H01J — Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы

Номер патента: 873303

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Прохватилов, Прыткин

МПК: H01J 5/18

Метки: вакуумного, материал, низкотемпературного, оборудования, окон, рентгеновского

...и полиэтилентерефталатную пленку толщиной в укаэанном соотношении соединяют с помощью эпоксидного клея. Для равномерногораспределения клея и уменьшения его З 5 Количество цикловохлаждения до 4,2 Ки приложения нагрузки +кг/смдо нарушения вак мной плотности Газопроницаемость гелия при 293 К,л/с10 Величина Толщина Вещество поглощения Си К, излучения, 7. слоев,мкм БериллиеваяфольгаПолиэтилентерафталатнаяпленка 100200,10 2,4 5,0 1,0 0,2 О, 17,5 920Утоньшается и рвется при п=2То же, при п=10 20 7,5 Не нарушаетсяпри п=5032Не нарушаетсяпри п=50То же 30 2,2 3,2 3,6 3,80,01 Нет7,5 Бериллий+поли+10этилентерафта+20лат 03 4толщины клеевую композицию прокатьпают между валками. Затем производятополимеризацию клея при 1 60 С в течение 3 ч, причем к...

Номер патента: 873304

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Бурлаков, Галкин, Иофис

МПК: H01J 9/40

Метки: отпаячная, печь

...выступов параллельны образующим отверстиям, а между этими выступами и нагревателем установлен экран, выполненный из диэлектрического материалав виде ткани или бумаги, обладающегоодновременно свойствами: жаропрочность, низкая теплопроводность, достаточная гибкость и механическая проч 45ность, исключающая разрушение экранав случае смещения нагревателя штенгелем при небрежной установке электроотпая на ножку кинескопа. Для обеспечения высоты отпайки штенгеля на50уровне высоты контактных штырьковкинескопа нагреватель совместно с системой термостабилизации заходит частично внутрь полости, ограниченнойвнутри штенгелем, аснаружи штырькаминожки кинескопа. 55Числовые коэффициенты в формулахвытекают,из следующих соображений.Если в формуле (1)...

Номер патента: 873305

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Блинов, Жутяев, Мишкинис, Сулькин

МПК: H01J 35/16

Метки: излучатель, рентгеновский

...съемки может производиться с общего пульта управления 12, связанного с блоками, 9-1 и средствами подачи высокого напряжения для создания ускоряющего поля между анодом и катодами трубки (не показаны)Рентгеновский излучатель работает следующим образом.При подаче на трубку 1 высокого напряжения электроны, эмиттируемые накальными катодами 4, падают на мишень 3 анода 2 по всей ее высоте, в результате чего генерируется расходящийся рентгеновский пучок, угол раствора которого на выходе из генератора регулируется диафрагмой 6, управляемой блоком 11. Расположенный в оболочке трубки 1 или/и в кожухе растр 7 пропускает только те пучки, которые условно выходят из мнимого фокуса 8, находящегося в средней плоскости анода 2. При этом для...

Номер патента: 873306

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Фишкова, Шпак

МПК: H01J 49/30

Метки: масс-спектрометр

...создании магнитногополя нужной конфигурации, что дополнительно приводит к снижению дисперсии,Цель изобретения - повышение разрешающей способности. масс-спектрометра,Цель достигается тем, что в массспектрометре заряженных частиц, содержащем источник ионов, анализаторв виде электромагнита, приемник ионови схему питания, ярмо электромагнитаанализатора выполнено в виде двухпластину образующих прямой двугранныйугол, и соединено с полюсом, расположенным симметрично относительно плоскости, проходящей через ребро двугранного угла и делящий его пополам,причем ось источника ионов на входев анализатор находится на расстоя 35нии, составляющем 0,2-0,6 расстояния от ребра двугранного угла до полюса.Магнитное поле предлагаемого масс 40спектрометра...

