H01J — Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы

Номер патента: 574050

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Елизаров, Зимелев, Мартынов

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник

...Через каналы 12 может осуществляться прокачка теплоносите- Оля,Источник работает следующим образом,При пропускании тока через катушкунамагничивания в объеме разрядной камеры создается магнитное поле, причем в 15области расположения эмиссионного отвер-.стия в аноде силовые линии магнитногополя 1 имеют преимущественно радиальноенаправление. Кроме того, эти линии вогнуты, если смотреть со стороны вытягива- щония, следовательно, они будут пересекатьповерхность анода,Разряд горит между анодом и катодомв парах цезия и рабочего вещества. Подбнрая расход цезия и величину напряженности магнитного поля, можно при заданном расходе рабочего вещества добитьсямаксимального тока отрицательных ионовпри достаточно низкой величине сопуствуюшего...

Номер патента: 890479

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Варнавский, Пушкарев, Смирнов, Смирнова, Судаков

МПК: H01J 1/142, H01J 9/04

Метки: катод, оксидный

...окислов ЩЗМ с молибденом и таким образом увеличить долговечность ка Отода.Никелевый слой наносят одним из известных способов, обеспечивающим заданную пористость (сплошность) структурыслоя, например гальваническим, напылениемв Вакууме, плазменным напылением. Эти 45способы дают высокую плотность слоя, составляющую не менее 80 Й от плотности компактного металла и обеспечивают требуемую сплошность слоя, при которой поперечный размер сквозных пор не превышаеттолщины никелевого слоя, При такой сплошности мелкие частицы никелевой губки сразмером менее диаметра сквозных порприпекаются к рениевому и никелевому слою,а частицы никелевой губки с размером,большим, чем размер сквозных пор, которые в основном и образуют губку, прочноспекаются с...

Номер патента: 890480

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Огородников, Пехтерев, Тихомиров

МПК: H01J 3/02

Метки: генератор, электрической, энергии

...обкладка которого соединена с экраном, а отрицательная, - с приемником, приемник электронов выполнен в виде цилиндра Фарадея, имеющего сотовую гексагональную структуру.На чертеже представлена структурная схема генератора электрической энергии,Устройство содержит источник электронов, которым служит радиационный пояс планеты, и приемник электронов 1, соединенный с одной обкладкой накопительного конденсатора 2. Приемник 1 закрыт прозрачным для электронов экраном 3 от ультрафиолетового излучения и магнитосферной плазмы, который соединен с другой обкладкой накопительного конденсатора 2. Приемник электронов 1 имеет сотовую структуру, каждая ячейка которой представляет собой элементарный цилиндр Фарадея. Полезная площадь приемника определяется...

Номер патента: 890481

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Вартанов, Кириленко, Сергеев, Скорик

МПК: H01J 17/48

Метки: индикаторное

...и два опорных электрода 5 и 6,также выполненных в виде расположенных параллельно полосковых элементов, причем полосковые элементы каждого опорного электрода перекрещиваются с элементами ближайшего к нему управляющего электрода под углом с. Опорные электроды 5 и 6 разделены от управляющих электродов 3 и 4 слоем диэлектрика 7 и нанесены таким образом, чтобы область взаимного перекрытия двух перпендикулярных (опорного и управляющего) электродов, расположенных с одной стороны газоразрядного промежутка, находилась под областью взаимного перекрытия другой пары перпендикулярных элек. тродов, образуя индикаторную ячейку. Поверх опорных электродов 5 и 6 расположены стеклянные пластины 8. В процессе изготовления индикаторное устройство...

Номер патента: 890482

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гораздовский, Набойщиков, Твердохлебов

МПК: H01J 35/08

Метки: анод, рентгеновской, трубки

...в перегородке с переменным сечением 4, попадает в камеру охлаждения. За счет имеющегося среза в перегородке с переменным сечением 4 охлаждающая жидкость попадает в правую полость камеры охлаждения 3. Затем, обогнув перегородку с переменным сечением 4, жидкость попадает в левую часть камеры охлаждения 3 и затем через выходной штуцер- в сливной бак системы охлаждения или в слив водопровода. Такое зО расположение входного патрубка 6, перегородки с переменным сечением 4 и выходного патрубка 7 позволяет ликвидировать мертвые зоны, где скорость охлаждающей жидкости практически равна нулю, а это в свою очередь увеличивает охлаждающую 35 поверхность анода. За счет повышения средней скорости течения охлаждающей жидкости увеличивается...

