Васильев
Способ отжига ионно-легированных полупроводников
Номер патента: 1028202
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников
МПК: H01L 21/477
Метки: ионно-легированных, отжига, полупроводников
Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2
Пресс-автомат для прессования изделий из порошковых материалов
Номер патента: 1541951
Опубликовано: 20.11.1999
Автор: Васильев
МПК: B30B 11/02, B30B 15/16
Метки: порошковых, пресс-автомат, прессования
Пресс-автомат для прессования изделий из порошковых материалов, содержащий станину, смонтированные на ней верхний и нижний пуансоны, центральный стержень и питатель, связанные с поршнями соответствующих приводных цилиндров, а также матрицу, бункер и систему управления, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он снабжен рыхлителем пресс-порошка с приводным цилиндром, на поршнях цилиндров питателя и рыхлителя выполнены кольцевые канавки, в корпусах указанных цилиндров выполнены радиальные каналы управления, в корпусах всех приводных цилиндров выполнены радиальные каналы питания, а система управления выполнена в виде золотника выключения с ручным управлением и реверсирующего и...
Устройство для сборки радионуклидных источников
Номер патента: 1597006
Опубликовано: 20.11.1999
Автор: Васильев
МПК: G21G 4/00
Метки: источников, радионуклидных, сборки
Устройство для сборки радионуклидных источников, состоящих из корпуса, активной части и пробки, включающее сборочный цилиндр с центральным каналом и окнами для подачи деталей источника в канал, разделенный упорным выступом на два участка, причем диаметр первого участка равен внешнему диаметру корпуса источника, а диаметр второго - внешнему диаметру пробки источника, в канале установлены толкатели с приводными цилиндрами, поршни которых соединены через штоки с толкателями деталей источника из бункеров, снабженных механизмами ориентации деталей и наклонными лотками, узел питания и управления сборкой, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, центральный канал...
Устройство для сборки радионуклидных источников
Номер патента: 1512387
Опубликовано: 20.11.1999
Автор: Васильев
МПК: G21G 4/00
Метки: источников, радионуклидных, сборки
Устройство для сборки радионуклидных источников, состоящих из корпуса, помещенной в него активной части и пробки, включающее сборочный цилиндр с каналом, разделенным упорным выступом на два участка, диаметр первого соответствует внешнему диаметру корпуса источника, а диаметр второго - внешнему диаметру пробки источника, в сборочном цилиндре выполнены радиальные каналы и толкатели для перемещения корпуса и пробки с активной частью, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности труда при изготовлении источников, устройство снабжено узлом подачи деталей источника в сборочный цилиндр через выполненные в нем окна прямоугольного сечения, состоящим из бункеров, снабженных механизмами...
Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним
Номер патента: 1424638
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев
Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...
Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке
Номер патента: 1112913
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко
МПК: G03F 7/26
Метки: подложке, стеклянной, фотошаблона
Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...
Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним
Номер патента: 1450665
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко
МПК: H01L 21/265
Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания
Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...
Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах
Номер патента: 1151149
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Суртаев
МПК: H01L 21/265
Метки: покрытий, полупроводниковых, проводящих, структурах
Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах, включающий нанесение металла на структуру, формирование требуемой конфигурации металла, отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур путем предотвращения окисления металлизации, после нанесения металла на структуру проводят облучение структуры ионами бора дозой 5 1015-5 1018 ионов/см-2, энергией 0,5-250 кэВ, а отжиг проводят при температуре 1100-1400 К, в течение 15-60 мин или путем обработки СВЧ излучением с основной...
Способ создания многослойных проводящих покрытий
Номер патента: 1047333
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников
МПК: H01L 21/24
Метки: многослойных, покрытий, проводящих, создания
1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...
Способ обработки полупроводников и структур полупроводник диэлектрик (его варианты)
Номер патента: 991878
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко
МПК: H01L 21/423
Метки: варианты, диэлектрик, его, полупроводников, структур, —полупроводник
1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...
Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик
Номер патента: 940608
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко
МПК: H01L 21/477
Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической
1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...
Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках
Номер патента: 884482
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников
МПК: C23C 14/00, H01L 21/24
Метки: диэлектриках, металлических, покрытий, полупроводниках, создания
Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;
Способ создания силицидов металлов
Номер патента: 884481
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов
МПК: H01L 21/24, H01L 21/28
Метки: металлов, силицидов, создания
Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c
Способ создания силицидов металлов
Номер патента: 1080675
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин, Суртаев
МПК: H01L 21/24
Метки: металлов, силицидов, создания
Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металлический слой облучают ионами элементов, обладающих электроотрицательностью меньшей чем электроотрицательность нанесенного металла, причемЭм - Ээ = Э
Электромеханический фильтр
Номер патента: 1593536
Опубликовано: 27.10.1999
Авторы: Валеев, Васильев
МПК: H03H 9/46
Метки: фильтр, электромеханический
Электромеханический фильтр, содержащий колебательную систему с параллельно размещенными резонаторами, входным и выходным преобразователями изгибных колебаний, соединенными между собой соответствующими проволочными связками и по крайней мере одним проволочным элементом крепления, закрепленным на стойках основания фильтра, продольная ось колебательной системы которого параллельна продольной оси проволочного элемента крепления, отличающийся тем, что, с целью повышения избирательности за счет подавления побочных полос пропускания, стойки основания выполнены Т или Г-образной формы, горизонтальная ветвь каждой из которых размещена в отверстии, выполненном в основании, при этом продольная ось...
Способ получения стирола
Номер патента: 1216941
Опубликовано: 20.10.1999
Авторы: Васильев, Ворожейкин, Галиев, Закирова, Матросов, Петухов, Сергеева
МПК: C07C 15/46
Метки: стирола
Способ получения стирола путем парофазной дегидратации метилфенилкарбинола при 260 - 300oC в присутствии водяного пара на катализаторе - окиси алюминия в двухступенчатом адиабатическом реакторе с промежуточным подогревом контактного газа, обеспечивающим равенство температур на входе обеих ступеней контактирования, с последующим выделением целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения конверсии метилфенилкарбинола, селективности образования стирола и снижения расхода катализатора, используют окись алюминия, дополнительно содержащую окись молибдена и окись железа при следующем соотношении компонентов, мас.%:Окись молибдена (в расчете на металл) - 0,5 - 5
Способ получения бутадиена
Номер патента: 1515629
Опубликовано: 20.10.1999
Авторы: Бартенев, Беспалов, Васильев, Кисельников, Кузнецов, Маров, Матвеев, Пилипенко, Сироткин, Хабло, Цайлингольд, Чехов, Чуприн
МПК: B01J 23/84, C07C 11/167, C07C 7/167 ...
Метки: бутадиена
Способ получения бутадиена путем дегидрирования н-бутенов в присутствии водяного пара и хромкальцийникельфосфатного катализатора при 650 - 750oC, включающий компримирование контактного газа со стадии дегидрирования, выделение бутен-бутадиеновой фракции, очистку от примесей ацетиленовых углеводородов в присутствии никельсодержащего катализатора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии процесса, повышения степени очистки и снижения потерь бутадиена, контактный газ со стадии дегидрирования подвергают очистке от примесей ацетиленовых углеводородов при 600 - 700oC с использованием никельсодержащего катализатора следующего состава, мас.%:Оксид никеля - 5 -...
Способ получения бутадиена
Номер патента: 1499861
Опубликовано: 20.10.1999
Авторы: Бартенев, Беспалов, Васильев, Кисельников, Кузнецов, Маров, Матвеев, Пилипенко, Сироткин, Хабло, Цайлингольд, Чехов, Чуприн
МПК: C07C 11/167, C07C 5/333
Метки: бутадиена
Способ получения бутадиена дегидрированием н-бутенов при 600 - 700oC в присутствии водяного пара чередующимися циклами дегидрирования-регенерации в адиабатическом реакторе, загруженном хромкальцийникельфосфатным катализатором дегидрирования, смешанным с инертным теплостойким материалом, отличающийся тем, что, с целью снижения выхода побочных непредельных карбонильных соединений, в реактор дополнительно загружают каталитический материал следующего состава, мас.%:Оксид кальция - 4 - 8Оксид магния - 4 - 10Оксид цинка - 8 - 12Оксид натрия - 1 - 15Оксид ванадия - 0,01 - 1Оксид железа - До 100взятый в количестве 15 - 35% от массы...
Устройство для подгонки тонкопленочных резистивных микросхем
Номер патента: 660562
Опубликовано: 10.10.1999
Авторы: Васильев, Тимофеев
МПК: H01C 17/00
Метки: микросхем, подгонки, резистивных, тонкопленочных
Устройство для подгонки тонкопленочных резистивных микросхем, содержащее подвижной координатный столик, генератор ультразвуковой частоты с вибратором, снабженным инструментом для подгонки в виде иглы, и измерительный блок с коммутатором, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и производительности работы устройства, оно снабжено пантографом с закрепленным на нем подпружиненным зондом и шаблоном с выполненными в нем отверстиями, топология которых соответствует топологии подгоняемой микросхемы, причем вибратор размещен на пантографе, а шаблон - на координатном столике.
