следующим образом,После зарядки подложек 1 и 2 в подложкодержатели 3 и шестерни 4, а испаряемых веществ в испаритель 9 вакуумная камера, вкоторой находится устройство, откачивается15 вакуумными насосами до давления 10 -ммрт. ст. Приемное устройство фотометра устанавливается в положение, при котором контролируется толщина пленок, наносимых наподложки 1, а экранирующие лепестки 7 от.20 водятся внутрь, открывая эти подложки. Далеевключается двигатель,...

Номер патента: 459802

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Лаврищев, Полторацкий, Поспелов, Трутнев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/42

Метки: запоминающий, элемент

...Если к структуре, представленной на чертеже, приложить переменное напряжение, то оно распределится обратно пропорционально емкостям участков слоев 3 и 2. В тех местах, где емкость слоя 2 больше (информация записана), напряжение на слое электролюминофора больше и может наблюдаться электролюминесцепция,Таким образом, вся записанная информ ция одновременно воспроизводится в виде св товой картины.Для нормального функцион элемента необходимо, чтобы емк в с записанной информацией отл 5 - 10 раз от емкости соседних у записи. При этом необходимо, сти слоев 2 и 3 были одного пор ий контраст изображения обеспе агодаря большой крутизне вольт-яркостных характеристик электролюминофоров - Уф, где а изменяется от 3 до 30 для разных материалов.,Эти...

Номер патента: 457197

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Голото, Лаврищев, Перемыщев

МПК: H05K 13/06

Метки: изделиях, термообработки, фоторезиста

...издели рован конден Изобретение относится к области радиоэлектроники и приборостроения.Известны устройства для термообработкифоторезиста на изделиях, содержащие камеруобработки с нагревателем, охлаждаемые камеры загрузки и выгрузки изделий и механизмтранспортировки изделий,Недостатком известных устройств являетсянизкое качество обработки фоторезиста.С целью повышения качества термообработки фоторезиста в предлагаемом устройстве камера обработки выполнена в виде ванны, заполненной жидкостью, препятствующей уда.лению растворителей из фоторезиста, и расположенной над ней крышки, делящей ванну на 15зоны нагрева и охлаждения изделий, причем взоне нагрева смонтирован конденсатор паровжидкости.На чертеже дано предлагаемое...

Номер патента: 452567

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Андреева, Борисова, Брусиловский, Васильев, Гургенидзе, Лаврищев

МПК: C08G 17/10

Метки: алкидных, смол

...и м е р 2. В условиях примера 12568 г (0,45 моль) 0 -олефина фракцииС -С и 32,8 г (0,22 моль) фталевогоангидрида обрабатывают 45 г (0,4 моль)30%-ной перекиси водорода при интенсив-30ном перемешивании (мольное соотношение1,0: 0,5; 0,9), Образуется практическиоднородная реакционная смесь,После выдерживания реакционной смесив течение 3 час при С ее обрабатывают 13 г (0,14 моль) глицерина и2,7 г (0,03 моль) малеинового ангидрида и выдерживают до получения кислотного числа 10 мг КОН/г. Цвет 60%-ногораствора полученной смолы в ксилоле по 40йодометрической шкале 90.П р и м е р 3. В условиях примера 168 г (0,45 моль) (К -олефина фракцииС -С и 39 г (0,27 моль) фталевого45:ангидрида обрабатывают 63 г (0,55 моль)30% ной перекиси водорода...

