Патенты с меткой «мелкоструктурных»

Способ изготовления мелкоструктурных сеток

Загрузка...

Номер патента: 111115

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Калинкин, Круссер, Чистов

МПК: H01J 29/06, H01J 9/02

Метки: мелкоструктурных, сеток

...в виде мелко- структурной сетки. При подобном способе с одного растра удается снять лишь несколько сеток, после чего растр разрушается и его приходится наносить вновь.В описываемом изобретении этот недостаток устранен тем, что растр наносится на поверхность металла, имеющего слабое сцепление с осаждаемым на нем металлом сетки.Согласно изобретению, с помощью делительной машины изготавливается негатив или эталонная сетка, которые используются для фотомеханического изготовления растра на поверхности пластины из титана.На полученный подобным способом растр электролитическим путем осаждается слой металла, например меди. Благодаря слабому сцеплению меди с титаном электролитически нанесенный слой меди, образующий сетку, легко отделяется...

Способ изготовления мелкоструктурных сеток

Загрузка...

Номер патента: 122214

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Киселев

МПК: H01J 9/16

Метки: мелкоструктурных, сеток

...форму с выдвигающимися пластмассовыми или восковыми токонепроводящими штырями заданнон конфигурации, соответствующей требуемой форме отверстий сетки.Конструктивное выполнение металлической формы, предназначенной для получения сеток в соответствии с описываемым способом, заключается в следующем. К металлическому корпусу плотно прикреплена пластина, снабженная отверстиями требуемой, например 4-х или 8-ми угольной, формы. Пластина изготавливается из нержавеющей стали нли меди, покрытой никелем, и имеет несколько выгнутую форму в соответствии с конфигурацией изготавливающихся сепарирующих решетокдля электронно-лучевых трубок, Корпус снабжен болтом. Наружные поверхности корпуса и болта покрыты токонепроводящим слоем, например воском или...

Устройство для контроля и коррекции мелкоструктурных сеток

Загрузка...

Номер патента: 208136

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Бобр, Ветрова, Гипсман, Дударев, Кацин

МПК: H01J 9/16

Метки: коррекции, мелкоструктурных, сеток

...редмет изобретен Устройство для контроля и коррекции мелкоструктурных сеток, содержащее координатный стол, источник света, фотометрический и электролитический комплексы, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества сеток и повышения производительности, оно имеет сопло, расположенное между источником света и сеткой, пропускающее электролит и луч света. После изготовления мелкоструктурные сетки электровакуумных приборов подвергают операциям фотометрического контроля прозрачности и электролитической коррекции.Предлагаемое устройство позволяет проводить эти две операции одновременно, тем самым повышая производительность труда и качество сетки. Для этого оно имеет сопло, расположенное между источником света и сеткой, пропускающее...

Устройство для гальванопластического изготовления мелкоструктурных сеток

Загрузка...

Номер патента: 589292

Опубликовано: 25.01.1978

Автор: Малахов

МПК: C25D 1/08

Метки: гальванопластического, мелкоструктурных, сеток

...Валки 5 и 6расположены одежду верхним 8 и нижним 9основаниями. На верхнем основании 8 расположены контактные шины 10, а ка верхнихконцах анодов 3- пружинные контакты 11.Анодные камеры 2 соединены последователь,но через звенья 12 с помощью осей 13.Работает неустройство следующим образомПод действием привода ведущий валок 6,приводит в движение бесконечно замкнутый 15конвейер 4 с анодными камерами 2. Гриближаясь к катоду 7 и подключаясь пружинными контактами 11 к контактной шине10, анодные камеры 2 вступают последовательно в процесс электролиза. В каждой 20анодной камере при перемещении плоскопараллельно вдоль катодов, происходит осаждение металла в. каждый момент времени нате поверхности катодов 7,которые расположены напротив щелевых...

Способ изготовления металлических мелкоструктурных сеток

Загрузка...

Номер патента: 618457

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Воробьев, Кандалов, Петрова, Сотникова

МПК: C25D 1/08

Метки: мелкоструктурных, металлических, сеток

...в 1 - 2 мкм матрицу с покры. тием отжигают в вакууме или инертной среде при температуре равной 1,1 - 1,2 температуры плавления материала матрицы, в результате чего материал матрицы удаляется испарением через слой тугоплавкого металла. Многократным618457 1966,Составитель Л. КазаковаТехред А.Алаты рея Корректор Н. Тупица 1 ецактор М. Васильева Заказ 4218/25 Тираж 738 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал П 1 П "Патент". г. ужгород, ул. Проекция, 4 повторением операций осаждения и отжига ма.териал матрицы полностью удаляют, а размерячеек сетки доводят до 1-3 мкм с получениемплотности отверстий до 10 на 1 см ,П р и м е р, Для...

