271598
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(и) 271598 ОЛ ИСААКИЕ ИЗОЙ 1 Ы 7 смИ Ифи Союз СоветскихСоцмалистицескихРеспублик К АВТОРСИОФАУ СоМДБЕЛЬСТВУ(51) М, Кл,- Н 05 К 3/06 Государственный комитет Совета Министров СССР пв делам изобретений и открытий(43) Опубликовано 26.05.70,Бюллетень18 (45) Дата опубликования описания 12.04.77/квадрат предлагается использовать подслой, напыляемый для обеспечения адгезии золота к нижележащим слоям, что позволит исИзвестные способы изготовления микросхем не обеспечивают большого диапазонаноминалов резисторов в одной микросхеме.По предложенному способу обеспечение большого диапазона номиналов резисторов и упрощение технологии изготовления достигается тем, что резистивные слои с различным удельным сопротивлением наносят, на подложку последовательно по мере умень.шения удельного сопротивления, а техноло- щ гический слой используют для изготовления низкоомных резисторов.Слои необходимо наносить по мере уменьшения удо,-.".ного сопротивления, т.к, при этом уменьшается ш,у нтср ужцОе влияние ни ,жележащих слоев на элементы в верхних ,слоях. Число резистивных слоев определя- ется диапазоном номиналов резисторов, входящих в микросхему, возможностями селективного химического травления их и требу емыми габаритами микросхемы и может быть равно одному, двумттрем и более (например, резистивные слон с ) =5000 ом/квадрат, 500 ом/квадрат и 50 ом/квадрат).Для изготовления резисторов с=50 ом/ 25 пользовать одну технологическую операциюдля двух целей,Изготовпение микросхемы, содержащейрезисторы с Я =50 ом/квадрат на основепленок нихрома Х 2 ОН 80 и сЯ=500 ом/квадрат на основе металлосилицидного сплава% 3, осуществляется следующим образом.На подложку испарением в вакууме не нищже 1 ф 10 мм рт.ст. наносят слои сплаваМ 3, а затем нихрома и золота,При изготовлении отдельных слоев микросхемы использовался фоторезист фП.Травление слоев микросхемы ведется в травителях:контакты и коммутация (золото) в 5%-номрастворе бромной воды;резисторы с Я=50 ом/квадрат (нихромХ 20 Н 80) в концентрированной соляной кислоте;резисторы с=500 ом/квадрат (сплав271598,Составитель В. ВасилькевичТехред О, Луговая Корректор Л. Денпскина Редактор А. Бер Заказ 293/8 Тираж 1069 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва,Ж, Раушская набд. 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 формула изобретения Способ изготовления микросхем, основанный на многократном избирательном хими-, ческом травлении, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью обеспечения большого диапазона номиналов резисторов в одной микросхеме и упрошения технологииизготовления, резистивные слои с различнымудельным сопротивлением наносят на подложку последовательно по мере уменьшения удельного сопротивления, а технологический слой ,используют для изготовления низкоомныхрезисторов.
СмотретьЗаявка
1236588, 06.05.1968
В. П. Лаврищев, И. Н. Воженин, П. Е. Кандыба, Р. А. Морозова, П. А. Фоменко
МПК / Метки
МПК: H05K 3/06
Метки: 271598
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-271598-271598.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">271598</a>
Предыдущий патент: Устройство для формовки и обрезки выводовмикросхем
Следующий патент: 271599
Случайный патент: Амортизатор