H01J — Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы
Способ получения эмиттера ионов щелочных металлов
Номер патента: 619982
Опубликовано: 15.08.1978
МПК: H01J 3/04
Метки: ионов, металлов, щелочных, эмиттера
...подвергается бомбар- дировке ионами щелочных металлов с энер гней ионов 25 - 30 кэВ и плотностью заряда на единицу поверхности эмитте.ра 500 - 750 мкА час/смЭмиттер ионов щелочных металлов по.лучают следующим образом.то Оксидный катод и вольфрамовую спиральс нанесенным алюмосиликатом помещают в вакуум. При давлении остаточного газа в вакуумной системе не менее 5 10"е тор производят актнвировку оксидного катода.После этого производится бомбардировка оксидного катода. Для бомбардировки оксндного катода ионами нагревают вольфрамовую спираль и подают напряжение 25 - 30 кВ между вольфрамовой спиралью и оксидным катодом, плотность тока619982поверхностной ионизацией атомов щелочных металлов, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности...
Система автоматического наполнения разрядников
Номер патента: 619983
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Беляев, Елесин, Жарких
МПК: H01J 9/38
Метки: наполнения, разрядников
...разрядными промежутками, устройства 1 управления наполнением, включающего датчик 2 наполнения, и уст. ройства 3 наполнения. Датчик содержит две однополупериодные схемы выпр ямления на диодах 4 и 5, ограничиваощие сопротивления К и К интегрируюцце цс - пи К .;С и К С, сопротивление К: в цепи619983 форлула изобретения Составитель 3. Оо Тсхред О.,1 и оная Тираж 960 арственного комитета Сове делам изобретений и о Москва, Ж.35, Раушская П Патент, г. Ужгород, уховКорректор П.МакаревиПодписноета Министров СССРгкрытийнаб., д. 4/5ул. Проектная, 4 Редактор Л. БатановаЗаказ 45 848ЦНИИПИ Гос 13035, иал П катола разрядника, тиристоры 6 и 7, суммирующие сопротивления Ка и К пиковые детекторы Еи Е,. При наполнении разрядника устройством 1 ....
Магнитная фокусирующая система
Номер патента: 619984
Опубликовано: 15.08.1978
МПК: H01J 29/64
Метки: магнитная, фокусирующая
...а обе группы между собой встречно, Возникает составляющая потенциала,пропорциональная четвертой степени координат, ответственная эа октупольное поле,меняющееся по кубическому закону от координаты. В зависимости от направленияи величины октупольного поля изменяетсясила, действующая на пучок заряженныхчастиц, причем это изменение влияет на фокусировку квадрупольной линзы аналогично ее аберрационным членам. Благодаряналичию электрически регулируемой октупольной составляющей поля возможно уменьшить, скомпенсировать или изменить знаксферической и других геометрических аберраций третьего порядка квадрупольнойлинзы.Однако один октуполь, вкл 1 оченный такс(м образом, цтобы улучшить качество фокусировки в двух взаимно...
Способ определения коэффициента отражения электронов по энергии
Номер патента: 619985
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Алехнович, Бондаренко, Вейник, Поболь, Прилепин
МПК: H01J 37/00
Метки: коэффициента, отражения, электронов, энергии
...б мишень 4 нагревают до температуры Т , определяя при этом энергию Е переданную мишейи нагревателем.Так как мишень 4 в обоих случаях была нагрета до одной температуры, значит, сообщаемые ей энергии равны1(Рф +ЬР) =Е 1 (1),где 1 первичный ток,На третьем этапе, отключив нагреватель 6, облучают мишень 4 потоком электронов, ускоренных напряжением р", равным сумме начального анодного напряжения р и напряжения Ь, ранее подаваемого на мишень 4;у + Др ф)Падающие на мишень 4 электроны имеют ту же энергию, что и на первом этапе, ио отраженные электроны не возвращаются на мишень 4, так как потенциал мишени равен нулю, поэтому она нагревается до менее высокой температуры Т, которую измеряют термопарой 5. Послс этого бл и ии( минн ин 4...
