Архив за 1980 год

Номер патента: 763747

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Куренев, Ларченко, Миндюк, Филиппов

МПК: G01N 21/27

Метки: автоматических, поляриметров, регистрирующее, фотоэлектрических

...информации. Кроме того, поляриметр содержит устройство формирования светового потока, направляемого на кодовыйдиск, состоящее иэ цилиндрической линзы18 и зеркала 19,Отсчет по кодовому диску в автоматическом поляриметре осуществляется следующим образом.Излучение от источника 4, прошедшее 4 вчерез полупрозрачное зеркало 5, поляризатор 6, модулятор 7, кювету 8 с исследуемымвеществом и анализатор 9, попадает на фотоприемник 11. Посредством следящей системы 10 электрическим сигналом по цепи 12обратной связи осуществляется поворот анализатора 9 до положения скрещивания споляризатором.При повороте оптического компенсатораанализатора происходит поворот жеогко сним скрепленного кодового диска, На выхо- зоде ячеек матричного фотоприемника...

Номер патента: 763748

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Белогольский, Кузнецов, Саморукова, Трохан

МПК: G01N 21/30

Метки: влажности

...влажности, лийзы 4, фокусирующей пучки на модулятор 5, и передающей линзы 6, фокусирующей пучки излучения в исследуемой среде 2, и приемнуючасть, включающую в себя приемный объектив 7, светоделитель 8, матовый светофильтр9, пропускающий излучение, не поглощаемое средой, матовый светофильтр О, пропускающий излучение, частично поглощаемое средой, два фотопреобразователя 11,12 измерительный блок 3, входы которогоподключены к фотопреобразователям 11,2,а выходы к регистрирующему устройству 14.Устройство работает следующим образом,Два несовпадающих пучка излучения,первый от источника 1 непосредственно, адругой от вогнутого зеркала 3, установленного под углом, испущенный также источником 1, линзой 4 направляются на модулятОр 5, который...

Номер патента: 763749

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Кирюшкин, Никольский, Чеботаревский, Шляпников

МПК: G01N 21/58

Метки: композиций, неоднородности, полимерных

...на фиг. 3 изображение не дает возможности установить, какие микроучастки состоят из чистого ПП, а какие из ПП с привитым ПС.Это можно сделать только на основании фиг. 2.Пример 2. Для идентификации распределения и формы ингредиентов композиций и полимерных пленок предлагаемым способом и способами оптической микроскопии была специально приготовлена композиция, состоящая из полимеров с различной оптической прозрачностью: ПП и метилсилоксанового каучука (СКТВ). Структуру пленки, приготовленной из механической смеси этих полимеров, исследовали первым способом. Механическую смесь полимеров получали смещением ПП с СКТВ (в соотношении 50:50) в экструдере при 200 С. Пленку толщиной 150 мкм получали прессованием смеси, как описано в...

Номер патента: 763750

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бурдин, Карпов, Свинаков, Скворчук

МПК: G01N 23/207

Метки: анализа, высокоскоростного, рентгеноструктурного

...оси вращения анода, а электронно- оптическая ось источника смещена относительно оси вращения анода. Кроме того, устройство содержит Х детекторов излучения и Й неподвижно уста-. новленных перед детекторами на фокусирующей окружности щелевых диафрагм.Такое выполнение устройства приводит к тому, что при перемещении фокуса по фокусирующей окружности перемещается вся рентгенограмма по этой же окружности, что обуславливает безынерционность заявляемой системы н таким образом позволяет по-. ЭЬ нии пространственно-временного положения интерференционных линий.На чертеже показана функциональная схема предлагаемого устройства для рентгеноструктурного анализа.Устройство содержит источник рентненовского излученияс вращающимся анодом 2, зеркало...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Номер патента: 763752

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Данилюк, Кравец, Лабай, Печенко, Сопрунюк

МПК: G01N 24/00

Метки: детектирования, магнитного, резонанса, сигналов, ядерного

...производится при помощи делителя напряжения на резисторах 4 и 5,Описываемое устройство позволяет иза бежать недостатков, присущих мостовымспиновым детекторам. В то же вреМя, благодаря наличию цепи обратной связи мостового типа, в устройстве имеется возможность увеличения коэффициента амплитудной модуляции, а тем самым и пороговой ф чувствительности. Устройство обладает свойством компенсации шумов, поступающих с вцхода ограничителя напряжения. Формула изобретения Устройство для детектирования сигналовядерного. магнитного резонанса, содержащеедифференциальный усилитель, ограничительнапряжения и цепь обратной связи в виде2 ф мостовой схемь, образованной тремя резисторами и параллельным 1.С-контуром с исследуемым веществом, отличающееся...

