H01J — Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы
Способ формирования взрывной эмиссии с поверхности твердотельных катодов
Номер патента: 434508
Опубликовано: 30.06.1974
МПК: H01J 1/30
Метки: взрывной, катодов, поверхности, твердотельных, формирования, эмиссии
...начинают разрушаться, и катод эмиттирует электронный поток взрывной эмиссии. Поверхность катода при этом переходит в жидкую фазу, и под деиствием нрилОн(еннОГО и катоду сильнОГО электрического поля, создающего взрывную эмиссию, из этой жидкой фазы происходит ВытяГНВание новых мпкроострпи, разрушение которых приводит к поддержанию электронного потока с катода. По окончании действия импульса напряжения, создающего взрывную эмиссию момент вРеме 1 ги Ге), микРоостРНЯ из поверхности катода, находящейся в жидкой фазе, начинают под де;Ств 1 См, наприхер) сил поверхностного натяжения у еньшаться. К моменту затвердевания катода число микроострий на его поверхносги уменьшается, это число различно после,аждого в;.Лючсния катОда. Для ПрЕдОлнрагцЕНИя...
Устройство для импульсной подачи газа
Номер патента: 434509
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Иванников, Иванов, Объединенный, Пасюк
МПК: H01J 3/04
Метки: газа, импульсной, подачи
...того,что барабан находится непосредственно на камере источника ионов, сопротивление вытекающему из барабана газу мало и импульс давления газового потока имеет хорогпие фрон ты, достаточные для обеспечения импульснойработы источника ионов.Предлагаемое устройство схематически изображено на чертеже, разрез.Источник ионов 1 соединен с неподвижным 30 барабаном (корпус) 2, щечки 3 с отверстиями434509 етени дмет и Составитель В. Кнмактор И. Орлова Техред Н, Куклина Корректор М, Лейзерман ПодписиСССР Изд, Мо 1789сударственного комитета по делам изобретенийМосква, Ж, Раушска Тираж 760 Совета Минист открытий наб., д. 4/5019/13 ЦНИИПИ пография, пр, Сапунов 34 для прохождения газа образуют вместе сцилиндром 5 из непроводящего материала...
Электронно-оптический преобразователь
Номер патента: 434510
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Кузьмина, Тарасов, Чикин
МПК: H01J 3/34
Метки: электронно-оптический
...от основного генератора, работающего на частоте аа дополнительная пара взаимно перпендикулярных резонаторов 2 и 4 - от дополнительного гене ратора гармонических колебаний, работающего на частоте а.В ЭОП отклонение электронного пучка поперечной составляющей электрического поля при прохождении через резонаторы 1 и 2 мо жет быть представлено как сумма отклоненийпучка по одному направлению каждым резонатором (без учета сдвига фаз за счет пролетного времени) следующим образомгде Аь А, - амплитуды отклоняющих сигналов;У - суммарное отклонение электронного пучка;Кь К - чувствительность отклонения резонаторов;оь а, - частота источников питания.Для получения развертки по спирали необходимо равенство амплитуд отклонений электронного пучка в...
Газоразрядный индикатор напряжения
Номер патента: 434511
Опубликовано: 30.06.1974
Автор: Бричкин
МПК: H01J 17/00
Метки: газоразрядный, индикатор
...электродов в виде проволочек, введенных в пространство между анодом и катодом, приводит кпространственно-временной нестабильности 25развития свечения катода.Цель изобретения - исключение электрической связи между цепью контролируемого напряжения и сигнальными электродами. Цель достигается тем, что в баллон предлагаемого газоразрядного индикатора на разной высоте вмонтированы несколько оптоэлектронных элементов, что позволяет при достижении краем свечения уровня расположения оптоэлектронных элементов получить электрические сигналы, которые гальванически (электрически) развязаны от цепей электродов (анод, катод).Предлагаемый газоразрядный индикатор напряжения состоит из стеклянного баллона, заполненного инертным газом, с вмонтированными...
