Сушко

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Тузовский, Кузнецов, Сушко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Способ нанесения на семена защитно-стимулирующих пленочных покрытий и устройство для его осуществления

Номер патента: 1427611

Опубликовано: 10.03.2000

Авторы: Сушко, Легова, Секета, Ченцов, Билянский, Леонов, Анискин

МПК: A01C 1/08

Метки: нанесения, покрытий, пленочных, семена, защитно-стимулирующих

1. Способ нанесения на семена защитно-стимулирующих пленочных покрытий, включающий воздействие на падающие семена потока защитно-стимулирующего препарата, распыленного и закрученного под действием центробежных сил, отличающийся тем, что, с целью снижения энергоемкости процесса нанесения на семена жидких препаратов за счет уменьшения содержания жидкой фазы в суспензии препарата, на семена воздействуют вихревым закрученным в кольцо воздушным потоком, пересекающим поток распыленного защитно-стимулирующего препарата в плоскости распыла, причем направление вращения кольцевого воздушного потока противоположно направлению закручивания потока защитно-стимулирующего препарата.2. Способ по п.1,...

Ингибитор кислотной коррозии металлов

Номер патента: 1253171

Опубликовано: 10.12.1999

Авторы: Масагутов, Круглов, Постернак, Марин, Калимуллин, Шарипов, Прокшина, Сушко

МПК: C23F 11/04

Метки: металлов, кислотной, ингибитор, коррозии

Ингибитор кислотной коррозии металлов, содержащий сульфоксиды, отличающийся тем, что, с целью повышения степени защиты, он дополнительно содержит полиоксиэтиленовые эфиры алкилфенолов (ОП-7 или ОП-10), алкилароматические углеводороды, а в качестве сульфоксидов - нефтяные сульфоксиды при следующем соотношении компонентов, мас.%:Нефтяные сульфоксиды - 5 - 50Полиоксиэтиленовые эфиры алкилфенолов (ОП-7 или ОП-10) - 2 - 20Алкилароматические углеводороды - Остальное

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа a iiibv

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сушко, Марончук, Лисовенко

МПК: H01L 21/208

Метки: эпитаксиального, iiibv, наращивания, полупроводников, типа

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Способ получения эпитаксиальных структур

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сушко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: эпитаксиальных, структур

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Устройство для жидкостной эпитаксии

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: эпитаксии, жидкостной

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Скаковский, Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: полупроводниковых, эпитаксии, жидкостной

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Якушева, Золотухин, Сушко, Марончук

МПК: H01L 21/20

Метки: основе, iiibv, приборов, типа, полупроводников

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Способ получения варизонных структур с p-n переходом

Номер патента: 689467

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сушко, Золотухин, Якушева, Марончук

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...

Способ обработки полупроводниковых структур

Номер патента: 807903

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сушко, Марончук

МПК: H01L 21/228

Метки: полупроводниковых, структур

Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.

Способ получения полупроводниковых структур

Номер патента: 803747

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Якушева, Сушко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, полупроводниковых

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Тузовский, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: жидкой, наращивания, фазы, полупроводников, автоэпитаксиального

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: соединений, aiiibv, типа, структур, многослойных

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Способ получения эпитаксиальных p-n-структур

Номер патента: 880170

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Сушко, Марончук, Лисовенко

МПК: H01L 21/208

Метки: эпитаксиальных, p-n-структур

Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5) 10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают...

Способ изготовления электролюминесцентных экранов

Номер патента: 795317

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Золотухин, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: электролюминесцентных, экранов

Способ изготовления электролюминесцентных экранов, включающий селективное эпитаксиальное выращивание p-n структур на полупроводниковой пластине, покрытие диэлектриком и изготовление контактных выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения эффективности излучения экрана в полупроводниковой пластине вытравливают сквозные отверстия, на внутренней поверхности и которых выращивают p-n переходы, а оставшиеся отверстия заполняют контактным металлическим сплавом.

Твердотельный экран

Номер патента: 730223

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Литвин

МПК: H01L 33/00

Метки: экран, твердотельный

Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая однотипные области в сточки, контакты к областям противоположного типа проводимости расположены перпендикулярно поверхности экрана и на тыльной поверхности соединены в столбцы балочными выводами.