Номер патента: 763753

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Трухин

МПК: G01N 24/00

Метки: аналогов, веществ, дезаминирования, парааминофенола, парафенилендиамина, проявляющих

...рН смеси повышают водным раствором гидрата окиси калия до величины7,9. Для регистрации спектра ЭПР проба смеси быстро отбирается кварцевым капилляром и переносится в резонатор стандартного радиоспектрометра ЭПР, Зарегист дуктов во времени.Пример 2. Определение дезаминирования парафенилендиамина.Смешивают 5 мл 2,7 10малярного водного паствора парафенилендиамина с 10 мл 1 10 малярного водного раствора персульфата калия, выдерживают при 20 С и при собственном значении рН= 0,8 более часа. Затем рН смеси повышается водным раствором щелочи до появления (фиг. 2) характерного квинтета от анион-радикала ларабензосемихинона или синглетного сигнала ы 30 от молекулярного комплекса аннан-радикала парабензосемихинона с парабензохиноном.Спектры ЭПР...

Номер патента: 763754

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Алексеев

МПК: G01N 25/02

Метки: волной, исследования, металла, превращения, сжатии, ударной, фазового

...по изменению электрического сопротивления образца регистрируют распространение в нем ударной волны при воздействии разгрузки, определяют границу в образце, начиная с которой уменьшается скорость изменения сопротивления, по скорости ударной волны в слое образца эа этой границей определяют состояние сжатого металла, соответствующее началу оплавления.На чертеже дана схема осуществления опыта по определению в образце скорости ударной волны по изменению сопротивления образца,Для лучшего понимания предлагаемого способа приводится приме определения точки плавления меди. Тонкой пластиной 1, разогнанной продуктами взрыва заряда ВВ 2, ударяют Гю экрану 3, на котором установ 50 И частиц пористой меди происходит от воздействия передней волны с...

Номер патента: 763755

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Александрова, Гришин, Лобачев

МПК: G01N 25/02

Метки: веществ, застывания, органических, температуры

...измерения температуры застывания и сокраще. ние времени проведения анализа.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем сосуд для исследуе. мого вещества, холодильник, датчик темпера. туры с регистратором и активатор зародышей кристаллов, последнии выполнен в виде термо.,-с . 4электрического сная, связанного терМфювоЮами с источником постоянного тока поляффпостыл, соответствующей охлаждению спая ирасположенного по вертикали между холодильником и датчиком температуры, прн этомплощадь термоэлектрического спая большеплощади датчика температуры.На чертеже схематически изображено пред.лагаемое устройство.Устройство состоит из теплоизоляционнойоболочки 1, сосуда 2 для исследуемого вещест.ва, датчика 3 температуры,...

Номер патента: 763756

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Егоренков

МПК: G01N 25/04

Метки: плавления, пленочных, температуры

...помещают на подложку, имеющую поверхиостньтй градиент температуры, а температуру плавления материала определяют по темпера. туре участка, отделяющего прозрачную и непрозрачную области образца.П р и м е р. Исследуют температурыплавления полиэтилена низкого давления, по. янпропилена, нентапласта, поликапроамида иЭполиэтилентерефталата, Образцы в виде пленок 100 х 10 х 0,4 мм помещают на стеклянную пласппту, имеющую градиент температуры10 град,/см. Градиент температуры создают, нагревая один конец пластины омихеским нагревателем и охаокдая водой (14 С) второй конец пластины. Визуально определяют границу зоны прозрачного и непрозрачного3полимера; А температуру, соответствующуюэтому участку, принимают за температуруплавления.Предлагаемый...

Номер патента: 763757

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бутовский, Красильников, Тимофеев, Томашевич, Янкелев

МПК: G01N 25/18

Метки: теплопроводности

...ограниче. ние точности иэ-за тепловых сопротивлений, возникающих вследствие наличия тепломера,Цель изобретения - повышение точностиустройства,Указанная цель достигается тем, что одна нэтермоэлектрических батарей, например централь.ная относительно термостатирующей плиты,подключена к дополнительно введенному измерителю электрической энергии.3Предложенная термоэлектрическая батарея,таким образом, выполняя функцию термостатирующего элемента выступает одновременнов роли измерителя теплового потока. Значениетеплового потока пропорционально количеству5электрической энергии, подведенной. к батарее,Устранение дополнительных тепловых сопротивлений, связанных с установкой тепломера,повышает точность устройства.На фиг. 1 изображена...

