Способ тренировки тонкопленочных конденсаторов

Номер патента: 1429060

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Боев, Падерин

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектрике, напряженности, поля, твердом, электрического

...Ь,1 где еС - коэффициот удель ческой п зависитэлектринт; которыиой объемнойоводимости ериала.Следовательно занной последова исключается необ величины ьБ, эа точность измерен время измерения. и укций при выполи ельности оп одимость оп чет чего по я и сокраща еделенияышаетсятся ектрцкен е т а и и о(ц -Ус)Ь 1,-1) Способ измерения напряженностэлектрического поля в твердом диэлектрике, заключающийся в облучдиэлектрика потоком электромагниизлучения, нормально падающего нэлектрик, и измерении при этом т1 в диэлектрике, о т л и ч а ю щс я тем, что, с целью повышенияточности и сокращения времени иния, дополнительно прикладываютдиэлектрику поочередно напряжени 02,измеряют при этом токи 1, исоответственно в диэлектрике иделяют напряженность...

Номер патента: 1531029

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Гефле, Лебедев

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектрике, напряженности, неразрушающего, поля, твердом, электрического

...осциллограф Ь.1.Производится контроль электрического поля в образце из ПММА, заряженном в поле коронного разряда.Для зарядки образца две пластины иэ ПИМА толщиной 1 мм помещают на заземленный металлический электрод. Над поверхностью пластин на расстоянии 5 мм размещают многоострийный электрод, на который подается высокое постоянное напряжение 0 = 12,5 кВ. При этом вблизи многоострийного электрода зажигается коронный разряд,4а на поверхности пластин образуется положительный заряд. После выдержки пластин в поле коронного разряда в течение 10 мин напряжение отключается, а заряженные пластины склады - ваются поверхностями, обращенными к многоострийному электроду. Таким образом получают образец твердого диэлектрика с созданным в...

Номер патента: 1706731

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Валиев, Заноха, Казаков

МПК: B08B 3/04

Метки: места, обнаружения, полых, течи

...жидкостей и т,п.Во втором случае жидкость, достигая устья дналд апилляра, начинает испаряться с поверхности мениска, тем самым в устье отлагаются примеси. Поскольку процесс испарения легколетучих жидкостей идет достаточно интенсивно, то мениск жидкости с повышенным содержанием примесей начинает передвигаться вглубь микроканала, при этом уменьшается гидродинамическое сопротивление канала, повышается давление рабочей жидкости, При достижении глубины д и определенных условий в канале давление возрастает настолько, что выталкивает пробочку примесей на поверхность и процесс повторяется, т.е, истечение жидкости носит пульсирующий характер.В третьем случае примеси оседают в сэмом канале и он становится недоступен для обнаружения,При...

Номер патента: 617789

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Ануфриев, Геликман, Кристалинский, Новик, Столов

МПК: H01G 13/00, H01G 9/00

Метки: конденсаторов, тренировки

...в местах дефектов, что стимулирует залечивание дефектов оксидной пленки за счет использования свойств катодных покрытий, В оксидно-полупроводниковых конденсаторах с твердым электролитом под действием повышенной температуры происходит химическое превращение полупроводника - двуокиси марганца в диэлектрик - окислы марганца более низкой валентности. В результате над дефектами оксидной изоляции образуются диэлектрические пробки, перекрывающие дефект. В жидкостных конденсаторах идет интенсивное наращивание оксидного слоя за счет окисления металла анода кислородом, выделяющимся из электролита,Параметры напряжения (амплитуду, частоту и длительность воздействия) выбирают таким образом, чтобы развивающаяся в дефектных местах конденсатора...

Номер патента: 868850

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Белова, Богатин, Богатина, Гольцов, Гуля, Мальцев, Прокопало

МПК: H01G 7/00

Метки: диэлектрик, конденсатора

...окислов РЬО, СеО, В 00в платиновом тиг 35ле при 1150-1200 С в течение 1-2 ч споследующей закалкой на воздухе. Для получения диэлектрика для конденсатора из смесей титаната свинца с40добавкой окиси лютеция со стекламипрессуют образцы, например,.в видедисков диаметром 12 мм и толщиной 23 мм. Затем их обжигают в камернойэлектрической печи при 1000-1050 С втечение 3-4 ч в засыпке состава,45вес,%: РЬТ 10 90; ИдАЮ 04 10. Подъемтемпературы в печи осуществляют соскоростью .200-250 град/ч, охлаждениесо скоростью 80-120 град/ч (потери ввесе образцов не превышают 0,5%),Полученные диски шлифуют до толщины 1 мм и наносят электроды на поверхность образцов методом вжигания серебряной пасты,о 4П р и м е р. Состав диэлектрика,вес.%: РЬ(Т...