Потыкевич

Номер патента: 641543

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Баронский, Завалин, Максимов, Потыкевич

МПК: H01J 31/18

Метки: наведенной, проводимости, стирания

...электроннолучевой трубки белым светом 1 1,Однако таким способом невозможно стереть наведенный рельеф объемного полупроводника СОЕ 2 из-за недостаточной энергии световых кван. Известен также способ стирания наведенной проводимости в запоминающих электроннолуче вых трубках, включающий подачу на управляющую и контактную пластину сегнстоэлектрика электрических колебаний 12) .Однако этот способ не позволяет быстро стереть произведенную запись информации,Целью изобретения является сокращение вре. мени стирания.Указанная цель достигается тем, что на управ. ляющую и контактную пластины сначала подают гармонические колебания с постоянной амплиту дой, а затем колебания с затухающей амплитудой. Предложенный способ позволяет стиратьизображение ка...

Номер патента: 561157

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Завалин, Иващенко, Максимов, Потыкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...практически невозможно.Известно устройство для определениятипа проводимости полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подклю енияисследуемого образца, истэчник магнитного поля 12,Принцип действия устройства основанна определении а,д.с. Холла,едостатком известного устройства561157 ПНИИПИ 7 .в: 1557 Л 51 Тирои 1101 Пониионовонниии пгппвтвнт г, уиаоров ун провитнвн 4 симостти от типа его проводимости и от пэнлярнэсти напряжения поляризации.На чертеже изображечо предлагаемоеустройство.Устройство содержит пластину 1 изсегнетозчектрического материал ,иала на противоположные грани которой нанесеныМект 1 эодьт поляризации 2, подключенныек источнику питания 3, контакт 4, измертите 1 ть...

Номер патента: 557417

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Завадский, Завалин, Иващенко, Максимов, Потыкевич

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, элемент

...тем, что элементпамяти, содержащий последовательно распоножен.ные электрод поляризации и пластину из сегнето.электрического материала, и слой полуроводиикас нанесенным на него электродом управления, под.ключенньтм ко входу элемента, содержит слойметалла, расположенный между слоем полупроводника н пластиной нз сегнетозлектрнческого материала,На чертеже изображен элемент памяти, содержащий пластнну 1 из сегнетоэлектрического мам.риала, На одной стороне пластины 1 расположенэлектрод поляризации 2. На ррутой стороне расположен слой полупроводника 3, отделенный от плас.тины 1 слоем металла 4, Слой полупроводника 3снабжен электродом управления 5, подключаемымко входу элемента,Запись инф однкием к электрода ка на557417 Составитель 1 О....

Номер патента: 474707

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Ащеулов, Беликов, Корнеев, Пилат, Потыкевич, Шевченко

МПК: G01K 17/00

Метки: тепломер

...например, из бериллиевой керамики или сапфира,Э,д,с., возникаюш,ая на торцах анизотропного датчика, определяется формулой Томсона и имеет следующий вид:(5) а - длина латчсКа, л;6 - высота датчика, с.Определяют рабочий коэффициент тепло- мера, у которого площадь теплоконтактной пластины равна площади датчика. Тепловой поток через анизотропный датчик равен где м - теплопроводность материала аснзотропного датчика.Пользуясь формулой (1), можно определить разность температур на рабочих граня.; датчика; Тогда рабочий коэффициент тепломераопределяется следующей формулой: и таким образом зависит не только от физических свойств материала, но и от его ллины. Если анизотропный датчик изготовить из монокристалла Сс)ЯЬ, то вблизи комнатной...