Номер патента: 890483

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Блинов, Вахрушев, Мишкинис, Сулькин

МПК: H01J 35/10

Метки: ренгтеновская, трубка

...2 для выхода рентгеновского излучения, вращающийся анод 3 с мишенью 4, охватывающей анод с обеих сторон. Трубка содержит два накальных катода 5, установленных с разных сторон мишени 4 и подключенных к общему источнику питания 6, Трубка также снабжена приводом 7 вращения анода 3. Выходящий из окна 2 рентгеновский пучок может дополнительно диафрагмироваться с помощью глубинной диафрагмы 8. Катоды 5 могут быть выполнены с неравномерной эмиссионной способностью по ширине мишени 4 для улучшения температурных режимов работы анода 3, а также для управления распределением интенсивности излучения в поле облучения. В первом приближении изменение эмиссионной способности катодов обратно толщине анода 3 в месте падения электронного пучка на...

Номер патента: 890484

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Вахрушев, Дубовской, Иванов, Мишкинис, Сулькин, Щукин

МПК: H01J 35/10

Метки: анод, вращающийся, рентгеновской, трубки

...изобретения является улучшениетепловых характеристик анода.Поставленная цель достигается тем, чтово вращающемся аноде, содержащем графитовую подложку и соединенную с ней механическим поджатием анодную мишень из материала с высоким атомным номером, анодная мишень выполнена монолитной с радиальными выступами на ее поверхности, обращенной к подложке, и механически 10 притерта к поверхности подложки.На чертеже изображен предлагаемыйанод.890484 Формула изобретения Составитель Т. Владимирова Редактор М. Дылын Техред А. Бойкас Корректор Л. Бокшан Заказ 11017/83 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Мое.:ва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная,...

Номер патента: 890485

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Ватолина, Козин, Кокинова, Лавренко, Нигметова

МПК: H01J 61/20

Метки: амальгама, ламп, люминесцентных

...состав а спечивает указанный инт 1 Для 40 Вт люминесцентн ляет 27 - 55 С. Цель изобретения - по мального светового потока в ператур 15 - 80 С. Поставленная цель достигается ф в составе амальгамы, содержащ свинец, висмут, кадмий; указаннь диенты взяты в следующих соотн890485 Формула изобретения и Составитель В. Горчанова Редактор М. Дылын Техред А. Бойкас Корректор А. Ференц Заказ 1 017/83 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4вес. %: ртуть 10 в ; свинец 21 - 23; висмут 54 - 56; кадмий 11 - 13.Для получения амальгамы подготовилиследующие составы ингредиентов, отличающихся содержанием ртути,...

Номер патента: 320223

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Абрамян

МПК: H01J 21/14

Метки: лампа, электронная

...фиг. 1 дана принципиальная схема предлагаемой лампы в сечении по,радиусу; ,на фиг. 2 - ,конструктивная схема лампы в сечении по диаметру.Электрюннооптическая систвма включает профилированный шайбовидный катод 1 и 2, кольцеобразные управляющий щелевой электрод 3, 4 и щелевой электрод 5 и 6 с магнитными фокусирующими катушками 7 и создает плоский диюкообразный поток 8 электронов. Благодаря электросгатической фокусировке в зазоре управляющето щелевого электрода и магнитной фокусировке в320223 Риг,зазоре щелевого элекврада ток на эти электроды отсутствует. Поток электронов принимается кольцевым коллектором 9, 10, представляющим собой, камерный анод, Между электродом 5, 6 и коллектором 9, 10 электроны тормозятся электрическим полем, Для...

Номер патента: 892521

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Вислоух, Зыченко, Кузнецов, Разгуляева, Соболева, Шапиро

МПК: H01J 7/18

Метки: газопоглотителя, нераспыляемого

...никеля т поверхности подложки.Нанесение слоя никеля на подложку может осуществляться. различными способами - гальваническйм, плазменным, вакуумным напылением и т,д. Пористость никеля при этом пля указанных толшин покрытия не должна превышать 10 о , так как при пористости выше 10 оне обеспечивается надежная защита поверхности подложки от окисления. Контроль порис. тости никелевого покрытия проводится визуально после проведения отжига в водородной печи - при пористости никеля89252 1 5свыше 10% на его поверхности появляются темные пятна окислов. Механическая прочность соеаинения достигаетсяблагодаря спеканию гвзопоглотителя при900-960 С в течение 20-30 мин в 5овакууме при 510 Па, что приводит каиффузному взаимодействию частиц...

