H01J — Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы

Номер патента: 1051518

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Домбровский, Исаков, Капитонов, Прокопенко

МПК: H01J 49/28

Метки: постоянного, стабилизатор

...постоянного напряжения, содержащий транзисторный регулирующий элемент, включенный между входным и выходным выводами, источник опорного напряжения, соединенный с базой первого входного транзистора усилителя сигнала рассогласования, первый повторитель тока, вход которого подключенк коллектору первого входного транзистора, а выход соединен с корректирующим конденсатором и управляющим.входом транзисторного регулирующего элемента, делитель выходного напряжения, средним выводом под- М.ключенный к базе второго входного транзистора усилителя сигнала рассогласования, источник тока в общей эмиттерной цепи входных транзисторов усилителя сигнала рассогласования, первый, второй и третий вспомогательные резисторы, вспомогательный транзистор,...

Номер патента: 1051611

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Демичев, Мачулка, Репников, Соболева, Фенин, Цыба, Чужко

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: газового, изготовления"(варианты, катод, лазера, отпаянного

...устойчивость в газовой среде и т,д.) и егомеханической прочности как конструктивного элемента лазера.Как установлено экспериментально,требуемые эксплуатационные свойствакатода обеспечиваются составом монокарбида МеСО,4 цч, поэтому составвнешних Карбидных слоев не долженвыходить из указанных пределов,Необходимую механическую прочность 1 Окатода обеспечивает внутренний слойготовой структуры из монокарбида тантала или ниобия соответствующего состава в пределах МеС О д. о з 8 припервом варианте способа его изготовления или из полукарбида тантала илиниобия МеСд (при составе внешних1слоев МеСО 8 д), имеющего большуювязкость, чем монокарбиды, при втором варианте способа его изготовления.Соотношения толщин слоев от1:1:1 до 1:0,5:1 в...

Номер патента: 1051612

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Кравченко

МПК: H01J 29/10

Метки: мишень, пироэлектрической, трубки, электронно-лучевой

...промежутки между которымисвободны от пироэлектрического материала. С этой же стороны на основе 1 расположен проводящий слойв виде сетки 3, ячейки которойохватывают с зазором соответствующиемозаичные элементы, не соприкасаясьс ними. Слой 3 может быть выполнениз яихрома или лругого материала,На основаниях мозаи чных элементовпирозлектрического слоя 2 со стороны электронного луча расположенслой 4, поглащающий входной оптический сигнал. Поглащающий слойможет быть выполнен из нихрома. Наоснове 1 со стороны входного оптического сигнала расположен просветляющий слой 5, на котором со сторонывходного оптического сигнала расположен сигнальный электрод .б, выполненный из проводящего материала,прозрачного для входного...

Номер патента: 1051613

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Кухта, Лопатин, Петров

МПК: H01J 31/50

Метки: записи, информации, мишени, прибора, электронно-лучевого

...количественных данныхо региструемом процессе,Пель изобретения - повышение равномерности плотности записи информа -ции на мишени при сохранении вре Оменного разрешения,Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу записи информации на мишени электронно-лучевого прибора, заключающемуся в синхронной подаче на две пары отклоняющих электродов переменного напряжения развертки электронного луча переменное напряжение развертки устанавливают пилообразным с различными 5 Оскоростями изменения амплитуды для,каждой пары отклоняющих электродов,На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства; на Аиг,2зависимость напряжения 5 на горизонтально отклоняющих элекТродахот времени г. ; на фиг, 3 - зависимость напряжения Н на...

