Способ избирательного электрохилтического

О П И С А Н И Е 290063ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликКомитет аа делам изобретений и аткрыти при Совете Министров СССРУДК 621,794.444 О 88.8) Опубликовано 22.Х.1970. Бюллетень М 2 за 1971 Дата опубликования описания 22.11.19(1. ,. - 6Б И о. (И)ТЕА Заявител СПОСОБ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ, НАНЕСЕННОГО НА МЕТАЛЛИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬстекла осу- чектролитцИзобретение относится к технике проведения фотолитографических процессов.Известен способ избирательного травления диэлектрического слоя на металлической поверхности в растворе, химическим взаимодействующем с поверхностью металла, заключающийся в том, что для защиты от химического протравливания металла, процесс ведут при таком значении потенциала на металле, при котором разряд ионов водорода не осуществляется на данном металле.С целью электрохимической защиты поверхности металла по предлагаемому способу потенциал металла в травяшем растворе смещают в отрицательную область до потенциала выделения на нем ионов водорода.Образец погружают в травитель под огрццательным смещением от внешнего источника постоянного тока. Анодом может служить любой инертный электрод, например платиновая сетка. Напряжение на электродах должно быть равно 5 - 10 в.В процессе химического травления слоя диэлектрика при соприкосновении травителя с поверхностью металла замыкается электрическая цепь, и начинается электролиз травитсля с выделением водорода на металлической поверхности образца, так как потенциал слоя металла, погруженного в травитель, резко сдвинут в отрицательную сторону, и тем самым подавляется процесс химического во действия травцтеля на поверхность последнег На фпг. 1 показан образец до проведения 5 процесса травления, разрез; на фцг. 2 -электрическая схема процесса травления; на фиг. 3 - образец со вскрытым контактным окном в слое диэлектрика до поверхности омического контакта 2 после удаления защитной 10 маски фоторезцста с его поверхности.Образец представляет собой кремниевуюпластину 1 с плапарным р-(г-переходом и омическцм контактом 2, вынесенным на поверхность пленки окисла кремния 3. Омический 15 контакт к р-п-переходу представляет собойдвухслойную металлическую композицию Тг - Ад общей толщиной 1,3 - 1,4 лгклг, нанесенную на поверхность кремниевой пластины методом вакуумного распыления, Структура защпше на слоем неорганического стекла (диэлектрика) 4 толшиноц 0,9 - 1,4 лгкя, характеризующего следующим элементарным составом; а(а. 02 23,5, РЬО 65,5, ВазОз 8,5, А 1 зОз 2.5,Перед проведением процесса избирательно го травления защитного слоя стекла с цельювскрытия контактного окна на поверхности образца известным методом формируется защитная маска фоторезпста 5.Избирательное травление слоя30 ществляется во фторопластовой э.ческой ванне б, в которой катодом служит образец 7, а анодом - платиновая сетка 8, причем расстояние между катодом и анодом составляет 50 лгм, Травитель для стекла представляет собой раствор состава: НР: НКОз . : Н.0=1: 3: 12 объемнык частей (кислоты концентрированные).Перед погружением образца в ванну ца электроды ее от внешнего источника постоянного тока подается напряжение, равное б в. Время травления слоя стекла указанного состава и толщины составляет 2 - З,ниц. Контакт травящего раствора с поверкностью металлического слоя (омического контакта), возникающий в результате стравливания слоя защитного стекла в окне маски фоторезиста, приводит к замыканию электрической цепи, При этом потенциал металла оказывается сдвинутым в отрицательную сторону до потенциала разряда ца нем ионов водорода.По окончании процесса травления ооразецпод напряжением извлекается нз ванны и под вергается тщательной промывке в деионцзованной воде,Предмет изобретения10 Способ избирательного элек грокцмическоготравления диэлектрического слоя, нанесенного на металлическую повер.;ность, в растворе, кимически взаимодействующем с цоверкностью металла, отличающийся тем, что, с целью 15 электрокимической защиты поверкности металла, потенциал металла в травящем расгворе смещают в отрицательную область до потенциала выделения на нем ионов водорода.Составитель Н. Степанов Редактор В. П. Новоселова Тскред 3. Н. Тараненко Корректоры; ОЧ. Ковалева и Л. Б. Бадылама д. Кр 78 Заказ 1634 Тираж 473 ПодписноеИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4,5ипография, пр. Сапунова,