Газоразрядная матрица
Номер патента: 434512
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Басалыга, Исаенко, Кибисов
МПК: H01J 17/02
Метки: газоразрядная, матрица
...с металлической пленкой отверстий 9, образующей катодную поверхность газоразрядных ячеек матрицы. Каждый из штырьков 6 имеет электрический контакт с соответствующей полоской 10, В другом варианте катодная пластина может иметь сплошную металлизацию и один общий вывод.Пластина-основание 4 и пластины 1, 7, 8 имеют совпадающие контуры. При сборке на торцы наносится вакуумплотный герметик (на чертеже не показан). В пластине-основании 4 делается дополнительное отверстие, в которое впаивается стеклянная трубка (на чертеже не показано), посредством которой матрица при изготовлении подпаивается к откачной установке.Пластины 1, 7 и 8 выполнены из светочувствительного стекла (исходного материала фотоситалла). Заготовку лицевого стекла...
Термокатод
Номер патента: 434513
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Комогорцева, Малкиель
МПК: H01J 19/04
Метки: термокатод
...по длине диаметрального сечения таблетки. бр етенияий цилиндр с запрес 1 м телом из порошков пропитанным эмиссиличающийся тем, я формоустойчивости те катода, поверхность чоложная его рабочей с утолщением по ценвиде конуса. Предмет изоТермокатод, включающ сованным в него пористь тугоплавких металлов, онпым веществом, о т что, с целью повышен 1 пористого тела при рабо пористого тела, противо поверхности, выполнена тру катода, например, в схематически2 С 1О п рьсг е те о аблетки, протистп 4 катода,уг.1 ом 11 ри веркоторого обра Изобретение относится к металлопористым термокатодам торцевого типа, применяемым в элек 1 ровакуумных прибора.Известные конструкции катодов представляют собой цилиндр с запрессованным в торцевую часть его...
Способ изготовления многощелочного фотокатода
Номер патента: 434514
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Павловска, Поль, Работнова
МПК: H01J 40/06, H01J 9/12
Метки: многощелочного, фотокатода
...вость к большим токовым нагрузкам, а техн логический процесс изготовления фотокато сложен.Этого можно избежать при использован предлагаемого способа (применительно к ма сивному многощелочному фотокатоду) бла даря повышению температуры активировки 300 - 320 С и выбору соотношения исходн щелочных металлов (10 - 12,5 вес. % кали 10 а в /см до а в д 120 200 1 ис до го- до ед м ет изобретен и многощелоч ног ктивировку сурь алия и натрия, о, с целью пов ивировку осущ 00 в 3 С и кон 0 - 12,5 вес, % о овленпя ющий а парах к тем, ч ги, ак атуре 3 . алия 1 о фотомы од- отлиппения естьля- центра- исход 20 Одновременно активировку производятодин технологический цикл при повышенндавлении смеси паров калия и натрия над сем сурьмы. Это обеспечивается...
Способ изготовления массивного фотокатода
Номер патента: 434515
Опубликовано: 30.06.1974
МПК: H01J 40/06, H01J 9/12
Метки: массивного, фотокатода
...а порог фотоэффекта при этом ограничен длинами волн 1100 - 1200 нм.Предлагаемый способ позволяет повысить чувствительность и сдвинуть спектральную характеристику фотокатода в длинноволновую область благодаря обработке перед активировкой цезием в парах калия.Предлагаемый способ применительно к фотоэлементу заключается в следующем.Серебро наносят химическим путем и окпсляют до сине-голубого цвета; окисленный слой обрабатывают в парах калия до достижения максимума чувствительности фотокатода (температура обработки 10 - 200 С); ампулу с калием отпаивают и избытки калия отгоняют при 200 в 2 С; при 190 в 2 С производят активацию цезием до достижения черновато- бархатного с переходом в коричневый цвет; при 200 - 230 С отгоняют избытки...