Номер патента: 892522

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Лямичев

МПК: H01J 31/12

Метки: вакуумный, индикатор, плоский

...импульсы на электроды 6 возможно создавать элементы изображения н а всех и с троках одновременно. После перемещения электронного луча до края секции первый модулятор запирается и отпирается мопулятор второй секции, Аналогично высвечиваются все элементы второй секции и т. ц. При записи принимаемых сиги ав лов распределение положительных потен.циалов по экранным электродам 6 меняется в зависимости от характера принимаемого сигнала. Поэтому положительный потенциал может возникать на любом числе экранных электродов, от одного до. Изменение числа электродов, имеющих положительный потенциал, изменяет результирующее поле в пространстве отклонения, что влияет как на траекторию луча, так и на его фокусировку. Для устранения этого явления...

Номер патента: 892523

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Лисс, Соколов, Соколова, Фадеева

МПК: H01J 31/12

Метки: проекционная, трубка, электронно-лучевая

...прозрачного,так и из непрозрачного материала и рас-.положена вблизи заднего оптического ок-на 4. Между катодохромным экраном и пе редним оптическим окном 3 помещен от45ражатель 6 света с двумя отверстиями -боковым, для прохождения электронногопучка, и центральным - для вывода отра.женного от подложки светового потока,промодулированного информацией, записанной на катодохромном экране, нанесенм.ном на подложку.Прибор работает следующим образом,Запись на экране электронной трубкиведется электронным пучком, сформированным прожектором, расположенным внаклонной горловине 2, Подсветка экранаосуществляется источником 7 света,имеющим гиперболический рефлектор 8,дающий параллельный поток света. Подсветка ведется частично на просвет- прямые лучи,...

Номер патента: 892524

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Лебакин

МПК: H01J 37/30

Метки: заряженных, отклонением, пучка, частиц

...аналоговогоключа соединен со входом выходного усилителя канала формирования фрагментатопологического рисунка, а управляющиевходы аналогового запоминающего устрой- З35ства и аналогового ключа соединены с выходами цифровой системы управления,На чертеже показана блок-схема устройства управления отклонением пучказаряженных частиц.Устройство содержит цифроаналоговыйпреобразователь 1, выход которого соединен со входами аналогового запоминающего устройства 2 и аналогового ключа3, Выходы аналогового запоминающего45устройства 2 и аналогового ключа 3 соединены со входами выходных усилителей4 и 5, выходы которых соединены с отклоняющимися системами 6 и 7 соответственно,Одновременно с подачей на цифровыевходы цифроаналогового преобразователя1...

Номер патента: 892525

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Федоров

МПК: H01J 43/00

Метки: фотоэлектронное

...база транзистора может быть связана с анодомФЗУ через конденсатор, В этом случаеможет быть использован также л-р- и25транзистор. Нагрузка 7 может быть включена как в эмиттер, так и в коллекторнойцепи транзистора, Если допустимое напряжение транзистора меньше напряжения звена целителя 5, то питание транзистора 30осуществляется от резисторнс-емкостногоделителя 8, подключенного параллельнозвену 5; Смещение на базу транзистораподается через резистор 13.В обоих вариантах уровень ограниченияшумов ФЗУ устанавливается изменениемнагрузки ФЗУ по постоянному току резисторами 9 и 12. Автоматическое изменение анодной нагрузки осуществляется подачей напряжения положительной полярности на резистор 11,Защита от шумов засветки обеспечивается выбором...

Номер патента: 892526

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Масленко, Хузмиев, Цветков, Цебоев

МПК: H01J 61/10

Метки: газоразрядный, излучения, источник, спектральный, ультрафиолетового

...ультрафиолетового излучения, содержащем наполненную дейтерием или его смесью с другими газами кварцевую колбу с окном для выхода излучения, установленные в ней вдоль оси, перпендикулярной окну, катод, анод и разделяющий их экран с отверстием, на котором укреплена диафрагма с каналом для формирования разряда, осевое сечение канала диафрагмы образовано двумя дугами полуокружностей, выпуклыми сторонами обращенными друг к другуДиаметр полуокружностей равен толццще диафрагмы, так что они плавно со 45 прягаются, с линиями разреза боковых поверхностей диафрагмы.При такой конструкции распыление материала диафрагмы минимально, так как отсутствуют заострения и углы. Подобная форма канала обладает минимальными50 фокусирующими свойствами для...