Способ получения нефтяных растворителей

Номер патента: 1197452

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Яблочкина, Куковицкий, Задворнов, Воробьев, Георгиевский, Стекольщиков, Сушко, Панникова, Шапиро

МПК: C10G 59/02

Метки: нефтяных, растворителей

Способ получения нефтяных растворителей - уайт-спирита и тяжелого сольвента путем риформинга гидроочищенной бензиновой фракции 140 - 180oC, экстракции полученного катализата риформинга с получением экстракта и рафината, ректификации экстракта с получением сольвента и ректификации рафината с получением уайт-спирита, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат и повышения качества уайт-спирита, катализат риформинга, содержащий 60 - 80 мас.% ароматических углеводородов, перед экстракцией предварительно подвергают ректификации с получением легкой фракции и фракции с началом кипения 130 - 165oC с направлением легкой фракции на экстракцию и фракции с началом кипения...

Устройство для контроля уровня сыпучих материалов

Номер патента: 1777447

Опубликовано: 20.04.1999

Авторы: Сушко, Воробьев, Канцелярский

МПК: G01F 23/26

Метки: сыпучих, уровня

Устройство для контроля уровня сыпучих материалов, содержащее двухэлектродный емкостный датчик, подключенный к схеме обработки сигнала с генератором постоянного напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и достоверности результатов измерения, генератор постоянного напряжения выполнен в виде таймера, а схема обработки сигнала выполнена в виде генератора пилообразного напряжения, пикового детектора, первого и второго разрядно-зарядных резисторов, дополнительного конденсатора, показывающего прибора, подключенного к пиковому детектору, и блока контроля неисправностей, выполненного в виде компаратора с переменной установкой, транзисторного ключа и светодиода, подключенного...

Пневматический сигнализатор уровня

Загрузка...

Номер патента: 1799118

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Постильняк, Истомин, Сушко, Канцелярский

МПК: G01F 23/16

Метки: пневматический, уровня, сигнализатор

...11, 12, причем отверстие 11 выполнено в центре днища. Во внутреннюю полость камеры 10 введена заслонка 13, выполненная в виде шара, В перегородках 4 выполнены отверстия 14, а в крышке 7 бункера 8 - отверстие 15. Через эти отверстия камера 2 сообщается с атмосферой. Сигнализатор работает следующим образом.При отсутствии материала, т.е, в исходном положении, камера 2 с вертикально установленным в ней патрубком 3, жестко связанным с корпусом камеры. занимают вертикальное положение, так как закреплены на сильфонных подвесках, Дополнительная камера 10 жестко связана с патрубком 3, поэтому также занимает вертикальное положение,Формула изобретения ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ СИГНАЛИЗАТОР УРОВНЯ сыпучих и кусковых материалов, содержащий чувствительный...

Тонкопленочный моп-конденсатор

Номер патента: 1773205

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Сушко, Алешин, Андреев, Краснов, Тарасов, Тузовский, Кононенко

МПК: H01G 4/06

Метки: тонкопленочный, моп-конденсатор

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МОП-КОНДЕНСАТОР, содержащий основание из материала на основе кремния, размещенную на нем обкладку из низкоомного монокристаллического кремния и металлическую обкладку, между которыми расположен слой диэлектрика из двуокиси кремния, и контакты к обкладкам, отличающийся тем, что с целью повышения надежности и добротности, в качестве материала основания использован поликремний, обкладка из низкоомного монокристаллического кремния выполнена в виде локальной области приповерхностного слоя поликремниевого основания, изолированной от него слоем двуокиси кремния, причем контакты к обкладкам размещены за пределами локальной области приповерхностного слоя.

Устройство для сварки неповоротных стыков труб

Загрузка...

Номер патента: 1838067

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Сушко, Кулик, Манжос, Кульков

МПК: B23K 31/02

Метки: сварки, труб, неповоротных, стыков

...скобы 4 может осуществляться и другими способами, например,с помощью рычага, что обеспечивает фактически мгновенную фиксацию устройства натрубе. Выполнение в корпусе 1 С-образного паза 7 и направляющих 8, которые закрываются крышкой 6, позволяет обеспечить минимально возможные габариты устройства эа счет размещения всего механизма закрепления непосредственно в корпусе,Механизм закрепления обеспечивает быструю и надежную фиксацию устройства на трубе, что достигается за счет выполне ния канавок 10 под углом а = 45 и рабочих поверхностей прижимов под углом /3= 60 к горизонтальной оси устройства, Выполнение канавок 10 под углом а= 45 к горизонтальной оси устройства позволяет перемещать по горизонтали прижимы 5 на тот же шаг; на который...

Спица для чрескостного остеосинтеза

Загрузка...