Номер патента: 1051614

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Вьюгина, Корженевич, Лебедев, Степанов, Фельдман

МПК: H01J 31/50

Метки: быстропротекающих, процессов, фоторегистрации

...преобразованиеисследуемого процесса, Путем Фотометрирования полученного с экранаЭОП изображения целевой .разверткиопределяют длительность процесса,так как основным Фактором, ухудшающим временное разрешение электроннооптических преобразователей с электростатической Фокусировкой, являетсяразброс нремен пролета Фотоэлектронов, то егб уменьшение можно получить, например, путем повышения наПряженности поля у фотокатода (определяемой разностью потенциалон междуфотокатодом и ускоряющей сеткой) )2).Однако вследствие ограниченнойэлектропрочности между фотокатодоми сеткой напряженность поля у фотокатода не может превышать 3-4 КВ/ммпри статическом питании сетки, поэтому временное разрешение системыне превышает 0,5-1,. Цель...

Номер патента: 1051615

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Платонов, Постовалов, Ушаков

МПК: H01J 31/50

Метки: времяанализирующий, изображения, электронно-оптический

...разрешение, а также уменьшается кулоновское расталкивание электронов 60 и повь 1 шается динамический диапазон регистрации входного излучения.На чертеже представлена схемаустройства. 65 устройство содержит Ъотокатод 1ускоряющий электрод 2, отклоняющуюсистему 3, первую 4 и вторую 5 парыотклон яющих пластин, диаФрагмы ботклоняюццей системы, Фокусирующийэлектрод 7, анодную диаФрагму 8,люминесцентный экран 9, волоконнооптический диск 10, двухпроводныелинии 11, генератор 12 импульсовразвертки, согласующие тракты 13,оконечную нагрузку 14, линии 15задержки.Двухпроводные линии 11 подключеныс одной стороны к первой паре пластин системы отклонения и подсоединенык генератору 12 импульсов развертки,с другой стороны- - к согласующимтрактам 13 с...

Номер патента: 1051616

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Шпак

МПК: H01J 35/02

Метки: импульсный, источник, катодом, рентгеновский, холодным

...танталовой ) фольги 4. Сферический конец катода имеет отверстие, острые края которого служат эмиттирующей кромкой. Лиа 1 зобретение относится к рентгеновской технике и может быть исцользс)ва - цо в малогабаритных импульс)ных 1 ецт - генон(:ких апггаратах, предна:3 наГенных для дефектоскопии и рецтгецодиагнос) - тики.Известен импульсный рентгеновский истогцик с острийным анодом и кол.певым катодом 1.Недостаток устройс:тва - вог)можный перегрев и Оплавлеггие анода при дли -11 тельных экспозициях,НанбОЛЕЕ бЛИ:3 КИМ ПО тЕХНИГЕСКОй метр с) г 13 рсти Г и длин,1;рсмежутка с 1 О)1 КаТСГД ОПС)ДЕЛЯЮТС 51 ВЕЛ 111 И НОЙ Цац;)ЯжНИЯ, На КОТОРОЕ Раос.гитап и с 1 О 1 Н И К ( И ТРСУЕГГГГГЛ ДИ а 11(ТС)С)ГЛ 31)ОФкус.ГГОГО пятнс) с так кс)к 11 ри бо)1 ь...

Номер патента: 1051617

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Коваль, Шабуня

МПК: H01J 49/04

Метки: исследованиях, масс, образцов, спектрометрических, установки

...20 гафтг.2), приваренномук оснонанию 7, вращается стопорныйсектор 11 . Опорный конец стопорногосектора 11 и основание 21 стопорногосектора с расположенной н нетл осью19 выполнены из проводящего материалаи электрически разделены изоляционнойвставкой 22, Основание 7 укрепленона трубе 23, имеющей на нтором концефланец, вакуумно-плотно соединенныйс изоляторами 24 и 25, К изолятору24 приваривается втулка 26, между,этой втулкой и Фланцем 28 приваривается на вакуум сильфон 27.На шаровую поверхность фланца28, служащего базой всегО механизма,опирается втулка 29 со сферическойповерхностью. Прижим втулки 29 к шаровой поверхности фланца осуществляется с помощью Фланца 30, шпилек 31,гаек 32 и пружины 33. На резьбовуючасть сферической втулки 29...

