Внкулкна
Способ получения негативного фоторезиста
Номер патента: 211317
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Боков, Внкулкна, Лаврищев, Марков, Скуковска
МПК: G03F 7/085
Метки: негативного, фоторезиста
...смесь нагревают при 100 С в течение 2 час, после чего избыток фенола и хлорбензола отгоняют с водяным паром. Готовят 5 ОО-ный раствор смолы в толуоле, содержащий 5% ДЦГ (4,4-диазидобензальметилциклогексанон). Раствор наносят на заранее очищенную и обезжиренную пластинку бериллиевой бронзы и полученную пленку сушат при 80 С в течение 10 мин.Пленку экспонируют через негатив под лампой ПРКна расстоянии 25 сл в течение 10 лин, После облучения пленку обрабатывают толуолом.При этом необлученные участки растворяются и на поверхности бронзы образуется рельефный защитный рисунок, который подвергается термической обработке при 170 С в течение 10 лин.Толщина слоя 1,5 мк позволяет воспроизводить отдельные линии рисунка шириной 15 лк и проводить...