Номер патента: 763758

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Агейкин, Емельянов

МПК: G01N 25/32

Метки: газов, жидкостей, концентрации

...самым оценить составсмеси и его изменение в функции времени.При этом одновременно можно оценить теплоемкость чувствительного элемента.Теплопроводность газовой смеси в течение первой и второй половин цикла, при линейных нарастании и убывании температурытерморезистора, вычисляют соответственнопо формулам.(1)е Ж Зф), Аг(6) - теплопроводность газдвой эясмеси в течение первой и второй половин цикла;) ) -мощности, затраченные в течение первой и второй половинцикла соответственно для повышения температуры терморезистора по линейному закону;С - теплоемкость чувствительногоэлемента;Ь д- -скорость изменения температуры терморезистора, причем К= 4 з= сопз 1;9 = Ю - перегрев терморезистора относительно температуры газовойсмеси,Здесь величиныви К...

Номер патента: 763759

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Белоголовин, Каличко, Фурман, Щербань

МПК: G01N 25/32

Метки: взрывоопасных, газовой, компонентов, концентрации, смеси

...подают напряжение питания, контакты ди 1-д переключателя 12 замкнуты. Электрический ток, протекающий через рабочие и сравнительные термоэлементы моста 2, разогревает каждый из них до рабочей температуры.Термоэлементы обоих ветвей моста. имеют одинаковые электрические параметры. Однако установившиеся значения тока и напряжения на термоэлементах 1 О, 11 меньше, чем на терщоэлементах 7, 8, за счет наличия в их цепи ограничителя рабочего тока 9: Поэтому и температура термоэлементов 10, 11 устанавливается более низкой, чем у термоэлементов 7, 8. 4Подают в камеру 13 чистый воздух ипроизводят начальную балансировку, моста, т.е, выравнивают потенциалы точек а, в и с посредством переменных резисторов 9 и 5.Стрелка вторичного прибора 6 находится...

Номер патента: 763760

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Зязев

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, капиллярнопористых

...имеющий отличное от основного относительное изменение электропроводнос О ти от влажности, а о влажности судят поотношению электропроводностей основного и дополнительного преобразователей. Сущность изобретения заключается в следую;щем.763760 Формула изобретения Р,2 Составитель Л. ПлатовТехред К. Шуфрнчнраж 10 9дарственного комитетизобретений и о 1 крЖ - 35, Раушская ннт, г. Ужгород, ул. аКорректор М.Подписноеа СССРытийаб., д, 4/5Проектная, 4 Редактор В. НечаеваЗаказ 6272/37 мчи ВНИИПИ Госпо делам 3035, Москва иал ППП Пат Преобразователи находятся в идентич, ных условиях, т.е. при одинаковой температуре и с одинаковым заполняющим их раствором, отношение величины их электро- проводностей уже не будет зависить от концентрации раствора и...

Номер патента: 763761

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Цицорин

МПК: G01N 25/62

Метки: аспирационный, психрометр, ципорина

...резервуар, к которому прикреплен гидравлический затвор.На фиг, 1 схематически изображен предла. гаемый аспирвтптонный психрометр; нафиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1.К вентилятору 1 подсоединен воздуховод 2, вокруг которого коаксиально расположен резервуар 3 из эластичного упругого материала, например иэ резины. Резервуар 3 оканчивается трубкой 4 с гидравлическим затвором 5, в которой спущен батистовый чулочек 6 от увлажняемого "мокрого" термометра 7, С дру.763761 3гой стороны расположен "сухой" термометр.Термометрьг снабжены экранами 8. Воздухо.вод 2 снабжен внутренними ребрами 9,Работает психрометр следующим образом.Резервуар 3 заправляется водой. Чулочек 6,равномерно смачиваясь в воде гидравлического5затвора 5, равномерно испаряет...

Номер патента: 763762

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Володин, Долгин, Павлов, Прохоров, Рогульченко, Сербул, Тарасов, Хлыбов

МПК: G01N 25/66

Метки: гигрометр, росы, точки

...соприкосновение нижних поверхностей внутренних полостей сосудов и плас. тины и возможность перемещения при не. обходимости сосудов вдоль пластины.В сосудах 2 н 3 находятся жидкости сострого фиксированнымн температурами, например, жидкий кипящий кислород в одномсосуде (источник холода) и кипящая вода вдругом (источник тепла, Поверхности пластины, ие находящиеся в полостях сосудов,1 еплоизолированы экраном 4. Таким обра- рВэом, вследствии помещения концов пластины . вполости сосудов, представляющих собой источники тепла и холода, вдоль пластины устанавливается опреде-:ленный перепад температур.8 металлической пластине выполнены 4 Фтеплообменник, представляющий собой. каналы 5 для прохода газа, н измерительныйстержень 6 с...