Материал для металлокерамического катода
Номер патента: 620229
Опубликовано: 15.08.1978
МПК: H01J 1/144
Метки: катода, материал, металлокерамического
...металл присутствует в виде карбида. В качестве способа изготовления поэтому выгодным является применение поверхностного науглероживания в основном однородного по составу тела катода, которое состоит из одного ли нескольких тугоплавких металлов, с также предпочтительно равномерным легированием активным веществом, содержашим лантан.Целесообразно применить специальные меры, особенно при высокотемпературных операциях изготовления, прежде всего науглероживания и последуюшего активирования, лля предотвращения существенного роста зерен. Выгодным с этой точки зрения оказалось применене присалок, уменьшаюших рост зерен, типа соединений калия, алюминия и/или кремния. С учетом желательности м логразмера зерен в конгломерате далее оказалось...
Термоэлектронный катод
Номер патента: 205963
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Кан, Кульварская, Пекер, Реков, Серебренникова
МПК: H01J 1/14
Метки: катод, термоэлектронный
...катодов на основе дисилицида молибдена тем, что он содержит 5-20 весЛ окиси иттрия, Термоэмиссия этого катода (плотность тока амиссии равна 1 А/см при температуре2окатода 1800 К) на три порядка выше термоэмиссии катода из чистого дисипидида молибдена, а также превышает термоэмиссию чистой окиси иттрия, 2 2) 1086570/26-25 (5 Технология получения твердого раствора из дисилицида молибдена и окиси иттрия заключается в следующем.80 вес,Ж порошка химически чистогодисилицида молибдена и 20 весЛ порошка окиси иттрия (чистота 99,8) тщательно перемешивают, а затем подвергаютопрессованию и спеканию при 1700 С,Полученный материал содержит, вес,%иттрий 14.-21, молибден 47,87, кремний26,27, кислород 4,73,Измерения термоэлектронной эмиссиипроводились в...
Генератор дифракционного излучения
Номер патента: 533166
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Кириленко, Масалов, Петрушин, Шестопалов
МПК: H01J 25/00
Метки: генератор, дифракционного, излучения
...электронные пушки 10 (электронный поток распространяется нормально к плоскости чертежа к наблюдателю, коллектор находится на верхней крьпаке прибора, которая на чертеже не показана) . Поглощающее 5 покрытие 11 квазиоптического лучевода, тефлоновое вакуумно-плотное уплотнение 12,тонкая плоскопараллельная кварцевая пластина 13, служащаяокном для вывода энергии из прибора,ме О ханиэм 14 перестройки дифракционной решетки, 15 - металлическая диафрагма, на которой закрепляются зеркала (отражатели) открытого резонатора, 16 - Фланец квазиоптического лучеводаГенератор работает следующим образом, Над отражательными дифракционными рааэтками, которые расположены на каждом из зеркал 4, 5, б пролетают электронные пучки. Возникшее дифракционное...
Генератор дифракционного излучения
Номер патента: 535854
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Буданов, Кириленко, Масалов, Петрушин, Шестопалов
МПК: H01J 25/00
Метки: генератор, дифракционного, излучения
...обратной связи в генераторе,при этом существенно увеличиваетсявыходная мощность генератора. Крометого, при увеличении количества секций объем резонатора увеличивается 15быстрее, чем его потери, поэтому увеличивается добротность резонанснойсистемы, а следовательно стабильностьколебаний генератора и его КПД,На Фиг.1 представлен пример выпол-. ррнения секции предлагаемой конструкции генератора (генератор состоит изодинаковых секций); на фиг.2 - пример построения генератора по круговой схеме; на фиг,3 - то же по линейной схеме.Каждая секция соцержит электронную пушку 1, коллектор 2, периодическую структуру в виде отражающе диФракционной решетки 3 типа эшелетт,расположенную на плоскости отражателя 4 в виде узкой полоски, причемэлементы...