Номер патента: 1051618

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Борискин, Брюханов, Быковский, Еременко, Лаптев

МПК: H01J 49/28

Метки: двойной, масс-спектрометра, фокусировкой, юстировки

...масс-,спектрометра.Таким образом, преломление траектории ионного пучка на границахэлектрического поля накладывает еЩеболее жесткие требования к механи;ческой юстировке всей ионна-оптической схемы, так как отклонение точки 10ввода ионного пучка от оптимальнойприведет к нарушению условий фокусировки уже в первом приближении.Экспериментальная проверка теориипоказала, что при изменении потенциала на центральной траекторииэлектростатического анализатора припроизвольном вводе ионного пучка вэлектрическое поле наблюдается лиФнейное смещение масс-спектра вдольфокальной плоскости магнитного анализатора со значительным падениемразрешения прибора (в 2-3 раза).Было установлено также, что одс новременно с изменением. аберрацийпри изменении 0 О...

Номер патента: 1051619

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Игнатенко, Кочеев, Суханов

МПК: H01J 49/40

Метки: масс-спектрометр, радиочастотный

...= 1(Схема содержит корпус 1 и изолированные друг от друга и от корпуса 1 плоские сеточные электроды 2, делитель 3 напряженйя, подключенный к блоку 4 питания и соединенный с электродами 2 анализатора, формирователь 5 бегущей волны электрического поля, выполненный по схеме ион-. ного разрядного сдвигового регистра, соединенный через конденсаторы б с электродами 2 анализатора, высокочастотный генератор 7, тормозной сеточный электрод 8, соединенный с блоком 4 питания, коллектор 9 ионов, соединенный с регистрирующей аппаратурой 10, моноэнергетичный поток ионов 11, поступающий из ионного источника на вход анализатора.Устройство работает следующим . образом.Моноэнергетичный поток ионов непрерывно поступает в анализатор. Делитель 3...

Номер патента: 776361

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Донец

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, многозарядных, перезарядки, сечений, эффективных

...накапливают две группы подлежащих исследованию ионов, после чего эти группы ионов смешивают в этом же электронно-лучевом источнике путем повышения потенциала с одной из сторондополнительного потенциального барьера.Кроме того, измерения проводят при различных величинах дополнительного потенциального барьера.После завершения накопления ионов по обе стороны дополнительного потенциального барьера энергию электронного луча в источнике предпочтительно снижают ниже порога ионизации исследуемых ионов электронным ударом.На чертеже приведены кривые распределения продольного потенциала в электронно-лучевом источнике многозарядных ионов, где кривая 1- от момента начала накопления до момента его завершения 1 ф кривая 2 от момента 1 р до момейта...

Номер патента: 471056

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Крестова, Полякова, Слесарева, Титов, Тихомиров

МПК: H01J 17/50

Метки: газоразрядный, импульсный, прибор

...времени срабатывания и соответствует напряжению зажигания прибора. Ероме того, применение сек-. ционирования в известных приборах ведет одновременно к сокращению диапазона длительности импульсов тока,Ддя уменьшения времени срабатывания с одновременным повмлением электрической прочности, расширения диапазона длительностей импухь - сов тока анода, повышения эффектив - ности клиппирования и стабильности амплитудной модуляции в РЛС в предлагаемом приборе центральная часть диафрагмы снабжена стеркием, проходящим через отверстие в катодном экране в полость катодного узла, причем расстояние от конца стержня до поверхности катода составляет 0,3-0,35 глубины полости катодного узла, а длина стержня может быть равна диаметру отверстия в катодном...

Номер патента: 699954

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Бусов, Вычегжанин, Един, Зимин, Чащина

МПК: H01J 29/00

Метки: трубка, электроннолучевая

...ких искажений.Это достигается тем, что между второй квадрупольной линзой и целевым электродом введена поддержива ющая диафрагма с центральным отверстием, жестко соединенная с несущими стеклянными штатиками и со целевым электродом.На фиг. 1 схематически изображена предлагаемая электроннолучевая трубка; на фиг. 2 - послеотклоняющий узел.Электроннолучевая трубка содержит в вакуумном баллоне 1 электронную пушку 2 с ускоряющим электродом под потенциалом земли, светящийся экран .3, две системы отклонения вертикальную 4 и горизонтальную 5, две квадрупольные линзы 6 и 7 для усиления отклонения, систему 8 послеускорения, электрод 9 электростатической изоляции, щелевой электрод 10 послеускорения, поддерживающую диаФрагму 11, электрически...