Номер патента: 873307

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Фишкова, Шпак

МПК: H01J 49/30

Метки: масс-спектрометр

...Далее пучок попадает в магнитный анализатор .2; в котором происходит разделение пучка по массам таким образом, что при данной гиле магнитного поля ионы одинаковой массы попадают в приемник 5. При этом электростати.ческие линзы 3 и 4 осуществляют фокусировку по углу одновременно в горизонтальной и вертикалвной плоскостях. При использовании в схеме спектрометра в качестве фокусирующих ас- тигматичных электростатических.линз 3 и 4 (фиг. 1) квадрупольных линз и при режиме работы анализатораЬ = 2,01 О 08 Ь ф ХО Оф 231, и ХО = -0,2) увеличение прибора в плоскости дисперсии МА = 0,44, а общая длина пути ионов от источника до уриемика 5 = 2,8 Ь . Тогда Ощ = " = 12 мм/м на 1 Х изменения массы, где д, - угол между осью приемника 5 и осью Е....

Номер патента: 873308

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Галкин, Горюнов, Лавренко, Ниясов

МПК: H01J 61/52

Метки: газоразрядных, ламп, материал, покрытия, утепляющего

...45-55 Процесс приготовления утепляющего покрытия складывается из двух этапов; приготовления гидролизованного раствора элементоксиорганического соединения определенной концентрации и приготовления суспензии смещением полученного раствора с мелкодисперсным порошком тугоплавкого металла.П р и м е р 1 , Готовится 20%-ный раствор. К 21,4 мл этилового эфира ортокремневой кислоты доливают 78,6 мл этилового спирта и 3-4 капли минеральной кислоты.П р и м е р 2. Приготовление 30%-ного раствора, К 32, мл этилового эфира ортокремневой кислоты доливают 67,9 мл этилового спирта и 3-4 капли минеральной кислоты.П р и м е р 3. Приготовление 40%-ного раствора. К 42,8 мл этилового эфира ортокремневой кислоты доливают 57,2 мл этилового спирта и...

Номер патента: 875503

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Вислоух, Глебов, Лемешко, Шапиро

МПК: H01J 7/18

Метки: газопоглотительного, покрытия

...иитерметаллического соединенияАэТ 1, которое возникает в результате экэотермической реакции при отжиге и создает на подложке пористый слой, богатый алюминием; атакже взаимодействие "избыточного" алюминияинтерметаллида с алюминиевой компонентойгеттерного порошка, расплавляющегося в плазменной дуге, с включением в образующуюсямассу как в матрицу активных зерен церия,лантана и тория,Слой алюминия на титановой подложке должен иметь толщину 100 - 200 мкм. При толшине менее 100 мкм может быть несплошноезапыление подложки алюминием. Толщина свыше 200 мкм не ведет к увеличению механической прочности геттерного покрытия, а толькоувеличивает время, необходимое для переходаслоя алюминия в интерметаллид А 1,Т 1.Температура отжига в вакууме...

Номер патента: 875504

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Байбаков, Зима, Пчельников, Романов

МПК: H01J 23/24

Метки: задержки, линия, штыревая

...и 2 приведена конструкция ли.иии; на фиг, 3 - экспериментальная зависи.мость коэффициента замедления от расстоянии875504 пластин, располагаемых со стороны штыревыхгребенок параллельно им,Линия содержит выполненные на диэлектрической,подложке 1 печатные проводники в виде штыревых гребенок 2, расположенных штырями друг против друга, с одной стороны,и в виде пластин 3, установленных противштырей гребенок 2 параллельно им на рассто.янин, равном или меньшем ширины ппырей,с другой. Блоки с гребенками 2 и пластина. 1 Оми 3 для наглядности пространственно раэнесеныфОбразование емкости между каждой пластиной 3 и установленными против нее штырямигребенок 2 приводит к тому, что практически 15все электрическое поле волны оказывается со.средоточенным...