Устройство для настройки частоты механического резонатора
Номер патента: 1831972
Опубликовано: 10.10.1999
Авторы: Валеев, Васильев
МПК: H03H 3/04
Метки: механического, настройки, резонатора, частоты
Устройство для настройки частоты механического резонатора, содержащее соленоид для размещения в нем резонатора, компрессор, выход которого соединен с нижним срезом соленоида через клапан трубкой, шлифовальный круг, установленный над верхним срезом соленоида, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, введены барабан с поперечным сквозным цилиндрическим гнездом для размещения резонатора, привод барабана, горизонтальный цилиндр, выполненный с верхним и нижним соосными отверстиями, внутри которого, соосно ему, размещен барабан с возможностью совпадения оси гнезда с осью верхнего и нижнего отверстий, электромагнитный клапан, установленный с возможностью перекрытия верхнего...
Способ приготовления катализатора для полимеризации изопрена или его сополимеризации с бутадиеном
Номер патента: 675669
Опубликовано: 10.10.1999
Авторы: Алексеенко, Баженов, Бейлин, Бубнова, Будер, Васильев, Гармонов, Гузман, Долгоплоск, Ирхин, Калиничева, Ковалев, Кормер, Легин, Лобач, Маркевич, Перфильева, Полетаева, Пономаренко, Суглобов, Тинякова, Троицкий, Чигирь, Шараев, Юфа
МПК: B01J 31/14, B01J 37/00
Метки: бутадиеном, изопрена, катализатора, полимеризации, приготовления, сополимеризации
Способ приготовления катализатора для полимеризации изопрена или его сополимеризации с бутадиеном путем смешения углеводородного раствора алюминийорганического соединения и галогенсодержащего соединения редкоземельного элемента цериевой группы Периодической системы с атомным номером 57 - 64 при комнатной температуре в молярном отношении алюминия к металлу цериевой группы 5 : 1 - 50 : 1 и выдерживания каталитической смеси при указанной температуре в течение 1 - 3 ч, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления процесса приготовления катализатора, в качестве галогенсодержащего соединения редкоземельного элемента цериевой группы используют комплекс общей формулыMX3...
Способ получения сверхпроводящего материала
Номер патента: 1824853
Опубликовано: 27.08.1999
Авторы: Баргон, Васильев, Журавлев, Фотиев
МПК: C01F 11/00, C01F 17/00, C01G 3/00 ...
Метки: сверхпроводящего
Способ получения сверхпроводящего материала на основе кислородсодержащих соединений меди, бария и редкоземельных элементов, включающий термообработку в токе кислорода смеси соединений указанных элементов, отличающийся тем, что, с целью упрощения аппаратурного оформления и улучшения условий труда, производят соосаждение соответствующих металлов из растворов их солей при pH 6,5 - 7,0, добавляют твердую гидроокись бария и смесь подвергают термообработке при 780 - 860oC в течение 2,0 - 2,5 ч, остывшую массу пропитывают солями соответствующих металлов, а затем термообработку в токе кислорода осуществляют при 780 - 860oC в течение 10 - 60 ч.
Способ ингибирования термополимеризации изопрена
Номер патента: 1559645
Опубликовано: 27.08.1999
Авторы: Бызов, Васильев, Горшков, Каракулева, Кисельников, Кузнецов, Матвеев, Набилкина, Павлов, Пуговишников, Сараев, Серова, Соколов, Солодовников, Степаненко, Суровцев, Хабло
МПК: C07C 7/20
Метки: изопрена, ингибирования, термополимеризации
1. Способ ингибирования термополимеризации изопрена в процессе его выделения из углеводородных фракций C5 экстрактивной ректификацией с диметилформамидом в присутствии циклогексанона путем введения ингибитора термополимеризации на основе нитрита натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса, используют ингибитор термополимеризации, дополнительно содержащий дифенилолпропан при массовом соотношении нитрита натрия и дифенилолпропана 1 : 2,5 - 50.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что ингибитор вводят в количестве 0,07 - 1,0% от массы диметилформамида.
Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазера
Номер патента: 1412546
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук
Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов
Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.
