H01J — Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы

Страница 150

Способ коррекции хроматической аберрации в системе из двух электронных линз

Загрузка...

Номер патента: 764004

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Игнатьев, Купкин, Румянцев

МПК: H01J 3/12

Метки: аберрации, двух, коррекции, линз, системе, хроматической, электронных

...ыа экране от его потенциала.Электронно-оптическая система состоит изкатода 1, модулятора 2, первого 3 и второго 4 электродов би потенциальной линзы, магнитной фоку сирующей катушки 5.Электронный пучок 6, формируемый иммерсиоиным обаективом, фокусируется иа экране 7 при отображении кросовера 8 пучка в пятно 9 малых раз-.764004 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 6295/46Тираж 844 Подписное меров. При этом второй электрод 4бипотенциальной линзы электрическисоединен с экранам, так что их потенциалы одинаковы О = ОВ основе способа лежит характеризменения смещения гз при колебанияхпотенциала экрана (фиг.2)., 5Смещением г при определенных доЭпущениях можно характеризовать хрома"тическую аберрацию, которая создаеткружокрасбаянйя радиусом г...

Рентгеновская трубка

Загрузка...

Номер патента: 764005

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бочков, Погорельский, Пошехонов

МПК: H01J 5/08

Метки: рентгеновская, трубка

...слоя материала самой обо- . лочки, например, за счет термодиффузии необходимого вещества с поверхностиНапыляя в вакууме, например, титан или железо или нанося растворы их солей на стеклянную оболочку с последующим прогреванием ее на воздухе до температуры размягчения в течение нескольких минут, можно получить за счет термодиффузии прозрачные слои. достаточной толщины проводимостью 10 -10 Ом см , которые предохранят оболочку от пробоя.Наиболее распространенным материалом для изготовления оболочек электронных приборов является в настоящее время стекло. Это обусловлено целым рядом его положительных качеств, в том числе хорошими технологическими свойствами, дешевизной. Использование стекла со слоем повышенной проводимости устраняет...

Система резонаторов приборов клистронного типа

Загрузка...

Номер патента: 764006

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Анциферова, Кацман, Петров

МПК: H01J 23/18

Метки: клистронного, приборов, резонаторов, типа

...типа с сильфоном для дополнительной регулировки длины стержня,Система резонаторов содержит:вакуумный резонансный объем 1 с со-.средоточенным электрическим полем вобласти взаимодействия 2 электронного потока с СВЧ-полем, образованнойпролетными трубами 3, резонансныйстержень 4 длиной Я , укрепленныйодним концом на гибкой мембране 5,другой конец которого обращен к области взаимодействия, элементы связи 6,7, выполненные в виде петельсвязи, и элемент настройки 8Как показано на Фиг.1,2, резонансный стержень 4 нведен в резонансныйобъем с сосредоточенный электрическиеполем в области взаимодействия 2электронного потока с СВЧ-полем.Стержень 4 одним концом-укреплен ндстенке объема 1, причем для подборсвяэи за счет изменения...

Поворотная кассета для образцов автоионного автоэлектронного микроскопа

Загрузка...

Номер патента: 764007

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Борисов, Шешин, Шомин

МПК: H01J 37/285

Метки: автоионного, автоэлектронного, кассета, микроскопа, образцов, поворотная

...контакта держателя 4 образцов и теплопровода 5 они приворачиваются к основанию 14 кассеты и стягиваются между собой шестью винтами 6. Для электрической изоляции поверх держателей образцов положена шайба 7 иэ керамики. От держателей образцов винты,изо лированы вакуумными промежутками.Электрические гибкие провода в изоляции изкерамических трубок от электрических вводов, выполненных в стенке камеры или во фланце, присоединя ются к специальным контактам 11, приваренным к держателям 4.Основание 14 кассеты может свобоу- но вращаться в подшипнике вращения 12 через обойму 13, закрепленную на скобе 10, которая связана с вводоя вращения, Ось вращения (0-0) скобы 10 проходит через вершину образца 1, Для фиксации образца в рабочем положении...

Фотоэлектронный прибор

Загрузка...