Номер патента: 875505

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Ведерников, Викторов, Глушанок, Кузьмин, Хатапова

МПК: H01J 35/10

Метки: рентгеновская, трубка

...за счет чего создаются условия дняувеличения допустимой удельной мощностирентгеновской трубки и, следовательно, длязначительного сокращения времени эксперимента при. проведении рентгенографических исследований. потока к проходящему вдоль перегородки теп.лоносителя потоку было менее 1/2,При этом отверстия в перегородке для прохода теплоносителя из первой полости во вторую, а также отверстия для вывода теплоносителя из второй полости выполнены в виде ка.пилляров или капиллярных щелей.Такая конструкция позволяет не только отводить тепло от локально разогретой поверхности анода к многократно увеличенной по площади теплопередающей разделительной стенкес последующим теплоотводом от нее проточным теплоносителем, но и производить ускоренное...

Номер патента: 875506

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Димов, Литвинов

МПК: H01J 61/54

Метки: лампа, люминесцентная

...предпагаемой люминесцентнойлампы осуществляется за счет того, что сначала пробивается короткий .газоразрядный про-межуток, конфигурация и размеры которогоблизки к оптимальным.Наилучший эффект по снижению напряжениязажигания, как показали расчеты, имеет местов случае, когда рабочий конец поджигающегоэлектрода 4 располагается в областипространства около торца основного электрода 3 нарасстоянии порядка 0,4 - 1,2 см от него. В этихусловиях силовая линия максимального усиле.ння замыкается между торцом вспомогательного электрода н торцом основного электрода,поскольку коэффициент вторичной электронной30эмиссии для торцовой части основного электрода существенно выше, чем для остальной еечасти, Оптимальное расстояние между основными...

Номер патента: 877652

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Ватолина, Кокинова, Федоренко

МПК: H01J 61/20

Метки: лампа, люминесцентная

...время разгорания лампы.Цель изобретения - сокращение времени разгорания люминесцентных амальгамных ламп.Поставленная цель достигается тем, что в люминесцентнойамальгамной лампе, состоящей из трубкиколбы нанесенным на ее внутреннюк поверхность люминофорным покрытием и впаян.ыми в нее продутыми смонтированны"жками с дополнительной и основплошной амальгамами, основная гама имеет пористую структуру, ры в амальгаме имеют цилиндрическую форму, а количество их долж быть не менее двух.на фиг. 1 изображена предлагаемая конструкция лампы с разрезом одного877652 Формула изобретения фиг.Г конца, общий вид, на фиг. 2 - узел 1 на фиг. 1.В трубку-колбу 1, внутренняя поверхность которой покрыта люминофором, впаяны с обоих концов продутые смонтированные...

Номер патента: 879671

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Алексеев, Беклемишев

МПК: H01J 9/02

Метки: электроконтактной

...токосъемный, например графитовый электрод 8.Устройство работает следующим образом.Система игольчатых электродов 5 й электрод 8 посредством привода (на чертежах не показан) перемещаются относительно предметного стола 1 и закрепленного на ней иэделия 2 фс напыленным слоем 3, Ток источника, протекающий по напыленному слою между токосъемным и игольчатыми электродами, имеет наивысшую плотность вблизи острия игольчатых электродов, Когда плотность тока достигает заданной величины, происходит тепловая эрозия напыленного слоя точно под острием игольчатого электрода. Величина плотности тока, необходимая для конкретной детали, рассчитывается заранее и поддерживается посредством автоматически регудируемого Источника питания. Наличие токосъемного...

Номер патента: 879672

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Кутенин

МПК: H01J 9/12

Метки: вторичной, коэффициента, неравномерности, электронной, эмиссии, эмиттера

...чего определяют неравномерность КВЭЭ Ф из следующего соотношения:б О-Огде С - КВЭЭ при облучении всей поверхностиО - максимальный, а б - минимальный КВЭЭ.Для эмиттеров с отрицательным электронным средством (ЭОС) неоднородность КВЭЭ Ф определяют из соотношения 0-ф щ ,б(В эффективных эмиттерах разница между участками с максимальным и )минимальным КВЭЭ может быть значительной. Поэтому справедливо предположить, что существуют две группы поверхнОстей 6,( и 62 с резко отличающимися КВЭЭ О и 62 соответственное Тогда 5 Я+ Бд и б б + бяСуммарный йоток первичных электронов 3 состоит из первичных элект ронов, падающих на поверхностьр.,-3( и из первичных электронов, падающих на поверхность 32- (". Эти потоки вызывают соответственно потоки вто и...