Номер патента: 892527

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Симакин, Филоненко, Хузмиев, Цветков, Цебоев, Шишацкая

МПК: H01J 61/12

Метки: газоразрядная, лампа, спектральная

...лампы считаются негодными,В отличие от смеси Пеннинга, когда добавка аргона к неону снижает напряжение зажигания в предложенной газовой смеси этот эффект отсутствует, так как, по меньшей мере, половину смеси составляет двухатомный газ дейтерий, гасящий метастабильные состояния неона. При содержании 2-10% и общему объему смеси аргон в разряде неучаствует и является, буферным газом, роль которого сводится к следующему. В лампах с чисто дейтериевым наполнением при давлении 4 мм рт. ст. температура оксидного катода, обеспечивающая максимальную долговечность, согласно экспериментальным данным должна быть в пределах 760-81(УС(с учетом перегрева при нагрузке), Вслучае дейтериево-неоновой смеси вслед892827 Ь рических параметров. 28 2 28...

Номер патента: 892528

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Петренко

МПК: H01J 61/35

Метки: заэлектродных, зон, ламп, металлогалоидных, отражающее, покрытие

...со сплошным спектром отражения,Повышение светового потока на 4-7%в первую очередь повышает КПД источника света, а так же создает предпосылки для экономии электроэнергии (длясоздания одинаковой освещенности засчет повышения светового потока нужнаменьшая электрическая мощность источникаКИспользование селективноотражающегогопокрьггия для заэлектродных областейметаллогалоидных ламп дает определенный экономический эффект за счет улучшения электрических и световых параметров ламп,Огражающее покрытие для эаэлектродных зон. металлогалоидных ламп, со- ЭОдержащее окись алюминия, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повышения адгезии к стеклу горелки лампыЭи эффективности отражения в определенном спектральном интервале, оно дополнительно...

Номер патента: 374998

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Абрамян, Гапонов

МПК: H01J 21/18

Метки: вентиль, управляемый, электровакуумный

...друг относительно друга соосно, знакопеременно,или полярно- согласованно в зависимости от свойств магнитного материала. Электроды из оксилнобариевого феррита лучше ста)вить,энакопере)менно, т. е. одина)оовыми,полюсами один навстреч другому.. Для матегиалов со значительно меньшими коэрцитивными силами лредпочтитсльнее располагать электроды так, чтобы очи были направлены один к другому разными полюсами,В этом случае возникает рассея)нное магнитное поле, замыкаемое снаружи вентиля, от которого необходимо экранировать катоды ферромагнитным материалом. Анод охлаждается водой, маслом сжатым )воздухом или газом.Для стекания заряда, образованного на электродах рассеянными электронами, а также для рааномерного деления пютенпиала вдоль...

Номер патента: 382169

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Лазарев

МПК: H01J 27/00

Метки: заряженных, источник, частиц

...заряженных частиц. Поскольку основным физическим фактором в получении высоких концентраций заряженных частиц является двойной электрический слой, то, кроме положительных ионов, из источника можно отбирать отрицательные ионы.382169 3 Формула изобретения едактор Т. Кузнецова Техред И. Заболотнова Корректор С. Файн аказ 23/26 Изд.651 Тираж 784 Подписное ПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открыти 113035, Москва, )К, Раушскан наб., д. 4/5. Харьк. фил. пред. аПате На чертеже, изображен один из возмюжнь 1 х вариантов схемы источника.Схема включает Б себя катод 1, представляющий собой, например, никелевую проволоку диагметром 0,5 мм, покрытую оксидным составом (катод может быть любым из применяемых в газоразрядных...

Номер патента: 894812

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Гостиев, Малынин, Морозов

МПК: H01J 9/20

Метки: керамических

...д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 жига определяются требованием обеспеченияКВЭЭ на уровне О = 1,3 - 1,4 и диэлектрических параметров, близких к тактовымдлякерамики без покрытия, Это достигается тем,что в процессе взаимодействия материала по.крытия с парами воды в атмосфере водородапроисходит образование стеклофазы с диспер..гированными в ней частицами борида. Увеличение температуры и влажности вышеуказан.ных пределов приводит к увеличению содержания окисла переходного материала в материале покрытия, что отрицательно сказываетсяна вторично-эмиссионных параметрах, Понижение температуры и, влажности ниже укаэанныхпределов приводит к недостатку стеклофазыи как результат - к ухудшению диэлектри-ческих свойств.П р и...

