Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов

Номер патента: 450246

Авторы: Котельников, Петров

ZIP архив

Текст

, - +ВфтФьЯИ:Б 1) 450246 Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 29.01.73 (21) 1878736/26-9 51) М. Кл. Н 01 д 13/00 рнсоединением заявк Государственный комитет Совета Министров СССР(32) ПриоритетОпубликовано 15.11.74. БюллетеньДата опубликования описания 04.06.75(53) УДК 621.396.6-181.48:621.319 4 (088 8) по делам изобретен и открытий 2) Авторы изобретени В. А. Котельни Ю. И. Петро 1) Заявител нина институт химической физики АН ССС(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ИЯ ТОН КОПЛ ЕНОЧ НЫХ КОНДЕНСАТОРОВИзобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных элементов микроэлектроники.Известен способ изготовления тонкопленочных конденсаторов путем нанесения термическим испарением в вакууме двух металлических электродов,Недостатком известного способа является высокая вероятность катастрофических отказов конденсаторов вследствие короткого замыкания между верхней и нижней обкладками. Короткие замыкания возникают из-за того, что испаренные атомы металла обладают большой кинетической энергией и высокой подвижностью в адсорбированном состоянии, благодаря чему они легко проникают в диэлектрический слой по дефектным местам и микропорам, при этом величина удельной емкости конденсаторов ограничена.С целью предотвращения короткого замыкания между электродами в процессе их нанесения и повышения удельной емкости тонкопленочных конденсаторов по предлагаемому способу перед нанесением верхнего электрода на диэлектрик осаждают промежуточный слой толщиной 0,05 - 0,1 мкм, состоящий из аэроо зольных частиц металла размером 20 - 60 А. ются при терв разряженной Аэрозольные частицы обрамическом испарении металла 2атмосфере инертного газа (Аг, Не). Эти частицы имеют низкую кинетическую энергию, малую подвижность и относительно большие размеры, что устраняет локальные разогревания диэлектрического слоя и проникновение металла по дефектам и микропорам, В качестве диэлектрика используют моноокись кремния. Измерение емкости осуществляют мостовым методом на частоте 1 кГц.10 П р и м е р. На тщательно очищенное покровное стекло через маски методом термического испарения осаждают алюминиевый электрод и слой ЯО в вакууме 1 10 -ммо 15рт. ст. Скорость осаждения ЯО - 10 А сек - .Толщины диэлектрика изменяются от 5000 Аодо 300 А. Диэлектрическая постоянная слоя - 5.5, а его тангенс угла потерь - 0,015. Поверх диэлектрика осаждают промежуточный слой толщиной 0,05 - 0.1 мкм из мелких частиц А 1, полученных термическим испарением металла в атмосфере Аг при давлении 10 -мм рт. ст а затем сверху осаждают алюминиевый электрод в вакууме 1.10мм рт. ст.25Уменьшение толщины диэлектрическогоо ослоя с 5000 А до 300 А у конденсаторов, изготовленных предложенным методом, не приво.дит к появлению коротких замыканий, а так же позволяет повысить их удельную емкость,450246 П р ед м е т изобретения Составитель Г. СмирноваРедактор Т, Морозоса Текред М. Семенов Корректор Л. Денисова Заказ 1331/14 Изд.1258 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 7 К, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов, включающий нанесение термическим испарением в вакууме двух металлических электродов, от л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью предотвращения короткого замыкания между электродами в процессе их нанесения и повышения удельной емкости, перед нанесением верхнего электрода на диэлектрик осаждают термическим испарением в разреженной атмосфере инертного газа слой аэрозольных частиц металла электрода.

Смотреть

Заявка

1878736, 29.01.1973

ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ АН СССР

КОТЕЛЬНИКОВ ВАЛЕРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПЕТРОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01G 13/00

Метки: конденсаторов, тонкопленочных

Опубликовано: 15.11.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-450246-sposob-izgotovleniya-tonkoplenochnykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов</a>

Похожие патенты