Номер патента: 1053184

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Кокина, Лаврут, Семенова, Фармаковский, Шувалов

МПК: H01J 9/12

Метки: испаритель, фоточувствительного

...испарение Фоточувствительного материала при обезгаживании и обеспечить механическую прочность испарителя при монтаже и эксплуатации прибора. Толщина защитной пленки должна находиться в пределах 1100-3000 А. При толщине защитной пленки на испарителе менее 1000о1100 А не наблюдается. эффекта защиты Фотоэмиссионного слоя от преждевременного испарения при обезгаживании ФЭП. Пленки толщиной более 1100 А относятся ктолстым пленкам и по структуре являются сплошными. Защитные пленки из металлов толщиной 1100-3000 А обеспечивают подавление диффузии Фото- эмиссионного материала при обезга45 живании ФЭП. При формировании фото- катода фотоэмиссионный материал проходит через металлическую защиту и осаждается на фотокатод. Этот эффект можно...

Номер патента: 1053185

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Айнбунд, Масленков, Меньшиков

МПК: H01J 9/18

Метки: прибора, сборки, электронно-умножительного

...образом, метку образуют не в плоскости. наклона, а в перпендикулярной ей плоскости. В результате этого независимо от перевертывания МКП вверх или вниз одним или другим торцом направление наклона каналов относительно образованной метки сохраняется. Поэтому взаимная ориентация таких МКП при их сборке в электронна-умножительном приборе становится однозначной; их разворачивают сметками в йротивоположные стороны. Это упрощает процесс сборки, ликвидирует возможйые, ошибки при перево" ротах пластин и повышает тем самым производительность, Метки могут создаваться любым известным способом, например, путем нанесения точки или риски на боковой или торцовой поверхностях пластины. В .случае если метка выполнена в вице фаски, глубокой риски, и т.п.,...

Номер патента: 1053186

Опубликовано: 07.11.1983

Автор: Тесленко

МПК: H01J 49/26

Метки: газа, концентрации

...этого образца. Наложение масс-спектра десорбированиого продукта на спектр исследуемогообразца не поддается учету. Осложнения возникают. при анализе всех кис. лородсодержащих соединений,Наиболер близкимк предлагаемомуявляется масс-спектрометр, в которомего датчик состоит иэ последовательно расположенных ионного источника,анализатора и коллектора конов, рас"положенных в вакуумной камере 121 . 65 Однако в процессе работы на анодеионного источника и электродаханализатора образуются. палупроводнико"вые пленки, которые приводят к потере чувствительности прибора. Длявосстановления необходимо механическое удаление пленок. Адсорбированные на поверхностях электродов гази,напускаемые в процессе газового анализа, обладают памятью, что приводит к...

Номер патента: 1053187

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Ефимов, Кунстман, Серебров, Тальдаев

МПК: H01J 49/40

Метки: время-пролетный, нейтронов, спектрометр, ультрахолодных

...3),Прерыватель в таком спектрометресостоит из диска со целью (1"ый ротор) и барабана (2-ой ротор), распо"ложенного за диском (по ходу пучка).Барабан набран иэ стеклянных пластин,между которыми оставлены зазоры дляпрохождения УХН. Когда при врацениищели первого и второго роторов располагаются вдоль оси пучка, нейтронный импульс проходит на детектор,.Второй ротор позволяет перекрывать,значительное количество импульсовпервого ротора (например, И ) и уве.личивает скважность системы в М раз.В данном спектрометре при такой конструкции прерывателя удалось увеличить скважность примерно в 2,5 разапо сравнению с обычным дисковым прерывателем Однако такой скважностинедостаточно для измерения спектраУХН с точностью 1. 5Таким образом,...