Номер патента: 879673

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Васильев, Круглицкий, Куприенко, Литвин, Петухов, Ройз, Салдугей, Тюркина

МПК: H01J 9/22

Метки: люминофорного, покрытия

...от веса суспензии.Введение окислительного агента 10 на технологической операции приготовление люминофорной суспензии позволяет одновременно (в одну технологическую операцию) приготовлять суспензию и ввоцить в люминофорное покрытие окислитель, При этом исключаются необходимость в дополнительных операциях приготовления раствора окисляющего вещества и нанесение его на люминофорное покрытие, что значительно сокращает трудоемкость процесса и способствует его интенсификации. Применение дополнительного оборудования для обеспечения процесса.нанесения окисляющего агента на слой люминофора также исключается, 25 Способ получения Время созданиялюминофориого по- люминофорногокрытия покрытия (мин) Известный способ(прототип) 7,0 Рыхлый, с локальными...

Номер патента: 879674

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Лисс, Лопатин, Соколова

МПК: H01J 29/92

Метки: контакт, электрический

...по отношению кладываемым к стержневперпендикулярно поверрической пластины.площадки в данном контакте могут быть наерхности диэлектричеспо крайней мере частичот пленочного покрытия.представлено предластво в двух проекциях.879674 Составите Техред А,дотов едактор Тираж 787 НИИПИ Государственног по делам изобретений 35, Москва, 3-35, РаЗаказ Подписное о комитета СССР и открытий ушская наб., де 4/5 илиал ППП 1 Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Диэлектрическая пластина 1 с нанесенным на нее электропроводным пленочным покрытием 2 имеет свобод" ные от пленочного покрытия поверх" ности 3, перекрываемые контактными площадками 4, что обеспечивает увеличение прочности конструкции за счет выбора материала контактных площадок, имеющего хорошую...

Номер патента: 879675

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Бакиров, Молчанов

МПК: H01J 41/00

Метки: газовый, насос, электродинамический

...65 ля, которое проникает в газ, находящийся в диэлектрическом вакуумпро- воде 3. Когда напряженность электрического поля в вакуумпроводе превысит то значение, при котором зажигается разряд, происходит ионизация газа, Предл гаемые варианты выполнения насоса обеспечивают те условия, при которых образовавшиеся ионы и электроны приобретают направленное в одну сторону движение, и сталкиваясь с нейтральными частицами, увлекают их за собой. Электрическое и магнитное поля в резонаторах взаимно ортогональны и сдвинуты по времени друг относительно друга на четверть периода колебаний (фиг. 1 и 2) поэтому частицы газа в вакуумпроводе, как заряженные, так и нейтральные, приобретают скорость в направлении, перпендикулярном направлениям электрического...

Номер патента: 879676

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Кучеров, Липатов, Миллер, Степанов, Титков

МПК: H01J 43/00

Метки: прибор, фотоэлектронный

...геттера производят в изолированном от катодной колбы отсеке манипулятора после отпая оболочки с вакуумного поста, а монтаж реттера осуществляют после переноса фотокатода в прибор путем одновременного пережима штенгеля и пластичной подложки.На фиг. 1 изображен фотоэлектронный прибор; на фиг. 2 - узел 1 на фиг. 1; на.фиг. 3 - устройство для изготовления предлагаемого прибора.Электроннооптический преобразователь с металлокерамической оболочкой 1 снабжен металлическим, например, медным штенгелем 2. В штенгеле смонтирован геттер 3. Изготовленный вне прибора вводной фотокатод 4, например многощелочной, смонтирован на фотокатодной манжете 5Геттер 3 выполнен, например, в виде бариевой или титановой пленки б на плоской медной подложке 7,...