Номер патента: 763763

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Жужгин, Калюжнов, Мотовилов, Хорошко

МПК: G01N 25/70

Метки: качества, яиц

...величин измерений положительно характеризует качество иссле-.дуемых яиц,На .чертеже изображена схема, иллюстрирующая предлагаемый способ. 4При контроле инкубационных яиц производят, например нагрев яйца 1 в термостате стемпературой 37 С в течение 20 мии, Помещают нагреваемое яйцо в окружающуюсреду с температурой 20-25 С и проводятизмерение разности температур на его.поверхности в двух точках датчиками температур 2,3. Сигналы с датчиков температурсуммируются и усиливаются усилителем 4,Выходная величина регистрируется регистратором 5. Поворачивая яйцо на 1808 отйосительио большой оси, производят выдержку по времени 2 с и осуществляют следующее измерение, Нагретый желток яйцаявляется источником тепловой энеогии. При.ближение желтка к...

Номер патента: 763764

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бундин, Голубев, Туренко, Хажуев

МПК: G01N 27/02

Метки: витком, жидкостным, кондуктометрический, связи, трансформаторный

...сигнал, пропорциональ,ный мгновенному значению электропроводности, Линии плотности электрического токав жидкостном витке, частью которого является концентратор 7, замыкаются через ка-пилляр 6, концентрируются на электропроводящем слое внутри капилляра 6, далее поконцентратору 7 на внутренней поверхности преобразователя выходят на наружную ююповерхность и с нее через объем жидкости,ограниченный сферой 8, входят в капилляр6, В статическом режиме измерения чувст.вительной зоной преобразователя являетсяобъем жидкости, прилегающий к входу вкапилляр 6, и объем жидкости, расположен- фвный между условными плоскостями, проходящими через начало капилляра 6 и начало электропроводящего слоя 7, внутрикопилляра. При этом в чувствительной...

Номер патента: 763765

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бугаенко, Тужилкин

МПК: G01N 27/02

Метки: гетерогенных, растворах, содержания, твердой, фазы

...попадает в.зазор А (порядка 10 - 12 мкм) между торцовой поверхностью 5 и внутренними поверхностями электрода 3 и отделителя 4. Электросопротивлеиие образованного бескристального, тонкопленочного слоя жидкой фазы измеряют.при помощи электродов 3 и 6, расположенных на расстоянии В друг от друзе га порядка 0,1 - 0,5 мм. Измерение электросдпротивлеиия утфеля осуществляют при помощи электродов 6 и 7, расположенных на внешней поверхности диэлектрического стержня 1. Постоянство зазора А и тем самым толщины бескристального тонкопленочного слоя жидкой фазы поддерживают при. помощи пружины 1 О и регулирующей гайки 11. Монтажные провода 9 от внеш.них электродов 6 и 7 выводят через от 3763 ления жидкой фазы большие амплитудные колебания...

Номер патента: 763766

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Езжев, Красиков, Тетерева, Шабес

МПК: G01N 27/16

Метки: полимерных, разложения, термического, физико-химических, характеристик

...закреплены термопара 2 н подвеска 7 с кварцевым стаканчиком 8 для образца 1, Колба снабжена патрубком 9, который служит для создания необходимой атмосферы в ней, и запорным краном 10. Один из электродов выполнен в виде спирали, расположенной по периметру колбы, а другой в виде стержня и расположен по ее оси,Такая конструкция электродов обеспечивает прохождение практически всех газообразных продуктов разложения в зазоре между ними. Для адсорбции имеющегося в колбе окислителя применен активированный уголь 11, насыпаемый на дно колбыПоложение колбы в печи 12 зафиксировано центрирующей крышкой 13 и подставкой 14, Электроды 5 и б подключены к электрометру (например У 5-7), выход которого соединен с входом У двухкоординатиого потенциометра...

