Способ определения температуры плавления эвтектики полупроводника и металла

О П И С А Н И.Е-ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соаетсиия Социалистическими Республик(51) М, Кл. б 01 К 31/26 Государственный комитетСовета Министров СССРно делам изобретенийи открытий Ь 01 И 25/04(45) Дата опубликования описаиия 120 б,78(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАВЛЕНИЯ ЭВТЕКТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКА И МЕТАЛЛАИзобретение относится к электрон" ной технике и может быть применено для определения характеристик полупроводниковых приборов.Известны способы определения темпе ратуры плавления эвтектики между дву мя веществами путем регистрации тем" пературы плавления твердой Фазы, при охлаждении смеси этих веществ 1.Известен способов котором темпера- О туру эвтектики определяют по методу кристаллизации, так как сплав эвтектического состава имеет характерную структуру 2.Однако эти способы не достаточно 15 точйы. В разных сплавах эвтектика имеет различные строения и трудно определить точно температуру эвтектики, регистрируя кристаллизацию сплава, особенно в тонких слоях под мик- оО роскопом.Известен способ определения температуры плавления эвтектики полупроводника и металла при постепенном по- повышении температуры этой струк" тУРы 131.На поверхность полупроводника наносится металл и структура прогрева" ется в печи. Температуру постепенно повышают и фиксируют ту, при которой появляется жидкая фаза. Эта темпера" тура и есть температура плавления эвтектики.Недостатком такого способа является низкая точность измерений, особенно при использовании тонких слоев металлов.Поэтому приводятся лишь оценочные значения температуры плавления эвтектикиЦель;, изобретения - повышение точности измерения температуры эвтектикиполупроводника и металла при постоянном повышении температуры структурыметалл-полупроводник.Это достигается тем, что реги.стрируют вольт-амперную характеристику нагреваемой структуры и фиксируютминимальную температуру, при которойвольт-амперная характеристика имеетформу прямой линии,На фиг, 1 изображена кривая, характеризующая ток-напряжение при низкойтемпературе; на фиг.2 - то же, в момент образования омического контакта,т.е. при температуре, соответствующейтемпературе плавления эвтектики.Предлагаемый способ измерения осуществляется следующим образом.На чистую поверхность исследуемогополупроводника , с предварительно иэготовленньи к нему смическим контактом, наносят металл. Структуру616598 тонкими слоями металлов, так как назависимость тока от напряжения структуры металл-полупроводник не влияеттолщина слоя металла,Формула изобретения Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Захаров А.М. Диаграммы состояния двойных и тройных систем, М.,Металлургия, 1964, с. 38.2. Мейер В.А. Физико-химическаякристаллография, М., фМеталлургияф,1972, с. 142.3Ьв ъВЪ(а 1.,ИвйгесЬ Ъс.,1962, 109, Р 3,270,з Р.Составитель А,ПурцхвакидзеР акто Л,Г ебенникова . Тех 3. Фанта Ко ектоор Л.ВеселовскаЗаказ 4061/43ЦНИИПИ н е Тираж 1112 ного комитета Сов м изобретений и о а -35 Ра окая Подписноета Министров СССРкрытийнаб .45 Государствепо дел 113035 Моск Ужгород,фПатент оектная или помещают в печь, температуру постепенно повышают, регистрируют при этом вольт-амперную характеристику этой структуры,и фиксируют температуру, при которой Форма характеристики переходит от нелинейной к прямой линии, До образования эвтектики харак" 5 теристика ток-напряжение будет типичной для барьера Шоттки, т.е. нелинейной (чаще всего экспоненциальной), В момент, образования эвтектики образуется омический контакт металл-полу проводник. Характеристика ток-напряже". ние омического контакта, как известно, линейная, поэтому в момент обра зования эвтектики наблюдается переход характеристики от нелинейной к линейной, Переход от барьерного контакта к омическому очень резкий, что обеспечивает высокую точность измере" ний. Погрешность в измерении температуры определяется в этом случае лишь погрешностью измерительных приборов 20 и не превышает 2-3 ОС.Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить точность определения температуры плавления эвтектики металла .и полупроводника. Этот способ применим и к структурам с Способ определения температуры плавления эвтектики полупроводника и металла при постоянном повышении температуры этой структуры, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью увеличения точности измерений, регистрируют вольт"амперную характеристику нагреваемой структуры и фикСируют минимальную температуру, при которой вольт-амперная характеристика имеет форму прямой линии.