Способ винтовой прокатки ступенчатых изделий
Номер патента: 1098125
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Васильев, Казакевич, Квасов, Лузганов, Муконин, Смелов, Целиков
МПК: B21B 19/02, B21H 8/00
Метки: винтовой, прокатки, ступенчатых
Способ винтовой прокатки ступенчатых изделий, при котором на первом этапе заготовку перемещают в осевом направлении и деформируют вращающимися валками, установленными под углом к оси прокатки, с получением ступеней меньшего и большего диаметра и коническим переходом между ними, а на втором этапе осуществляют деформацию конического перехода путем разворота валков, отличающийся тем, что, с целью повышения качества прокатываемых изделий за счет изменения направления подачи заготовки в валки, разворот валков на втором этапе осуществляют до установки их осей параллельно оси прокатки, а подачу заготовки осуществляют со стороны калибрующих участков валков, при этом один из валков используют с...
Судовая энергетическая установка с генератором отбора мощности
Номер патента: 1596613
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Васильев, Зенченко, Кохан
МПК: B63H 23/24
Метки: генератором, мощности, отбора, судовая, энергетическая
Судовая энергетическая установка с генератором отбора мощности, содержащая главный газотурбинный двигатель, свободная силовая турбина которого кинематически связана с гребным винтом, а турбокомпрессор - с синхронным генератором переменного тока, электрически соединенным через выпрямитель и статический преобразователь частоты с судовой сетью, электрическую машину, кинематически связанную с синхронным компенсатором и турбокомпрессором газотурбинного двигателя, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности ввода установки в режим генерирования электроэнергии, она снабжена двумя управляемыми гидравлическими муфтами, одна из которых установлена между ротором турбокомпрессора главного...
Узел соединения металлического и керамического соосных валов
Номер патента: 1825053
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Васильев, Кохан, Некрасов, Падва, Шанин
МПК: F16D 1/02
Метки: валов, керамического, металлического, соединения, соосных, узел
1. Узел соединения металлического и керамического соосных валов, содержащий керамическую цапфу с формой продольного сечения в виде равнобедренной трапеции, меньшее основание которой расположено со стороны, противоположной металлическому валу, и образованный расточкой, выполненной на фланце металлического вала, стакан с ответными цапфе участками внутренней поверхности со стороны открытого торца, сопряженными с наружной поверхностью цапфы, а также расположенное перпендикулярно оси соединения между взаимообращенными поверхностями торца цапфы и дна стакана упорное средство для передачи крутящего момента, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем исключения осевых ударов цапфы и...
Система регулирования газотурбинного двигателя
Номер патента: 1681615
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Васильев, Карагодина, Кохан
МПК: F02C 9/00
Метки: газотурбинного, двигателя
Система регулирования газотурбинного двигателя, имеющего компрессор и свободную силовую турбину с электрогенератором, работающим на электросеть, содержащая датчики частоты и мощности, связанные с электрогенератором, регулятор частоты тока и мощности, исполнительный механизм подачи топлива в двигатель, первый и второй пороговые элементы, датчик мощности подключен к первому входу регулятора частоты тока и мощности, выход которого подключен к входу исполнительного механизма подачи топлива в двигатель, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности путем автоматического поддержания начальной температуры газа за счет регулирования производительности компрессора двигателя, система управления...
Судовая газотурбинная установка
Номер патента: 1475256
Опубликовано: 27.07.1999
Авторы: Васильев, Кохан
МПК: F02C 6/08
Метки: газотурбинная, судовая
1. Судовая газотурбинная установка, включающая газотурбинный двигатель с многоступенчатым компрессором, соединенным с заключенным в кожух с образованием воздушной полости электрогенератором, содержащим ротор, установленный с радиальным зазором в статоре, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности и надежности работы, установка снабжена системой охлаждения электрогенератора, состоящей из воздухоохладителя, коллектора подвода воздуха, расположенного на кожухе электрогенератора и связанного воздухопроводом через воздухоохладитель с компрессором газотурбинного двигателя, вентиляционных каналов, выполненных в статоре и роторе электрогенератора, сообщенных между собой и с воздушным...
Система автоматического регулирования судового газотурбогенератора
Номер патента: 1321169
Опубликовано: 27.07.1999
Авторы: Васильев, Кохан
МПК: F02C 9/48
Метки: газотурбогенератора, судового
Система автоматического регулирования судового газотурбогенератора, имеющего биротативный генератор переменного тока с вращающимся и неподвижным статорами, газовую турбину с турбокомпрессором и гидромуфту, содержащая регулятор частоты тока, соединенный с датчиком частоты тока и регулятором скольжения гидромуфты, первый датчик мощности генератора, включенный в цепь вращающегося статора биротативного генератора, регулятор подачи топлива в камеру сгорания газовой турбины, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности работы, она дополнительно содержит датчик минимальной параллельно допустимой частоты вращения турбокомпрессора газовой турбины и второй датчик мощности генератора,...