Номер патента: 711932

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Бусов, Вычегжанин, Един, Старикина, Чащина

МПК: H01J 29/62

Метки: электроннооптическая

...системы 2. 25В такой электроннооптическойсистеме удается понысить качествополучаемого изображения, но приэтом не достигается высокой;чувствительности горизонтального отклонения вследствие существенноговлияния нелинейности отклоненияэлектронного пучка.Целью изобретенйя является снижение нелинейнбсти горизойтальногоотклонения.Цель достигается тем, что плинные стороны отверстия электрода послеускорения образованы выпукло-вогнутой кривой, имеющей излом в точкахперегиба,На фиг. 1 схематически изображеноместоположение электрода послеускорения в баллоне трубки; на фиг. 2одна из возможных конфигураций егоотверстия.Система послеускорения состоитиз проводящего покрытия 1 на внутренней поверхности баллона 2 и электрода послеускорения 3, который...

Номер патента: 552858

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Един, Толкунова

МПК: H01J 31/00

Метки: трубка, электроннолучевая

...электронным прожектором и системой вертикального отклонения введены две квадрупольные линзы образующие систему предварительной 60 фокусировки, укаэанное отверстие в ;электроде послеускорения имеет ориснтацию относительно продольной оси симметрии трубки таким образом, что большая сторона отверстия на правлена по вертикали, первая по 1 оду электронного потока квадрупольная линза усиления отклонения имеет плоскость фокусировки, совпадающую с плоскостью вертикального отклонения, а вторая квадрупольная линза усиления отклонения имеет ориентацию плоскости фокусировки, противоположную ориентации первой.На чертеже дано схематическое изображение поперечного разреза электронно-лучевой трубки в плоскости вертикального отклонения и проведены...

Номер патента: 1054846

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Аксенов, Жуков, Лупехин, Фурсей

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронной, эмиссии

...противоположной полярности ссоизмеримой амплитудой в момент прек, 35ращения импульса рабочего напряжения,вначале на промежуток катод-анод воз-,действуют импульсом напряжения обратной полярности, причем промежутоквремени:между моментом окончания импульса напряжения обратной полярностии моментом приложения рабочего импульса напряжения не должен превышатьзначения, при котором амплитуда импульса эмиссионного тока становитсяравной амплитуде импульса эмиссионного тока, создаваемого только рабочим импульсом напряжения.На чертеже показана энюра напряжения прямоугольной формы( где Од . 5амплитуда дополнительного импульсанапряжения; 0 -амплитуда рабочего импульса напряжения; 1- момент приложения к промежутку катод-анод допол.нительного...

Номер патента: 1054847

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Андреева, Егоров, Степанов

МПК: H01J 40/16

Метки: фотоэлемент

...вакуумной оболочке с входным окномотрезок несимметричной полосковойлинии с массивным фотокатодом на 65 где йа - волновое сопротивление полосковой линии;цг " верхняя граничная частота;щ " отношение напряжения на нагрузке на верхней граничной частоте к напряжению на нагрузке в пределах равномерного участка частотной характеристики. В предложенном фотоэлементе анодможет быть выполнен в виде тела, сполостью, открытой со стороны катода,На фиг. 1-3 представлены варианты конструкции фотоэлемента, выполненного согласно предлагаемомуизобретению.Фотоэлемент (фиг. 1) содержит фотокатод 1, полосковую линию, широкая пластина 2 которой заземлена, а узкая пластина 5 гальванически соединена с анодом 4, выполненным в виде цилиндра, торец которого,...

