Патенты с меткой «кадмия»

Номер патента: 1718103

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Бекмухаметова, Енсепова, Захаров, Нуртаева

МПК: G01N 27/48

Метки: кадмия, присутствии, селенида

...из таблицы, способ является более универсальным: позволяет одновременно в одной пробе (Сб+СОЯе+Яе) определить доа компонента Сб и СОЯе, в то время как известный способ дает возмокность определения только одного компонента Сд в присутствии СОЯе. Кроме того, способ упрощает определение: исклгочаются операции растворения образца, кипячения, охлаждения, фильтрования, которые снижают эксНедостатками известного способа яв- вляются использование ртутного электрода, ичто противоречит современным требованиям экологии, ограниченность метода, таккак он применим только длл определения 5основного компонента кадмия, входящего всостав селенида кадмия, путем растворенияпробы. Кроме того, метод не пригоден дляопределения элементного кадмия на...

Номер патента: 1730687

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Каган, Карпенко, Катилюс, Якобсон

МПК: H01L 21/66

Метки: длины, кадмия, пробега, свободного, сульфиде, электрона

...излучения экситонной люминесценции при Т = 1,8 К для различных образцов при различных напряжениях электрического поля; на1 фиг. 2 - график зависимости 1 п от1 о 1 Е/Ео, где Ео - напряженность поля в начальный момент времени, из которого потангенсу угла наклона асимптоты определена константа Ео 1,Кривые 1-6 для образца Т(в спектре люминесценции которого достаточно интенсивна линия излучения свободного экситона и наблюдается две линии экситонпримесного комплекса), отнесенного к предельно чистым кристаллам, при различных напряженностях электрического поля Е, В/см; 0; 300; 350; 450; 650; 800 соответственноо.Кривая 7 - для образца Т(в спектре люминесценции которого линии экситонпримесных комплексов обладают наибольшей интенсивностью и имеют...

Номер патента: 1740466

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Петрова, Ражева, Сашинина

МПК: C22B 3/46

Метки: вод, извлечения, кадмирования, кадмия, промывных, электролита

...губка одержит 90% чистого кадмия, т.е, порошок агрязнен посторонними примесями, Кадмий накапливается непосредственно в расворе, что осложняет его извлечение,Целью изобретения является повышение чистоты получаемого металлического порошка кадмия, а также упрощение процесса извлечения кадмия из раствора,Поставленная цель достигается тем, что извлечение кадмия из промывных вод проводят методом контактного электрохимического вытеснения используя в качестве металла-цементатора низколегированный магниевый сплав (Мд 99,9%) в виде пластины, помещенной в чехол из химически стойкой ткани типа "Хлорин", Стенки чехла не должны соприкасаться с пластиной, в этомЗаказ 2053 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1761750

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Галкина, Леснов, Павлов, Петров

МПК: C07D 231/20, C22B 3/36

Метки: 1-гексил-4-изонитрозо-3-метил-2-пиразолин-5-он, кадмия, никеля, реагент, цинка, экстракционный

...реакции и высушивают при 40-50 С, Выход 8,5 г (93,5 ); Соединение может быть дополнительно перекристаллизовано из смеси гексан-толуол (5;1). Соединение представляет собой желтые иглы с т,пл. 85 - 87 С, И 0,55;0,41 (силуфол ОЧ, бензол:эфир 3:2, син-, анти-изомеры).Найдено, : С 56,90; Н 7,98; ч 19,74, С 10 Н 17 М 302.Вычислено,: С 56,85; Н 8,11; й 19,89.Соединение растворимо в хлороформе, дихлорэтане, толуоле, изопентаноле, этаноле, тетрахлориде углерода, Мало растворимо в гексане, практически не растворимо в воде.ИК-спектр, вазелиновое масло, ммакс., см: 3520 (ОН-анти), 3170 (ОН-син), 1710 (С=О-анти), 1635 (С=О-син), 1560 (С=И.И К-спектр, кристаллы, ъ см; 1563 (С=К),ЯМР Н-спектр, 0,01 М раствор в СОСз, д, м,д.; 11,40 с(ОН); 3,63...