Номер патента: 1836935

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Сушко

МПК: A61B 17/58

Метки: спица, остеосинтеза, чрескостного

...остеосинтеза,выполненная в виде заостренного прямолинейного стержня 1 со съемной втулкой 2,имеет на заостренном конце лыску 7, величина которой равна половине диаметра прямолинейного стержня 1, длина превышает дтолщину кортикального слоя кости и расположена соосно продольной оси стержня 1.Поверхность лыски 7 в поперечном сечениирадиально изогнута,(Спица для чрескостного остеосинтеза Оиспользуется в спицевых аппаратах внеш- Сдней фиксации, С целью обеспечения контро- (Лля за раэовостью использования съемнойвтулки, предупреждения инфицированного Гепациента СПИДом на одном иэ концов тонкостенной части съемной втулки 2 установлен затвор 5, перекрывающий просветпродольного отверстия съемной втулки 2.Поэтому первоначально в...

Способ получения наполнителя на основе фосфогипса

Загрузка...

Номер патента: 1830389

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Сушко, Лавриненко, Гурьянов, Титов, Павлов

МПК: C09C 1/02

Метки: наполнителя, основе, фосфогипса

...титанилсульфата аммония, в расчетена диоксид титана составляет 1,5 кг и обеспечивает содержание 20,0 в расчете наТ 1 О 2 к Фосфогипсу. Суспензию нейтрализуют до рН 9,5. Степень. осаждения титана100%Полученный наполнитель имеет коэффициент преломления 1,83 и коэффициентдиффузного отражения 93,П р и м е р 8. То же, что и пример 7, носуспензию нейтрализулт до рН 7,0. Степеньосаждения титана 98%.Полученный наполнитель имеет коэфФициент преломления 1,78 и коэффициентдиффузного отражения 86,П р и м е р 9, То же, что и пример 7, носуспензию нейтрализуют до рН 10,0. Степень осаждения титана 100%.Полученный наполнитель имеет коэффициент преломления 1,83 и коэффициентдиффузного отражения 93Сущность предлагаемого способа заключается в...

Способ эмиссионного спектрального анализа

Загрузка...

Номер патента: 1822947

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Сапрыкин, Сушко, Малиголовка, Паздерский, Головко

МПК: G01N 21/67

Метки: эмиссионного, анализа, спектрального

...катода 2 анализируемое вещество.Снова откачивают камеру и затем заполняют ее гелием. Подают анодное напряжение,величину которого выбирают ниже порогазажигания самостоятельного разряда, Припомощи выключателя 9 подают электрический ток на катод-испаритель. За счет высокой температуры вокруг катода образуется облако атомных паров и термических электронов, эмитируемых катодом, Энергия термоэлектронов недостаточна для возбуждения атомов большинства анализируемых элементов, но в электрическом поле термоэлектроны могут приобретать определенную энергию, Если энергия ускоренных электронов превышает энергию возбуждения атомов определяемых элементов, но ниже энергии иониэации атомов инертного газа, заполняющего камеру, то излучение состоит...

Способ изготовления древесностружечных плит

Загрузка...

Номер патента: 1819769

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Сацура, Богданова, Цыбулько, Сушко

МПК: B27N 3/02

Метки: плит, древесностружечных

...массу. Пресс- массу для каждого слоя плиты готовят отдельно, после чего формируют стружечный ковер и путем горячего прессования получают плиты. Плиты прессуют при температуре 165 175 С, удельном давлении 2 МПа и выдержке в горячем прессе 0,35 мин/мм толщины. Плиты прессуют трехслойными толщиной 16 мм, плотностью 750 кг/м . Расход связующего для наружных. слоев составляет 12 ф, к массе абсолютно сухой древесины, а для внутреннего - 10.1 табл; В емкость для смешивания отвешивают определенное количество карбамидоформальдегидной смолы и катализатора. Связу ющее путем возду.шного распыления наносят на измельченную древесину, из пресс-массы изготавливают стружечный ко1819769 . вер, а затем путем горячего прессования получают плиту,...

Устройство для извлечения эмбрионов у животных

Загрузка...

