Материал для изготовления тонкопленочных резисторов

Номер патента: 546021

Авторы: Бочкарев, Бочкарева, Войнова

ZIP архив

Текст

3 ОЛИ йЕ ЙЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Реслублик(51) М.Кл.з Н 01 С 7/00 с присоединением заявки -Государственный комитет Совета Министров СССР ло делам изобретенийи открытий(-:5) Дата опубликования описания 01.0:3.77(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТО 11 КОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВМеталлосилицидный сплав 15 Мул лит 85 Изобретение относится к области производства деталей электронной техники.Известен материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий окислы кремния, алюминия, оария, кальция, железа, титана, натрия и калия 11.Недостатком этого материала является завышенное значение э. д. с. шума, что затрудняет получение высоких номинальных величин резисторов с требуемыми параметрами,Известсч также гматериал для изготовления тонкопленочных резисторов, в гкотором формирование диэлектрической фазы осуществляется с помощью окислов лантаноидов, и содержащий (в вес, %): Металлосилицидный сплав 11 - 80Окислы лантаноидов 20 - 89 2 Однако у этого материала недо"таточно высоцкая стабильность,Цель изобретения - "э ышение стабильности резисторов,Достигается это тем, что материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий,металлосилицидный сплав и диэлектрик, в качестве диэлектрика содержит мул. литпри следующем соотношении исходных компонентов (в объемных %): Металлосплпцидный сплав 15 - 80 Мул лит 20 - 85 В отличие от других диэлектриков муллит 5 позволяет создать, материал, пз которого может быть, получена вьсокоомная керметная пленка, обладающая малой величиной ТКС и низким уровчем э. д. с. шумов при объемном количестве диэлектрической фазы в пленке, доходящем до 70%, Существенным преимуществом является то, что изготовленные из него рсзнстпвные пленки допускают значи тельно большую удельную мощность рассеяния при меньшем необратимом изменении величины сопротивления. Примеры получения материала для изготовления тонкопленочных резисторов. П р и м ер 1 (для минимума) 20,Смесь, порошков (в объемных %):25 Эта смесь после испарения может датьпленку с поверхностным сопротивлением 40 комкв прн толщине 800 А. ТКС меньше 200 х 10 - " С. Стабильность величины сопротивления после 1000 и преоывания под нагрузкой 1 вт/см не больше 0,5%.546021 Металлосилицидный сплав 50 Мулл ит 50 Формула изобретения 10 Металлосилицидный сплав 80 Мулл ит 20 15 Составитель П. Лягни Техред В. Рыбакова Редактор Н. Петрова Корректор В, Гутман Заказ 83/143 Изд.421 Тираж 1019 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип, Харьк, фил. пред. Патент П р и м е р 2 (для среднего значения)Смесь порошков (в объемных %): Такая смесь после испарения может дать пленку с поверхностным сопротивлением 30 ком/кв (толщина, ТКС и стабильность сопротивления такие же, как в первом примере).Пр и,м е р 3 (для максимума)Смесь порошков (в объемных %): Эта смесь после испарения может дать пленку с ;поверхностным сопротивлением 10 колю/кв при остальных характеристиках, равноценных указанным в первом примере. Этот,материал используется для получе ния керметных пленок термическим испарением его в вакууме с помощью обычных приемов для пленочной технологии. Пленки подвергают термической обработке для стабилизации электрических характеристик. Оптимальную темлературу и длительность обработки пленок подбирают опытным путем в зависимости от свойств подложки.Предлагаемый материал позволяет получать высокоомные резистивные;пленки, вели чина старения которых примерно в восемь разменьше, чем у известных материалов. Материал для изготовления тонкопле:,з 1- ных резисторов, содержащий металлосилицидный сплав и диэлектрик, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью:повышения стабильности резисторов, в качестве диэлектрика материал со. держит муллит, при следующем соотношении исходных 1 компонентов (в объемных %): Металлосилицидный сплав 15 - 80 Мулл ит 20 - 85 20Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР352319, кл. Н 01 С 7/00, 12.05.70.2. Авторское свидетельство по заявке1847999/21, кл, Н 01 С 7/00, 20.11.72 (прототип).

Смотреть

Заявка

2156759, 21.07.1975

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4816

БОЧКАРЕВ БОРИС АЛЕКСАНДРОВИЧ, БОЧКАРЕВА ВАЛЕРИЯ АЛЕКСАНДРОВНА, ВОЙНОВА ТАМАРА ПЕТРОВНА

МПК / Метки

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов, тонкопленочных

Опубликовано: 05.02.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-546021-material-dlya-izgotovleniya-tonkoplenochnykh-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Материал для изготовления тонкопленочных резисторов</a>

Похожие патенты