392831
Номер патента: 392831
Опубликовано: 05.07.1974
МПК: H01J 40/06
Метки: 392831
...Высокое поглощение света не позволяет получить значительный квантовый выход фотокатода за счет оптического усиления, основанного на полном внутреннем отражении.Предлагаемый фотокатод отличается тем, что содержание коллоидного серебра в нем е превышает 15 вес. % окиси цезия. Э зволяет уменьшить поглощение света фотокатодом при сохранении высокой чувствительности и повысить эффективность оптического усиления. ьностью, содержание в нем примесеи Ад сохранено таким же, как и в обычном0 - Сз-фотокатоде. При этом содержание и цезия в таком фотокатоде такое же,в известных фотокатодах,На фиг. 1, 2 и 3 изображены соответственно графики зависимостей светопоглощения, квантового выхода и коэффициента усиления от длины волны излучения, полученные в...
371842
Номер патента: 371842
Опубликовано: 05.07.1974
Автор: Пахомов
МПК: H01J 40/16
Метки: 371842
...по периметру с рабочей поверхностью фотокагода,-1 а чертеже изображена часть предлагаего фотоэлектронного прибора.Прибор содержит полупрозрачный серебряно-кислородно-цезиевый фотокатод, состоящий из нанесенного на прозрачную подложку 1 фоточувствительного слоя 2 с ограниченной рабочей поверхностью 3, на котором расположен слой 4 серебра с окном 5, совпадающим с рабочей поверхностью фоточувствительного слоя.Повышение концентрации примеси серебра на рабочем участке, необходимое для снижения термоэмиссии и повышения чувствительности, обеспечивается диффузией атомов с участков, на которые напылено серебро. Площадь рабочсго участка обычно во много раз меньше остальной площади фотокатода, поэтому общее снижение термоэмиссии в предлагаемом...
Способ заварки вводов бесштенгельнойртутно-кварцевой капиллярной лампысверхвысокого давления
Номер патента: 435571
Опубликовано: 05.07.1974
Автор: Горбулев
МПК: H01J 61/36, H01J 9/32
Метки: бесштенгельнойртутно-кварцевой, вводов, давления, заварки, капиллярной, лампысверхвысокого
...способа заварки вводов бесштенгельных ртутно-кварцевых капиллярных ламп сверхвысокого давления с принудительным охлаждением,Такие лампы большой мощности при ограниченных размерах могут применяться в специальных малогабаритных осветительных устройствах, в частности для накачки твердотельных оптических квантовых генераторов, например, на рубине.Безусловные эксплуатационные преимущества имеют ртутные капиллярные лампы сверхвысокого давления так называемого дозированного типа. Такие лампы не имеют откачного штенгеля, и их откачка осуществляется через одну из ножек, Поэтому заварку одного из применяемых в лампе молибденовых фольговых вводов осуществляют после откачки и наполнения лампы. способ заварки вводов бутно-кварцевой...
Полупроводниковый материал для детектора частиц
Номер патента: 436306
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Завадский, Институт, Калашников, Карпова, Корнилов, Электроники
МПК: G01T 1/24, H01J 49/00
Метки: детектора, материал, полупроводниковый, частиц
...т - времена жизни соотвепственно долгоживущих и короткоживущих носителей. Кроме того, дрейфовая длинна неосновных носителей должны быть больше их диффузионной длины.Примером такого материала может служить кремний а-типа приводимости, компенсированный циником таким образом, что между концентрациями цинка (Уу) и фосфора (Лгр) сущеспвует соотношениеМ 7 п (Жр ( 2 МкпВ таком материале вследствие сильной асимметрии сечений захвата. дырки и электрона на верхний уровень цинка (Е, - 0,51 эв) усР пловие - ) 1 выполняется. Величинаи -.рудельного сопротивления в таком материале должна быть, как это можно показать, больше, чем (1 - 2) 104 ом см. Если образец из такого материала включить в цепь постоянного тока и приложить к,нему поле, превосходящее...
Источник ионов
Номер патента: 436406
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Автоматики, Бугаев, Институт, Кирова, Кошелев, Научно, Электроники
МПК: H01J 3/04
...воздействии статическим напряжением рост разрядного тока в вакууме всегда связан с появлением на катоде сгустков плазмы, образующихся в результате взрыва микроскопических выступов металла под действием джоулевого разогрева автоэмиссионным током. Появляющиеся в результате взрыва пары металла ионизуются проходящим пучком электронов и распространяются в вакууме со скоростью -10 см/сек. Величина электронного тока, протекающего между фронтом плазмы и анодом, определяется законом 3/2 для диода со сближающимися электродами. Интенсивная электронная бомбардировка анода приводит к его разогреву, испарению и образованию факела плазмы, движущегося по направлению к катоду. С фронта этого факела эмиттируются ионы и ускоряются в сторону катода. Если...