Номер патента: 1767397

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Беляев, Демидов

МПК: G01N 21/78

Метки: ацетата, кадмия

...б мольл 1. Определению ацетата кадмия не мешаютфторид кадмия, карбанат кадмия, мешают другие карбоксилаты кадмия, а также карбоксилаты цинка, хрома (111), ионы железа (1 1), железа (111), меди (1 1) и меди (1).1767397 Формула изобретения Способ определения ацетата кадмия, включающий обработку анализируемой пробы реагентом и фотометрирование раствора,отличающийся тем,что,сцелью повышения селективности определения, анализируемую пробу упаривают досуха, обрабатывают 1,10-фенантролином при 240-270 С, полученное окрашенное соединение экстрагируют хлороформом и фотометрируют. Составитель Н, ЗаболоцкаяТехред М.Моргентал Корректор И. Шмакова Редактор Н. Хорина Заказ 3544 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1778688

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Пилипенко, Сухан, Тулюпа

МПК: G01N 31/22

Метки: кадмия

...кадмия равен 0,01 - 0,50 мкг/мл, Предел обнаружения составляет 1 10 моль/л. Молярный коэффициент поглощения фенилтиосемикарбаэоната кадмия равен 6,5 10. Предлагаемый способ позволяет повысить чувствительность определения в 10 раз по сравнению с прототипом.П р и м е р 1. Определение кадмия по способу прототипа.К 10 мл анализируемого раствора приливают 5 мл ацетатного буферного раствора (рН б - 7), 2,5 м 0,002 моль/л диметилформамидного раствора тиосемикарбазона 1,2- нафтохинон-сульфокислоты и доводят до метки дистиллированной водой (Ч = 25 мл), Раствор хорошо перемешивают и измеряют оптическую плотность в стеклянной кювете с = 1 см относительно холостого раствора, Длина волны равна 520 нм, Интервал определяемых концентраций кадмия...

Номер патента: 1515796

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Вострецов, Нагорная, Овечкин, Пирогов

МПК: C30B 29/32, C30B 33/00

Метки: вольфрамата, кадмия, монокристаллов, термообработки

...в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390-450 С и выдерживают в течение 2 - 5 ч, Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640 - 950 С, выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Св(Т) до 437 ь.1 табл,МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,30 соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 - 7), получаемый согласно прототипу,В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно...

Номер патента: 1784583

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Иванов, Кобзарь-Зленко, Нагорная

МПК: C01G 39/00, C01G 41/00

Метки: вольфраматов, кадмия, молибдатов, цинка

...- результат осуществленияреакции (3), как и в предыдущем примере,Сочетая уравнение реакций (5). (2), (3),получим итоговую реакцию (6)Со(ОН)2+ ЮУОЗ + СсРЯ 04+ Н 20 (6)После фильтрации, промывки и сушкиосадка получают 17,91 г белого мелкокристаллического порошка со структурой вольфрамата кадмия при теоретическом выходе18,01 г,П р и м е р 5, Для получения 0,05 г мольвольфрамата цинка по реакции (9) 4,07 г.оксида цинка, 16 г нитрата аммония и 20 смззгидроксида аммония плотностью 0,9 см,300 см дистиллированной воды помещаютв колбу и осуществляют взаимодействиекомпонентов по реакции (7) аналогичнопредыдущим примерам.2 пО + 2 ЙН 4 ЙОЗ + 2 ЙН 40 Н-+ 2 п(ЙНз)41(Й 03)2 + ЗН 20 (7)Как и в предыдущих примерах осуществляют реакцию (3), сливая...

Номер патента: 1791425

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Гатилов, Зорин, Каратаев, Степанова, Фещенко

МПК: C04B 35/00

Метки: блоков, кадмия, поликристаллических, теллурида

...не осаждаетсяМОС кадмия подают.в таком соотношении, чтобы количество образующегося при термораспаде кадмия составляло 1,2 - 1,5 моля на моль избыточного теллурэ. При соотношении меньше 1,2 блоки теллурида кадмия получаются нестехиометрического состава, а увеличение более 1,5 нежелательно, т. к, происходит излишний расход МОС Сд, не приводящий к увеличению положйтельного эффекта, На каждый моль МОС кадмия подают 2,5 - 3 моля водорода. Использование меньшего избытка водорода и ри водит к появлению мелкодисперсного углерода, образующегося в процессе термораспада МОС Сб, Содержание углерода в структуре бло-.ков значительно снижает качество оптической керамики. Использование избытка водорода более 3-х молей на моль МОС Сб приводит к...

Номер патента: 1807378

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Денисова, Кабанова

МПК: G01N 27/42

Метки: кадмия, кулонометрического, материалах, ртутьсодержащих

...концы нитей переплетали с никелевой проволокой и убирали в тефлоновый шланг, конец которого парэфинировали, Использовали трехэлектродную ячейку с анодным и катодным отделениями, разделенными пористой диафрагмой. Вспомогательный электрод - платиновая сетка; электрод сравнения - насыщенный хлоридсеребряный электрод. Общий обьем раствора в рабочем отделении 15 мл.Раствор освобождался от кислорода воздуха и перемешивался инертным газом, Заданный потенциал поддерживался по 45 ученные в условиях эксперимента, описанных в примере, показывают, что для 50 55 5 10 15 20 25 30 35 40 тенциостатом ПМ, Количество электричества определяли с помощью интегратора тока ИП,Растворение металлического кадмия и металлической ртути проводят в...