Номер патента: 351874

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гоочая, Лаврищев, Роговик, Тихонов

МПК: C09B 57/12

Метки: 351874

...10 час при размешиванни. После охлаждения осадок отфильтровывают, кипятят 2 час с 300 лл 10%-ного раствора соляной кислоты, фильтруют, промывают водойи сушат. Получают 7,2 г ацефталоперинона в1 виде коричневых игл, т. пл. 290 С (хлорбензол). Выход 91,3%.Найдено, %: Х 9,10; 9,14.С 201110 ХеоВычислено, %: М 9,43.20 П р и м е р 2, Из 1,98 г нафталевого ангидрида, 2,44 г 4,5-динитроаценафтена и 3,36 гжелезного порошка в 100 лтл ледяной уксусной кислоты по примеру 1 получают 2,86 гаценафталоперинона в виде коричневых игл,25 т. пл. 228 - 229 С. Выход 95,6%,Найдено, %: И 8,16; 8,21.С Н 1 ЛО.Вычислено, 0110. 1 ч 8,24.Пример 3. Из 1,8 г 3,30 тоиленбензимидазола, 0,81351874 Предмет изобретения Составитель Г. Шагалова Техред Л. Евдонов Корректор...

Номер патента: 335054

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Всесх, Лаврищев, Мечев, Потапьевский

МПК: B23K 9/173

Метки: 335054

...находился по оси плавящегося электрода 3 и дуги 4. для того,чтобы достичь желаемого эффекта гидродинамического воздействия фокусирующей струи на каплю жидкого металла, скорость этого потока должна быть выше обычных скоростей истечения газа при сварке в защитных газах. Большая скорость фокусирующего потока достигается благодаря истечению газа через узкий концентрический паз при повышенном расходе фокусирующего газа. Поток 5 защитного газа подается под некоторым углом к свариваемому изделию 6, обеспечивающим качественную защиту металла шва от вредного воздействия воздуха. 5 Перемещая вместе с блоком сопел 7 относительно мундштука 8 фокусирующий газовый поток 1 по оси электрода 3 и дуги 4,удается в результате гидродинамического воздействия...

Номер патента: 330421

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Боков, Викулина, Догадкин, Ероф, Лаврищев, Марков, Наум, Ярова

МПК: C07C 117/00, C09K 9/02

Метки: материал, светочувствительный

...не модификации,Пример 1, Готовят раствор 100 г полициклогексадиена,3 (с молекулярным весом5129, йодным числом 290 и вязкостью т0,25), полученного по авт. св. СССР191797,в смеси 100 мл ксилола и 300 мл толуола, и враствор вводят 2 г 2,6-ди-азидобензаль)-4 метилциклогексанона.Раствор наносят на,пластинку из кремния.После удаления растворителя, на подложкеобразуется пленка толщиной1 мк. Последнюю облучают через фотошаблон Уф-светомлампы ДРШна расстоянии 270 мм в течение 7 мин. Затем полученное изображение проявляют в ксилоле, который удаляет необлученные участки. Элемент схемы на фото- шаблоне шириной 7 мк воспроизводится на фоторезисте.5 После сушки и термообработки при 170 С втечение 15 мин, кремний травят в травителе (НР, НИОз -...

Номер патента: 297129

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аршинов, Дмитриева, Кандыба, Комаровских, Лаврищев, Лапир, Мазитов, Олейникова

МПК: H03K 17/84

Метки: вентилей, пленочныхкриотронов

...вакуумным испарением пленки свинца толщиной 0,4 мкм. Время отжига при температуре 100 - 120 С составляет 1 - 2 час. Полученный вентиль изолируется снова пленкой фоторезиста и поверх нее методом испарения и последующей фотолитографии образуются свинцовые управляющие пленки криотронов. В результате отжига получается интер металлическое соединение свинца с золотом, из которого и состоят вентили криотронов.5 Ъказанное соединение обладает хорошимисверхпроводящими свойствами и имеет повышенное по сравнению с чистыми металлами остаточное сопротивление. Благодаря образованию химического соединения свойства 10 сплавной пленки вентиля оказываются достаточно стабильными при небольших отклонениях в исходной толщине пленок золота и свинца в...