Номер патента: 764008

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Гаванин, Глуховской, Куфаль, Плиев

МПК: H01J 40/00

Метки: прибор, фотоэлектронный

...отражающей гранью, углом у падения светового пучка на подложку фбтокатода и толщиной д указанной подложки следующим соотношением: и, соэЮЬ=(1+соь 2 ос) й с 5(у+ д 55 На фиг,1 схематически представлена входная часть Фотоэлектронного 1 прибора; на Фиг.2 показана развертка призмы и подложки Фотокатода по хоцу светового пучка.Прямая призма 1 установлена с помощью оптического клея на внешней стороне подложки 2 фотокатода Фото 65 электронного прибора. На входной и выходной гранях призмы установлены дополнительные оптические элементы 3 и 4, выполненные соответственно в виде клина и параллелепипеда. Радиус окружности, вписанной в двугранный угол, образованный входной и выходной гранями, равен В , причем ось светового пучка пересекает фотокатод...

Способ получения фотоэлектронной эмиссии

Загрузка...

Номер патента: 764009

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Ждан, Лушников, Россуканый, Ченский

МПК: H01J 40/16

Метки: фотоэлектронной, эмиссии

...в полупроводнике на величину у ров "ЕРр Обычно Щсоставляет несколько десятых долей электронвольта. Таким образом, электронное сродство полупроводника в статическом поле понизится относительно уровня Е е в .объеме на величину равновесного изгиба зон М равнЕсли поле сделать высокочастотнымпричем таким, чтобы его обратная частота 1/1 была меньше времени максвелловской релаксации в полупроводнике Г то оно будет свободно проникать в объем полупроводника, что приведет к значительно большим изгйбам зон. При обогащающем знаке поля зоны в полупроводнике изгибаются вниз, вызывая соответствующее понижение уровня вакуума, т.е,электронного сродства. Очевидно, что,изгиб зон, а следовательно, и электронное сродство будут "следить" за мгновенными...

Способ регенерации магнитных электроразрядных насосов

Загрузка...

Номер патента: 764010

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Владимиров, Кайгородов, Клоцман, Трахтенберг

МПК: H01J 41/12

Метки: магнитных, насосов, регенерации, электроразрядных

...2 - 5 мин, и затем аргон откачивают до давления 104 - 10 з мм рт. ст.,764010 После откачки воздуха из МЭН цеолитовыми насосами в работающий МЭН запускается аргон до перехода работы насоса в режим короткого замыкания. Давление аргона в насосе при этом составляет не выше 10мм рт. ст. В этих условиях насос работает 2 - 5 мин, Далее МЭН выключается и аргон откачивается цеолитовыми насосами до давления не выше 10 з мм рт, ст., после чего откачка МЭН цеолитовыми насосами прекращается и МЭН включают снова. Проработав 1 О - 30 мин (в зависимости от давления напуска аргона) в режиме 15 короткого замыкания, МЭН запускается. Характерной особенностью запуска МЭН после аргонной бомбардировки является резкий переход от режима короткого замыкания к...

Магнитронный масс-спектрометр

Загрузка...

Номер патента: 764011

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Кузема, Пакулин

МПК: H01J 49/30

Метки: магнитронный, масс-спектрометр

...3, 4, 5также могут быть поданы и постоянные напряжения. Магнит 7 создает магнитное полев анализаторе и источнике ионов. Наличиез 5магнитного поля в источнике ионов препятствует расплыванию электронного пучка иуменьшает энергетический разброс выходящих ионов, тем самым способствуя увеличению разрешающей способности.Масс-спектрометр работает следующимобр.азом. Вышедшие из источника 1 ионы двигаются в масс-анализаторе либо по инерции, либо в ускоряющем или тормозящем (в зависимости от напряжения источника 15 питания на электроде 2 относительно коллекторов, которые мы всегда предполагаем находящимися под нулевым потенциалом) электрическом поле по криволинейным траекториям, радиусы которых зависят от отношения заряда частиц к ее массе. При...

Источник света

Загрузка...

Номер патента: 764012

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Нилов

МПК: H01J 61/30

Метки: источник, света

...поверхностисоосно расположенных усеченных конусов с одноименными, но разными подиаметру витками а,б,в и общим витком г в основании, держатели 5 витков, полую стойку б и конические отражатели 7.ИстоЧНик света работаь следующимобразом. 25При подведении электрической энергии к электродным узлам 1 через токоподводы 2 основания 3 колба в видетрубчатой спирали 4, витки которогозакреплены держателями 5 полой стойки 6, излучает световую энергию. Излучение от всех витков трубчатой спирали 4 свободно распространяется вгоризонтальном и вертикальном направлениях аналогично показанным пункти-,ром на чертеже лучам от произвольновыбранной точки А на поверхности баллона. Вертикальные световые лучи отражаются от верхнего и нижнего отражателей 7 и...

