Патенты с меткой «резиста»

Номер патента: 570007

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Боков, Корсаков, Лаврищев, Максимова, Наумова, Новожилов, Швед, Юрина

МПК: G03G 5/00

Метки: резиста, состав

...на хромированщде сгеклянные подложки 45(толщина хрома 0,2 мкм), Подложки сушато30 мин при 90 С и слой элекгронорезйсга толщиной 0,4 мкм экспонируют по заданной, программе электронным пучком;(ускоряющее напряж 2 ение 20 кВ, плотность заряда 50-68 10 Кп/см ). После проявления в течение 3 мин в смеси голуол-иэопропиловыйспирт 10:1,подложки сушат 30 мин при10(С и травят через образовавшуюся мяску хромовый слой в щелочном гравигеле, 55содержащем красную кровяную соль. Элементы с размерами 0,5 мкм воспроизводятся при хорошей четкости край.Л р и м е р 2, Из 14%-ного раствораполициклогексадиена (мол, в, 3,5 гыс) 60 в смеси голуол-ксплол 1:.1, стабилизирован ного 1% сянгонокса, на хромированных подложках методом, описанным в примере 1...

Номер патента: 983463

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Антипов, Чернецов

МПК: G01F 11/32

Метки: дозирования, резиста

...17. Расходнаяполость соединена с баком 1 черезФильтр 18. Герметичный расходный бак19, содержащий растворитель резиста,соединен с коническим кольцевым зазо ром 6 трубопроводом 20 через обратныйклапан 21. Для подачи технологического газа к каналу 8 предусмотрена магистраль 22 с.пневмоклапаном 23 и обратным клапаном 24. Для создания дав ления в баках 1 и 19 предусмотренаустановка пневмоклапанов 25 и 26. Всяконструкция устройства смонтирована .вустановке нанесения реэиста, где настолике 27 устанавливается пластина 28,Устройство работает следующим образом;В исходном состояния, т.е. в промежутке времени между выдачей дозреэиста, устройство находится в положении 11 промывки и сушки резистаи прижато механизмом 13 к сборной камере 12. После...

Номер патента: 1498400

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Бруно, Огюст

МПК: G03F 7/26

Метки: изображений, негативных, резиста, слое

...и 20 г продуктд частичной эстеригикации хлоридд б-дидзо,6-дигидро-оксо-натяппсу)льгьонилд с продуктами конденсации 1-цдтоля и бенэапьдегида. Смесь растворяют в 1 ОО гбис(2-метоксиэтцл)эфира. Точгцина полученного слоя смолы равна 1,8 мкм. После термообработки в течение 45 с подложки, нагретой до 95 С, слой экспонируют ультрафиолетовыми лучами через маску при энергии излучения115 мДж/см , затем в течение 10 мин обрабатывают при 120 С парами гексаметилдисилязана, После проявления получают негативные изображения с высоким разрешением, обладающие вертикальными боковыми стенками при остаточной толщине 1,65 мкм, что составляет 927. от начальной толщины осажденного слоя смолы,П р и м е р 8. Ход операций аналогичен примеру 1, однако...

Номер патента: 1536347

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Банина, Башевский, Бочарова, Гаврилов, Школьников, Шульман

МПК: G03C 1/74, G03F 7/00

Метки: защитного, резиста, слоя, формирования

...центрифугирования подложку 4на подложкодержателе 1 с помощью приводной системы 8 перемещают вдольоси в плоскость В до контактированиянижней поверхности подложки 4, незащищенной подложкодержателем, сопорной поверхностью нагревателя 9,При этом вакуумное крепление с каналов 2, 6 переключают (например, отклапана, срабатывающего от командыдатчика - контактного или оптопары)на вакуумные каналы 1 О нагревателя 9,а каналы 2 и 6 соединяют с атмосфе-рой, Подложка 4, закрепленная наопорной поверхности нагревателя 9,начинает нагреваться с периферии кцентру, При этом опорная поверхностьподложкодержателярасположена либона уровне опорной поверхности нагревателя 9 (уровень В), либо ниже, чтобы варьировать дозы лучевой тепловойэнергии от внутренней...

Номер патента: 1838449

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Казуки, Наохиро, Сунити, Терио

МПК: C07C 19/08, C11D 7/30, C11D 7/50 ...

Метки: воды, обезжиривающее, остаточной, очищающее, полировочного, проявле, резиста, состава, средство, удаления, флюса

...эфир полиоксиэтилена, алкилаллиловый эфир полиоксиэтилена, диэтаноламина жирной кислоты, алкиламид полиоксиэтилена, сложный эфир жирной кислоты сорбита, сложный эфир жирной кислоты полиоксиэтилена, соль четвертичного аммониевого основания, оксилсульфобетаин, простой лауриловый эфир полиоксиэтилена, сульфат натрия простого лауринового эфира полиоксиэтилена, додецилбензолсульфонат натрия и сульфат натрия высшего спирта, Более предпочтительными соединениями являются простой лауриловый эфир полиоксиэтилена, сульфат йатрия простого лаурилового эфира полиоксиэтилена, додецилбензолсульфонат натрия и сульфат натрия высшего спирта,Ароматическим соединением предпочтительно является производственное бенэола или производное нафталина, которое обычно...