Генератор дифракционного излучения
Номер патента: 497893
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Масалов, Петрушин, Шестопалов
МПК: H01J 25/00
Метки: генератор, дифракционного, излучения
...1 Диафрагму 10 р пОЭВОлЯВ"щую из 1.е 11 ть положение зеркал 5-8 относительна электронных пучков,. иммитируе 1 ьк электронными пушками 11,11 а,которые =Правляют пучок перпендикулярно полости чертежа к нам 11 илиат нас 11 а (это позволяет улучшитьалэ;Д 1 Н НОллектарОВ); Винт 12 спомощью которого можно изменять положение . э;:,;.ал относительно электронных пучков; сильфон 13, осуществляющий Ва,.,;,: уплотнение при перестройке пассивного резонатора движение 1.1 зе,На.,рз 31 маховик 14 .наст айкирезонатора, Вакуумную слюдяную пере.огородку 15 В Валнаваде; волновад 1 бфлац - ;4 " :Язь МГДИ с нагрузкой 1отверстие 17 связи в пассивном зеркале:,1. Ц 4 рзба .:;=: СПЕду 1 Ощиы ОбраЗОМ.1 Ц51"=к.",:".1-,. ПУч 1 с 1 р ПРолетаюшие надатражатЕ 1...
Способ подготовки поверхности алюминия для спаивания со стеклом
Номер патента: 621036
Опубликовано: 25.08.1978
Авторы: Вайхбрат, Кочлашвили, Наруслишвили
МПК: H01J 5/26
Метки: алюминия, поверхности, подготовки, спаивания, стеклом
...вектрополировани е уплотнение, о что, с целью пов ния дляобезжириввание и ключаюц е, анонц тл ич ание, элроматн ппения термо тем,после щ и 5 сто йкИзобретение касается электроники, в частности производГта металло-стеклянных корпусов для полупроводниковых приборов,Известен способ подготовки поверхностиалюминия для спаивания со стеклом, в котором алюминиевую деталь никелируют, меднятгальваническим способом и лудят припоем 1).Подготовленная таким образом поверхность.алюминия для спаивания со стеклом обладаетнизкой термостойкостью до 30010 С, низкой-звакуумной плотностью до 10Известен также способ подготовки поверх.ности, по которому алюминиевую деталь обеэжиривают, злектрополируют, анодируют и подвергают хроматному уплотнению 2.Целью...
Способ изготовления электронного прибора
Номер патента: 621037
Опубликовано: 25.08.1978
Авторы: Гаванин, Прагер, Трофимова
МПК: H01J 9/12
Метки: прибора, электронного
...активирования эмиссионной поверхности и, как следствие этого, малая стабиль.ность параметров. Целью изобретения явлильности параметров.Это достигается тем,алия вспомогательного историбор обезгаживаюг п150 С и не выше темпи испарения эмиссиом производят активиро В процессе обезгаживатемпературе выше 150 С про ние геттерных пленок, обра621037 1974 Составитель В. БелоконьТехред А. Алатырев Редактор Н, Хлудова Корректор Н. Яцемнрскал Заказ 4670/49 Тираж 960 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Рвушскал наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектнал; 4 ных поверхностях внутри прибора, и активная дессорбция неконтролируемых загрязнений, ко...
Рентгеновская трубка
Номер патента: 621038
Опубликовано: 25.08.1978
Авторы: Безирганян, Демирчян, Шабоян
МПК: H01J 35/10
Метки: рентгеновская, трубка
...приемлемые дпя проведения экспрессиых то.гюграфических исследований, Однако в силу кон я является увеличение ния.ем, что трубка сдержи ктронного пучка йо из вращаннцсгося анода,4дпя подачи отклонявицего напряжения, При ди,аметре анода 10 см можно использовать попе .излучения величиной порядка 3,5 х 2,5 см, чтовполне достаточно дпя контроля кристаллоа,используемых в полупроводниковой технологаСледует также заметить, что трубка может5 ьпь снабжена вторым катодом н средстэййидпя создания пространственного поля, т. к. теплавой режим такой трубки позволяет использовать два. поля излучения прн интенсивностах,достаточных дпя проведения топографическихисследований,Ф о р м у л а, н з о б р е т е и ц я Уентгеновская трубка, содержащая...