Цокольный колпачок электронного прибора

Загрузка...

Номер патента: 765905

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Болтаев, Динкель, Зуев, Пастухов

МПК: H01J 5/56

Метки: колпачок, прибора, цокольный, электронного

...размещены,.примерно в одном месте и окружены горловиной трубки, которая нагревается до высокой температуры. Выход из строя цокольного колпачка происходит в результате нагрева бур765905,формула изобретению исное ираж роектная, 4иал ППП Патент Ужгород,тикаот горловины кинескопа, а также в связи с приложенным высоким напря- жением фокусирующее напряжение 5- 6 кВ) между выводами, Кроме того, высокие температура и напряжение приводят к преждевременной потере электроизоляционных свойств колпачком и к появлению активного сопротивления между выводами. Место прожога 1 нагревается и в конечном итоге приводит к появлению трещины на горлови-; не кинескопа и полной или частичной потере вакуума.Целью изобретения является увеличение долговечности...

Способ изготовления автофотокатода

Загрузка...

Номер патента: 765906

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Дьяконова, Милешкина

МПК: H01J 1/30, H01J 9/02

Метки: автофотокатода

...число генерационно-рекомбинационных центров поверхности, ответственных за 1 . Операция охлаждениятакже является универсальной дляуменьшения генерационно-рекомбинационной способности поверхности,которая пропорциональнаер(- ф, .где Ц - энергия активации процес 15са.Адсорбция кислорода, универсального акцептора, умзньщая плотностьповерхностных состояний полупроводника пэ, также недет к уменьшению20 1, Перечисленные причины позволяютсчитать очистку поверхности автокатода, ее охлаждение и адсорбциюкислорода на ней универсальными операциями, ведущими к повышению Фотод 5 и термочувстнительности антофотокатода.Оптимальной температурой охлаждения является температура жидкогоазота ( 1 10 ): меньшее охлаждениеменее эффективно н соответствиисо...

Анализатор продуктов ядерных реакций

Загрузка...

Номер патента: 708857

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Майдиков, Скобелев

МПК: H01J 49/30

Метки: анализатор, продуктов, реакций, ядерных

...вход ванализатор.На чертеже представлена схема пред)лагаемого устройства.Устройство содержит мишень - источник 1 продуктов ядерных реакций,перемещаемое по координате мишеньвход в анализатор перезарядное устройство 2, электромагнитный сепаратор3.Предлагаемое устройство работаетследующим образом.Выбитые продукты ядерных реакций,летящие со скоростью 108 - 109 см/с,во многих случаях имеют возбужденныесостояния с временами жизни от 10 4 сиОдо 10 с, распад которых приводит кзначительному увеличению ионного заряда летящего атома. Это увеличениесвязано с заполнением образовавшихсяпри снятии возбуждения вакансий навнутренних атомных оболочках путемпереходов за время 10 4 с. Такимобразом, процесс снятия возбужденияи последующее увеличение ионного...

Эмиссионный материал для катодов

Загрузка...

Номер патента: 767857

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Бебякин, Жаворонков, Кондаков, Майер, Чащин

МПК: H01J 1/146

Метки: катодов, материал, эмиссионный

...увеличение содержания алюминия свыше 50 снизит температуру плавления сплава, а следовательно и диапазон рабочих температур эмиссионного состава. Кроме того, появление свободного алюминия ограничило бы воэможность использования активного состава иэ-за взаимодействия алюминия при повышенных температурах с большинствсм конструкционныхматериалов.Работа выхода предложенного материала (2-2,1 эВ) ниже, чем у бария и характеризует эмиссионные свойства интерметаллического соединения ВаА 14 . Действительно, эти свойства ухудшаются при отклонении от предложенного состава. Увеличение содержания бария свыше 60 ухудшает его эмиссионные свойства и снижает устойчивость к отравлению остаточными газами (при давлении 10 мм.рт.ст. алюмобариевый бфав с...

