Способ изготовления многослойных тонкопленочных структур

Номер патента: 200638

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Смоленска, Топоровский

МПК: B32B 7/00, C23C 18/06, C23F 1/02

Метки: многослойной, структуры, тонкопленочной

...тонкопленочной структуры отличается от известных тем, что на каждый токопроводящий слой наносят диэлектрический слой, имеющий толщину, несколько меньшую расчетной, обрабатывают этот слой травителем, растворяющим материал токопроводящего слоя, но не воздействующим на материал диэлектрического слоя, доводят толщину диэлектрического слоя до расчетной, наносят второй токопроводящий слой и выжигают контактные мостики электрическим током. Это позволяет значительно увеличить срок службы пленочных структур и их надежность в работе.Длительность процесса травления выбирают, исходя из скорости растворения токопроводящего слоя, его толщины и качества диэлектрического покрытия. После травления структуру тщательно промывают. Если диэлектрические слои...

Номер патента: 1115113

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Андзюлис

МПК: H01C 17/00

Метки: многослойных, резисторов, тонкопленочных

...во время отжига;на фиг. 8 - кинетика изменения удельных поверхностных сопротивлений однономинальных (Нз=350 Ом/кв) однослойных и многослойных пленок во времяотжига.40Способы нанесения резистивных пленок (слоев) и формирование диэлектрических слоев могут быть разными, втом числе термическое напыление илиионно-плазменное распыление резистив 45ных и диэлектрических материалов ввакууме, в инертных или реактивныхсредах. Способ включает формированиетонких диэлектрических слоев путемобработки резистивных пленок в реактивных средах, в кислороде, азоте,например, термическим окислением,окислением под давлением или анодированием, например, в высокочастотном разряде. В массовом производстве способ предполагает возможностькосвенного контроля...

Номер патента: 1247781

Опубликовано: 30.07.1986

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, полупроводниковых, проницаемости, слоев

...8, инвертирующий и неинвертирующий входы сумматора подключены к измерительным электродам 1, расположенным соответственно по обе стороны от исследуемого слоя, а вы 30 ход соединен с входом усилителя 7.Блок 3 измерения расстояния соединен механически с измерительными электродами 1. Блак 4 формирования заряда состоит из коронирующего элек- З 5 трода 9 и контрэлектрода 10, расположенных по разные стороны слоя 5, а также источника 11 высокого напряжения, выход которого соединен с коронирующим электродом 9, Источ ник высокого напряжения и контрэлектрод 10 заземлены.Устройство работает следующим образом.Посредством источника 11 высокогонапряжения электрода 9 и контрэлектрода 10 на поверхность исследуемого слоя 5, обращенную к электроду...

Номер патента: 1812917

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Дегтева, Корницкий, Кыласов

МПК: H05B 33/12

Метки: структура, тонкопленочная, электролюминесцентная

...уменьшению рассеяния электронов, к росту эффективности преобразования энергии электрического поля всветовую энергию и, как следствие, к росту 10яркости.Носители зарядов, поставляемые внутренним катодом, претерпевают ускорение вэлектрическом поле, прежде чем достигаютэнергий, необходимых для возбуждения 15центров свечения. Оценим толщины прослоек, выполняющих функции зон разгонаносителей.,Обозначим величину энергии возбуждения центров свечения через Р.Р=еЕ, где е 20- заряд электрона,- длина пробега электрона до того, как он без столкновений наберет энергию Р, Е - электрическое поле внрикатодной области. Обычно величина Ележит в пределах (1,5 - 2)106 В/см. Величина энергии возбуждения Р определяется типом центра. Есл в качестве...

Номер патента: 443679

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Зорин, Крузе, Павлов, Туловчиков, Шитова

МПК: B01J 17/32

Метки: газовой, диэлектрических, приготовления, слоев, смеси

...ПРЦГОТОВЛСППЮ ЦСООХОДП- мой смссп От Оыта 1; Опьту ц поддср 11;аня НУГКНЫХ Р 2 СХОДОБ ЕОМПОНСНТОВ Б КОДР ОДНОГО Опыт 2. В 2 риант, еОГд 2 смссь 011 эсделснногоусосгаз 2 Готов 5 т .Рц 32 П 1 аз,с Оалл 012, цмсст Весьма Огр 211 чсхнос пр.нспспцс, тае 121 с позволяет зсстп сц 1 РЗ лишь прц да;шом соотношении смеси. (роме ТОГО, БВ:ду разно 1 летучести ео.,:1 юпспты газозо 1 с 1 сс 1 Вь 1 тск 210 т цз ба;лое 2 с разлц" Н 01 сеоостью, 1 то у.ее через несколько часов паслс сго 32 разец прц- ВОДИТ Е ЗСР УСЛ:БаОП С 51 ЦЗ РСН:51:. П,СПСТВТКО У 1232 ННОГО С 110 С 002 ПРИГО ГОВЛРНЦЯ и подачи рабочей сз;ссц, В силу отмеченных не443679 Составитель В. Пополитов Редактор Т. Шагова Техред О. Гуменюк Корректор Л. Котова Заказ 7947 Изд. ЪЪ 414 Тираж...