Запоминающий элемент

О П И С А Н И Е (ц) 459802ИЗОБР ЕТЕ Н-И Я Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 10,05,73 (21 присоединением заявки2) Приоритет публиковано 05.02 ата опубликовани Государственный комитет Соавтв Министров СССР по делам изооретений и откоытий(54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ енте 15 оста- пол- ерх- рач 20 за- ар- тоа- еированияость участкоичалась вчастков безчтобы емкоядка, Хорошчивается бл Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено вЗУ, устройствах отображения информации иусилителях изображения.Известны запоминающие элементы, содержащие расположенные между двумя слоямипроводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной поляризацией,Недостатком таких устройств является невозможность оптического считывания информации, что не позволяет применить их в оптоэлектронных запоминающих устройствах.Целью изобретения является устранениеэтого недостатка,Эта цель достигается тем, что в элемна слой диэлектрика с долговременнойточной поляризацией (ДОП) нанесен донительно слой электролюминофора, а вний слой проводника выполнен полупрозным.Это позволяет считывать информацию,писанную в диэлектрическом слое, в виде ктины, состоящей из светящихся и темныхчек.На чертеже представлена схема предлагаемого элемента,Он состоит из полупроводникового (например, кремниевого) кристалла 1, слоя диэлектрика ДОП 2 (например, нитрида кремния),слоя электролюминофора (например, УпЯ ле гированного Сц, Мп) 3, сплошного электрода 4, полупрозрачного электрода (например, из Ац или ЯпО,) 5 и источников переменного и постоянного напряжения 6 и 7.Принцип работы предлагаемого элемента заключается в следующем,Запись информации в таком ЗУ соответствует захвату и локализации заряда в слое диэлектрика 2. Участки ДОП где заряд захвачен, обладают емкостью на порядок большей, чем у аналогичных участков, на которых ничего не записано. Это позволяет организовать считывание. Если к структуре, представленной на чертеже, приложить переменное напряжение, то оно распределится обратно пропорционально емкостям участков слоев 3 и 2. В тех местах, где емкость слоя 2 больше (информация записана), напряжение на слое электролюминофора больше и может наблюдаться электролюминесцепция,Таким образом, вся записанная информ ция одновременно воспроизводится в виде св товой картины.Для нормального функцион элемента необходимо, чтобы емк в с записанной информацией отл 5 - 10 раз от емкости соседних у записи. При этом необходимо, сти слоев 2 и 3 были одного пор ий контраст изображения обеспе агодаря большой крутизне вольт-яркостных характеристик электролюминофоров - Уф, где а изменяется от 3 до 30 для разных материалов.,Эти требования реализуются, например, при использовании в качестве диэлектрика нитрида кремния, а в качестве электролюминофора - Уп 5, легированного Сц, Мп. ТолщинаОслоя ДОП 1000 А, люминофора - 1 мкм. В этом случае погонные емкости одного порядка и составляет -104 пф/ем, Интервал напряжений на диэлектрике, в пределах которого записанная информация не уничтожается, т. е. накопленный заряд не переходит из диэлектрика в полу проводник или контакт, составляет 30 в. Этих напряжений достаточно для нормального функционирования электролюминосфора. Коэффициент а для ХпЬ легированного Сц, Мп может иметь значения 10 - 30.Запись информации в предлагаемое ЗУ можно осуществлять, используя, например, эффект генерации носителей в обедненном слое кремния вблизи слоя диэлектрика при освещении локальных областей. 4598024Другой способ записи состоит в использовании фотопроводящих свойств электролюминесцентного слоя: к структуре прикладывается постоянное напряжение и производится засветка тех участков поверхности, где хотят произвести запись информации. При этом сопротивление освещенных участков уменьшается, и соответственно возрастает напряжение, приложенное к системе диэлектрик в полупроводн.При подходящем выборе напряжения заряды из полупроводника переходят в диэлектрик, т. е, осуществляется процесс записи.15Предмет изобретенияЗапоминающий элемент, содержащий расположенные между первым и вторым слоями 20 проводника слой полупроводника и слой диэлектрика с остаточной поляризацией, отл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения оптического считывания информации, он содержит слой электролюминофора, расположен ный между слоем диэлектрика и вторым слоемпроводника, выполненным полупрозрачным,оставитель В. Страхов Техред Л, Морозова Изд.46 Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушскаяипография, пр, Сапуно Корректор Н, АукПодписноев СССР Тираж 648овета Министроткрытийаб д. 4/Э