Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ 36147 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельств явлено 08,Ч 11.1971 ( 1678893/26 присоединением заявкиКл. Н 01 с 1710 Н 01 с 7/04 риорите Комитет по деламобретений и открытийри Совете Министров публиковано 07.Х 1.1972. Боллетень1 за 1973 ата опубликования описания 5.11.1973ДК 621.316.825:62 .396. .69(088.8) Авторы 1 зобрете В. Ф. Зорин, П. Е, Кандыба и В, И. Шепелев Заявител ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ 2 марганца повыша тельной пленки к п ние напряжения в стабильность. В кач 5 ла для термочувстсостав полупровод кобальта и .меди в ношениях: т а одло плен естве ител ников сле дгезию термочувствике, снижает внутрене, что увеличивает ее испаряемого материаьной пленки подобран ых окисей марганца, дующих весовых соотот 62 - 70% от 18 - 30% от 8 - 12% МпвОзСпО я, не снижаю- ленки, предлове материала подсл очувствительность п марганца МпвОз. ве электродов и ко с элементами микрос алюминия или золо акуумного термичес нтактов термохемы использута, осаждаемые ого напыления способ опрна предпрвысокойра. Темпения (ТКС)а его 3 - 5уре 20 С.орезисторов в лаборааявителя инадежной коэффи- трицательадус Цельвление поавляет от обован иятии з степени ратурнь имеет о /о на гр Сон ротисост аемыи лов иях достичь рез исто отивле величин мперат терм 1 лтом.Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способу вакуумно-термического напыления тонкопленочных терморезисторов, используемых в качестве элементов тонкопленочных микросхем.Известен способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.Недостатком известного способа является 10 низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и недостаточная стабильность изготовляемых терморезисторов.По предлагаемому способу с целью повышения ТКС и стабильности терморезисторов 15 смесь окислов марганца, кобальта и меди методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный тем же методом на подложку слой окиси марганца.Согласно изобретению терморезисторы по-20 лучают методом вакуумно-термического напыления термочувствительной пленки на основе полупроводниковых окислов марганца, меди и кобальта толщиной 600 - 800 Л на предварительно осажденный в этом же технологическом цикле подслой окиси марганца толщиной 100 -о300 А с последующим отжигом пленки на воздухе при температуре 400 в 5 С в течение 6 - 8 час для увеличения ТКС. Годслой окиси 30 а в качест щего терм жена окисьВ качест резистора ют пленки методом в через маскПредлаг торных ус позволил сти термо циент сопр ный знак, сия при те лученных 500 ом до361471 Предмет изобретения Составитель Л, Рубинчик Редактор В. Фельдман Тзхред Т, Миронова Корректорвп Е. Давыдкина и В. ПетроваЗаказ 389/14 Изд.34 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди, отличаюиийся тем, что, с целью повышения температурного коэффициента сопротивления и стабильности терморезисторов, указанную смесь окислов методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный 5 тем же методом на подложку слой окиси марганца.
СмотретьЗаявка
1678893
Авторы изобретени витель
В. Ф. Зорин, П. Е. Кандыба, В. И. Шепелев
МПК / Метки
МПК: H01C 7/04
Метки: терморезисторов, тонкопленочных
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-361471-sposob-izgotovleniya-tonkoplenochnykh-termorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов</a>
Способ экстракционно-фотометрического определения меди, кобальта и кадмия
Номер патента: 1105814
Опубликовано: 30.07.1984
Авторы: Емельянова, Караваева, Холевинская
МПК: G01N 31/22
Метки: кадмия, кобальта, меди, экстракционно-фотометрического
...экстракта вычислить ее содержание в объеме.В более щелочных растворах (рН = 8-10) данный формазан образует окрашенные экстрагируемые соединения с ионами меди, кобальта и кадмия.Данные по селективности определения меди, кобальта, кадмия известным способом 2 3 приведены в табл.1, предлагаемым способом " в табл. 2,Чувствительность определения меди, кобальта и кадмия по предлагае" мому способу в условиях определения металлов определяется следующими коэффициентами молярного погашения: медь - 24000, кобальт - 13000, кадМий - 57000. Время анализа - 2-4 мин.П р и м е р 1, Определение меди,О, 1000 г металлического образца растворяют по стандартной методике и переносят в мерную колбу емкостью 100 мл. На анализ берут 1,00 мл па 1 ученного...
Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенной на стойкую подложку, например стекло, кварц и т. д.
Номер патента: 122380
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Бурмистров
МПК: C25F 3/08
Метки: кварц, нанесенной, например, пленки, поверхности, подложку, стекло, стойкую, травления, хрома
...металла в вакууме на стекло, кварц, а также накие подложки и травится по рисункам, выгравированнымупорной основе, или по фотографическим изображениям наном слое коллоида или смолы раствором марганцовокис,ппоследующим осветлением или соляной кислоты с припудривками металла (например, цинка или алюминия), выделтравлении водород.В последнем случае травление можно прос металлической поверхностью, например, пили алюминия. хрома, получе- лговечнк очные изображения, не лочам и кислотам без аспылением другие стойна кислото- хромированого калия с анием опиляющего при изводить в контакте слоя ластиной из листа цинка едмет изобретен о с Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенноп на стойкую подложку, например, стекло,...
Способ определения висмута колориметрическим методом и меди амперометрическим титрованием
Номер патента: 148580
Опубликовано: 01.01.1962
МПК: C01G 29/00, C01G 3/00, G01N 21/78
Метки: амперометрическим, висмута, колориметрическим, меди, методом, титрованием
...органическими растворителями, что позволяет осуществлять простое разделение элементов.Были сняты спектральные характеристики димеркаптотиопирона ДМ и М и их комплексных соединений с некоторыми металлами и на основе кривых светопоглощения определены молярные коэффициенты погашения в и чувствительность отдельных реакций С.При определении висмута е =140 000 и 100 000, а С=О,ОЗ /ял и 0,1;/ил соответственно для димеркаптотиопирона М и ДМ.148580 Предмет изобретения Способ определения висмута колориметрическим методом и меди - амперометрическим титрованием, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ускорения анализа и повышения его чувствительности, в качестве реактива применяют димеркаптотиопирон ДМ (2,6-димеркапто.1,4-тиопирондиметил,5)...
Способ определения кристаллографических направлений в магнитных пленках с орторомбической анизотропией методом ферромагнитного резонанса
Номер патента: 1718162
Опубликовано: 07.03.1992
МПК: G01R 33/05
Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного
...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...
Способ получения разводки тонкопленочных гибридных интегральных схем
Номер патента: 1748623
Опубликовано: 20.02.1995
Авторы: Быковский, Козленков, Корпухин, Николаев, Полищук, Соколов
МПК: H05K 3/02
Метки: гибридных, интегральных, разводки, схем, тонкопленочных
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАЗВОДКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий испарение мишени из меди в вакууме, осаждение ее паров на полиимидную подложку, гальваническое осаждение слоя меди и формирование рисунка разводки методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки за счет увеличения адгезии меди к подложке и уменьшения изменения линейных размеров подложки, испарение мишени проводят импульсным лазерным излучением при плотности потока энергии на поверхности мишени 109 - 1010 Вт/см2, а температура подложки в процессе осаждения равна комнатной.
Предыдущий патент: Устройство для инжекционного напьленйя порошкообразных материалов
Следующий патент: Ферромагнитный материал
Случайный патент: Редуктор давления