Номер патента: 894813

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Бакалейник

МПК: H01J 17/44

Метки: газоразрядный, двусторонним, импульсный, прибор, управлением

...наполнен водородом и может быть . ным термокатодом. При использовании и ямользовании прямо.снабжен прямоканальным. генератором 11 во- . канального генератора водорода время готов.дорода с малым временем готовности. Воэмож- ности возрастает до нескольких секунд,0но использование и инертных газов. Анод 1 и сетку 2 коммутирующей частиДавление газа в приборе и расстояния меж- прибора будем в дальнейшем называть "перду анодами 1 и 5 и соответствующими сетка- вым" анодом и "первой" сеткой, а анод 5ми 2 и 4 устанавливают в таких пределах, и сетку 4, функционально относящихся к гачтобы средняя длина свободного пробега элект- сящему устройству, будем называть "вторым"ронов была соизмерима с этими расстояниями ф анодом и "второй" сеткой,и...

Номер патента: 894814

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Корнейчук

МПК: H01J 29/46

Метки: изображения, катода, электронного

...цепи 2и 3;ц - длительность импульсов источника 1;1- длительность импульсов навыходе ждущего мультивибратора.Устройство работает следующим образом.В цепи катушки 2, резистора 3протекают импульсы тока. Импульсы 2 Онапряжения с резистора 3 подаютсяна интегрирующую цепь 12 - 14, гдепреобразуются в линейно возрастающеенапряжение,Линейно возрастающее напряжениепороговым устройством преобразуетсяв прямоугольное. Интегрирующая цепьимеет большую постоянную времени ипилообразное напряжение имеет хорошую линейность.Резистор 3 имеет сопротивлениенесколько Ом, поэтому после окончания импульса питания конденсатор 14быстро разряжается через диод 13 ирезистор 3,Резистором 17 производится плав- З 5ная регулировка порога срабатыванияпорогового...

Номер патента: 894815

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Грицкив, Сницарук

МПК: H01J 29/76

Метки: отклоняющая, электромагнитная

...сердечника следует осуществлятьтаким образом, чтобы оси их симметрии совпадали с осями эллипса сердечника. Симметрия оТклоняющего поляобеспечивает отсутствие геометрических искажений растра типа параллелограмма и аберраций (вторичного порядка) пучка. В случае использованияОС для цветных масочных ЭЛТ улучшается сведение пучков по полю растра.Таким образом, выполнение отклоняющих систем согласно изобретениюпозволяет повысить качество иэображения на экране ЭЛТ. Экономическийэффект определяется уменьшением доли брака по допустимым искажениям в сравнении с системами с произвольно ориентированными на сердечнике катушками.При проверке тороидальных отклоняющих систем, одна из которых выполнена согласно изобретению, а в другой оси...

Номер патента: 894816

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Войтик, Клишин, Косяк

МПК: H01J 31/38

Метки: видиконы, измерительных, меток, нанесения

...устройства.На чертеже представлена схема установки для нанесения измерительныхметок на фотомишень готового видикона предлагаемым способом.установка содержит телекамеру 1,видеоконтрольное устройство 2, источ ник 3 лазерного излучения, устройст894816 Формула изобретения Составитель Е. ПчеловРедактор В.Пилипенко Техред З,фанта Корректор М,Пожо Заказ 11502/84 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 1 3035 р Москвау Ж 35 у Раушская наб р д 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 во 4 наведения лазерного излученияна мишень видикона, трафарет 5 наносимых меток.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом,Видикон для нанесения меток, определяемых трафаретом,...

Номер патента: 894817

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Мишкинис, Парфенова, Погорелов, Сулькин, Харитонов

МПК: H01J 35/10

Метки: анод, вращающийся, рентгеновской, трубки

...напряжений (при40 кВ) и не меньшей половины эффективной длины свободного пробега дляспектра вторичных и рассеянных электронов, соответствующего максимальнойэнергии электронного пучка в рабочемдиапазоне ускоряющих напряжений (при125 кВ). При условии чета практического удобств реализации толщину покрытия выбирают от 2 до б мкм, 65 Выбор первого условия объясняетси необходимостью практической прозрачности покрытия для электронного пучка во всем диапазоне ускоряющих нап;.яжений, т.е. критичным является егопроницаемость для наименее энергети -ческих электронов. Расчет глубиныпроникновения электронов в веществопредставляетсобой сложную расчетнуюзадачу. Пользуясь приближениями, из -ложенными в работе, можно сделатьрасчет, что средняя...

