Способ отбраковки мощных транзисторов

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИЛЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсккз Социапмстическик Республик(51) М. Кл ЦЧ) 1 37 31/2 Государственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий(53) УДК 3) Опубликовано 150878. Бюллетень305) Лата опубликования описания 0607.78 621.382.(71) Заявите ОСОБ ОТБРАКОВКИ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 54) расной техники, кроотбраковки ограним азог ева исследуи сложной инфракме того скоростьчивается времене р ремой структуры.Известен также способэисторов, заключающийсястатических характериститора и сравнении их с этОднако этот способ недежно выявить дефектнык как для этого необхоколько различных завипри разных режимах.Целью изобретения явние скорости и эффектив проводспох п иИзобретение относится к полуниковой технике, в частности ксобам контроля полупроводниковы р боров, и может быть использовано для отбраковки мощных транзисторов с де фектами, которые приводят к неоднородному распределению тока.К таким дефектам в первую очередь следует отнести наличие пустот в эвтектике под кристаллом, неоднородностьО стабилизирующих сопротивлений, а также сопротивления в области омических контактов эмиттера и базы. Наличие этих дефектов приводит к неоднородному распределению тока и существенно снижает надежность мощности транзисторов.Известен способ контроля и отбрак ки мощных транзисторов с неоднородным распределением тока, заключающийся в 20 контроле инфракрасного излучения, исходящего от полупроводниковой структуры 11 . В местах повышенной плотности тока, т. е. в дефектных неоднородных структурах, тепловое излучение превышает фоновое, что позволяет находить потенциально ненадежные приборытри контролизмере транзи лонными позволя прибор имо сня имостей натанес ляется повьааености отбраковки.Это достигается тем, что по предлагаемому способу при заданном посто янном токе эмиттера измеряют статическую зависимость напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между базовым и коллекторным выводами транзисторной структуры и о неисправности транзистора судят по наличию перегиба на да ной зависимости.Способ отбраковки мощных транзист ров опробован на транзисторах типов КТ 904 и КТ 912,овэтот способ может быть осутолько при наличии дорогой дна вле619877 Формула изобретения 07 Составитель Т.ДозоровТехред Э.Чужих Корректор И.Гокс Л.Батанова еда аз 4500/ НИИПИ Го Тираж 1112 Подписноедарственного комитета Совета Министров ССС/5 по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4 илиал ППП Патент, г,Ужгород, ул.Проектная,4 Транзисторы включают по схеме с ОБ. При заданном токе1 й коллектора для транзисторов тийа КТ 912 напряжение ц на коллекторе плавно увеличиКвается до 30 В. Это обеспечивается включением в коллекторную цепь генератора пилообразных импульсов напряжения с длительностью импульсов 1 и50 мсек. На вход х осциллографа подают напряжение с перехода коллектор-база, а на вход у - напряже". ние с перехода эмиттера . база, На экране осциллографа регистрируют зависимость 3 з 1 (Ю 6 )На чертеже представлена экспериментальная зависимость ц з:1 ( Ц 5 ) для прибора беэ дефектов (1) и прибора с неоднородной припайкой полупроводникового кристалла к основанию корпуса (2. Эту зависимость снимают при достаточно медленном изменении 20 напряжения Ос тем, чтобы успевали установиться тепловые процессы в структуре транзисторов.Как видно из чертежа, наличие деФекта припайки приводит к появлению излома на характеристике 0С(Ц) и увеличению ее крутизны, начиная с некоторого критического значения коялекторного напряжения. Прн малых значениях напряжениями наличие дефектов в структуре практически не влияет на распределение тока, и характеристика Ц 81 ( ЦБ ) линейна, " как для идеальэбного прибора. Однако по мере увеличения напряжениябк растет коэффициент, обратной теплсвой связи, и при значении этого коэФфициента блиэыомив к единице, распределение тока становится неоднородным. Большая часть тока течет через область структуры с неоднородностью. Это соответствует уменьшению активной площади транзистора, появлению на характеристике Цз 8 1 ( ЦБ ) излома и увеличению крутйэны.Приборы, у которых зависимость Ц 1 ( Ц линейна до напряжения Ц : 30 В признаны годными,а приборыкс нелинейной зависимостью - забракованы. Способ отбраковки мощных транзисторов, заключающийся в измерении статических характеристик транзистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения производительности контроля, при заданном постоянном токе змиттера измеряют зависимость напряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между базовым и коллекторным выводами транзисторной структуры, а о неисправности транзистора судят по наличию перегиба на данной зависимости.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:,1 Яесп В На М е Е.В,Н д 1- ьро 1 Ьег ма 0. геввЕаысе ю ЫгапвЫогб фЗЕЕЕ Тгдкб" 1969,тЫ, 9 2, р166-170.2, Столярский Э, Измерения параметров транзисторов М., 1976, с,58.