Номер патента: 763767

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Кравцов, Пермяков, Резников

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов

...электродом и прикладываютк электроду и проводящему слою электрическое напряжение, Независимо от полярностинапряжения происходит поляризация гермоплас.тического слоя, причем поляризационный заряд пропорционален напряженности электрического поля в поверхностном слое термопластика, вследствие чего топология распределенияполярнзационного заряда отражает неоднородность распределения поля, искаженного дефектами образца,После экспозиции термопластик отделяетсяот изделия. Затем его нагревают до температуры размягчения, при этом происходит его деформация и топология неоднородного поляпроявляется в виде рельефа поверхности тер.мопластического слоя, который после охлаждения можно визуалировать. Глубина получаемогорельефа определяется, толщиной слоя...

Номер патента: 763768

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бабкина, Дьячковский, Стрелец

МПК: G01N 27/48

Метки: алюминия, одновременного, полярографического, титана

...6272/37 Тираж 1019 Подиисное ВНИИПИ Государственною комитета СССР по делам изобретениЯ н открытиЯ 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/Ь филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4В атмосфере сухого инертного газа готовят раствор анализируемого вещества в протонном фоновом электролите (0,1 - 0,5 и. раствор хлористого кальция в 99 - 95 о 7 о-ном водном спирте, например метиловом и эти. ловом).Полярографический анализ приготовленного раствора проводят на ртутном капельном электроде в области потенциалов от 0 до - 2,0 В относительно насыщенного каломельного электрода.На полярограммах соединений трехвалентного титана наблюдают две полярографические волны: анодную с потенциалом полуволны Е 17.= - 0,45 В и катодную, с Еа = - 140...

Номер патента: 763769

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Ноздрин, Озеров

МПК: G01N 27/48

Метки: самоамальгирующийся, электрод

...и эксплуатации.Это достигается тем, что в устройстве электрода на соприкасающейся поверхности одного из серебряных кольцевых дисков наносятся радиальные риски, а противоположными поверхностями диски прикрепляются (например, клеем соответственно к корпусу датчика и нижней пробке, Причем глубина рисок на серебряном диске электрода составляет 0,01 - 0,2 мм, преимущественно 0,02-0,1 мм, а количество рисок составляет более 2, преимущественно 3-8 шт,На фиг, 1 изображено описываемое уст. ройство; на фиг, 2 - серебряный кольцевой диск с рисками.Самоамальгамирующийся датчик цианидионов включает диэлектрический корпус 1, заполненный ртутью 2. Верхняя часть корпуса закрыта верхней пробкой 3, в которую запрессован токоотводящий привод 4. В...

Номер патента: 763770

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Быстров, Гераимчук, Гришин, Левин, Свирщевский, Таланчук

МПК: G01N 27/52

Метки: атомарных, измеритель, потоков

...между электродами 3 и 6 будет функцией как молекулярного, так и атомарного потока газа, например, кислорода. Химический потенциал электрода сравнения 6 является постоянным. С электродом 2, за счет выполнения входной полости в виде конуса, будет взаимодействовать только молекулярный газ например, кислород; и ЭДС, между электродом 2 и электродом сравнения 6, образующаяся за счет разности химических потенциалов молекулярного кислорода электрода 2 и электрода сравнения 6, является функцией только молекулярного кислорода, так как химический потенциал электрода сравнения является постоянным при постоянной температуре. Атомарный поток, имея высокую активность, при первомже столкновении с электродом 3 будет поглощаться. Вероятность отражения...

Номер патента: 763771

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Корзунин, Федоров

МПК: G01N 27/80

Метки: градуировочный, измерителя, намагниченности, образец, остаточной

...и источника 4 раэмагничивающего тока. Преобразователь измерителя остаточной намагниченности содержит намагничивпющую катушку 5, расположенную на магнитопроводе б, эта катушка подключена к ис- точнику 7 намагничивающего тока. Для измерения остаточного потока служит магниточувствительный элемент 8, подключенный к измерителю 9 магнитного поля. Магнитопровод 2 установлен с одной стороны пластины, а магнитопровод б - с другой ее стороны.Градуировка измерителя осуществляется следующим образом.Вначале намагничивают пластину 1 образца с помощью импульса тока, проактор Л. 19 ПодписноеО комитета СССРй и открытийская наб., д 4/5 иал ППП Патент , г. ужгород, ул. Проектная, 4 пускаемого через катушку 5 от источника 7. После окончания импульса...