Способ тренировки стабилитронов тлеющего разряда
Номер патента: 436407
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Белкин, Гусев, Егоров, Елесин, Тимофеева
МПК: H01J 9/02
Метки: разряда, стабилитронов, тлеющего, тренировки
...электродов, Время тренировки приборов с большой площадью катода и анода составляет несколько десятков часов.Для сокращения длительности процесса тренировки предлагается способ, по которому импульсы отрицательной полярности выбирают с временным сдвигом и длительностью в 2 - 4 раза меньше по отношению к положительным импульсам.Сущность изобретения состоит в том, что наэлектроды прибора подают импульсы напря жения положительной полярности, .=- 10 -25 мсек, =25 Гц, а в интервалах между импульсами напряжения положительной полярности на электроды прибора подают импульсы напряжения отрицательной полярности, при чем длительность импульса напряжения отрицательной полярности в 2 - 4 раза меньше длительности импульса напряжения положительной...
Способ изготовления многоцветных электролюминесцентных индикаторов
Номер патента: 437144
Опубликовано: 25.07.1974
Авторы: Антипов, Изумрудов, Лазарева, Савельев
МПК: H01J 9/22
Метки: индикаторов, многоцветных, электролюминесцентных
...органического раство рителя лаковой пленки. На участках, не защищенных фоторезистом, поверхность лаковой пленки растворяется и частицы люминофора внедряются внутрь лаковой пленки. Подложку выдерживают в парах растворителя до 10 тех пор, пока порошковый люминофор невнедрится почти иа всю толщину лаковой пленки, после чего прекращают действие паров и подсушивают лаковую пленку, чтобы лак снова затвердел. Затем удаляют избыток 15 люминофора, не прилипшего к поверхностилаковой пленки, В результате этих операций электролюминофор оказывается нанесенным только на те участки изображения, которые должны светиться.20 Для некоторых типов подложек лаковаяпленка с внедрившемся в нее электроалюминофором может быть сравительно легко отделена от...
Устройство для навивки сеток плоской формы
Номер патента: 437145
Опубликовано: 25.07.1974
Автор: Малахов
МПК: H01J 9/38
Метки: навивки, плоской, сеток, формы
...поверхности, на которые укладывается виток. Направляющий элемент 2,расположенный в начале витка, выполненГ-образным, Один конец его опущен междуосновной и дополнительной несущими поверхностями оправки, а другой выступает за еебоковую поверхность, Этот элемент выполненс двумя рабочими поверхностями 8 и 9, причем рабочая поверхность 8 выступающей части смещена относительно рабочей поверхности 9 остальной части элемента на расстояние б,обеспечивающее контакт проволоки 4 собоими элементами нитенаправляющего узлав процессе укладки витка. Это расстояние зависит от шага навивки, высоты и ширины оправки для навивки и радиуса окружности,описываемой роликом 10, несущим навиваемую проволоку. Оно может быть рассчитанопо вышеприведенной...
Ионный низковольтный диод
Номер патента: 437146
Опубликовано: 25.07.1974
Автор: Кривошапко
МПК: H01J 17/40
Метки: диод, ионный, низковольтный
...мощных выходных ламп и транзистоИзвестные газонаполненные диоды с холодным активированным катодом представляют собой два цилиндра различных размеров,Однако известные диоды имеют недостаточно низкое напряжение зажигания и недостаточный срок службы при применении в цепях переменного тока.Целью изобретения является снижение напряжения зажигания и увеличение срока службы при применении в цепях переменного тока.Для этого диод содержит два пар ных стержня, которые прикреплены п положными концами к боковой нове цилиндров по образующей таким образ каждый из стержней располиндра, соединенного спричем оба покрыты матернизкую работу выхода.На чертеже приведенадиода.Ионный низковольтный дцилиндра 1 и два стержня 2 Ионный ни цилиндр ическ ся...