Способ зажигания вакуумной дуги”
Номер патента: 550943
Опубликовано: 25.08.1978
Авторы: Аксенов, Белоус, Падалка, Романов
МПК: H01J 37/00
Метки: вакуумной, дуги, зажигания
...уровня, превышающего рабочий ток дуги,Инициирование катодного пятна плазменным сгустком происходит с тем большейвероятностью, чем выше напряженностьэлектрического поля в разрядном промежутке. То,. напряженности, которая существует в испарителях при больших межэлекзродных расстояниях и низких напряженияхисточника питания (десятки вольт), оказывается педостаточнодля устойчивогозажигания пятна ичазменным сгусткомобычным способом. Местное усиление поля беэ изменения условий в основномразрядном промежутке можно получить,например, с помощью специального алектрода, находящегося под потенциалом анода, но расположенного на гораздо болееблизком расстоянии, чем анод (1-2 мм).Размешать атот электрод целесообразно за пределами рабочей поверхности...
Способ формирования электронных пучков
Номер патента: 622183
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Акопянц, Гольдфарб, Зубченко, Кулешов, Локшин, Металлов, Назаренко, Пацьора
МПК: H01J 3/14
Метки: пучков, формирования, электронных
...кроссовере и угол схоцимости 5выбирают в соответствии со слепуюшимисоотношениями: вием сил собственного магнитного полянужны не только токи пучка 3150 мА,Пно и малые углы схоцимости пучка на выходе из прожектора ос й 10 рад, малые-2начальные диаметры пучка на выходе изанодного отверстия в й 1 мм, а такжесравнительно большие ускоряющие напряженияЦск 10 кВ,Если исхоцить из реально достижимыхпараметров электронных пучков, могущихбыть использованными цля электроннолучевой сварки: 5 П2 А, с10 рад,3: 0,1 мм,Бск200 кВ, то вкачествеверхней границы можно принять:АЗП;Ъкс ЮВМсдОтметим, что предлагаемый способформирования пучков, в принципе, не отвергает также и возможности примененияэлектромагнитных фокусируюших систем.Так как на входе в линзу...
Источник паров цезия
Номер патента: 622184
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Каландарашвили, Шартава
МПК: H01J 7/18
...ных недостатков лишены твердые ки. тервала в области 300 - 500 С, что затр няет температурную привязку источника Целью изобретения рабочей температурызона 300 в 5 С,Г 1 оставленная цель д в качестве слоистого с отся дихалькогеннды п состава ЧЛ 2, Где М - металлы 17 в 71 групп таблицы Менделеева,Х - халькоген (сера, теллур, селен).В источнике в качестве слоистого соединения может использоваться материал СоТеьт,На чертеже дан график зависимости мощности термоэмиссионного преобразователя от температуры резервуара с жидким цезием (кривая 1) и от температуры источника, содержащего Сзю,4 СоТе, (кривая 2).Сравнение кривых 1 и 2 дает представление оо эффективности использования предложенного источника в сравнении с известным. Как видно из...
Способ изготовления кремниевой диодно-мозаичной мишени для телевизионной передающей трубки
Номер патента: 622185
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Антипова, Дворников, Морозов, Санин
МПК: H01J 9/20
Метки: диодно-мозаичной, кремниевой, мишени, передающей, телевизионной, трубки
...раздела В, -"51 0 в результате чего вместо ненасы 2 гшенных связей кремния, ответственныхза быстрые поверхностные состояния, образуются связи 5 т - Н . При достаточнойдлительности такого отжига практическиполностью гасятся быстрые поверхностЗаказ 4970/2 Тираж 960 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ные состояния и граница разделаб.50 достигает состояния равновесия.При проведении высокотемпературногооотжига (800-900 С) в атмосфере водо.рода также образуются связи Я-Н, но с меньшей вероятностью, и при малой длительности отжига эффект снижения плотноств быстрых поверхностных состояний...
Способ получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий на подложке
Номер патента: 622186
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Артюхина, Лиссер, Попова
МПК: H01J 9/22
Метки: люминесцентных, мелкоструктурных, подложке, покрытий
...проиэвоцятсброс ее остатков из нанесенного слоялюминофора центрифугирования при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил.П р и м е р. В соответствии с предлагаемым способом подложки закладываютв гнезда ротора центрифуги, в гнездазаливают суспензию люминофора. Прн вращении ротора гнезда под цействием центробежиой силы разворачиваются такимобразом, что плоскость подложки располагается перпендикулярно направлениюдействующих сил (перпендикулярно направлению равнодействующей центробежной 15силы и силы тяжести),На частицы люминофора в суспензиидействуют силы порядка 5-10 у и вызывают энергичное их освждение на плоскость подложки с образованием плотного 30слоя люминофора,По окончании осаждения люмийофораиа...