Номер патента: 1818362

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Авербах, Князьков, Скуратов, Яценко

МПК: C30B 29/50, C30B 7/14

Метки: кадмия, пленок, сульфида

...такие частицы, для которых свдиментация еще очень мала, свойства раствора еще близки к свойствам истинных растворов и условия зарождения, адгезии и роста пленок оптимальны: пересыщения невелики, зародыши малы поразмерам и равномерно распределены вобъеме раствора и по поверхности подложки, что и способствует повышению адгезии и качества пленок. Такие условия создаются как бы самопроизвольно в той части реакционного объема, который находится под подложкой в случае ее горизонтального илинаклонного расположения, т.е, защищен подложкой, Аналогичное воздействие на процесс роста пленок, по мнению заявителя, можно создать путем наложения на реакционный объем центробежного поля с определенной величиной ускорения на начальном этапе процесса...

Номер патента: 1818364

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кадмия, кристаллов, теллурида

...Из таблицы (строки 1 - 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Т 1 о 6 остается низким. Испольэо- Б вание температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация СОТе, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см, таблицу, строка 8),Снижение продолжительности отжига Сд(менее 60 ч) приводит к получению кристал лов с недостаточно высоким светопропуска- фь нием (см,таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т 1 о б (см, таблицу, строка 4).Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение...

Номер патента: 1820912

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Боброва, Мезенцев, Мироненко

МПК: C09K 11/56

Метки: кадмия, катодолюминофоров, основе, поверхностной, сульфидов, цинка

...деминерализованной водой и приливают 13 мл водного раствора К 2510 э с концентрацией 300 г/л и модулем 2,7 - 3,2 и 15-20 л деминерализованной воды. Суспензия перемешивают и приливают к ней 10 мл 1 оь-ного водного раствора диалкилоксиполиэтиленгликолевого эфира ортофосфорной кислоты (КД), нейтрализованного триэтаноламином, концентрацией 0,005/ . по отношению к люминофору. Суспензиюразбавляют 15 - 20 л деминерализованной воды и фракционируют с отбором в конусе крупной фракции с размером частиц 14 мкм. Сусбензию далее фильтруют, люминофор сушат при температуре 100-130 С. Яркость катодолюминесценцйи 100 ф, седиментационный объем 0,48 см /г,П р и м е р 2, Аналогичен примеру 1 заисключением того, что после повторной обработки...

Номер патента: 1825431

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец

МПК: H01L 21/203

Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка

...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...

Номер патента: 2003202

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Болтарь, Корольков

МПК: H01L 21/425

Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования

...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...

Номер патента: 1431391

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Матвеев, Нахабцев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, теллурида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, включающий нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера, плавление загрузки, выдержку расплава и его последующее охлаждение с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности дислокаций, исключения двойников в кристаллах и упрощения процесса, при охлаждении в секции с расплавом поддерживают безградиентное температурное поле, а температуру в секции с кадмием 755 - 765oС и охлаждение ведут со скоростью, равной или меньшей 3 град/ч.

Номер патента: 1759021

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Гришанова, Доценко, Катамадзе, Кутикова, Сахарова

МПК: C09K 11/01, C09K 11/56

Метки: кадмия, катодолюминофора, основе, регенерирования, сульфида, цинка

1. СПОСОБ РЕГЕНЕРИРОВАНИЯ КАТОДОЛЮМИНОФОРА НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА ЦИНКА И КАДМИЯ, активированного медью, включающий обработку люминофора пероксидисульфатом в водном растворе гидроокиси натрия при нагревании, последующую промывку водой и сушку полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения и стабильности ее в процессе изготовления экрана и обеспечения равномерности покрытия экрана, люминофор предварительно обрабатывают водным раствором глицина в количестве 0,5 - 8,5 г глицина на 100 г люминофора при 80 - 90oС в течение 10 - 20 мин и промывают водой, а последующую обработку пероксидисульфатом проводят при эквимолекулярном количестве его к гидроокиси натрия в присутствии перхлорита натрия, взятого в...

