Способ отбраковки биполярных транзисторов

Номер патента: 524145

Опубликовано: 05.08.1976

Автор: Виснап

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектор-эмиттер, коллектора, стабилизатор, транзистора

...для стаб1 зации параметров транзисторов, содеимпульсный стабилизатор тока эмиттера,стаби.изатор напряжения коллектора, состоящий из омического делителя и источникаопорного напряжения, который через усипигепь постоянного гока соединен с регулирующим элементом источника коппекгорного напряжения, перехпючагепь пределовизмерения, базовые резисторы, усилитель,переходе транзистора 121, содерстабилизированный источник питания, 2 токозадающий резистор, вкпюченнь источником, питания и клеммой дп оплекгора транзистора, прич Известные стабилизаторы не обеспечивают гысокой степени стабилизации нацряжения коппекторно-эмиттерного переходаизмеряемого, транзистора, а значит, и токаколлектора.Белью изобретения явпяется повытоъности...

Номер патента: 1833117

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Губин, Кодекин, Мальцев, Седых

МПК: H05H 7/00

Метки: амплитуды, высокочастотного, поля, стабилизации, ускорителе

1. УСТРОЙСТВО СТАБИЛИЗАЦИИ АМПЛИТУДЫ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПОЛЯ В УСКОРИТЕЛЕ, содержащее формирователь синхроимпульсов, подключенный последовательно через анодный модулятор и усилитель мощности, соединенный с возбудителем, к резонатору, который последовательно через амплитудный детектор соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к источнику опорного напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения КПД и надежности стабилизации амплитуды высокочастотного поля в резонаторе ускорителя, в него введен блок аналого-дискретного управления, входы которого соединены с выходами блока сравнения, источника опорного напряжения и формирователя синхроимпульсов, а выходы подключены к анодному модулятору.2. Устройство по...

Номер патента: 13755

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Мандельштам, Папалекси

МПК: H03C 1/12, H03C 1/22

Метки: амплитуды, высокочастотного, генератора, лампового, модуляции

...лампы, с целью сохранения постоянства выражения для ф, при измененной частоте ,и одном и том же модуляционном трансформаторе (одном и том же значении Ь ).На чертеже изображена схема предлагаемого устройства, применительно к ламповому генератору с независимым возбуждением.Нейтродинный конденсатор (переменной емкости) Сприключен, с одной стороны, к сетке мощной усилительной лампы Л, а с другой стороны в самоиндукцип Ь колебательного контура. Напряжение на сетку подается от задающего генератора через обмотки Ь, и Ь,. Изменяя емкость конденсатора С, можно нейтрализовать в большей или меньшей степени емкость сетка- анод лампы, Кроме того, контакт а между конденсатором С, и самоиндукцией Ь колебательного контура можно сделать переменным, с...

Номер патента: 917106

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Роговой, Страхов

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитуды, высокочастотного, сигнала

...16 реверсивныесчетчики, входами подключенные кблоку 3 управления, выходами подключенные к аттенюатору 14 и входномуаттенюатору 2 соответственно, сумматор 17, входами подключенный ккодовым выходам первого 15 и второго1 ф реверсивных счетчиков, а выход 65 которого используется для отсчета величины измеряемого сигнала.Устройство работает следующим образом.Измеряемый сигнал с выхода преобразователя 1 через входной аттенюатор 2 поступает на коммутатор 4. На другой вход коммутатора через аттенюатор 14 подается опорное напряжение с генератора 13 опорного напряжения. Под воздействием напряжения с 1 генератора 12 частоты коммутации происходит периодическое подключение измеряемого и опорного сигнала ко входу усилителя 5 промежуточной частоты....

Номер патента: 650131

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Головко, Тагер

МПК: H01L 29/70

Метки: биполярный, свч-транзистор

...(0,8-1).10 .см/сек, во втором (при содержании арсенида галлия около 60%) - около 0,3 10" см/сек. Значения диэлектрической постоянной в обоих материалах примерно равны. Параметры кристаллической решетки обоих25 материалов близки друг к другу, поэтому на границах слоев при их эпитаксиальном выращивании дефекты структуры не возникают.Таким образом, использование много 30 слойного коллектора, составленного из нескольких слоев полулроводниковых материалов, различающихся значениями ди-. электрической постоянной или насыщен 3 ной скорости дрейфа носителей заряда или в общем случае значениями отношения насыщенной скорости дрейфа носителей заряда к диэлектрической проницаемости материала, позволяет значительно увеличить толщину слоя объемного...