Устройство для измерения электрических параметров цветных кинескопов
Номер патента: 622187
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Бурмистров, Гольденберг
МПК: H01J 9/42
Метки: кинескопов, параметров, цветных, электрических
...устанавливается экраном вниз) и Измерение (верти кальное положение платформы, кинескоппринимает рабочее положение - экраном на оператора). На платформе неподвижно закреплена катушка размагничивания 6, которая питается переменным током от автотрансформатора 7, токосъемник которого посредством зубчатого колеса 8 и сектора 9 связан с водилом 4 механизма поворота платфор: ъ.К платформе крепится второй электродвигатель 10 механизма 11 продольного перемещения узла отклоняющей системы и магнитов сведения 12, которые опускаются до совмещения с горловиной кинескопа и поднимаются для снятия кинескопа.В положенис Измерение кинескоп устанавливается в гнезде 13, защищающем его от воздействия внешних магнитных полей.Подсоединение кинескопа к...
Сеточный узел для системы с плоскими электродами
Номер патента: 622188
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Белолипцев, Беляченко, Юркин
МПК: H01J 21/36
Метки: плоскими, сеточный, системы, узел, электродами
...неупругим деформациям стержней сетки, а следовательно, к нарушению геометрии как самой сетки, так и геометрии между электродами.Целью изобретения является повышение 0 формоустойчивости сеточного узла при тепловом расширении.Цель достигается тем, что стержни ирамка сетки имеют дополнительные участки, перпендикулярные плоскости рабочей 5 части стержня так, что их поперечное сечение имеет Г-образную форму, причем толщина дополнительных участков стержней меньше толщины рабочей части стержней, а крепление выполнено только со стоп роны торцов стержнейл. В результате такого конструктивного оформления не наблюдается нарушения формоустойчивости сетки.На чертеже схематически показан предлагаемый сеточный узел, общий вид.Сетка для электронной...
Коллектор для электровакуумных приборов
Номер патента: 622189
Опубликовано: 30.08.1978
Автор: Головкин
МПК: H01J 23/027
Метки: коллектор, приборов, электровакуумных
...коллектор в разрезе.Коллектор включает в себяческий конденсатор, содержащийный стержень 1, охватываемый ц2 и постоянный магнит 3, силовкоторого ориентированы вдоль остора.Электронный пучок пропускаеобкладками цилиндрического конвдоль оси симметрии которогопостоянное магнитное поле. Накладке конденсатора, например,ном стержне, поддерживается наравное или большее, чем напряимодействия прибора, а на другоке конденсатора - охватывающере - поддерживается напряженшее, чем напряжение взаимодеэтом случае электроны, вылетпространства взаимодействиявлетевшие между обкладками кра, под действием электрическконденсатора будут направлятьсральному стержню, но магнитнодаст пм возможности достигнуть622189 Ю.-ЯЕ:;Гт 2Г оставитель В, Кле...
Устройство для изготовления замедляющей системы
Номер патента: 622190
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Евстратов, Ерофеев, Железовский, Неганов
МПК: H01J 23/24
Метки: замедляющей, системы
...элементы 1 и лс 5 кду зуб ями гребенча;ой структуры 2 устанавливаются прямоугольныекера 111 ескис изоляторы -С. уоья грссснчатой структуры располагаются симметри ьо о;посктельпо выступов 5 соединителя и этс 102 Всляст устяпОВить изсл 51 тсрытоИс пссрединс псперсИых провсдпикОВмеапдровой ликии.112 изоля,орс ставится основание ЗС исверху пего упорная пластина 7.В собранном виде устройство с деталями ВС псмещ 1 стс 51 между слким 210 щим 1элс:чснтами термсксмпрссс 1 юппсй усЯИОВки, в которой осущестьляется сварка узлов ЗС. При этом выступы 5 предлагаемого устройства препятствуют деформациимеа д 110 ВО 1 линки В 5 япряВлении шяг 2.Частичная деформация металла меапдровой линии происходит в направлении, задапном стенками выступов 5 и...