Номер патента: 296790

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лаврищев, Пдт, Роговик, Шалимова

МПК: C09B 57/12

Метки: перилен-бис-бензимидазоловыхкрасителей

...при более высокой реакция сопровождается частичным обугливанием органических веществ. Кислая средаоказывает положительное влияние на течениереакции, поскольку способствует восстановле 15 нию нитрогруппы в о-нитроаминосоединенпях.Колористические исследования полученныхкрасителей подтвердили высокие показателипрочности выкрасок к свету и мокрым обработкам при высокой красящей концентрации,20 кроме того, полученные красители они не изменяют своего оттенка от капель воды.П р и м е р 1. К 120 лл 85%-ной фосфорнойкислоты добавляют 3,9 г измельченного диангидрида перилен,4,9,10-тетракарбоновой25 кислоты и при 150 С в вакууме водоструйного насоса отгоняют около 40 ял воды, Приэтом диангидрид частично переходит в раствор. К содержимому колбы...

Номер патента: 290063

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Клим, Лаврищев, Николаев, Цырлин

МПК: C25F 3/02, H05K 3/08

Метки: избирательного, электрохилтического

...фиг. 3 - образец со вскрытым контактным окном в слое диэлектрика до поверхности омического контакта 2 после удаления защитной 10 маски фоторезцста с его поверхности.Образец представляет собой кремниевуюпластину 1 с плапарным р-(г-переходом и омическцм контактом 2, вынесенным на поверхность пленки окисла кремния 3. Омический 15 контакт к р-п-переходу представляет собойдвухслойную металлическую композицию Тг - Ад общей толщиной 1,3 - 1,4 лгклг, нанесенную на поверхность кремниевой пластины методом вакуумного распыления, Структура защпше на слоем неорганического стекла (диэлектрика) 4 толшиноц 0,9 - 1,4 лгкя, характеризующего следующим элементарным составом; а(а. 02 23,5, РЬО 65,5, ВазОз 8,5, А 1 зОз 2.5,Перед проведением процесса...

Номер патента: 289389

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Боков, Егорова, Корсаков, Лаврищев, Макаров, Малышева, Никольский

МПК: G03F 1/00

Метки: светочувствительных

...расширяется. Например, появляется возможность увеличения глубины травления кремния.289389 Предмет изобретения Составитель Э. Рамзова Корректор О. С. Зайцева Редактор Н. Вирко Изд. ЛЪ О Заказ 40306 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мпнпсгров СССРМосква, К, Раушская наб., д. 415 Типография, пр. Сапунова, 2 Предлагаемые составы могут быть исполь О В а г Ы В Г Я Л Ь В а Ц 11 е Е С К И Х П Р О Ц Е С С а Х О С а ж Д Е- ппя меди, пикеля, хрома, серебра при условии, если рН электролитических ванн равен 9 - 10.П р и м е р 1. К раствору 17,81 г фенолфталеин-формальдегидной смолы и 20,87 г суль фохлорида о-нафтохппопдиазпда ь 120 сл дпоксана прп температуре 40 С прикапывают в течение 3 час 40,цл 10...

Номер патента: 279728

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бел, Викулина, Годовицын, Лаврищев, Лапшинова, Усманов

МПК: H05K 3/02

Метки: пленочных, схем

Номер патента: 276802

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Алексеев, Костицын, Лаврищев, Лисай, Рымарев

МПК: F26B 17/10, F26B 3/12

Метки: 276802

...на выходном конце решеткой б, служащей одновременно для распределения теплоносителя пс сечению корпуса и предотвоащения уноса инертных тел, Трубо провод заключен в примыкающую к сетке трубу 7 для подвода вторичного теплоносителя.В трубе укреплена перфорированная псрего.родка 8, расположенная ниже уровня решетки.Кольцевой канал, ограниченный газоподводя щим трубопроводом, трубой и перегородкой,образует разгонный участок для направления инертных тел вдоль сетки, При этом инертныс тела протирают высушенный материал сквозь сетку, и смесь высушенного материала с тец лоносителем отводится по патрубку 9, подключенному к нижней части корпуса и располо:кецному соосно с газоподводящцм трубопро.годом. Такое расположение отводящего гатрубка...