Номер патента: 1054848

Опубликовано: 15.11.1983

Автор: Лысенко

МПК: H01J 43/00

Метки: делитель, умножителя, фотоэлектронного

...выполнена в соответствии с принципиальной схемой для ФЭУ -22, содержащей резисторы 1 делителя, выводы 2 ФЭУ,напряжения, электрические проводники 3, Для того, чтобы получить оптимальную монтажную схему (Фиг. 1), где проводники 3 являются кратчайшими и непересекающимися, резисторы 1 располагают по окружности соосной с ФЭу напротив того вывода ФЭУ, к которому он подключен по прйнципиальной зпектоической схеме. Например, для ФЭУрасполагакт резистор 1.1 напротив вывода 2.14, резистор 1.2 напротив вывода 2.1 и т.д,1 для ФЭУ- 1.1 напротив 2.1, 1, 2 . напротйв 2. 13 и т.д.; для ФУ - 1.1 напротив ФК, 1.2 напротив 2.21, 1.3 напротив 2.12 и т.д. Монтажная схема (Фиг. 2) характеризуется порядком следования резисторов считая, например, от 1.1 по...

Номер патента: 1055347

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Герольд, Ханс

МПК: H01J 61/10

Метки: высокоинтенсивного, генерации, излучения, ультрафиолетового

...3, в которых находятся соответственно электроды 4 и 5, которые выводами 6 и 7, выведены наружу. В середине изогнутого участка гаэоразрядной трубки 1 находится аппендиксообразный участок 8, который служит для приема сконденсированной ртути, Газоразрядная трубка 1, включая обе колбы 2 и 3, а также аппендиксообразный участок 8, состоит из кварцевого стекла, легированного таким образом, что генерирующие озон ртутные линии 185 и 94 нм поглощаются, а стерилизующая линия 254 нм пропускается практически без потерь. Электрическими выводами 6 и 7, являются молибденовые пластины, которые запрессованы в кварцевое стекло колб 2 и 3. Провод 9, прикасающийся: к газоразрядной трубке 1, при нагру-. жении его импульсами около 20 кВ способствует зажиганию...

Номер патента: 854192

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Журавлев, Никитинский

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...питания и через ограничительное сопротивление с промежуточнымэлектродом.65 На чертеже изображено предлагаемое устройство.Источник ионов содержит катод 1 в форме металлической полости, ферромагнитный промежуточный электрод 2, сконтрагирующей кольцевой щелью, медный анод 3, электромагнитную катушку 4 для создания радиального магнитного поля в щели, ускоряющий электрод 5 источник б питания, положительный вывод которого соединен с анодом, а отрицательный - с катодом и через ограничительное сопротивление 7 с промежуточным электродом. Также в источнике имеются изоляторы 8-11. Напуск рабочего газа в источник производится с анодной стороны, а откачка разрядной камеры - через эмиссионные отверстия в стенке полости.Источник работает...

Номер патента: 803738

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Якунин

МПК: H01J 47/02

Метки: ионизационная, камера, спектрометрическая

...источника с поворотным механизмом, анода, сеточных и корректирующих электродов, а также подключенных к электродам спектрометрических усилителей, и схем управления, отделенных от высоковольтного электрода переходным конденса тором, катод выполнен в виде нескольких электрически .изолированных друг от друга секций, имеющих самостоятельные выводы из камеры для подключения их к усилителям и к схемам управления. Для удобства крепления препаратовк секциям катода их подложки выполнены из ферромагнитного материала,а секции катода соединены с держателями, выполненными из ферромагнитного материала, анод выполнен ввиде единой совокупности с переходным конденсатором, общим изолятороми общими охранными кольцами, а вкачестве диэлектрика...

Номер патента: 878100

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Баженов, Ладыжинский, Чесноков

МПК: H01J 29/48

Метки: взрывным, источник, катодом, электронов

...в 5,5 раз. Электрод-плазменный отражатель установлен на месте накаленного катода и выполнен в виде сплошного диска из углеграфитовой ткани диаметром 15 мм. Центр диска расположен по оси пушки. Плазменный отражатель предназначен для предотвращения прямого выхода плазмы в промежуток катод-анод и возникающих в процессе токоотбора . плазменных сгустков к эмиссионной границе. Поскольку плазменный отражатель расположен между катодом и анодом и тем самым экранирует катод от непосредственного воздействия внешнего электрического поля, то для создания на катоде плазмы электрод- плазменный отражатель используется и как поджигающий электрод. Поэтому отражатель соединен с анодом, но 15 через большое ограничительное активное сопротивление В = 80...