Твердый источник для эпитаксиального наращивания полупроводниковых монокристаллов
Номер патента: 529697
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов
МПК: H01J 21/20
Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального
...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...
Устройство для нанесения пленочного покрытия на керн катода
Номер патента: 624315
Опубликовано: 15.09.1978
Автор: Палчевский
МПК: H01J 9/04
Метки: катода, керн, нанесения, пленочного, покрытия
...на пуансоне 3.На рабочем торце пуансона 3 выполнены отверстия 8, соединенные каналом 9, выполненным в пуансоне 3, с полостью 10 цилиндра 6 и атмосферой через обратный клапан 11, установленный на пуансоне 3 на выходе иэ канала 9. На подпятник 12 опирается шток 13 привода пуансона 3.624315 аз 519одп ясное И На штоке 13 укреплен захват 14, охватывающий выступы 15 на пуансоне 3.Устройство работает следующим образом.Пуансон 3 под действием штока И, входя в отверстие 2 матрицы 1, выру 5 бает пленочное покрытие из ленты, прн давлении штока 13 на подпятник 12 обратный клапан 11 перекрывает выход из канала 9. Одновременнос пуансоном 3 перемещается относительно цилиндра 610 поршень 7, в результате чего в полости ,1 О цилиндра б, а также в...
Магнитная система
Номер патента: 624316
Опубликовано: 15.09.1978
Авторы: Бекетов, Дерягин, Ефимов
МПК: H01J 23/08
Метки: магнитная
...между дополнительными магнитами. Поэтому уменьшение степени неоднородности магнитного поля и увеличение его напря, женности в рабочем зазоре дос.игается именно при значениях промежутка между дополнительными магнитами, примкнутымиО к разным стержневым магнитамравных 0,2-0,5 длины рабочего зазора.Улучшение характеристик в данной магнитной системе возможно благодарятому, что, магнитнае поле, создаваемое доноднительными магнитами достигает своего максимального значения именно в центре рабочего зазора. В результате сложения магнитных попей, создаваемых в рабочем зазоре стержневыми и ЗО примкнутыми к ним дополнительными магнитами, напряженность магнитного поля в центре. зазора увеличивается до значения напряженности поля на обращенных к...
Замедляющая система типа “меандр”
Номер патента: 624317
Опубликовано: 15.09.1978
Авторы: Дзугаев, Лошаков, Петроченков, Пчельников, Филиппова
МПК: H01J 23/24
Метки: замедляющая, меандр, типа
...обесперазмеров дополсистемы встречюшей аномальамеддение фаийис тема ИДополнительная замвиде выступа со шиапазон частот парбратной волне и преодавления. ая система имеет хоссновную прямую т арвязь с катодом.ремлении применить ее ипа возникает самовоз ых,высокоимпеданс ных не рабочей полосы час624317 Составитель В. Клевцов убина Техред О, Андрейко, Корректор С. ОПодписноемитета Совета Министров ССетений и откоытий-35, Раушская наб., д, 4/5 илиадППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 зовой скорости волн в обеих замедляющих системах было примерно одинаковым в вышеуказанном диапазоне частот,На чертеже изображена предложенная эамедлявщая система, разрез.Зам ддявщая система типа "меанд "рсодержит меандровув линию 1 на металлических...
Оротрон
Номер патента: 624318
Опубликовано: 15.09.1978
МПК: H01J 25/00
Метки: оротрон
...расстояниедолжно составлять величину порядка 7-8нолуволн излучения. Радиус кривизнызеркал 1 и 2 и расстояние между нимивыбираются из условия близости параметра конфокальности к единице, а длинааеркал (по радиусу) так, чтобы в рабо;,чем объеме открытого резонатора укла дывалось одно основное колебание, ограниченное каустическими поверхностями на чертеже они показаны пунктирными линиями). Отверстие связи размещается зв каустическими поверхностями и таким обрааом нв уменьшает добротности ОР, в то время как в прототипе отверстия сделаны в центре фокусирующега зеркала и помещены в сильное поле ОР, искажая, его.Вывод анергии из прибора вапноводный. В выходном волноводе 3 создается симметричная магнитная волна Н что позволяет подключать...