Способ получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий на подложке

Загрузка...

Номер патента: 622186

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Артюхина, Лиссер, Попова

МПК: H01J 9/22

Метки: люминесцентных, мелкоструктурных, подложке, покрытий

...проиэвоцятсброс ее остатков из нанесенного слоялюминофора центрифугирования при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил.П р и м е р. В соответствии с предлагаемым способом подложки закладываютв гнезда ротора центрифуги, в гнездазаливают суспензию люминофора. Прн вращении ротора гнезда под цействием центробежиой силы разворачиваются такимобразом, что плоскость подложки располагается перпендикулярно направлениюдействующих сил (перпендикулярно направлению равнодействующей центробежной 15силы и силы тяжести),На частицы люминофора в суспензиидействуют силы порядка 5-10 у и вызывают энергичное их освждение на плоскость подложки с образованием плотного 30слоя люминофора,По окончании осаждения люмийофораиа...

Способ изготовления мелкоструктурных деталей из фольговых заготовок

Загрузка...

Номер патента: 424396

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Глаговский, Иоффе, Ройтштейн

МПК: B23P 1/00

Метки: заготовок, мелкоструктурных, фольговых

...Корректор М.Демчик Заказ 8017/2 Тираж 110 б ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 45 Филиал ППП "Патент", г,ужгород, Ул.Проектная, 4 Изобретение относится к электро- физической обработке даталей, получаемых вырезкой иэ фольги.Известен способ изготовления мелкоструктурных деталей из фольговых заготовок путем вырезания из стопки.с помощью электрофизической обработки, например электроэрозионного вырезания проволокой с последующим разделением стопки на отдельные детали. 1 ООднако в результате применения известного способа наблюдаются местные оплавления дателй, разделение которых затруднено и приводит к их повреждению. 15По предлагаемому способу для...

Способ передачи и приема факсимильных мелкоструктурных изображений по цифровым каналам связи с групповой помехой

Загрузка...

Номер патента: 1538274

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Морозов, Торба

МПК: H04N 1/00

Метки: групповой, изображений, каналам, мелкоструктурных, передачи, помехой, приема, связи, факсимильных, цифровым

...с оригинала 2. Иа выходе его получается видеосигнал изображения,который формируется по амплитуде идлительности в формирователе 3 цифроного сигнала, Блок 4 кодирования сигнала производит кодирование цифрового сигнала строк развертки в цифровые блоки, (одирование сигнала производится одним из известных способов, например адресно-позиционнымкодом. Между цифровыми блоками строкразвертки передается кодовая комбинация сигнала начала строки (1 С,фиг, 2 а)., В блоке 5 памяти кодированный сигнал строк развертки запоминается. Блок 6 управления выводоминформации на передаче при приемеблоком 5 строк развертки от 1 участков иэображения начинает вывод построчно .кодированного сигнала строкразвертки в следующем порядке: сначала выводятся...

Способ получения мелкоструктурных катодолюминесцентных покрытий для электронно-лучевых трубок высокого разрешения

Загрузка...

Номер патента: 2004029

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Гаврылив, Кузь, Лущик, Пигрух, Солтыс

МПК: H01J 9/22

Метки: высокого, катодолюминесцентных, мелкоструктурных, покрытий, разрешения, трубок, электронно-лучевых

...сцепления частиц с подложкой, а использование в качестве щелочи тетраборнокислого натрия - для стабилизации процесса осаждения частиц(за счет постоянства рН раствора, обеспечивающего одинаковую степень иониэации мак ромолекул полимера),При концентрации ПМАК в процессе осаждения ниже 0,015 получаемые покрытия характеризуются низкой адгезией к подложке (экрану), а при концентрации выше 0,020;4 изменяется дисперсный состав полученной агрегативно устойчивой суспензии,Предложенная концентрация тетраборнокислого натрия (0,16 - 0,20 мас.) является оптимальной и обеспечивает постоянство рН раствора ПМАК и, как следствие, одинаковую степень ионизации ее макромолекул. В результате стабилизации процесса осаждения сохраняются свойства...