Номер патента: 879677

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Герценштейн, Хованович

МПК: H01J 49/38

Метки: масс-спектрометр, омегатронный

...пространственной неоднородности магнитногополя в значительной степени исключается,Число оборотов Я резонансногоиона равно: Высокочастотное поле группирует 25ионы в сгустки, причем сдвиг фазмежду скоростью иона и полем равен,согласно формуле (4): и поэтому в качестве условия резонанса Ь:О можно взять" Условие (10) устанавливается методами микрофазометрии: подается наэлектроды ионного источника небольшое переменное напряжение низкойчастоты, тем самым модулируется скорость ионов и тем самым время пролета: где о, - коэффициент модуляциимр1) - частота модуляции. 5 О Для переменной компоненты фазы имеем; При синхронном детектировании переменной компоненты фазы с низкочастотным напряжением, подаваемым на ионный источник, можно определить...

Номер патента: 881895

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Борисов, Жерлицын, Мельников, Сулакшин, Штейн

МПК: H01J 25/50

Метки: релятивистский, свч-генератор

...ано да в волновод и является одновременно источником электронов генератора, а конец СВЧ тракта магнетрона подключен к концу волновода, обращенному к устройству вывода энергии генератора.На чертеже изображено устройство.устройство содержит источник 1 питания и виде двойной формирующей линии сильноточного ускорителя, катод 2, многорезонаторный анодный блок 3 релятивистского магнетрона, магнитную систему 4 устройства, волновод 5, образующий пространство взаимодействия, релятивистский электронный пучок б, рупор 7 для вывода 40 СВЧ энергии, волноводный СВЧ тракт 8 магнетрона.Устройство работает следующим образом.Импульс высокого напряжения от 45 источника 1 питания прикладывается между катодом 2 й анодным блоком 3 магнетрона и волноводом...

Номер патента: 881896

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Шпагин

МПК: H01J 31/08

Метки: приемная, трубка, электронно-лучевая

...входами матрицы воспроизведения 9 и через ключ 1 б соединены со входами СТИ. Управляющие входы третьего рематрицы перемещаются в матрицу воспроизведения. Таким образом, к началу следующего кадра запоминающая матрица готова к записи следующего кадра,а в матрице воспроизведения записан потенциальный рельеф, соответствующий видеосигналу предыдущего кадра. Во время обратного хода, такжекак и в обычном кинескопе на модулятор подается отрицательный гасящий импульс, а электронный луч не попадает на матрицу воспроизведения, После окончания гасящего импульса воспроизводящий электронный луч отпирается по модулятору и электроны под действием ускоряющего поля сетки маски летят к маске. В зависимости от потенциалов на элементах воспроизводящей...

Номер патента: 320218

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Беспалов, Князятов, Настюха, Смирнов, Удовенко

МПК: H01J 15/02

Метки: вентиль, дуговой

...больше рабочая частотаприбора.В дуговых вентилях с полым катодомразряд зажигается обычно с помощьюплазмы, образующейся в специальной камере поджига и инжектируемой в основной разрядный промежуток. При такой системе поджигания вентелей наблюдается сравнительно большой разброс зажигания, а это не дает возможность применять параллельное включение вентилей в низкоиндуктивных цепях.Цель изобретении - уменьшить разброс времени включения вентиля.Достигается это тем, что вентиль содержит металлическое разомкнутое кольцо, расположенное вблизи противоположного свода камеры и соединенное с изолированными от камеры токо- подводами.На Фиг. 1 схематично изображен вентиль с поджигающим устройством; на фиг. 2 - схема питания поджигающего...