Многоострийный холодный катод

Загрузка...

Номер патента: 767858

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Нешпор, Паутов, Подольская, Ткаченко

МПК: H01J 1/304

Метки: катод, многоострийный, холодный

...холодного катода, на фиг. 3 представлен один из возможных вариантов конструкции катодного узлас многоострийным хрлодным 2 Окатодом.Кусочек 1 ткани, показанный нафиг, 1, сплетен издвух вэаимопересекакюихся совокупностей нитей 2,выполненных, например, на основе 25 " "ДФлеродного полиакрилонитрильноговолокна (ПАН-волокна), причем каждаянить содержит множество (до нескольких сотен) волокон 3 диаметром 710 мкм каждое.ЗОЗаготовка 4 для многоострийногохолодного катода, изображенная наФиг. 2, представляет собой трехмерный монолитный материал, образованный множеством слоев ткани, пропитанных пироуглеродом.Катодный узел, представленный нафиг. 3, содержит многоо 1 трийный холодный катод 5, который вырезан иззаготовки 4 таким образом, что...

Способ герметизации газоразрядных приборов

Загрузка...

Номер патента: 767859

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Ивлюшкин, Копытина, Коротков, Куликов, Тюремнов

МПК: H01J 9/18

Метки: газоразрядных, герметизации, приборов

...слоя пасты надо нанести, темшликер стелоцемента надо брать, боль76785 Формула изобретения 3000 (ЧВ/Р( 7000,. Составитель А.БишаевРедактор Н.Коляда Техред И, Граб Корректор И.Муска Заказ 7213/49 Тираж 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Цатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 шей вязкости. Зная скорость нанесе-: -"ния пасты; вязкость и, задаваясь конкретным значением ЧЪ(Р (иэ указанногосоотношения), определяется давление -с которым шликер должен подаваться наместо нанесения. Давление, котороедолжно быть на входе устройства длянанесения шликера, выбирается с учетомперепада давления в устройстве и зависит от его конструкци 1.При...

Способ изготовления стеклометаллических планшайб

Загрузка...

Номер патента: 767860

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Гречаник, Кутепова, Терпогосова, Чунин, Шмырева

МПК: H01J 9/20

Метки: планшайб, стеклометаллических

...на операциях формирования сеток,Примером осуществления способаявляется изготовление в лабораторныхусловиях стеклометаллических планшайб, используемых в качестве осно. -вы для мишени видикона.Исходными материалами для получения бинарных капилляров являлисьтрубка из стекла С 87-2 диаметром20 мм при толщине стенки 6-6,5 мм,трубка для наружного слоя из растворимого стекла СН 78-1 диаметром25 мм при толщине стенкй 1,5-2,0 мм.Бинарные капилляры предварительнорассортированные по номинальнымзначениям с точностью, например,1(2-5)Ъ собирали в пучок с плотнойгексогональной упаковкой шестигранной формы. Затем известным методомпучок геретягивали в мультикапилляр,в которсм "все капилляры сплавляютсядругс другом, образуя монолитнуюматрицуиз...

Способ термовакуумной обработки электронно-лучевых трубок

Загрузка...

Номер патента: 767861

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Казаков, Кахановский, Кистенев, Левков, Морозов, Немцов, Саакян, Сезонов

МПК: H01J 9/38

Метки: термовакуумной, трубок, электронно-лучевых

...при помощи транспортера в зоне 1, а затем - в зоне 2. В зоне 1 предварительного нагрева щЮиСходит нагрев галогенными лам- пами КИсо спектром излучения приа 2200-3000 ОС, я : 0,75-5,0 мкм, что составляет 90 энергии излучения Максимальное количество энергии сЯ = 1,1 мкм. Обрабатываемые кинескопы выполнялись из стекла С 94-1и С 95-3 с прозрачностьюА = 0,34-3,0 мкм и имели приведенную толщину 10 мм. Стеклооболочкиимели термостойкость 4 Т = 65 С, ко.торая зависит от материалов, из которых сделаны колбй, и от их конструкции. Эксперименты показали, что 80падающей энергии поглощалось стекломизделия по всей толщине,Таким образом, стекло прогревалось по всему Объему, ане грелисьтолько внешние слои, как это былов известном устройстве....

Фотокатод

Загрузка...