Номер патента: 763772

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Плотников, Плотникова

МПК: G01N 27/86

Метки: электромагнитного

...К выходам блоков 5-7 параллельно подключены сумматоры 8, -8 к .К выходу каждого сумматора подключены соединенные последовательно порого 30вый блок 91 и 9 к, индикаторы 10 -10 кчисло к которых равно числу классовконтролируемых изделий. Блок выделения информативных переменных (фиг. 2)состоит из управляемых ключей 11 и12, соединенных параллельно, выходыкоторых соединены с ячейками 13 и14 памяти, и формирователей 15 и 16строб-импульсов, которые управляютключами 11 и 12. 40Устройство работает следующим образом.Генератор 1 эапитывает электромагнитный преобразователь 2, которыйсвязан с проверяемым изделием (не показано), Сигнал с электромагнитногопреобразователя поступает в блоки 3и 4 выделения информативных переменных,Так как...

Номер патента: 763773

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Денисов, Фалкин, Шарков, Шатерников

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковый

...45В варианте конструкции преобразователя (фиг. 3) выступ 4 выполнен клинообразным, на нем размещена индикаторная катушка б. Вторая индикаторная катушка 7 размещена на клинообразном выступе 5. Центральный стержень-магнитопровод также имеет вйд клина и опирается дугообразной линией 13 на поверхность изделия 14, представленного в виде болта с резьбой (Фиг. 3). Клинообразные профили выступов и центрального стержня обеспечивают плотное прилегание преобразователя к контролируемой резьбе болта.Преобразователь работает следующим образом. 6 ОПри подключении генератора к индукторной катушке 2 создается замкнутый магнитный поток, проходящий через центральный стержень 1, диск 8, наружный цилиндр 3, выступы 4 и 5 и 4воздушный зазор между этими...

Номер патента: 763774

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Ершов

МПК: G01N 27/90

Метки: стуктуроскопии, ферромагнитных

...2. При этом контролируемое иэделие, находящееся в преобразователе, поочередно намагничивается двумя переменными по лями частот Г и Г" . Напряжение, подаваемое на первичную обмотку преобразователя, поступает на ключ 5, а вторичная ЭДС - на ключ 6. Оба эти ключа управляются коммутатором 3, поэтому в первый такт его работы напряжение частоты Г и вторичная( ЭДС полученная в поле этой частоты, будут подаваться на фазометр 9, а во второй такт работы коммутатора напряжение частоты Г" и соответствующая вторичная ЭДС - на Фазометр 10. В этих фазометрах происходит выделение третьей гармоники вторичной ЭДС частотой ЗГ и ЗГ, Утроение частот Ги Г(1( создание опорного напряжения) и измерение Фазы тре О тъей гармоники вторичных ЭДС. Блок 11...

Номер патента: 763775

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Веремеенко, Демченко, Каплан

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектоскопии, ультрозвуковой

...вид сверху.Схема содержит контролируемую трубу 1, окруженную жидким слоем 2 и дополнительным твердым слоем 3, выполненным из материала с малым коэффициентом затухания ультразвуковых волн, на котором установлен ультразвуковой преобразователь 4, электри 5 чески соединенной с импульсным дефек.тоскопом (например, типа, ДУК). Слои 2 и 3 ограничены стенками камеры 5.Труба 1 содержит дефект 6, например трещину, и перемещается вдоль своей оси. Камера 5 со слоями 2 и 3, а также преобразователь 4 при этом неподвижны. Возбужденная преобразователем 4 нормальная волна Ч и стра женная от дефекта 6 волна Ч в трехслойной системе показаны волнистыми стрелками.Способ заключается в следующем.В трехслойной системе, состоящей из внешнего твердого слоя 3,...

Номер патента: 763776

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Донин, Жук, Жуковский, Лебедев, Негляд, Патон, Троицкий, Ющак

МПК: G01N 29/04

Метки: автоматизированного, качества, комплексного, реализации

...следующим образом.При проведении комплексного контроля изделие поступает на устройство 1 КАЭ. Принятые датчиками и обработанные сигналы акустической эмиссии (АЭ) поступают на вход порогового каскада 6, блока 4 регистрации и анализа, которое производит оценку сигналов по уровню.Если сигналы АЭ значительно превышают пороговый уровень на выходе порогового .каскада б, то нормализованный сигнал поступает через формирователь 15 на вход блока 5 отбраковки. Иэделие бракуется. При необходимости иэделие в этом случае может быть направлено на устройства УЗК или РТК для оценки дефектности иэделия.Если сигналы АЗ значительно ниже порогового уровня, то на выходе порогового каскада 6 выделяется сигнал, поступающий на вход блока 7 памяти.Если...