Номер патента: 1812979

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Сушко, Осташко

МПК: A61D 19/04

Метки: животных, извлечения, эмбрионов

...системой подачи и сбора промывной среды и санитарным чехлом 16. Перед началом работы составные части устройства стери лизуют, Сборку производят в условиях стерильного бокса. Присоединяют к переднему концу двухканальной трубки 1, предварительно подобранную переднюю рабочую часть 10, Стилет 3 вводят в полость катетера через канал 7, идалееон проходит в полость металлического наконечника 12. К каналу 5 присоединяется специальная герметически закрытая система подачи и сбора промывной среды, состоящая из тройника, трубок (шлангов) с зажимами и полиэтиленовых емкостей. Надевают санитарный чехол.Техника катетериэации полового тракта 20 в основном та же, что и для двухканальных катетеров, используемых в настоящее время в практике...

Устройство для извлечения эмбрионов у животных

Загрузка...

Номер патента: 1812978

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Сушко, Осташко

МПК: A61D 19/04

Метки: эмбрионов, животных, извлечения

...время в практике животноводства,Катетер вводят во влагалище, направляя в шейку матки. Прорывают санитарный чехол. Под ректальным контролем проводят катетер через канал .шейки матки и размещают его в канале одного из рогов матки. Постепенно удаляя стилет 3 вводят катетер на необходимую глубину, Затем полностью удаляют стилет 3 и нагнетают воздух в баллон 14, перекрыв с помощью зажима 12 обратный отток воздуха, После этого проводят промывание рога матки путем порционной подачи и сбора промывной среды по5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 каналу 2, После окончания промывания рогаудаляют воздух иэ баллона 14, открыв зажим 12.Для промывания второго рога используют другой стерильный катетер, повторяя туже процедуру, либо тот ке катетер, что и...

Композиция для древесно-стружечных плит

Загрузка...

Номер патента: 1812197

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Ведом, Сушко, Цыбулько, Богданова, Сацура, Николаева

МПК: C08L 97/02

Метки: древесно-стружечных, плит, композиция

...время могут быть ценным вторичнымсырьем. Рафинат в качестве отвердителяиспользуется впервые. Утилизация егопредставляет важную экологическую и экономическую задачу,Процесс изготовления древесно-стружечнйх плит по предлагаемой композициивключает следующие операции; нанесениена древесные частицы связующего, состоящего иэ карбамидной смолы и экстракционного рафината, формирование ковра и егопрессование.В таблице приведен компонентныйсостав, характеристика связующего и физико-механические показатели древесностружечных плит,Изобретение поясняется конкретнымипримерами. В емкость для смешивания отвешивается 16 мас.ч. карбамидоформальдегидной смолы, ее тщательно перемешивалив течение 1 мин, а затем прибавляли 1 мас,ч.экстракционного рафината,...

Устройство для пересадки эмбрионов

Загрузка...

Номер патента: 1802702

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Передера, Сушко, Осташко, Исаченко

МПК: A61D 19/04

Метки: пересадки, эмбрионов

...отношение длины прорези к диаметру устройствабольшее, чем 10+1, В этом случае длинапрорези была больше длины, необходимойдля того, чтобы ввести в корпус соломинку ипзльцем руки с определенным усилием ззфиксировать ("заклинить") ее в коническомсужении канала корпуса.П р й м е р 6. Была изготовлена опытнаяпартия устройств (44 шт.), в которых огношение длины прорези к диаметру устройствФ1-10+1. В этом случае длина прорези позволяла ввести соломинку в канал в корпуса и.с определенным усилйем подать соломинкупо направлению к передней части корпуса,надежно зафиксировав ее в канале корпуса(коническом сужении),П р и м в р 7, Была изготовлена опытнаяпартия устройств(15 шт,), в которыхотношение ширины прорези к диаметру устройстваменьшее, чем...

Способ дисперсионного анализа взвешенных частиц и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1800319

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Сушко, Бахтизин, Ивлев

МПК: G01N 15/02

Метки: частиц, анализа, взвешенных, дисперсионного

...3 калибрующих диафрагм и зондирует дисперсную систему, заключенную в камере 4 рабочего объема, ограниченного системой электродов, За камерой 4 расположен приемный объектив 5, собирающий параллельные лучи в плоскости изображения, где находится диафрагма 7, пропускающая лучи в Малом телесном угле. Непосредственно за диафрагмой 7 расположен фотоприемник 6, сигнал с которого усиливается усилителем 8 и поступает на регистратор 9. При включении высоковольтного генератора 15 прямо 1800319угольных импульсов на пластины квадрупольной системы электродов через переключатель 14 подаются высоковольтные прямоугольные импульсы (фиг.2 а), в поле которых протекает периодический процесс ориентации частиц. Ориентация частиц происходит под действием...