Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти

Номер патента: 244398

Авторы: Институт, Кон

ZIP архив

Текст

"сооюзн244398 О ПИС А Й".И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союа Советсииа Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 01.111.1968 ( 1223238/18-24)с присоединением заявки-21 а 1, 37/04 МПК 611 с орите комитет по делам обретений н открытий ри Совете Министров СССР. И, Коня нститут математики СО АН С аявите СОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИорфного селе ирующий слой0 - 40 А и верх(например, из А000 А.мым условием рта памяти являффузия в диэлеода, работа выдолжна бытьндирующего м ии демп толщиной электроды 5 ной 5500 -Необходи ного элеме тельная ди рого электр О диффузант да недифф трода, ние металлические , Мд и др,) толщиеноч- начи- втоа для выхоаботы тонкопл ется очень нез ктрик металла хода электрод выше работы еталлического т изобретенияения тонкопленочных элеснованный на вакуумном металла на диэлектричеанесении верхних металлиотлицающийся тем, что, потребляемой мощности, на ющую пленку с высоким ффузии в диэлектрик под еского поля наносят плену диэлектрика, а на последпфирующий слой аморфхние металлические элекот са ле Известйы способы изготовления тойкопленочных элементов памяти, основанные на вакуумном осаждении пленки металла на диэлектрическую подложку и нанесении верхних металлических электродов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что на разогретую изолирующую пленку с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля наносят пленку металла и пленку диэлектрика, а на последнюю - тонкий демпфирующий слой аморфного селена и верхние металлические электроды.Это позволяет хранить информацию при снятом напряжении и снижении потребляемой мощности.На изолирующую пленку, разогретую до 150 - 250 С, с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик вакуумным осаждением под действием электрического поля наносятпленку металла (например, Ад, Сц и др.) толщион "т 2000 - 5000 А. Затем на эту подложку о ждают при той же температуре пленку диэ ктрика (например,%0, А 120, и др.) толщионой 200 - 1000 А, после чего на эти две компоненты при комнатной температуре наносят тонПредме5 Способ изготовлцентов памяти, оосаждении пленкискую подложку и нческих электродов,0 с целью сниженияразогретую изолирукоэффициентом дидействием электричку металла и пленк5 нюю - тонкий демного селена и вертр оды.

Смотреть

Заявка

1223238

С. И. Кон, И. Институт математики СССР

МПК / Метки

МПК: G11C 11/14

Метки: тонкопленочных, элементовпамяти

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-244398-sposob-izgotovleniya-tonkoplenochnykh-ehlementovpamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти</a>

Похожие патенты