H01G 4/33 — тонкопленочные или толстопленочные конденсаторы

Номер патента: 177989

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Израйлев

МПК: H01G 4/255, H01G 4/33

Метки: емкости, микропленочного, регулировки

...точной подгонкой емкости под номинал (не выше +20%) и не дают возможности автоматизировать процесс регулировки.По предлагаемому способу точность подгонки емкости конденсатора под номинал повышается благодаря управлению подвижным трафаретом при одновременном контроле величины емкости в процессе напыления.На чертеже приведена схема установки с подвижным трафаретом для пояснения описываемого способа.В вакуумной камере 1 на основании 2 укрепляют подложку 3. Трафарет 4 перемещают по отношению к подложке с помощью двига 2теля 5 с редуктором (на чертеже не указан). Через щель 6 на подложку наносят пленку металла от испарптеля 7.Емкость измеряют пр енин заданного значения ескп останавливают.Предмет изобретенияСпособ регулировки емкости...

Номер патента: 357607

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бузницкий, Львовский, Попов, Радиотехнических

МПК: H01G 4/255, H01G 4/33

Метки: емкости, конденсатора, тонкопленочного

...конденсаторов заключается втом, что на верхнюю обкладку изготовленногоконденсатора методом опыления или окисления наносят тонкую диэлектрическую пленку. На эту пленку накладывают внешний плоский электрод, соединенный с одним из выводов-ис- точника импульсного напряжения. Второй вывод упомянутого источника подключают к верхней обкладке регулируемого конденсатора.С помощью импульсного напряжения производят пробой конденсатора, нижней обклад кой которого служит верхняя обкладка регулируемого конденсатора, диэлектриком - напыленная или окисная пленка, нанесенная на эту обкладку, а верхней обкладкой, накладываемой на эту пленку, - дополнительный 10 плоский электрод. При этом происходит уменьшение площади верхней обкладки регулируемого...

Номер патента: 546948

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Мелиоранская, Сыноров, Чевычелов

МПК: H01G 4/255, H01G 4/33

Метки: конденсаторов, подгонки, тонкопленочных

...не за счет уменьшения площади верхней обкладки 4, а за счет увеличения толщины пленки 3 в области, прилегающей к торцевой поверхности верхней обкладки 4.При осуществлении юстировки номинала тонкопленочного конденсатора на величину менее 1 % от его первоначального значения избирают вариант, показанный на фиг. 3. Электролит 5 помещают на диэлектрическую пленку 3 на небольшом расстоянии от границы верхней обкладки 4 (фиг. 5), затем подают напряжение, превышающее напряжение формовки конденсатора на величину, соответствующую желаемому эффекту подгонки, в результате происходит окисление нижней обкладки 2.За счет эффекта растекания область окисления захватывает частично площадь нижней обкладки 2, лежащую под торцевой поверхностью...

Номер патента: 890459

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Мальцев, Прагер, Субботина, Юсипов

МПК: H01G 4/00, H01G 4/33

Метки: конденсатор, пленочный

...толщиной 0,3-0,5 мкм,4 - тонкопленочный электрод изтугоплавкого металла,5 - контактные площадки электрода1, выполненные из того же металла, что и электрод 4 и полученные методом фотолитографии;б - диэлектрическая подложка.Предлагаемая конструкция пленочного конденсатора проверена в лабораторных условиях в процессе изготовления и испытания опытной партии.Электроды предлагаемого ПК, расположенные на диэлектрической подложке, изготовляют из пленок молибденаили никеля с подслоем титана. Пленки молибдена осаждаются ионно-плазменным распылением мишени, пленкиникеля " электронно;лучевым испарением штабиков, титан осаждается резистивным испарением из молибденовых лодочек. Толщина электродов 0,50,8 мкм. В качестве...