Номер патента: 767862

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Галинский, Гублер

МПК: H01J 29/30

Метки: фотокатод

...лючаетили кони ачной подформа кулярном й полуоквиде полу" ление пада1 з - угол,и свет с полусферы, ентральный цилиндра),Изобретение относится к областиэлектронного приборостроения, в частности к фотокатодам, применяемым вфотоэлектронных приборах,Известен фотокатод состоящий изподложки и нанесенного на нее фоточувствительного слоя 11 .Известные фотокатоды имеют невысо-.кую Фоточувствительность, вследствиетого что в фоточувствительном слоепроисходит недостаточное поглощениесвета,Известен фотокатод, состоящий изпрозрачной рельефной подложки инанесенногО на нее Фоточувствительного слоя .21 .форма рельефа прозрачной подложкипредставляет собой выступы в видеконуса, пирамид, призм, угол при основании которых составляет 60-.80 о,что...

Способ накопления сигналов на запоминающих трубках

Загрузка...

Номер патента: 767863

Опубликовано: 30.09.1980

Автор: Шпагин

МПК: H01J 31/58

Метки: запоминающих, накопления, сигналов, трубках

...21, полупро.водниковый слой 22 мишени, диэлек 1 рическую мозаику 23 мишени, резистор 24в цепи катода, коммутатор 25, содержащий шесть синхронных переключателей на два положения, подвижные контакты которых обозначены соответственно 26-31, инвертор 32, резистор 33 регулировки тока луча при записи в режиме медленных электроновЬ,1) резистор 34 фокусировки при записи в режиме медленных электронов, резистор 35 установ- оки напряжения на мишени при записив режиме медленных электронов Щ(1),генератор развертки 36, коммутаторрежимов 37, состоящий из трех синхронных переключателей 38-40 на триположения С - считывание, 0 - подготовка, з - запись, схему 41 формирования напряжения питания,Рассмотрим конкретный пример реализации предложенного...

Устройство для управления фокусным расстоянием магнитной линзы

Загрузка...

Номер патента: 767864

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Иванов, Киселевский, Мельник, Тычинский

МПК: H01J 37/04

Метки: линзы, магнитной, расстоянием, фокусным

...среза датчика 3. При включении устройства для управления фокусным расстоянием магнитной линзы 30при выключенной электроннолучевойпушке 1 ток через датчик 3 отсутствует, напряжение на выходе усилителя постоянного тока 4 также равнонулю. При включении электроннолучевой пушки 1 электронный луч за счетотталкиваксаего действия электроноврасфокусируется, т.ерасширится.Расширение электронного луча вызывает появление тока через датчик 3 тембольшего, чем сильнее расфокусировка.Усиленный ток датчика 3 усилителемпостоянного тока 4 создаст напряжение на магнитной линзе 2, котороесфокусирует электронный луч, так какток магнйтнойлинзы и фокусное рассто яние ее находятся в обратно квадратичной зависимости. Электронныйлуч займет положение, при...

Металлогалогенная лампа

Загрузка...

Номер патента: 767865

Опубликовано: 30.09.1980

Автор: Пофралиди

МПК: H01J 61/18

Метки: лампа, металлогалогенная

...(2,7 - 3,6) 10 1/см и(7 ю 6-13, 0)104 1/смПредлагаемое устройство отличается от известного тем, что отноше( ние количества грамм-атомов галлияТираж 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Эаказ 7024/19 ФВВФФФф%щй;МВРФФЙЯФЖ"ФмМ-Ы лФилиал ППП "Патент", г. УжгорОд, ул. Проектная,и йода составляет 0,44-0,86, а количество галлия дано в узком интервале, что соответствует действительно максимальному КПД излучения.Кроме того, поскольку количестводобавок дано в относительных единицахпо отношению к объему лампы и - количеству ртути, предлагаемое изобретение является универсальным дляламп любых размеров и мощности,Примерами ламп с использованием предлагаемого...

Защитное покрытие для горелок литиевых газоразрядных ламп

Загрузка...