Номер патента: 1695693

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Дорожкин, Дуксина, Егоров, Ефимова, Зубрицкий, Калихман, Кочетков, Правоверов

МПК: C22C 1/04, H01H 1/02

Метки: кадмия, контактов, оксидом, основе, производства, серебра, электрических

СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ СЕРЕБРА С ОКСИДОМ КАДМИЯ, включающий прессование из порошка сплава серебро-кадмий пористой заготовки, внутреннее окисление, допрессовку, спекание, калибровку и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения коммутационной стойкости контактов и устранение межполюсных перекрытий, прессование осуществляют из порошков с размерами частиц 2 7 мкм, а внутреннее окисление осуществляют в засыпке из оксида или нитрида алюминия, при этом заготовки размещают на поддоне в один слой.

Номер патента: 1419388

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Барковский, Волков, Правоверов, Шабатин

МПК: B22F 3/16, H01H 1/02

Метки: кадмия, композиции, контакта, окись, серебро, спеченного, электрического

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СПЕЧЕННОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА ИЗ КОМПОЗИЦИИ СЕРЕБРО ОКИСЬ КАДМИЯ, включающий введение в композицию водорастворимой соли меди, прессование и спекание, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности и эрозионной стойкости контакта, водорастворимую соль меди вводят в количестве 0,1 0,3 мас. в пересчете на медь, а спекание проводят при 730-770oС в инертной атмосфере.

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 1834253

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Верещагин, Воинова, Прусаков

МПК: C01G 11/00

Метки: кадмия, оксида

...кадмия, включающий взаимодействие исходного соединения кадмия с раствором карбоната аммония, отделение осадка карбоната кадмия и его прокаливание с получением продукта, отличающийся тем, что, с целью обеспечения безопасности переработки изотопно-обогдщенного соединения кадмия, в качестве прокаливании карбондта кадмия и получении конечного продукта СОО.На фиг. 1 и 2 представлена схема установки для осуществления предлагаемого способа.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом: в тефлоновую ампулу 3 заливают 30 мл раствора (КН 4),СО подсоединяют ее к установке, охлаждают до -25 С смесью о-ксилол - жидкий азот и вакуумируют всю систему до давления 10 мм рт,ст, по показаниям мановакуумметра 4. Закрывают вентиль 5, открывают баллон...

Номер патента: 1690429

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/00

Метки: заготовок, кадмия, контейнер, методом, сублимации, халькогенидов, цинка

Контейнер для получения заготовок из халькогенидов цинка и кадмия методом сублимации, включающий камеру роста, в которой размещена подложка, и исходный материал, разделенные пористой перегородкой, отличающийся тем, что, с целью получения слоистых структур и снижения испарения подложки, контейнер снабжен втулкой с внутренним выступом, на котором установлена подложка, в выступах выполнены сквозные каналы для подачи паров исходного материала к боковым поверхностям подложки, снабжен экраном из жаропрочного и инертного к получаемой заготовке материала, расположенным на верхнем торце втулки.

Номер патента: 1649956

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Александров, Баранов, Дягилева, Лебедев, Цыганова

МПК: H01L 21/205

Метки: кадмия, оксида, пленок

Способ получения пленок оксида кадмия путем осаждения из парогазовой смеси, содержащей элементоорганическое соединение кадмия и окислитель на поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности пленок за счет снижения температуры осаждения, в качестве элементоорганического соединения используют диметилкадмий, а в качестве окислителя пары воды, при этом осаждение пленок проводят при атмосферном давлении, температуре подложки 20 40oС, давлении паров диметилкадмий 28 87 мм рт.ст. и давлении паров воды 12 20 мм рт.ст.

Номер патента: 497847

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Зудов, Мочалов

МПК: C22B 17/06

Метки: вакууме, дистилляции, кадмия

Способ дистилляции кадмия в вакууме, отличающийся тем, что, с целью более глубокой очистки кадмия от мышьяка, цинка и других примесей и увеличения выхода металла, дистилляцию кадмия проводят в присутствии металлического олова в количестве 10 - 50% от веса кадмия, в зависимости от содержания примесей в кадмии и требуемой степени очистки последнего.

Номер патента: 946219

Опубликовано: 10.05.2008

Авторы: Амосова, Васильева, Воронков, Кузнецов, Морозова, Платонова, Тизенберг, Трофимов

МПК: A61K 31/795, C08F 226/10

Метки: n-винилпирролидона, антидота, дивинилсульфида, кадмия, обладающий, ртути, свойствами, сополимер

Сополимер N-винилпирролидона и дивинилсульфида формулы: где m:n = 75-80:25-20,с молекулярной массой 3000-3400, обладающий свойствами антидота ртути и кадмия.