Патенты с меткой «термисторов»
Способ определения динамических параметров термисторов косвенного подогрева
Номер патента: 110849
Опубликовано: 01.01.1957
Автор: Сорокин
МПК: G01R 31/26
Метки: динамических, косвенного, параметров, подогрева, термисторов
...параметров термисторов по показаниям стрелочных приборов. Способ состоит в том, что испытуемый термистор включается в цепь безынерционного усилителя, охваченного жесткой отрицательной обратной связью. В результате этого при воздействии единичного скачкообразного электрического импульса свойственный терм истору монотонный переходный процесс преобразуется в колебательный, показатели которого однозначно связаны с его динамическими параметрами. Например, такие показатели переходного колебательного процесса, как максимальный выброс выходного напряжения и время первого перехода его через нуль (изменение полярности) связаны простыми зависимостями с динамическими параметрами. Эти показатели переходного процесса легко могут быть измерены с...
Устройство для отбраковки термисторов по содержанию третьей гармоники
Номер патента: 114518
Опубликовано: 01.01.1958
МПК: G01R 31/26
Метки: гармоники, отбраковки, содержанию, термисторов, третьей
...третьей гармоники.На чертеже изображена блок-схема предлагаемого устройства, Испытуемый термистор 1 включается в плечо моста 2, включенного на выход регенеративного усилителя 3 звуковой частоты. Мост 2 соединяется с входом усилителя 3 цепью положительной обратной связи, вследствие чего усилитель самовозбуждается, и мост автоматически балансируется. В установившемся режиме на выходной диагонали моста 2 создаются два напряжения: остаточное напряжение основной частоты (вследствие неполного баланса моста) и напряжение третьей гармоники, равное половине э.д.с., генерируемой термистором при прохождении через него тока основной частоты.Таким образом, напряжение третьей гармоники, которое требуется измерять, ослабляется лишь в два раза, в...
Способ проверки термисторов по параметру шунтирующая емкость между вводами
Номер патента: 123255
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Абросимов, Керстенецкая
МПК: G01K 15/00, G01K 7/22
Метки: вводами, емкость, между, параметру, проверки, термисторов, шунтирующая
...20 аа 1 и 5 о,тиховаоролировать параметр Шунтируюн измерения величины напряжения тр икак 1 гцсй на вводах термистора пр звуковой частоты синусоидальной ния третьей гармоники, измеряемая и прочих равных условиях от колич охваченного полем тока. Так как ш стояния между вводами тока, то о третьей гармоники. Таким образом моники даст возможность контрогп о:ти. Предлагается конт между вводами путех ники напряжения, вози последего в цепь тока Величина цапряже термистора, зависит пр ства (полупроводника),емкость зависит от рас изхср 5 смоЙ Ве,ичицои напряжения третьей гар 11 ин шунтиру 1 ошей емккость армо- чении стьеи1 ВКЛЮформына засстваунтир1 а свяизмровать Предмет нзь СТСНИ 51 раметру Шем, что, с цтью, измеррмистора,и термисторов по па т л...
Способ определения электрических параметров полупроводника свч термисторов
Номер патента: 135148
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, полупроводника, свч, термисторов, электрических
...определения электрических параметров сверхвысокочастотных термисторов основан на том, что термистор может быть заменен эквивалентной схемой. Параметры схемы измеряются путем определения сопротивления термистора по постоянному току на различных частотах и последующим расчетом. Этот способ упрощает процесс без снижения точности измерений.На фиг. 1 показана эквивалентная схема термистора; на фиг 2 скелетная схема измерительной установки.Эквивалентная схема термистора (фиг. 1) содержит следующие параметры:1, - индуктивность вводов термисторов;С 1 - емкость между вводами термистора;Ро - сопротивление полупроводника термистора на постоянномтоке;С,емкость между частицами вещества полупроводника;Р 2 -- сопротивление между частицами вещества...
Материал для термисторов
Номер патента: 945909
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Горшков, Майдукова, Москаленко
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, термисторов
...основного вещества 98,8. Смесь гомогенизируют в спирте,.высушивают на воздухе, прокаливают при 1020 К 4 ч и усредняют.П р,и м е р 9. Готовят смесь 90,9 г окиси висмута квалификации "чда" с содержанием основного вещества 90,0 Ф и 10,1 г окиси лантана квалификации ЛаОс содержанием основного вещества 98,8. Смесь гомогенизируют в спирте, высушивают на воздухе, прокаливают при 1020 К 4 ч и усредняат.П р и м е р 10. Готовят смесь 100,9 г окиси висмута квалиФикации "чда" с содержанием основного вещества 991 и 0,1 г двуокиси циркония квалификации "ч" с содержанием основного вещества 991. Смесь гомогенизируют в спирте, высушивают на воздухе, прокаливают при 970 К 6 ч и усредняют.П р и м е р 11. Готовят смесь 95,7 г окиси висмута...