Номер патента: 884004

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Артемов, Пеев

МПК: H01J 3/20

Метки: квадрупольных, линз, магнитных, юстировки

...но в первом случае они равны пб"знаку, а во втором - противоположны.Вследствие этого, наблюдаемый сигнал имеет форму, близкую к синусоиде с четырьмя полупериолами (по количеству полюсов) чередующейся полярности. В случае, когда магнитная ось линзы совпадает с осью вращения катушки (и, следовательно, с геометрической осью линзы), амплитудные значения полупернодов синусоиды равны, и линза считается отъюстированной. Если же магнитная ось линзы не совпадает с осью вращения катушки, полупериоды синусоиды отличаются по амплитуде. Чем больше ось вращения к какому-либо из полюсов линзы, тем больше амплитуда соответствующего полупериода синусоиды, так как витки катушки пересекают магнитное поле с большей напряженностью (и наоборот), Для...

Номер патента: 884005

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Голубев, Силаев, Степанов

МПК: H01J 37/28

Метки: диаметра, зонда, микроскопе, растровом, электронного, электронном

...4, камера 5 объектов, стол б объектов, кристалли детектор 8 вторичных электронов. В систему обработки информации входят ВКУ 9, измерительное устройство 10, и вычислительный блок 1. На фиг. 2 показано взаимное расположение граней кристалла 7 относительно электронного зонда 2 и направления выхода вторичных электронов 13. Кривые сигналов 14 - 1 б соответствуют различным диаметрам зонда, наименьшему из которых соответствует кривая 4.Устройство работает следующим образом.Электронный пучок, создаваемый электронной пушкой 2, формируется с помощью линзы 3 в электронный зонд малого диаметра на поверхности размещенного на столе объектов б объекта 7. Сканирование электронным зондом поверхности объекта осуществляется с помощью отклоняющей системы...

Номер патента: 414919

Опубликовано: 23.11.1981

Автор: Лазарев

МПК: H01J 17/00

Метки: образованием, плазменным

...штоки 3 для перемещения диафрагм, у отверстий которых возникает плазменное образование. В качестве корпуса устройства для сужения может использоваться корпус разрядной трубки. Диафрагмы могут скользить по внутренней поверхности корпуса.После зажигания разряда и появления у отверстий диафрагмы плазменного образования 4 одну из диафрагм устанавливают в нужной части разрядной трубки, а затем придвигаютк ней другую, если нужно разрушить плазменное образование, илн отодвигают ее, если нужно это образование восстановить.Так, например в стеклянной разрядной трубка диаметром 32 мм пук давлении водорода в ней 510 110 1 мм рт.ст., при токе разряда 0,5-1,5 А и напряжение 90 В с помощью диафрагм с отверстиями диаметром 5 мм погасили плазменное...

Номер патента: 426595

Опубликовано: 23.11.1981

Автор: Лазарев

МПК: H01J 17/00

Метки: образованием, плазменным

...стеклянную трубку с внутренним диаметром 32 мм. Диафрагмы 2 имеют возможность перемешаться со скольжением в трубке, при этом зазор между стенкой трубки и диафрагмой составляет 0,1-0,2 мм. Диафрагмы имеютформу полых цилиндров, в донышках которых имеются отверстия диаметром 5 мм. Каждая диафрагма имеет шток 3 для пере движен ия.При разряде (Р= 1 105 ф 10им рт.ст., 3=0,5-1 А, О 90 В) через объем, ограниченный корпу- сом 1 и диафрагмами 2, у отверстия диафрагм с катодной стороны (если расстояние между диафрагмами больше 6 мм) возникают яоко светящиеся426595 Формулаиз обретен и я ед З,Фанта Корректор В. Бутяга Миронов Редактор Заказ 10 Подпи си ое итета СССР открытий кая наб., д. 4/5/1 Тираж 787ЬНИИПИ Государственного коапо делам...

Номер патента: 886097

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Быков, Глебов

МПК: H01J 41/16

Метки: магниторазрядный, насос

...электроды 1 и 2 разогреваются, происходит активировка покрытия 3, В дальнейшем,при давлении 10Па и ниже, температура элект.родов падает и покрытие начинает сорбироватьгаэ. При этом откачка газа происходит и натех участках внутренней поверхности катодов, 25на которых в процессе разряда не образуетсягеттерная пленка, Быстрота откачки насоса увеличивается также за счет сорбции газа на внеш.них сторонах катодных пластин, Размещениегеттерного покрытия на всей поверхности ячеистого анода также приводит к дополнительномуувеличению быстроты откачки. Кроме того, бла"годаря развитой поверхности геттерного покрытия 3 на участках, подвергаемых запылению,в десятки раз возрастает площадь геттернойпленки, что также увеличивает быстроту...