Электронограф медленных электронов
Номер патента: 437147
Опубликовано: 25.07.1974
Авторы: Артемов, Иремашвили
МПК: H01J 37/26
Метки: медленных, электронов, электронограф
...микродифракции зондирующего пучка с кристаллом,На чертеже изображен предлагаемый электронограф.Устройство, г30 стоит из пушки де находится кристалл 1, со 2 нормально падающих электронов, селектирующих сеток 3, флуоресцирующего экрана 4, смотрового окна 5, дифракционной камеры 6, коллектора 7 и пушки 8 электронов, падающих под углом к образцу.При бомбардировке поверхности исследуемого кристалла 1 электронным пучком, формируемым пушкой 2, возникают дифракционные пучки, которые, пройдя сквозь селектирующие потенциальные сетки 3, попадают на внутреннюю поверхность экрана 4, возбуждая свечение флуоресцирующего покрытия. На экране электронографа возникает дифракционная картина, состоящая из отдельных светящихся рефлексов, наблюдаемая через...
Конденсорная линза
Номер патента: 437148
Опубликовано: 25.07.1974
Автор: Коноваленко
МПК: H01J 37/26
Метки: конденсорная, линза
...расстояние Еюот кроссовера до средней плоскости первой5 щели, расстояние 1, между щелями,Конденсорная линза выполнена следующимобразом.В магнитопроводе 1 размещена катушка 2,а в центральном отверстии линзы в соответст 10 вии с оптической осью Л расположен двухщелевой полюсный наконечник, у которого диапазон отношений расстояния от кроссоверадо средней плоскости первой щели (Ло) красстоянию между щелями (Е) равен 0,67 -152 о0,58 - =0,67 - 58 и произведение увеличений (увеличение первой щели Р, на увеличе 120 ние второй щели) выполнено в диапазоне --70 1/ 1 1-- У У 2= --- р что обеспечивает ра 120 70 120диус наименьшего сечения пучка на объекте 25 (г) от 0,5 мк до 0,3 мк и наибольшую плотаность тока в этом сечении до 3смф Предлагаемая...
Способ изготовления эмиттеров горячих электронов
Номер патента: 438061
Опубликовано: 30.07.1974
Авторы: Иофис, Пароль, Шарапова
Метки: горячих, электронов, эмиттеров
...10 олова пропусканием электрического тока на воздухе. При этом в месте повышенного сопротивления происходит разогрев пленки олова, ее пережог с одновременным окислением. В месте пережога образуется формо вочная пленка, способная эмиттировать электроны.Цель изобретения - упрощение технологии изготовления,Для этого по предгреву подвергаютолова.Получение пленок металлического олова значительно проще, чем получение пленок ЗпОз. При получении пленок ЯпО; методом 2 гидролиза (именно этот метод применяется для получения ненакаливаемых эмиттеров) процесс ведется в реактивной среде паров НС 1, что вредно для обслуживающего персонала и требует использования специального оборудования.В качестве эмиттера работает узкая отформованная область пленки...
Механотрон
Номер патента: 438062
Опубликовано: 30.07.1974
Автор: Зыслин
МПК: H01J 21/00
Метки: механотрон
...упрощается конструкция,повышаются экономичность, стабильность инадежность механотрона.На фиг. 1 показана электродная система механотрона, общий вид; на фиг. 2 изображенмеханотронный преобразователь линейных перемещений в разрезе.Электродная система механотрона содержиттри параллельные катодные пластины 1, 2 и 3катодного узла механотрона одинакового размера, которые расположены перпендикулярнок плоскости анодной пластины 4. Пластины 1, 2, 3 образуют сдвоенный полыйкатод, пластины 1 и 3 - одну полость, пластины 3 и 2 - вторую. Причем пластина 3 соединяется с кинематической системой 5 механо трона (фиг, 2), является подвижным электродом и перемещается при работе механотрона, приближаясь или удаляясь относительно неподвижных катодных...
