Способ измерения тока насыщения р-п переходов и барьеров шоттки

(22) Заявлено 07.0 с присоединением з (23) Г 1 риоритет- (43) Опубликовано (45) Лата опублик Государственный намнте Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения А, Г, Го ко и Т. Д, Шермергор ский институт электронной техники 71) Заявитель 4) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА НАСЫЩЕНИЯ з-тт- ПЕРЕХОДОВ И БАРЬЕРОВ ШОТТКИсоба необходимо послеп. параллельно - ин пикаторстотных флуктуаций напр дом или пиодом рузочный резистуровня низкоча яжения, чере Изобретение относится к технике изме-рения параметров полупроводниковых приборов, в частности биполярных диодов идиодов типа "металл-полупроводник", диодовШоттки, и может наГгги применение в элекчронной и радиотехнической промышленностипля контроля качества изделий,Известны графоаналитические способыопределения тока насыщения в барьерахШоттки и р- тт -переходах,состоящие в томчто снимают вольт-амперную характеристику исследуемого полупровопникового прибора,строят графики в соответствующих координатах, экстраполируют определенные участкихарактеристики по пересечения с,осью координат, определяют из графика промежуточныйпараметр и путем дальнейшего расчета находят величину тока насыщения 111.В серийном производстве полупроводниковых диодов способ неприменим из-сза егосложности и трудоемкости,,Известен способ измерения тока насьлцения р-тт-переходов, заключающийся в пропускании прямого изменяющегося тока черезполупровопниковый прибор и контроле низкочастотных флуктуаций напряжения,никающих на р-тт-переходе или выпршем контакте 12).Измерения по известному способу5 буют значительных затрат времени,Пель изобретения - повышение скизмерений,Поставленная цель достигается теисследуемом р-тт-переходе или барьеттки регистрируют ток, при которолюдается максимум флуктуаций напряи определяют ток насыщения по форммаксе 5 где З-ток, при котором флуктуацпряжения на образце максимальны.е - основание натуральных лог5 д 58пропустить прямой ток. Изменяя величинутока, цо индикатору установить максимумфлуктуаций. Затем необходимо измерить ве-личину тока и разделить ее на коеффициейт(е 1), где е - основание натуральных логарифмов.П р и м е р 1. Барьер Шоттки иэготовлен напылением золота на химически травленную поверхность фосфида галлия и гипас Концентрацией доноров п смПлощадь металлического контакта равна20,78 мм, Измерения тока, при которомФазкочастожые флуктуации напряжения максимальны, определили, чтомсхс 1,1 мкА.15Следовательно, ток насьпцения равенЮ, 1,1 (2,718-1) 0,64 мкА,П р и м е р 2. Концентрация, доноровв полупроводнике в отличие от предыдущего примера составляет пх 6 10 см, Из омерения определили, чтоЗМщ,- 0,13 мкА,Откуда ток насыщения равен. Юе = 0,076 мкА,П р и м е р 3. Измерение тока 11 асыщения в светоизлучаюших диодах, изготовленных из сильно легированного материалаСа, АРх Ае с .плошадью 1 мы; установи-.ли, чтомо,ис= 0,14 мкА;Х = 0,08 мкА.Способ позволяет существенно увеличитьскорость измерений, так как процедура измерений сводится к установлению максимума ,5 14флуктуаций напряжения и снятию показанийизмерителя тока, проградуированного в величинахЮ l(е),формула изобретенияСпособ измерения тока насыщения у-апереходов и барьеров Шоттки полупроводниковых приборов, заключающийся в пропускании прямого изменяющегося тока через полупроводниковый прибор и контроле низкочастотных флуктуаций напряжения, возникающих на р-и-переходе или выпрямляющемконтакте, отличающийсятем, что, с целью повышения скорости измерений регистрируют ток, при которомнаблюдается максимум флуктуаций напряжения, и определяют ток насыщения по формуле максе.где Х -ток, при котором флуктуациинапряжения максимальны,6 - основание натуральных логарифмов.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Покалякин В. И. "Исследование физических свойств поверхностно-барьерныхдиодов (диодов типа Шоттки) и новых воэн,можностей их практического примененияКан ди датская диссертация. М., ИРЭ АН СССР1969,2, Таратута А. С. Исследование флуктуационных процессов в барьерных слояхполупроводников и шумов полупроводниковых приборов, Докторская диссертация,Л,1 970.Составитель Т, Дроздов Редактор Т. Иванова Техред 3, фанта Корректор, Л, Федорчук Заказ 5011/29 Тираж 1101 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП фПатеитф, г. Ужгород ул, Проектная, 4