Герметичный токоввод
Номер патента: 624319
Опубликовано: 15.09.1978
МПК: H01J 61/36
Метки: герметичный, токоввод
...через соединительный токопрс1 О водяизй элемент, расположенный в зазоре другого цилиндра, который соединен с выводом непосредственно, а с электродом через другой соединительный токоподводящий элемент, расположенный в зазоре пер вого из указанных цилиндров. Соединительные ток опроводящие : алементы могут быть выполнены в виде полосок фольги толщиной, большей толщины цилиндра, либо в виде проволоки,изображен описываемыйспереди, на фиг. 2 - то же 1фиг. 3 - сечение по А-Аюфиг. 4 - сечение по Б-Б Один конец первого цилиндра 1 непосредственно соединен с электродом, 2 лампы, а другой конец этого цилиндра при помощи соединительного токопроводя щего алемента 3, выполненного в виде полоски фольги толщиной, большей толщины цилиндра, или в виде...
Устройство для импульсного свечения аэронавигационных огней на вертолете
Номер патента: 105086
Опубликовано: 15.09.1978
Авторы: Пржебельский, Травин
МПК: H01J 61/30
Метки: аэронавигационных, вертолете, импульсного, огней, свечения
...от источника постоянного тока. Это упрощает устройство и повышает надежность в его работе.На фиг. 1 показано предлагаемое устройство, вид спереди; на фиг. 2 - то же, вид сбоку; на фиг. 3 - газоразрядная, лампа устройства, продольный разрез; на фиг. 4 - пусковая схема лампы.Устройство состоит из газоразрядной лампы 1 и арматуры 2 для источника постоянного тока. Стеклянная трубка 3 лампы наполнена инертным газом ксено ном. В трубку впаяны анод и катод 4. В средней части лампы помещены баласт ные сопротивления 5, обмотки 6 и 7 бобины, соответственно первичная и вторичная, бумажный накопительный конденсатор 8 и разрядник 9 с впаянными электродами. Все апементы схемы расположены в колбе лампы, а к ее стандартному патрону 10 подается...
Спектральная лампа
Номер патента: 625271
Опубликовано: 25.09.1978
МПК: H01J 61/76
Метки: лампа, спектральная
...же оси с другой стороны указанного катода по отношению каноду.Нв чертеже дана принципиальная схе Ома лампы,Лампа представляет собой стеклянную колбу 1 цилиндрической формы сокном 2, аыполненным иэ материала,оптически прозрачного в спектральномдиапазоне 0,2 -2 мкм, В тело колбывпаяны выводы, нв которых закрепленыобщий анод 3, полый катод 4, сквознойполый катод 5, выполненные из одногои того же металла, и термокатод 6, Полые катоды помещены в разделенный надве части 7 и 8 изолятор. Зазор междучастями изолятора фиксируется керамическими трубочками 9. Выводы помещеныв керамические трубочки 10 для предотвращения пробоя между ними. Арматуралампы закрепленана слюдяных дисках11, Лампа смонтирована в цоколе 12 инаполнена инертным газом при...
Способ изготовления автокатода
Номер патента: 549039
Опубликовано: 25.09.1978
Автор: Бундза
МПК: H01J 9/02
Метки: автокатода
...рабочей по. верхности катода, и выдерживатот в этих условиях до тех пор, пока количество перенесенного материала не станет соизмеримо с объектом материала в сегменте под рабочей поверхностью катода.В данном случае наблюдается относ низкая стабильность и воспроизводимост рактеристик автокатодов, а также высо бочее напряжение,Цель изобретения - а го напряжения и повышени автокатода,Цель достигается тем, что острийный образец охлаждают до температур не вьпде (-19 б)С,прикладывают электрическое поле, достаточноедля самопроизвольного роста автоэмиссионноготока, затем уменьшают напряжение при выбранном значении тока до необходимой величины,обеспечивающей поддержание постоянного автоэмиссионного тока,Длительность процесса заострения острий...