Размагничивающее устройство
Номер патента: 438063
Опубликовано: 30.07.1974
МПК: H01J 29/06
Метки: размагничивающее
...сечения магнитопровода и площадь уменьшенного сечения следует выбирать из следующих соображений. Сталь, из которой обычно изготавливают магнитный экран, имеет определенную величину максиМаЛЬНОй,ИНДУКЦИИ НаСЫЩЕНИЯ (Вмакс КОТО- рая колеблется для разных марок стали от 2 до 2,5 тл (тесла), В то же время у каждой марки стали имеется определенная величина максимальной остаточной индукции (Вост), которая находится в пределах 0,3 - 0,8 тл. Качественное перемагничивание всех металлических деталей достигается, когда в начальный момент размагничивания амплитудное значение индукции (В,м,), создаваемое источниками м,д.с. во всех сечениях по пути магнитного потока, превысит остаточную индукцию (Вост) материала. При этом следует учитывать, что в...
Ртутная лампа высокого давления
Номер патента: 438064
Опубликовано: 30.07.1974
МПК: H01J 61/20
Метки: высокого, давления, лампа, ртутная
...пзО гяемых лакп В ближней у.438064 Предмет изобретения 2,3 - гп =3,8 мг/смз 15 " .Р :25 мм 25Я 5 втсм Составитель Л. Сольц Техред Г, Васильева Редактор В. Левитов Корректор О. Тюрина Заказ 2189 Изд.1855 Тираж 760 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал ра может не менее, чем втрое, превышать соответствующий параметр ламп в.д., работающих в известных (в основном, электрических) режимах эксплуатации.Лампы с кварцевой колбой могут работать с принудительным охлаждением (например, воздушным или водяным), В случае иных материалов колбы (например, поли- кристаллической окиси алюминия: люкоре, поликоре, лукалоксе) лампы могут...
259211
Номер патента: 259211
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Мараховский, Рыбников, Соболевский
МПК: H01J 29/00
Метки: 259211
...4 для подвески направляющей втулки 5 с наружной резьбой и направляющими отверстиями для подвижной задней опоры 6, перемещаемой поступательно при помощи гайки 7; крепежный корпус 8 для отклоняющей системы 9, поступательно перемещаемой гайкой 10; шпонку 11 для предупреждения вращения корпуса отклоняющей системы. Перед установкой электронно-лучевой трубки 12 гайки 7 и 10 находятся в нижнем положении, а верхняя опора - обрамление 1 снята. Установив электронно-лучевую трубку в 5 необходимое положение, ставят верхнюю опору - обрамление и закрепляют ее крепежным устройством 3. Затем при помощи гайки 7 прижимают электронно-лучевую трубку к верхней опоре - обрамлению и устанавлива ют с помощью гайки 10 отклоняющую систему в необходимое...
Коммутирующий элемент для импульснокодовой модуляции
Номер патента: 439026
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Вишневский, Крижановский, Кузьмичев, Писаренко, Шендаков
МПК: H01J 1/50
Метки: импульснокодовой, коммутирующий, модуляции, элемент
...накопителя с магнитными тираками и источниками подмагничивания.а чертеже схематически изображен предлагаемый коммутирующий элемент для импульсно-кодовой модуляции.Двухэлектродный газоразрядный прибор 1 совмещен с трансформатором 2, вторичная обмотка которого служит катодом 3, а первичная электрически разделена на две секции 4 и 5, Вокруг катода размещен цилиндрический разрезанный по образующей анод 6. Электроды прибора заключены в тороидальную вакуумную оболочку 7,При подаче на анод прибора положительного напряжения и при отсутствии м ного поля разряд не зажигается, так ка ление в приборе выбрано таким, что длина свободного пробега электронов больше междуэлектродного расстояния.Одна из секций обмотки подключена к цепи переменного...