Номер патента: 271598

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Воженин, Кандыба, Лаврищев, Морозова, Фоменко

МПК: H05K 3/06

Метки: 271598

...,слоях. Число резистивных слоев определя- ется диапазоном номиналов резисторов, входящих в микросхему, возможностями селективного химического травления их и требу емыми габаритами микросхемы и может быть равно одному, двумттрем и более (например, резистивные слон с ) =5000 ом/квадрат, 500 ом/квадрат и 50 ом/квадрат).Для изготовления резисторов с=50 ом/ 25 пользовать одну технологическую операциюдля двух целей,Изготовпение микросхемы, содержащейрезисторы с Я =50 ом/квадрат на основепленок нихрома Х 2 ОН 80 и сЯ=500 ом/квадрат на основе металлосилицидного сплава% 3, осуществляется следующим образом.На подложку испарением в вакууме не нищже 1 ф 10 мм рт.ст. наносят слои сплаваМ 3, а затем нихрома и золота,При изготовлении отдельных слоев...

Номер патента: 247366

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Войцехович, Лаврищев, Опенов, Панин, Пустовойт

МПК: H01M 2/14

Метки: аккумулятора, ребристого, свинцовокислотного, сепаратора

...относится к способу изготовления сепараторов для химических источников тока.Известные применяемые сепараторы типов Минор, Мипласт и Пластипор неполностью соответствуют техническим требованиям, так как имеют поры диаметром больше 3 - 5 мк или же небольшую объемную пористость. Кроме гого, указанные сепараторы требуют большого расхода дефицитного материала и слом(ны в производстве.Цель настоящего изобретения - улучшить электрические характеристики сепаратора, упростить его изготовление, снизить расход дефицитного материала и уменьшить стоимость.Достигается это следующим образом, На тонкий лист или ленту из микропористой резины толщиной, например, 0,5 лглг наносят слой пасты, приготовленной, например, из 20% -ного раствора...

Номер патента: 243118

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гудзенко, Красителей, Лаврищев, Маслош, Рубежанский, Шулико

МПК: C07C 225/36, C09B 1/50

Метки: 243118

...содержащего побочные продукты, и затем превращают в свободное основание разложением водой. Выход 82 - 85%,С целью увеличения выхода целевого про дукта и упрощения технологии, предлагается способ получения 1,4-аминооксиантрахинона - основания красителя для ацетатного шелка, Предлагаемый способ отличается тем, что лейко 1,4-диаминоантрахинон предварительно окисляют хлором.Практически процесс окисления протекает в две стадии, На первой стадии в качестве окислителя используют хлор, на второй стадии - двуокись марганца. Окисление проводят в концентрированной серной кислоте.П р и м е р. 240 г (1 г моль) лейко 1,4-диаминоантрахинона в 100 г концентрированной серной кислоты окисляют хлором при 100 С до полного превращения исходного...

Номер патента: 241455

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Лаврищев, Лопатко, Роговик

МПК: C07D 307/91

Метки: бензофурилокситионафтена

...и после размешивания про веряют наличие избытка щелочи по бриллиантовои желтой бумажке. В случае надобности добавляют раствор едкого патра и выдерживают в течение 1 час при 50 С до положительной пробы на конец реакции (отсутствие жел того пятна на свинцово-уксусной бумажке).Хлорбензол отгоняют с водяным паром стаким расчетом, чтобы объем после отгонки не превышал 70 льг, и затем охлаждают. При стоянии выпадают кристаллы натриевой соли ЗО дибензофурил-тиогликолевой кислоты, кото241455 Составитель Г. ЕзерскаяРедактор Л, М, Новожилова Текред А. А. Камышникова Корректор 3. И. Чванкина Заказ 2038/8 Тираж 480 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр....