Номер патента: 767866

Опубликовано: 30.09.1980

Автор: Петренко

МПК: H01J 61/35

Метки: газоразрядных, горелок, защитное, ламп, литиевых, покрытие

...кварца = 750 С, а, например, Т.пдавл. поликора = 2050 оС, Траб. поликора = 1500 оС). Соответственно, температуры плавления и нанесения покрытия не должны превышать 1300 ОС . что, в свою очередь, сникает температуру паров металлов ( в случае - лития) в разряде, а в конечн зм счете, уменьшает выход излучения литиевого разряда.767866 3 реднетатиескийроклужбыамп, ч Срок службыламп свыше 100 ч 00 5 Составитель Н. Нестеренконич ТехредМ.Рейвес Корректор Й: Вабинец едакторА; Д 9 Тираж 44 Подписно ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 5, Мсква, Ж, Раушская наб д. 4/5Заказ 0 303 П тент , г., Ужгород, ул. Проектная Цель изобретения - предотвращение взаимодействия паров .лития с материалом внутренней стенки горелки...

Газоразрядный источник света

Загрузка...

Номер патента: 767867

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Дзюба, Папакин, Харланов

МПК: H01J 61/94

Метки: газоразрядный, источник, света

...полого цилйндра 1, металлический электрод 3 пбййщен внутри камеры2. В частности, электроды 3 могут бытьпомещены в различных камерах 2, какпоказано на чертеже,Нагревательный элемент 4 цилиндра 1 расположен с наруяной стороны цилиндра. Охлаждающие элементы .5 помещены на концах полого цилиндра 1 и выполнены в виде камер с воэможностью протекания через них газа (воздуха) или жидкости (воды, жидкого азота). Капиллярная система б расположена на внутренней поверхности полого цилиндра 1 и выполнена, например изнескольких слоев металлической сетки.Дополнительный газопроводящий канал 7 связывает между собой камеры 2.Внутри полого цилиндра 1 помещается исследуемое вещество, а камеры 2заполнены буферным газом, химическине взаимодействующим с...

Электронная газоразрядная пушка

Загрузка...

Номер патента: 692430

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Горелов, Данилевич

МПК: H01J 3/02

Метки: газоразрядная, пушка, электронная

...исследований установлено,что режим получения плоского пучка(режим сжатия) требует выполненияусловия Оса, Для применяемых диапазонов давлений 5-50 Па и напряжений8-25 кВ нижняя граница д из условияполучения достаточно интенсивных пучков установлена д 0,6 д 5. Можно сформулировать модель явленйя сжатия пучка следующим образом. При д(д гранизца плазмы разряда, обладающая потенциалом, близким к анодному, в районепаза отодвигается от плоскости анода.Электрическое поле в межэлектродномпромежутке становится неоднородным,Неоднородность соответствует электро- Яфстатической линзе и приводит к фокусировке ионного пучка, движущегосяк катоду из области плазмы, и к сужению эмиссионного пятна на катоде, Явление сжатия пучка по характеру про-...

Вакуумный фотоэлемент

Загрузка...

Номер патента: 297329

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Берковский

МПК: H01J 40/16

Метки: вакуумный, фотоэлемент

...располагаемой параллельно поверхности фотокатода.Однако попадание значительной части фотоэлектронов на поверхность стекла оптического входа в ряде случаев приводит (вследствие трудно контролируемых особенностей режима активировки катода) к возникновению виртуального катода у поверхности стекла, который в свою очередь,т является источником генерационных эф- фектов и приводит к искажению формы осциллограмм импульсов.Выполнение анода в виде пластин уменьшает количество фотоэлектродов, бомбардируюших стекло, но полностью этот эффект не устраняет, что следует из результата моделирования подобной конструкции на электронном траектографе. В предлагаемом устройстве с цельюуменьшения искажений выхоДных сигналовтокатода имеет пазы треугольв...

Токоотвод для электрополировки мягких выводов электровакуумных приборов

Загрузка...

Номер патента: 769658

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Члиянц, Энгельсон

МПК: H01J 5/36

Метки: выводов, мягких, приборов, токоотвод, электровакуумных, электрополировки

...уменьшить деформацию выводов электровакуумных приборов. носится к радиоэлектробыть использовано при мягких выводов электроов.вод для электрополировв электровакуумных прий оправку с токонесущиприжимной элемент 1. вод является наиболее ваемому изобретению по ости и достигаемому ревестного токоотвода явя выводов.ия - уменьшение дефорль достигается тем, что лектрополировки мягких акуумных приборов опв виде цилиндра с риферхностью, а прижимной охватывающей оправку 20 Фор изобретени Токоотвод для выводов электр держащий оправ 5 отличающийуменьшения деф выполнена в в внешней поверх мент - в виде о 0 жины. твод в раз жит оправку, выполнендра 1 с рифленой внеши прижимной элемент, де охватывающей оправин конец которой крепитИзооретение...