Устройство для крепления фокусирующей и отклоняющей системы
Номер патента: 439027
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Денисенков, Рейфе
МПК: H01J 3/38
Метки: крепления, отклоняющей, системы, фокусирующей
...внешней втулки выполнены с одинаковым эксцентриситетом, Внешняя втулка установлена внутри корпуса с возможностью продольного перемещения и 0 вращения вокруг оси трубки. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство на ЭЛТ с двумя горловинами, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный 15 разрез.Внутри корпуса 1 (фиг. 1) на перемычке 2закреплена ЭЛТ 3.По обе стороны от перемычки 2 расположены две фокусирующие отклоняющие систе мы (ФОС) 4. Каждая ФОС установлена внутри трех концентрически расположенных втулок, взаимодействующих между собой - внутренней 5, промежуточной 6 и внешней 7.Наружная поверхность внутренней втулки 25 и внутренняя поверхность промежуточнойвтулки выполнены в виде сферы. Остальные поверхности втулок -...
Способ изготовления автоэлектронных катодов
Номер патента: 439028
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Давыдова, Карпенко, Шишкин
МПК: H01J 1/304, H01J 9/02
Метки: автоэлектронных, катодов
...1 скандия и их миграции в области грани (100).Миграция окисных комплексов сопровождает ся изменением напряженности поля и уменьшением работы выхода тр в область грани (100), вследствие чего яркость этих областей резко возрастает.Предложвнный способ локализации был 15 опробован при нанесении на поверхностывольфрамовых острий пленок скандия и иттрия.При соблюдении режимов нанесения и термической обработки слоев этих металлов эмиссионные свойства покрытия воспроизводятся 20 с большой точностью, Покрытия из окисныхкомплексов скандия и иттрия снижают расхождение электронного пучка до 12 - 15, Использование для эмитторов вольфрамовой проволоки, ориентированной вдоль оси (100) по аволит еще более сузить угол автоэмиссии.Исследование...
Анодный блок цилиндрического магнетрона
Номер патента: 439029
Опубликовано: 05.08.1974
МПК: H01J 25/58
Метки: анодный, блок, магнетрона, цилиндрического
...и повышения добротности магнетрона при сохранении эффективной высоты анода, вблизи торцов системы размещены металлические кольца с внутренним диаметром, равным диаметру анода, расположенные на расстоянии1 1--- длины волны генерируемого сигнала 15 20н имеющие электрический контакт с торцами 25 системы на расстоянии от анодного отверстия,равном глубине резонаторов. Изобретение относится к СВЧ приборам.Известны конструкции магнетрона, в которых развязка между торцовой полостью и резонаторной системой осуществлена резона- торными системами закрытого типа.Однако в этих конструкциях перепад амплитуды высокочастотного поля по высоте анодного блока велик вследствие равенства нулю полей на торцах системы,Цель изобретения - уменьшение...
Магнитная отклоняющая система
Номер патента: 439030
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Бугаец, Телегин, Эльманович
МПК: H01J 29/76
Метки: магнитная, отклоняющая
...магнито обмотку, о тл и ч а юью упрощения констзготовления, магнитоМагнитная отклоняющтронно-лучевых трубок,провод с полюсами ищаяся тем, что, с цел0 рукции и технологии и 1Изобретение относится к отклоняющим системам для электронно-лучевых приборов.Известна магнитная отклоняющая система типа статора, представляющая собой пакет склеенных между собой пластин из магнитомягкого материала. Недостаток этой системы состоит в том, что невозможно ее использования в электронно-лучевых приборах с большим (выше 70) углом отклонения электронного пучка, а также из-за технологической сложности выполнения обмоток магнитопровода. Намотка выполняется непосредственно на магнитопроводе вручную,Целью настоящего изобретения является создание достаточно...
Источник отрицательных ионов
Номер патента: 439859
Опубликовано: 15.08.1974
МПК: H01J 3/04
Метки: ионов, источник, отрицательных
...Л. Цветкова Изд.1901 Гираь 760 ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Заказ 5540 Обл. тип, Костромского управления издательств, полиграфии и кпизкной торговли этом пути электроны понпзируют газ илп пар и образуют положительные ионы. Образующиеся в пространстве между электродом 4 и мишенью положительные ионы ускоряются в направлении мишени и выбивают из пленки адсорбированного на ней газа илп пара отрицательные ионы. Выбитые отрицательные ионы ускоряются в направлении электрода 4, проходят сквозь щель в нем и затем используются по назначению. Они могут быть направлены в масс-анализатор для разделения по теЧем ближе потенциал 1/, к потенциалу С...