Номер патента: 886098

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Вильдгрубе, Ронкин

МПК: H01J 43/00

Метки: умножитель, электронный

...электрическую прочность и, следовательно, высокую анодную чувствительность. О на две или более самостоятельныесекции, каждая из которых имеетсвои стягивающие металлические траверзы, электрически изолированныеот траверз, стягивающих пакет в дру"гой секции.Кроме того, в электронном умножителе металлические траверзы, стягиваЯ .ющие секции динодов, соединены с одним из средних динодов секции.На фиг. приведена конструкцияустройства; на фиг.2 - эквивалентнаяэлектрическая схема включения,Каждая секция устройства состоитиз изолированных друг от друга динодов 1, керамических трубочек 2, керамических прокладок 3 к стягивающихпакет динодов металлических траверз4, закрепляющие пакет пистоны 5, Йцсопротивления делителя, а Й,1- Й 1...

Номер патента: 886099

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Сулацков, Сыромятникова

МПК: H01J 61/073

Метки: лампа, металлогалогенная

...промышленности и может. быть использовано при производстве металлогалогенных ламп,Известны металлогалогенные лампы, предназначенные для целей общего освещения, состо.5 ящие иэ ртутно-кварцевой горелки с электродами, смонтированными на ножке, заваренной во внешнюю колбу, наполненной ртутью, инертным газом и галогенидами металлов 1.Электроды металлогалогенных ламп покры 10 ваются суспензией на основе окиси тория. В ре зультате реакции, происходящей между окисью тория и светоизлучающимн металлами, происхо. днт окисление последних. Окислы, оседая на поверхности горелки, связывают сцетонзлуча 15 ющие металлы и они перестают участвовать в галогенном цикле. В результате резко снижает. ся стабильность электрических, световых и цветовых...

Номер патента: 888243

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Демышев, Сулацков

МПК: H01J 61/18

Метки: лампа, металлогалогенная

...горелки.На чертеже представлена предлагаемая лампа.Ртутно-кварцевая горелка 1 расположена коаксиально с внешней колбой 2 и снабжена утепляющим стержнем 3, закрепленным в шарнирах 4 и 5 на концах горелки 1.Ртутно-кварцевая горелка 1 смонтирована на ножке 6, заваренной в колбу 2, которая зацоколевана цоколями 7 и 8. Цоколь 8 снабжен гибким токоввоцом 9, заканчивающимся наконечником 10. В ртутно-кварцевую горелку 1 сдоэированы ртуть и йодиды металлов 11.В процессе горения лампы независимо от рабочего положения утепляннций стержень 3 благодаря его креплению в шарнирах 4 и 5 занимает положение888243 продолжительности горения независимо от рабочего положения. под горелкой 1 в области застойногогазового слоя и служит аккумуляторомтепла,...

Номер патента: 888244

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Филоненко, Хузмиев, Хузмиева

МПК: H01J 61/36

Метки: газоразрядной, лампы, узел, электродный

...дисками из гофрированной фольги помещен диск из диэлектрическогоматериала."ЯИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРР 760239, кл. Н 01,1 61/36, 27,11. 78. Целью изобретения является сохранение эффек ивности газопоглотителяв течение срока службы лампы,Это достигается тем, что в электродном узле высокоинтенсивной газоразрядной лампы по авт. св. 9 760239в полости между торцевыми поверхностями газопоглотителя и электрода дополнительно установлен тепловой экрана длина газопоглотителя составляет 1 О0,5-0,9 от длины полости.Экран может представлять собойпо меньшей мере один гофрированныйдиск из фольги, например из полированного титана, молибдена, тантала 15и т.п.Для большей тепловой защиты...