Коллектор электронной лампы

Загрузка...

Номер патента: 769659

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Адамовский, Резников

МПК: H01J 7/28

Метки: коллектор, лампы, электронной

...катушки электромагнита 4 смещены одна относительно другой на угол 120, при этом плоскость каждой катушки 4 образует с осью коллектора угол а. 20Электромагнит питается симметричным трехфазным током.Устройство работает следующим образом.Электронный поток, входящий в коллектор, взаимодействует с вращающимся электромагнитным полем сложной формы, создаваемым катушками электромагнита 4.Наклон плоскостей катушек относительно оси коллектора в предлагаемом уст- ЗО ройстве позволяет создать более сложное вращающееся магнитное поле, изменяющее прямолинейную траекторию движения электрона на сложную спираль, например, двойную, отклоняющуюся от осп кол лектора к его стенке. В этом случае поступательное движение электрона в коллекторе напоминает его...

Магнитная фокусирующая система

Загрузка...

Номер патента: 769660

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Балаклицкий, Вязмитинов, Капитонов, Лопатин, Плеханов, Райков, Худайберганов

МПК: H01J 23/087

Метки: магнитная, фокусирующая

...1 состыкованы с магнитами 3, магниты 3 и 4 - с магнитами 2, магниты 5 - с магнитами 4, а магниты 8 и 9 - с соседними магнитами (не показанными на фиг. 4, 5), по поверхностям 11 раздела. В оптимальном случае эти поверхности имеют коническую форму с оптимальными углами раствора конусов.Образующая 12 поверхности внешней границы системы в плоскости осевого сечения (по оси 10) состоит из отрезков 13 - 19, каждый из которых ограничивает соответственно магниты 1 - 9. Образующая 12 расположена в пределах зоны 20 (заштрихованной на фиг. 1 и 6) в плоскости осевого сечения, Зона 20 ограничена линиями 21 и 22 (показаны пунктиром), которые являются геометрическим местом точек, удаленных от центра зазора на расстояниезо10 05 1/ 3 сов(2 о+ ф) совф2...

Способ фокусировки электронного луча

Загрузка...

Номер патента: 769661

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Мотов

МПК: H01J 29/58

Метки: луча, фокусировки, электронного

...цель достигается тем, чтопеременным полем воздействуют в зоне первого анода электронно-оптической системы, на который подают импульсы напря жения, модулированные однополярнымцимпульсами, которые с частотой кадровой синусоидальнымисинхронизированыразвертки.На фиг, 1 изображена электронно-лучевая трубка с блок-схемой динамической фокусировки; на фиг. 2 - схема импульсов напряжения, подаваемых на первый анод электронно-оптической системы,Электронно-лучевая трубка включает колбу 1, экран 2, отклоняющую систему 3, электронно-оптическую систему 4, модулятор 5, генераторы однополярных импульсов синусоидальной формы с частотой, соответственно, строчной 6 и кадровой 7 разверток.Способ осуществляется следующим образом.Синхронно с импульсами...

Сердечник электромагнитных отклоняющих систем

Загрузка...

Номер патента: 769662

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Хорунджий

МПК: H01J 29/76

Метки: отклоняющих, сердечник, систем, электромагнитных

...пластин.Известны также сердечники электромагнитных отклоняющих систем 2, содержащие полюсные наконечники, расположенные по внутреннему периметру внешнего магнитопровода.Недостатком сердечников является высокая материалоемкость системы, сложность технологического процесса их изготовления.Целью изобретения является упрощение технологии производства сердечников. Указанная цель достигается тем, что полюсные наконечники образованы ферромагнитной гофрированной лентой.Изобретение иллюстрируется чертежом, на котором представлена конструкция сердечника, состоящего из ферромагнитной ленты 1 и внешнего магнитопровода 2. В пазах, образованных гофрированной лентой 1, располагается обмотка отклоняющей системы. При изменении тока в обмотка луч...