Номер патента: 1055796

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Волков, Гутенко, Полонский, Протопопов, Шанин

МПК: H01J 49/44

Метки: заряженных, регистрации, спектров, частиц, энергетических

...частиц в котоно-электронному умножителю, и источ- ром производится линейно-изменяюник линейно-изменяющегося напряже- щимся напряжением одноименной полярния, дополнительно снабжено источни-55 ности с регистрируемыми частицами, ком постоянного напряжения и делите- что обычно имеет место в реальных лем напряжения, вход которого под- койструкциях (анализаторы типа цилинд ключен к выходу источника линейно- рического и сферического дефлекторов,/ (й.) = 0,61 Наблюдается также увеличение пика 1 углерода и появление нового пика с энергией 102 эВ, обусловленного ожеэлектронами из атомов. плоское и цилиндрическое зеркала .Коэффициент таких анализаторов определяется их геометрией и составляетК 1 ,При подаче симметричного...

Номер патента: 1056303

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Агабабян, Кроль, Мина

МПК: H01J 1/05, H01J 1/30, H01J 3/02 ...

Метки: поляризованных, пучков, электронов

...состоянии на среднем расстоянии от поверхности, равном0(5)Дпя удержания частиц на поверхности неровности аопжиы быть по крайней , мере на порядок меньше этой величины, Для жидкого гелияи электронов типичные значения указанных величин сне аующве;6 = 1,0572, Е -" 1,05 10 зрг, с Е) = И 4 А .Условие (4) выполняется при Т 1 К, .поэтому цри температуре 0.,5 К почти все электроны локализованы вблизи,.пав 25 , верхности гелия на расстоянии л 100 . При этом неоднородность поверхнястижидкого гелияне превышает 1 А. Частицы остаются наа поверхностью жидкости и при более высокой температуре, аЗО вх плотность значительно возрастает, если перпендикулярно к поверхности припожить статическое прижвмающее ноле Е, которое может быть создано...

Номер патента: 1056304

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Нешпор, Соколов, Стефановская, Федоринов

МПК: H01J 9/04

Метки: термоэлектронных, эмиттеров

...термоэмиссиис поверхности этих электродов,Бомбардировка металлического основания ионами таких высоких энергий, как100-150 кэВ, неизбежно должна приводить к его распылению,11 елью изобретения является повышениестабильности эмиссии и снижение работывыхода,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу изготовления термоэлектронных эми ттеров, включающемуобработку материала эмиттера ионамищелочных металлов и нагрев, в качествематериала гермоэлектронного эми ттераиспользуют нитриды переходных металлов1 УА группы стехиометрического состава,а облучение осуществляют ионами щелоч-,ных металлов с энергией 200-400 эВ содновременным нагревом при 1400-1500К в течение времени, достаточного дляполучения минимальной работы...

Номер патента: 1056305

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Браиловский, Гайдуков, Рыжков, Сотников

МПК: H01J 9/24

Метки: газоразрядной, лампы

...позволяет сместить холодную зону лампы иэ области откачного штенгеля в область, расположенную внутри разрядного прост ранства лампы у электрода, а. герметичная пайка стеклоэмалью защитного титано-що вого колпачка обеспечивает сохранение инертной атмосферы вокруг ниобиевого штенгеля и дает возможность избавиться от необходимости использования допсани. тельной стеклянной коебыр что позволяет 5 применить лампу высокого давления для накачки активных элементов лазе ра.Нижний температурный предел пайки составляет 0,65 от температуры плавле, ния стеклоцемента (942 С) и определя ется возможностью получения надежных спаев, как в зоне штенгелягде происхо дит герметичное отделение полости штенгеля от разрядного объема, так и в месте соединения...