Номер патента: 231047

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Дейнеко, Лаврищев, Потапьевский

МПК: B23K 9/10, B23K 9/12

Метки: подачи, проволоки, электродной

...реле Р 2, замыкая свой нормально открытый контакт Р 2 в цепи обмотки контактора КС, и катушка контактора вновь оказывается под напряжением. При срабатывании реле Р 2 замыкается нормально открытый контакт Р 2 в цепи реостата Я, что обеспечивает снижение числа оборотов двигателя подачи проволоки Д, и размыкается нормально замкнутый контакт Р 2 в цепи реостата Я что приводит к уменьшению напряжения сварочного генератора. Таким образом происходит сварка на меньшем режиме, причем переход с большего режима на меньший происходит без обрыва дуги.Чтобы прекратить сварку, необходимо снова нажать на кнопку пуск и отпустить ее.,+) Пи танце одмеппа 5 еЯИн 3 енци едрите. юге геоерзтра актор Б. Б, федотов Техред Л. К. Малова Корректор С. ф,...

Номер патента: 213238

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Красителей, Лаврищев, Роговик, Рубежанский, Тихонов

МПК: C09B 5/02

Метки: 213238

...красителя,бой красно-коричневый, А, Лаврищев и В, И. Рогови кратной перекристаллизации из бензола т. чл.310 - 311 С. Смешанная проба образцов не показала депрессии температуры плавления,Найдено, %: С 1 35,12, СдвНоС 14 д 1 аО.Вычислено, %: С 1 34,78.Пример 2. Из 8,72 г 1,8-динитронафталина, 11,44 г тетрахлорфталевого ангидрида,6,54 г цинковой пыли и 300 мл уксусной кислоты при кипячении в течение 4 час аналоги д 10 но описанному в примере 1 получают 12,30 г(вьдход 75,5% ) тетрахлорфталоперинона ст. пл. 310 С,Пример 3. Из 2,18 г 1,8-динитронафталина, 3,40 г ангидрида нафтиленбензимидазол 15 перидикарбоновой кислоты, полученного конденсацией нафталинтетракарбоновой кислотыс 1 моль о-фенилендиамина, 2,24 г железногопорошка и 90 м г...

Номер патента: 211317

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Боков, Внкулкна, Лаврищев, Марков, Скуковска

МПК: G03F 7/085

Метки: негативного, фоторезиста

...смесь нагревают при 100 С в течение 2 час, после чего избыток фенола и хлорбензола отгоняют с водяным паром. Готовят 5 ОО-ный раствор смолы в толуоле, содержащий 5% ДЦГ (4,4-диазидобензальметилциклогексанон). Раствор наносят на заранее очищенную и обезжиренную пластинку бериллиевой бронзы и полученную пленку сушат при 80 С в течение 10 мин.Пленку экспонируют через негатив под лампой ПРКна расстоянии 25 сл в течение 10 лин, После облучения пленку обрабатывают толуолом.При этом необлученные участки растворяются и на поверхности бронзы образуется рельефный защитный рисунок, который подвергается термической обработке при 170 С в течение 10 лин.Толщина слоя 1,5 мк позволяет воспроизводить отдельные линии рисунка шириной 15 лк и проводить...

Номер патента: 200432

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бел, Гар, Лаврищев, Морозова, Ский

МПК: G03C 11/22, H05K 3/12

Метки: металлизированных, негативов, фотошаблонов

...селективным травлением устскийфоль- сили- талл С исходного негатива на полированной медной или бронзовой фольге печатают по предварительно нанесенному на нее светочувствительному слою (фоторезисту) изображение. 20 В качестве позитивного светочувствительного покрытия берут, например, полимерные смолы на основе нефтехинондиазидных производных. В качестве негативного светочувствительного покрытия используют, например, поливинило вый спирт, очувствленный бихроматом аммония, поливинилциннамат. Полученное изображение проявляют, применяя подходящий растворитель, задубливают и затем удаляют покрытие с соответствующих мест фольги. ЗО оое изготовления края штриачественные ровные и доститойкость к истиранию. обретени мет Способ изготовления...