Номер патента: 894819

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Дешкевич, Фомин

МПК: H01J 49/26

Метки: коллекторное, масс-спектрометра

...и два дополнительных, расположенных перед ним и образующихприемную щель, меньшую, чем входная,введено два элемента, обладающихэлектрострикционнымн свойствами, каждый иэ которых электрически и механически жестко соединен с одним издополнительных коллекторов, например,пьезокристаллами,Пьезокристаллы выбраны и установлены таким образом, чтобы прикладываемое к ним электрическое поле уменьшало их геометрические размеры в направленни поперек приемной щели коллекторного устройства. 25На фиг, 1 изображен вид предлагаемого коллекторного устройства со стороны ионного луча; на фиг. 2 - егоразрез по линии А-А.Коллекторное устройство имеетвходную диафрагму со щелью 1, два дополнительных. коллектора 2 и З,электрически н механически...

Номер патента: 894820

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Кирносова, Смирнов

МПК: H01J 49/42

Метки: квадрупольных, масс-спектрометров, перестраиваемого, формирования, частоте

...содержит генератор 1 линейно изменяющегося напряжения, операционный усилитель 2, перестраиваемый по частоте генератор 3, преобразователь 4 частота - напряжение, источник 5 постоянного напряжения, источник б опорного напряжения, интеграторы 7 и 8, блок 9 выделения постоянной составляющей,.делитель 10частоты, ключевые каскады 11 и 12,Устройство работает следующимобразом. Генератор 1 вырабатывает линейноизменяющееся во времени напряжение. Ойерационный усилитель 2, перестраиваемый по частоте генератор 3 и преобразователь 4 частота - напряжение образуют систему с глубокой отрицательной обратной связью, в которойзависимость частоты Г генератора 3от входного напряжения У операционного усилителя 2 полностью определяется функцией...

Номер патента: 898535

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Александрова, Вишнякова, Полотай

МПК: H01J 9/48

Метки: движения, передачи

...состоит двух зеркально расположенных се ции 1, которые соединены общим коллектором 2 с источником командного давления газа или жидкости (на чертеже не показан), Каждая секция состоит из двух герметичных полых упругих элементов 3, соединенных между собой полой трубкой 4, Конец второго упргого элемента каждой секции жестко связан со стержнем 5.Устройство передачи движения работает следующим образом.898535 Формула изобретения Составитель А, Сенчихин Техред А, Ач Корректор Л. Ыеньо Редактор М. Петрова За каз 11961/71 Тираж 757 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 ж Е4 ЕЕ В ЕЕФилиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная,В каждую секцию 1, включающую два...

Номер патента: 898536

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Гурьянов, Киселев

МПК: H01J 9/04

Метки: приборов, электровакуумных

...в целом.Однако такое решение не всегда оптимально иэ-эа плохой управляемостипроцессом и трудностями контроля(в дсталях узла трудно .=-ласти количество водорода достаточное дляоарабо; ки прибо:а. ;:деление водорода 55во времени спад.;,.=., не обеспечиваянеобходимого ре,.",:ча очистки, а после оконцания.зботки неизвестно сколько водорода еще осталось в деталях узла).Наиболее предпочтительным является такое осуществление предлагаемого способа, когда водород впускают в прикатодное пространство через открытый конец трубки, соединенной с источником водорода, которую вводят в прибор на период обработки через откачной штенгель и выводят после проведения обработки,Ь данном способе значимость операций,очистки поверхностей различна и...

Номер патента: 898537

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Загребельный, Кузьминов, Пахомов

МПК: H01J 9/42

Метки: вакуумных, давления, конденсаторах, отпаянных

...зависи Омости давления от температуры судято давлении в конденсаторах при заданной температуре.На Фиг, 1 приведена градуировочнаязависимость разрядного тока вакуумного конденсатора типа КП 1-3 емкостью15-30 пФ от давления в нем; на фиг.2 -семейство градуировочных зависимостейдавления от температуры и граФическипоказана методика определения давле- щния в конденсаторе.Способ измерения давления заключается в следующем.Прибор вместе с соленоидом помещают в камеру тепла и выдерживают в ней при максимальной рабочей температуре, причем градиент температуры направляют в рабочую зону межэлектродного зазора для повышения стабильности возбуждения разряда, При этом фо в течение некоторого времени (0,5- 1 ч) за счет десорбции...